「memory-effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a magnetic memory device which is provided with a spin injection type magnetoresistance effect element and can improve the reliability of a barrier layer and output S/N ratio, and to provide a method of driving the same.例文帳に追加

スピン注入型の磁気抵抗効果素子を有する磁気メモリ装置に関し、バリア層の信頼性及び出力のＳ／Ｎ比を向上しうる磁気メモリ装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electronic element such as a DRAM semiconductor memory with which proper capacitor characteristics or recording characteristics can be obtained even if the capacitor structure is very small, or a field effect transistor.例文帳に追加

本発明は、容量構造が非常に小さくとも、好適な容量特性や記録特性が得られるＤＲＡＭ半導体メモリまたは電界効果トランジスタ等の電子素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the case of being qualified as a result of collation, a rewrite processing part 17 writes in the nonvolatile memory 14 to the effect that authentication is "right", and a time management part 27 in the IC holder 20 clocks elapsed time.例文帳に追加

照合の結果、正当である場合は、書き換え処理部１７が、認証「正」の旨を不揮発性メモリ１４に書き込むと共に、ＩＣホルダ２０内の時間管理部２７が経過時間の計時を行う。 - 特許庁

To display the absolute residual ratio of a rechargeable battery, display the relative residual ratio which is the ratio of the residual capacity to the maximum capacity considering deterioration, memory effect and operating environment, and display the refresh discharging by the memory effect, battery charging, a battery life and battery replacement.例文帳に追加

充電式電池の絶対残存率の表示及び劣化状態, メモリ効果状態, 各使用環境を加味した実力容量に対する残存容量の割合である相対残存率の表示を可能とし、さらにメモリ効果によるリフレッシュ放電表示, 電池充電表示，電池寿命表示、電池交換表示等を行うことができるようにした電動車両の電池状態表示装置を提供する。 - 特許庁

Strength of fog effect applied to the three-dimensional graphics data is calculated, it is determined whether to execute texture mapping to the three-dimensional graphics data or not by the calculated strength of the fog effect, and the texture mapping is performed by a determined result to reduce a frequency of memory access for reading a texture.例文帳に追加

３次元グラフィックスデータに適用される霧効果の強度を計算し、計算された霧効果の強度によって３次元グラフィックスデータに対するテクスチャーマッピングの実行如何を決定し、決定された結果によってテクスチャーマッチングを行うことによってテクスチャーを読み取るためのメモリ接近の回数を減少させることができる。 - 特許庁

The game machine includes a prediction announcing means (a game controller 30) for performing the prediction announcement, showing an effect that the random number value to be determined as the specified value is stored in a start storage means (the game controller 30), during the execution of the variable display game corresponding to the start memory which is stored before the effect in the case where the random number value is stored.例文帳に追加

始動記憶手段（遊技制御装置３０）に特定値と判定される乱数値が記憶されている場合に、その旨を、それよりも以前に記憶されている始動記憶に対応する変動表示ゲームが実行されている間に、予告報知する予告報知手段（遊技制御装置３０）を備える。 - 特許庁

The control part 11 executes generation suppression corresponding to the generation suppression amount per time zone, and when a voltage of the accumulator battery reaches a cancellation voltage (unit cell 1V) of the memory effect, the generation suppression is released.例文帳に追加

制御部１１は時間帯別発電抑制量に対応した発電抑制を実施するとともに、蓄電池の電圧がメモリー効果の解消電圧（単セル１Ｖ）に達するとともに、発電抑制を解除する。 - 特許庁

SIMPLE TOOL FOR PRODUCING EXPERIMENT MODEL OF CEREBRAL NERVE DISORDER, METHOD FOR PRODUCING THE MODEL, LABYRINTH FOR DETERMINATION OF MEMORY AND METHOD FOR EVALUATION OF DRUG EFFECT OF DRUG FOR CEREBRAL NERVE DISORDER AND ANTIDYSMNESIAC DRUG例文帳に追加

簡易脳神経障害実験モデル作製器及び脳神経障害実験モデルの作製方法、記憶測定用迷路装置並びに抗脳神経障害薬及び抗記憶障害薬の薬効評価方法 - 特許庁

A semiconductor memory is provided with fuses F01, F02 or the like to be cut off complementarily in accordance with a defective address, and n-channel field effect transistors TN0, TN1 cutting off a current flowing in these fuses.例文帳に追加

欠陥アドレス記憶回路として、欠陥アドレスに応じて相補的に切断すべきヒューズＦ０１，Ｆ０２等と、これらヒューズを貫通する電流を遮断するｎ型電界効果トランジスタＴＮ０，ＴＮ１とを備える。 - 特許庁

To provide a charge beam writing device, a pattern writing method and a memory medium which enables superior writing performance by reducing a color aberration and lessening the influence of a space charge effect by using charged beams of low acceleration.例文帳に追加

低加速の荷電ビームを用いて色収差が小さく空間電荷効果の影響が少なく描画性能に優れた荷電ビーム描画装置およびパターン描画方法並びに記録媒体を提供する。 - 特許庁

To shape each magnetoresistive effect element in a magnetic memory strictly beyond the resolution limit of photolithography when it is shaped to be effective for suppressing the variation of an inverted magnetic field.例文帳に追加

磁気メモリ装置における各磁気抵抗効果素子を反転磁界ばらつき抑制に効果的な形状とするのにあたり、その形状をフォトリソグラフィの解像度限界を超えて厳密に形成することを可能とする。 - 特許庁

When memory effect occurs in the vicinity of the lower limit SOCmin of the use SOC range, the use SOC range is altered by increasing the upper limit SOCmax and the lower limit SOCmin simultaneously by ΔSOC1.例文帳に追加

使用ＳＯＣ範囲の下限ＳＯＣｍｉｎの近辺でメモリ効果が発生している場合には、上限ＳＯＣｍａｘおよび下限ＳＯＣｍｉｎを同時にΔＳＯＣ１だけ上昇させて使用ＳＯＣ範囲を変更する。 - 特許庁

To provide a charge and discharge control method and a charge/discharge system of a battery pack consisting of alkali storage batteries, which can prevent the deterioration of a battery formation material and prevent a memory effect while maintaining the high output.例文帳に追加

電池構成材料の劣化を抑制するとともに、高出力を維持しつつメモリー効果を抑制できる、アルカリ蓄電池からなる電池パックの充放電制御方法および充放電システムを提供する。 - 特許庁

To provide a resistance change memory device which uses a spin transfer effect which reduces the transition probability into a quasi-stable state, and achieves the stable flux reversal over a wide range of an injection current to write in data.例文帳に追加

準安定状態への遷移確率を減らし、注入電流の広い範囲にわたって安定な磁化反転を実現する、スピントランスファ効果を利用してデータの書き込みを行う抵抗変化型メモリデバイスを提供する。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing in which the source/drain region of an FET and a capacitor lower electrode are connected in small resistance without diffusion barrier in a memory cell provided with a stacked capacitor on a MOS field effect transistor (MOSFET).例文帳に追加

MOS電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）上にスタックトキャパシタを設けるメモリセルにおいて、ＦＥＴのソース／ドレイン領域とキャパシタ下部電極を拡散バリアのない低抵抗で接続する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a charge/discharge controller for an alkali storage battery, capable of avoiding a memory effect while fully bringing out characteristics of the battery during travel as well as attaining simplification of a system without needing a detecting device.例文帳に追加

検出装置を必要とせず、システムを簡易化できるだけでなく、走行時に電池の特性を十分に引き出しながらメモリー効果を回避できるアルカリ蓄電池の充放電制御方法を提供する。 - 特許庁

The sample introduction device includes a replaceable sample solution introduction nozzle 23 branched from a sample introduction tube 26, and reduces a memory effect by simultaneously introducing a sample solution and a washing solution.例文帳に追加

本発明の試料導入装置は、試料導入管２６から分岐した付けかえ式の試料溶液導入用ノズル２３を備え、試料溶液と洗浄液を同時に導入するため、メモリー効果を低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which prevents a phenomenon that a neighboring negative wordline effect is serious and prevents useless increase of current consumption, when a negative wordline system is applied and, to provide a driving method thereof.例文帳に追加

ネガティブワードライン方式の適用時において、隣接ゲート効果が深刻になる現象を防止し、かつ、無駄な電流消費の増加を防止することのできる半導体メモリ装置及びその駆動方法を提供すること。 - 特許庁

The display system having the feature of transmitting image data and also supplying power successively for every prescribed number of display apparatuses from a host machine to a plurality of display devices provided with a reflection type display device having a memory effect.例文帳に追加

ホスト装置からメモリ性を有する反射型表示素子を備えた表示装置に、所定数の表示装置毎に順次画像データを送信するとともに電力を供給することを特徴とする表示システム。 - 特許庁

When normally transmitting either of the equipment code signal and the ID code signal, corresponding to those signals, the communication control part 21 records a transmission history, to that effect as the communication history, in the memory 21M.例文帳に追加

さらに、通信制御部２１は、それら信号に対応する機器コード信号及びＩＤコード信号の何れかを正常に送信した際にはその旨を示す送信履歴を通信履歴としてメモリ２１Ｍに記録する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory having an architecture which has a small influence of an unevenness of recording and reading conditions of a pair of magnetoresistive effect elements used in combination when a differential operation or the like is conducted.例文帳に追加

差動動作などを行う場合に、組み合わせて用いる一対の磁気抵抗効果素子に対する記録、読み出しの条件のばらつきの影響が少ないアーキテクチャを有する磁気メモリを提供することを目的とする。 - 特許庁

An insulating layer 304 and a non-magnetic conductive layer 305 are laminated to a ferromagnetic free layer 303 in a tunnel magnetoresistance effect film 1, comprising the non-volatile magnetic memory having a writing method by a spin transfer torque.例文帳に追加

スピントランスファートルクによる書込み方式をもつ不揮発性磁気メモリを構成するトンネル磁気抵抗効果膜１において、絶縁層３０４と非磁性導電層３０５を強磁性自由層３０３に積層する。 - 特許庁

Voltage fluctuations and phase fluctuations that accompany temperature changes, when the frequency is changed are measured, in advance, and based on its measurement result, control information for compensating effect of the fluctuations is stored in a memory part 11.例文帳に追加

周波数変更時の温度変化に伴う電圧変動や位相変動を予め測定し、その測定結果に基づいてその変動の影響を補償するための制御情報を記憶部１１に格納しておく。 - 特許庁

The magnetic memory comprises a magnetoresistance effect element (10), and wiring structures (21 to 24) to which the writing current for making a writing magnetic field for writing data act on the element (10) is made to flow.例文帳に追加

本発明による磁性メモリは、磁気抵抗効果素子（１０）と、データを書き込むための書き込み磁場を磁気抵抗効果素子（１０）に作用させる書き込み電流が流される配線構造（２１〜２４）とを具備する。 - 特許庁

Therefore, it is possible to obtain an excellent three-dimensional stereo sound effect and excellent performance in reproducing a stereo sound, thereby remarkably saving a capacity, manufacturing costs, download costs and the like required for a data storage memory.例文帳に追加

このような本発明は、３次元立体音響効果と音楽の知覚的性能が優秀で、データ保存用メモリーに必要な容積と製造費用及びダウンロード費用などを大きく節減することができる。 - 特許庁

To provide a coil spring having shape memory effect reversible in a radial direction with respect to a temperature cycle such that a spontaneous shape when heated is elongated in the radial direction, and a spontaneous shape when cooled is shrinked in the radial direction.例文帳に追加

加熱時の自発的形状が径方向への伸び、冷却時の自発的形状が径方向へ縮んだ状態になる、温度サイクルに対して径方向に可逆的な形状記憶効果を有するコイルバネを得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device capable of shortening the required time of a data retention test by using the coupling effect of a memory cell capacitor to rapidly lower the H level of a storage node.例文帳に追加

メモリセルのキャパシタのカップリング効果を利用して記憶ノードのＨレベルを急激に低下させることにより、データリテンションテストの所要時間を短縮することのできる半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

An optimum system in the memory interleaving systems of plural cache rows interleaving(MCI), cache effect interleaving(CEI) and DRAM page interleaving(DPI) is allocated to respective bank bits based on the number of bank bits.例文帳に追加

バンク・ビットの数に基づいて複数キャッシュ行インターリービング(ＭＣＩ)、キャッシュ効果インターリービング(ＣＥＩ)およびＤＲＡＭページ・インターリービング(ＤＰＩ)というメモリ・インターリービング方式のいずれか最適方式を各バンク・ビットに割り当てる。 - 特許庁

A magnetic random access memory according to an embodiment has a magnetic resistance effect element, on which a first magnetic layer, a first interface magnetic layer, a non-magnetic layer, a second interface magnetic layer, and a second magnetic layer are sequentially laminated.例文帳に追加

実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリは、第１の磁性層、第１の界面磁性層、非磁性層、第２の界面磁性層、及び第２の磁性層が順に積層された磁気抵抗効果素子を有する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory where wiring can easily be arranged so that wiring for writing current passes the face of a magnetoresistance effect element for a multiple number of times and enlargement of a storage region due to wiring can be suppressed.例文帳に追加

書き込み電流を流す配線が磁気抵抗効果素子の面上を多数回通過するように該配線を容易に配設でき、且つ、該配線による記憶領域の拡大を抑えることができる磁気メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having an interlayer insulating film made to assure large coupling capacitance between a controlling gate and a floating gate, while assuring electric field moderating effect and leak prevention function.例文帳に追加

電界緩和効果とリーク防止機能を確保しながら、制御ゲートと浮遊ゲートの間の大きな結合容量をも確保できるようにした層間絶縁膜を持つ不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To restrain short channel effect in a microfabricated device by reducing a "shadow" region during pocket injection with an inclination in a production process of a nonvolatile semiconductor memory device of a virtual grounding array configuration.例文帳に追加

仮想接地型アレイ構成の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、ポケット注入を傾斜を持たせて行う際における「影」領域を小さくし、微細化デバイスにおける短チャンネル効果を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which can impress at least one of the polarities of a voltage across the variable resistor element without the voltage drop by eliminating the effect of the voltage drop equal to the threshold voltage when impressing a positive voltage from the source line side to the memory cell having a variable resistor element and selection transistor.例文帳に追加

可変抵抗素子と選択トランジスタを備えたメモリセルに対しソース線側から正電圧を印加する場合の閾値電圧分の電圧降下の影響を解消し、可変抵抗素子の両端間に印加する電圧の少なくとも一方の極性は、当該電圧降下なしに印加可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To enhance expectation of a player for an advance performance by improving performance effect of the advance performance for start memory, in a game machine executing a variable display game based on the start memory and generating a special game state for granting a predetermined game value to the player when the variable display game becomes a special result.例文帳に追加

始動記憶に基づいて変動表示ゲームを実行し、該変動表示ゲームが特別結果になると遊技者に所定の遊技価値を付与可能な特別遊技状態を発生させる遊技機おいて、始動記憶に対する事前演出の演出効果を向上させて、事前演出に対する遊技者の期待感を高める。 - 特許庁

To provide a shape memory alloy material having such a high shape recovery property and such a high transformation temperature that it may have shape memory effect or superelasticity of 2% or greater requiring for exhibiting a perfect shape recovery elongation and being on an industrially utilizable level and an Af temperature of 100°C or higher, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

工業上の利用レベルにある２％以上の完全に回復する形状回復伸び量を示す形状記憶効果または超弾性を有し、且つ１００℃以上のＡｆ温度を示す高形状回復性および高変態温度を有する形状記憶合金材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, the radio terminal device 30 controls so as to effect reception at a frequency stored in the memory unit 33 after detecting the turning-on of the power supply to the device 30 and receives radio wave including the frequency information transmitted from the setting device 20 to store the frequency information into the memory unit 33.例文帳に追加

一方無線端末装置３０は、当該装置３０の電源が入れられたことを検出した後に、記憶部３３に記憶される周波数にて受信を行うように制御し、設定装置２０より送信される周波数情報を含む電波を受信して、この周波数情報を記憶部３３に記憶する。 - 特許庁

To provide an image forming device and an exposure potential control method for avoiding an aging exposure causing the increase of start-up time, for example, after resetting when the device is started up and further having a restraining effect not only to the lowering phenomenon of VL by exposure memory but also to density fluctuation caused by the increase of the VL by the exposure memory.例文帳に追加

装置立ち上げ時のリセット後のような立ち上げ時間の増加につながるエージング露光を廃止し、さらに、露光メモリによるＶＬの低下現象だけでなく、露光メモリによるＶＬの増加による濃度変動にも抑制効果を有する画像形成装置及び露光電位制御方法を提供する。 - 特許庁

Further, by setting a common constant current circuit 108B for a plurality of sense word lines 31, the sum of a pair of reading currents passed through the pair of magneto-resistive effect elements 12A, 12B of the memory cell 12 is made constant, and information is read from the memory cell 12 based on a difference between the pair of reading currents.例文帳に追加

さらに、複数のセンスワード線３１について共通に定電流回路１０８Ｂを設けることにより、各記憶セル１２における一対の磁気抵抗効果素子１２Ａ，１２Ｂを流れる一対の読出電流の和を一定化すると共に、一対の読出電流の差に基づいて記憶セル１２から情報を読み出す。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for forming a nonvolatile memory transistor and a MOS field-effect transistor on an identical semiconductor substrate capable of decreasing a fluctuation in film thickness of a top film of the nonvolatile memory with the reduced number of processes and an improved yield.例文帳に追加

不揮発性メモリトランジスタとＭＯＳ電界効果トランジスタとを同一の半導体基板上に形成する半導体装置の製造方法において、工程数を削減し、歩留まりを向上させ、不揮発性メモリトランジスタのトップ膜の膜厚ばらつきを低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the temperature of the rod 21R and springs 211-214 reaches a shape restoration point, the rod 21R and springs 211-214 restore the shape before deformation through shape memory effect and thereby replacement of the substrate carrying arm AM is not required.例文帳に追加

ロッド２１Ｒとバネ２１１〜２１４との温度が形状回復温度に達すると、形状記憶効果によってロッド２１Ｒとバネ２１１〜２１４とは変形前の形状に戻るので、基板搬送アームＡＭの交換は不要になる。 - 特許庁

By the means, circuit means can be reduced, and rendering processing is performed within processing time of one line memory, so that a three-dimensional image special effect instrument wherein delay time of the whole instrument can be made two fields is provided.例文帳に追加

これにより回路手段が削減でき、レンダリング処理を１ラインのラインメモリの処理時間内とすることにより、装置全体の遅延時間を２フィールドにできる３次元画像特殊効果装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This suppresses the DIBL effect, and when a node 33 is at H, the difference between an off-current Ioff(PM2) of the pMOSFET 17 and an off-current Ioff(PM1) of the pMOSFET 16 is reduced and the standby current of the memory cells is reduced.例文帳に追加

そのためＤＩＢＬ効果が抑制され、ノード３３をＨとする場合、ｐＭＯＳＦＥＴ１７のオフ電流Ｉ_off(PM2)はｐＭＯＳＦＥＴ１６のオフ電流Ｉ_off(PM1)の差が小さくなり、メモリセルのスタンバイ電流が小さくなる。 - 特許庁

To provide a recovery method of a NAND flash memory device in which interference effect due to difference between threshold voltage of an erasing cell and threshold voltage of a program cell can be reduced by raising threshold voltage of the erasing cell.例文帳に追加

消去セルのしきい値電圧を高めることにより、消去セルのしきい値電圧とプログラムセルのしきい値電圧との差によるインターフェランス効果が低減可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子のリカバリ方法を提供する。 - 特許庁

Similarity between two arbitrary melodies is judged only concerning melody information by comparing them with each other in three elements of tone row, musical interval time (hearing tone length), and vocalization point using a memory reverberation effect being a hearing characteristic peculiar to a human being.例文帳に追加

旋律情報のみを対象に任意の２旋律間において人間特有の聴感特性である記憶残響効果を応用した音列／音程時間（聴感音長）／発音点の３要素で比較し、旋律の類似度を判定する。 - 特許庁

To provide a functional food having excellent safety and containing an extract effective for the prevention or amelioration of learning and memory disorder, free from side actions and having medicinal effect and action favorably comparable with those of conventional medicinal pharmaceuticals.例文帳に追加

学習記憶障害を予防あるいは改善させるための副作用がなく、しかも周知の医療用医薬品と比較して遜色のない薬効および作用を有するエキスを含む安全性に優れた機能性食品を提供する。 - 特許庁