「memory-effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of easily manufacturing spectacle frame by inserting a member for the spectacle frame made of shape memory alloy to a pipe and connecting it with the pipe by utilizing a shape memory effect.例文帳に追加

形状記憶合金製の眼鏡フレーム用部材をパイプに挿入し、形状記憶効果を利用してパイプと結合させることで、眼鏡フレームを簡単に製造しうる方法を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory 1 is provided with a plurality of memory cells 2 of an electric field effect transistor type, a source bias control circuit 10, and a drain bias control circuit 20.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性半導体記憶装置１は、電界効果トランジスタ型の複数のメモリセル２と、ソースバイアス制御回路１０と、ドレインバイアス制御回路２０とを備える。 - 特許庁

A distortion component caused by the memory effects of the amplifier is compensated by using a temporal difference, as a result of raising the input signal to the even number power with a means for compensating a memory effect distortion component.例文帳に追加

メモリ効果歪成分補償手段が入力信号を偶数乗した結果の時間的な差を用いて増幅器のメモリ効果に起因して発生する歪成分を補償する。 - 特許庁

To provide an operating method of a memory device, in which the reliability of the memory device is unaffected by a bird's beak effect caused by a shallow trench isolation structure, and the operation speed is very high.例文帳に追加

メモリ素子の信頼性が浅いトレンチ隔離構造によって生じるバードビーク効果によって影響されず、動作速度が非常に速い、メモリ素子の動作方法を提供すること。 - 特許庁

To reduce the size and the costs of a liquid crystal display device using a liquid crystal panel with a memory effect, and to improve the display quality.例文帳に追加

メモリ性液晶パネルを使用した液晶表示装置の小型化及びコスト低減と表示品質の向上を図る。 - 特許庁

To efficiently and uniformly produce a magnetic memory utilizing a spin tunnel magneto-resistance effect without being affected by the environment.例文帳に追加

スピントンネル磁気抵抗効果を利用する磁性メモリを、環境に左右されることなく、効率的に均一性よく製造する。 - 特許庁

To provide a memory with self-contained power supply by which use of data by others is avoided and attainment of a security protection effect is expected.例文帳に追加

データの他人使用が回避され、保密効果の達成が期待できる自給式電源供給型記憶装置を提供する。 - 特許庁

In the case of being right as a result of the collation, a rewrite processing part 17 writes the effect of authentication "yes" in the nonvolatile memory 14.例文帳に追加

照合の結果、正当である場合は、書き換え処理部１７が、認証「正」の旨を不揮発性メモリ１４に書き込む。 - 特許庁

To provide a dynamic memory circuit which stores the information bits, using a characteristic bipolar transistor effect in a floating body transistor.例文帳に追加

フローティング・ボディ・トランジスタ内の固有バイポーラ・トランジスタ効果を利用して情報ビットを記憶するダイナミック・メモリ回路を提供すること。 - 特許庁

To provide a NAND-type nonvolatile semiconductor memory device wherein variations in the thresholds caused by an inter-cell interference effect are suppressed.例文帳に追加

セル間干渉効果によるしきい値ばらつきが抑制されたＮＡＮＤ型不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

FOOD AND MEDICINE FOR IMPROVING ANTIDEMENT EFFECT AND MEMORY LEARNING COMPRISING SILKWORM AND WILD SILKWORM POWDER例文帳に追加

カイコおよび野蚕のシルクパウダーを含有させ抗痴呆効果ならびに記憶学習向上を目的とする食品および医薬品 - 特許庁

To provide a ferroelectric random access memory capable of suppressing effect of an adjacent bit line and improving its readout performance.例文帳に追加

隣接ビット線からの影響を抑制し読み出し性能を向上させることができる強誘電体メモリを実現する。 - 特許庁

To confirm the effect of image processing without increasing a memory capacity when recording an image that is suitable for image processing.例文帳に追加

画像処理を適用した画像を記録する際に、メモリ容量を増大させることなく画像処理の効果を確認すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which can store information of 2 bits per field effect transistor, and reduction in scale.例文帳に追加

１電界効果トランジスタ当たり２ビットの情報を記憶でき、しかも微細化が容易な半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element having a high MR ratio, and to provide a method for manufacturing the same, and a magnetic memory.例文帳に追加

高いＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子およびその製造方法ならびに磁気メモリを提供することを可能にする。 - 特許庁

A nonvolatile magnetic memory is equipped with a high-output tunnel magnetoresistive effect element, and applies a writing method by spin-transfer torque.例文帳に追加

不揮発性磁気メモリに、高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。 - 特許庁

To provide an etching method which can prevent a change in etching characteristics due to a memory effect while maintaining the merits of all-in-one etching.例文帳に追加

オール・イン・ワンエッチングの利点を維持しつつ、メモリーエフェクトによるエッチング特性の変動を回避できるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Control of the SOC with the upper limited neighborhood value set as a center continues for a prescribed time to nulify the charging memory effect.例文帳に追加

上限近傍値を中心としたＳＯＣの制御は所定時間継続され、充電メモリ効果の解消が図られる。 - 特許庁

OPERATING TECHNIQUE FOR REDUCING EFFECT OF COUPLING BETWEEN STORAGE ELEMENTS OF NONVOLATILE MEMORY OPERATED IN MULTIPLE DATA STATES例文帳に追加

複数のデータ状態で動作する不揮発性メモリのストレージエレメント間の結合による影響を低減させるための動作技術 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, WAFER THEREOF, HEAD GIMBAL, HARD DISC, MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC SENSOR例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドのウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置、磁気メモリ素子、および磁気センサアセンブリ - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH PEROVSKITE TYPE COMPLEX OXIDE AS CHANNEL LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND MEMORY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ペロブスカイト型の複合酸化物をチャンネル層とする電界効果トランジスタ及びその製造方法と、これを利用したメモリ素子 - 特許庁

Especially, as the flash memory 1 has a long write-in time of several msec per one cell, it shows a remarkable effect.例文帳に追加

特に、フラッシュメモリ１は１セル当たりの書き込み時間が数ｍｓｅｃと長い為、本発明の作用効果は顕著に現れる。 - 特許庁

To provide a giant magnetoresistance effect element, capable of obtaining a high output and dealing with a high resistance and high recording density, and to provide a magnetoresistance effect type head having this giant magnetoresistance effect element, a thin film magnetic memory, and a thin film magnetic sensor.例文帳に追加

高い出力が得られると共に、抵抗が高く高記録密度に対応することができる巨大磁気抵抗効果素子、及びこの巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、薄膜磁気センサを提供する。 - 特許庁

The memory medium comprising a cell capable of recording three or more types of multi-values with a principle of (a) only a Meissner effect or (b) the Meissner effect and a tunnel effect of the electron only by a single (1) or by a combination of (1) and (2) is formed.例文帳に追加

（１）のみの単独による、又は、（１）及び（２）の組合せによる、（ａ）マイスナー効果のみ、又は、（ｂ）マイスナー効果及び電子のトンネル効果の両者を原理とする、３種類以上の多値を記録できる素子から構成される、メモリー媒体を作成する。 - 特許庁

An ECU(electric control unit) 30 has a battery-condition detecting means 40 comprising a memory-effect detecting means 42 for detecting generation of a memory effect in a battery 12 and a battery-deterioration detecting means 44 for detecting occurrence of deterioration in the battery 12.例文帳に追加

ＥＣＵ３０は、バッテリ１２にメモリ効果が発生したことを検出するメモリ効果検出手段４２と、前記バッテリ１２に劣化が生じたことを検出するバッテリ劣化検出手段４４とから構成されるバッテリ状態検出手段４０を有する。 - 特許庁

To accelerate the microfabrication, enhancement of performance, and increase in reliability of a memory cell by attaining both the reduction in resistance of a local bit line and the suppression of a short channel effect of the memory cell by means of a flash memory equipped with a third gate G3 besides a floating gate FG and a control gate G2.例文帳に追加

浮遊ゲートＦＧと制御ゲートＧ２に加えて、第３ゲートＧ３を具備するフラッシュメモリで、ローカルビット線抵抗の低減とメモリセルの短チャネル効果抑制を両立させ、メモリセルの微細化、高性能化、高信頼化を促進する。 - 特許庁

To achieve miniaturization by separating the memory function of a memory function body from the transistor operation function of a gate insulating film, and thinning the gate insulating film to suppress a short channel effect, and to verify the writing of a memory in a desired state.例文帳に追加

メモリ機能体が担うメモリ機能と、ゲート絶縁膜が担うトランジスタ動作機能とを分離し、ゲート絶縁膜を薄膜化して短チャンネル効果を抑制し、微細化を図ると共に、メモリが所望の状態に書き込まれたことを検証する。 - 特許庁

To accurately program a reference element for reading a memory state in a short period of time by separating the memory function from the transistor operation function of a gate insulating film, thinning the gate insulating film to suppress the short channel effect without losing the memory function, and facilitating miniaturization.例文帳に追加

メモリ機能と、ゲート絶縁膜が担うトランジスタ動作機能とを分離し、メモリ機能を損なわず、ゲート絶縁膜を薄膜化して短チャンネル効果を抑制し、微細化を図り、メモリ状態を読み出すための基準素子を、短時間で正確にプログラムする。 - 特許庁

To provide a surface treatment method for a shape memory alloy, for securely improving corrosion resistance of the shape memory alloy without deteriorating its shape memory effect and biocompatibility, and can suppress elution of Ni ions causing a metal allergy.例文帳に追加

形状記憶効果や生体適合性を損なうことなく確実に耐食性を向上することができ、金属アレルギーの原因となるＮｉイオンの溶出を抑制することが可能な形状記憶合金の表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element by which a high MR rate of a change can be obtained and correspondence to high densification can be expected, and to provide a magnetic head using the magnetoresistive effect element, a magnetic recording/reproducing apparatus, and a magnetic random access memory.例文帳に追加

高ＭＲ変化率が得られ、高密度化への対応が期待できる磁気抵抗効果素子、ならびにこれを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生装置および磁気ランダムアクセスメモリーを提供する。 - 特許庁

Then, a vertical field effect transistor having a channel part is formed at the semiconductor columnar part 2 so that a ferroelectric memory cell can be formed so as to be self-aligned on the vertical field effect transistor.例文帳に追加

次にこの半導体の柱状部２にチャネル部を持つ縦型電界効果トランジスタを作成することにより、縦型電界効果トランジスタ上に自己整合的に強誘電体メモリセルを形成する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element, capable of obtaining a high MR changing rate and coping with high-density, as well as a magnetic head, a magnetic recording reproducing device and a magnetic random access memory employing the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

高ＭＲ変化率が得られ、高密度化への対応が期待できる磁気抵抗効果素子、ならびにこれを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生装置および磁気ランダムアクセスメモリーを提供する。 - 特許庁

A memory 14 includes a database that stores specific posture data representing a specific posture of a person, and effect data for specifying an effect to be applied to an image in association with each other.例文帳に追加

メモリ１４には、人物の特定の姿勢を表現する特定姿勢データと、画像に施す加工を指定する演出加工データとが対応付けられて登録されているデータベースが記憶されている。 - 特許庁

The correction plate 16 is heat-treated to have the shape-memory effect or super-elastic effect with higher shape-restoring capability in the lateral direction of the nail and high deformation stress in the direction of the tip of the nail.例文帳に追加

矯正板16には、形状回復能が爪幅方向で大きく、爪先方向で変形応力が高い形状記憶効果又は超弾性効果を呈する熱処理が施されている。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element which avoids the employment of a laminated structure of a pin layer, a spacer layer and a free layer unlike a prior art magnetoresistive effect element, and also to provide a magnetic head and a magnetic memory using the element.例文帳に追加

従来の磁気抵抗効果素子とは異なり、ピン層、スペーサ層、フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子、及びそれを用いた磁気ヘッド及び磁気メモリを提供する。 - 特許庁

To provide an organic bistable element which has a simple structure and can maintain nonvolatile memory effect for a long time.例文帳に追加

単純が構造な双安定性素子であって、かつ、長時間不揮発性メモリ効果が維持できる有機双安定性素子を提供する。 - 特許庁

To provide an SRAM memory cell in which a floating effect occurring when an SOI substrate is used and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を使用する場合に発生する浮動体効果を除去するＳＲＡＭセル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

On the presupposition that interlace/progressive conversion utilizes a memory effect, line inverting drive is made alternating in four consecutive frames.例文帳に追加

メモリ効果を利用したインターレース／プログレッシブ変換を前提として、ライン反転駆動の交流化を、連続する４フレームで行うようにした。 - 特許庁

To provide a flash memory element for reducing a threshold voltage shift due to an interference effect of a peripheral cell, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

周辺セルの干渉効果によるしきい値電圧シフトを減らすためのフラッシュメモリ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laser surgical apparatus for medical use to be driven with a secondary battery, capable of preventing a battery life from being shortened by a memory effect.例文帳に追加

メモリー効果による電池寿命短命化を防ぐことのできる二次電池駆動の医療用レーザ手術装置を提供する。 - 特許庁

A floating gate type electric field effect transistor Tr connected to a word line and a bit line is arranged on a memory cell array in the form of a matrix.例文帳に追加

メモリセルアレイには、ワード線とビット線とに接続された浮遊ゲート型電界効果トランジスタＴｒをマトリクス状に配置している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a dual-port memory circuit which reduces effect of placement of replica cells exerted on enlargement of a chip area.例文帳に追加

レプリカセルの配置がチップ面積の増大に与える影響を小さくしたデュアルポートメモリ回路を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

An SOI sense amplifier for sensing a bit value stored in a memory cell comprises 1st and 2nd input field-effect transistors (FETs).例文帳に追加

メモリセルに格納されているビット値をセンスするためのＳＯＩセンスアンプは、第１、第２入力電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含む。 - 特許庁

Gettering effect is obtained by forming an extremely thin strain layer 100, and neither the memory function nor the transverse strength is deteriorated.例文帳に追加

極薄の歪み層１００を形成することでゲッタリング効果が得られ、メモリー機能が低下しないと共に、抗折強度も低下しない。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device suppressing a short channel effect and reducing a voltage difference between on/off discrimination currents.例文帳に追加

短チャネル効果を抑制し、かつオン／オフ判別電流間の電圧差を低減できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁