「memory-effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The read address control circuit 9 generates a special effect read address for reading a special effect image from the frame memory 3, outputs the generated address to the memory controller 5, generates a shadow address resulting from converting the special effect read address in accordance with information about a shadow addition position to add a shadow image thereto and outputs the generated shadow address to the shadow calculation circuit 13.例文帳に追加

読出アドレス制御回路９は、フレームメモリ３から特殊効果画像を読み出すための特殊効果読出アドレスを生成してメモリコントローラ５に出力すると共に、シャドウ画像を付加すべきシャドウ付加位置情報に応じて特殊効果読出アドレスを変換したシャドウアドレスを生成してシャドウ演算回路１３へ出力する。 - 特許庁

To obtain the paging control over the virtual storage system which appears to have the same effect with memory extension without extending the memory of a client computer in network environment consisting of multiple computers.例文帳に追加

複数の計算機からなるネットワーク環境において、クライアント計算機のメモリを増設しないで見かけ上、メモリ増設と同様の効果を持つ仮想記憶システムのページング制御を提供する。 - 特許庁

To provide an improved new Fe-Mn-Si series shape memory alloy capable of easily exhibiting sufficiently good shape memory effect even without performing special treatment of training.例文帳に追加

トレーニングという特殊処理を施さなくとも、充分に良好な形状記憶効果を容易に示すことのできる、改善された新しいＦｅ−Ｍｎ−Ｓｉ系形状記憶合金を提供する。 - 特許庁

Furthermore, when the number of times of writing reaches the limit number, forbiddance information to the effect that the nonvolatile memory cannot be used is written and the nonvolatile memory is prevented from being used again.例文帳に追加

さらに、不揮発性メモリの書込回数が限度数に達したとき、該不揮発性メモリを使用することができない旨の禁止情報を書き込み、該不揮発メモリが再び使用されることを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device avoiding increase in the area of a memory cell array by dispensing with a dummy memory cell while keeping reducing effect of capacity between adjoining bit lines by employing a bit line cross method.例文帳に追加

ビット線交差方式を採用して隣接ビット線間の容量を低減する効果を維持しつつも、ダミーメモリセルを無くしてメモリセルアレイの面積の増大を回避し得る半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

The turn buckle is provided with female screw hole 5, 6 at both ends, and a turn bulk body 4 is made of a shape memory alloy and has a shape memory effect in the longitudinal direction of a member.例文帳に追加

両端部に雌ねじ孔５，６を備えたターンバックルにおいて、ターンバクル本体４は、形状記憶合金製で部材長手方向に形状記憶効果が付与されたターンバックル本体４とされている。 - 特許庁

A sound source/EFP 1 generates the musical sound data giving effect due to delay by using the waveform data and the musical sound data read from the waveform memory 2 and the delay memory 3 through the data buses 6-1 and 6-2.例文帳に追加

音源/EFP1は、データバス6-1,6-2を通して波形メモリ2および遅延メモリ3から読み出された波形データおよび楽音データを用いて、遅延によるエフェクトが付与された楽音データを生成する。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element having a pair of fins formed to define a void and capable of reducing failures in a read operation and also improving a short-channel effect, and to provide a method of manufacturing the memory element.例文帳に追加

ボイドの限定された一対のフィンを有する、読み取り動作の障害を減らし、短チャンネル効果を改善させることができる不揮発性メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a surface layer of Si dope without affecting a device characteristic even though VI element such as Se attaches on the surface of an epitaxial by memory effect, or removing the surface in a very high Se concentration caused by the memory effect before proceeding to a device forming process.例文帳に追加

エピタキシャル表面にメモリー効果でＳｅ等のＶＩ族元素が付着しても、デバイス特性に影響を与えないＳｉドープの表面層を形成するか、メモリー効果によって表面のＳｅ濃度が非常に高くなっていても、その部分をデバイス作成プロセスに入る前に予め除去する。 - 特許庁

To provide a shape memory member which has a large degree of freedom in designing an alloy, and increases a range of practical use, by exceeding a technological restriction for developing a shape memory effect and superelasticity effect in a conventional alloy which needs to limit its composition to a narrow range and requires an occurrence of martensitic transformation as a dispensable factor.例文帳に追加

狭い範囲の組成に限定されてマルテンサイト変態を欠くことのできない要件としていた従来の形状記憶効果、超弾性効果の発現についての技術的制御を超えて、合金設計の自由度が大きく、かつ実際的利用の拡大を図る。 - 特許庁

To provide a memory device and its manufacturing method which facilitates adjusting the threshold voltage of the memory device by preventing the short channel effect, and reduces the junction leakage current generated in a storage node junction region to increase the data hold time of the memory device.例文帳に追加

ショートチャネル効果を防止してメモリ素子のしきい電圧の調整を容易にし、ストレージノード接合領域で発生する接合漏れ電流を減少させてメモリ素子のデータ保持時間を増大させることのできるメモリ素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Independent allocation of a process memory space and a thread memory space to the process has effect capable of preventing problems of conflict of memories among the threads and protection of a program can be prevented, and particularly capable of relieving effort applied to memory management in programming by a programmer.例文帳に追加

プロセスにプロセスメモリ空間とスレッドメモリ空間を独立的に割り当てることによって、スレッド間のメモリの衝突やプログラムの保護の問題を防止することができ、特に、プログラマがプログラミング時にメモリ管理にかける労力を低減することができるという効果がある。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory element using a carrier spin injected magnetoresistive effect film that consumes only a small amount of power and does not result in malfunction even if element size and the distance between the elements are greatly reduced, and can be integrated on a large scale, and to provide a memory device using the non-volatile memory element.例文帳に追加

消費電力が小さく、素子サイズ及び素子間距離を大幅に縮小しても誤動作がなく、大規模集積化が可能な、キャリヤスピン注入型磁気抵抗効果膜を用いた不揮発性メモリー素子とそれを用いたメモリー装置を提供する。 - 特許庁

The memory device accumulates charge in the charge accumulation layer 3, and stores information by a change in threshold value of the field effect transistor due to the accumulated charge.例文帳に追加

これにより、電荷蓄積層３に電荷を貯えその電荷による電界効果型トランジスタの閾値の変化により情報を記憶する。 - 特許庁

Since the battery is charged/discharged in the use SOC range after alteration, generation of memory effect is prevented and overdischarge of the battery can be avoided.例文帳に追加

バッテリは変更後の使用ＳＯＣ範囲で充放電されるので、メモリ効果の発生が防止されるとともに、バッテリの過放電が避けられる。 - 特許庁

To obtain an effect of enhancement of performance by a log structured data writing method simply by preparing a minimum memory and idle area.例文帳に追加

最小限のメモリと空き領域を用意するだけで、ログ構造化データ書き込み方法による性能向上の効果が得られるようにする。 - 特許庁

A driving motor is used as a load for eliminating memory effect of a battery, and addition of excessive components is suppressed to provide a cost reduction.例文帳に追加

更に、バッテリーのメモリー効果解消する為の負荷として駆動用モーターを使い、余計な部品の追加を押えコスト的メリットを出している。 - 特許庁

A plurality of sets of image data for making a display for producing a designated direction effect are stored in an image memory 10 of a display control board 160.例文帳に追加

表示制御基板１６０の画像メモリ１０に、所定の演出効果をもたらす表示を行うための複数の画像データを記憶する。 - 特許庁

Main bit lines BLM being common to each of a plurality of memory blocks MB are grounded through a second MOS field effect transistor Q2S.例文帳に追加

複数のメモリブロックＭＢの各々に共通のメインビット線ＢＬＭは、第２のＭＯＳ電界効果トランジスタＱ_２Ｓを介して接地されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element which is increased in immunity to external noise and has floating body effect removed.例文帳に追加

外部からのノイズに対した免疫性が強化されたフローティングボディ効果を除去した半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element, magnetoresistive head, magnetic storage device, and magnetic memory, capable of achieving reduction in noise caused by spin transfer torque.例文帳に追加

スピントランスファートルクに起因するノイズの低減を図った磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a data writing method of a semiconductor memory device, by which high speed writing can be performed while lightening interference effect between adjacent cells.例文帳に追加

隣接セル間の干渉効果を軽減しながら高速書き込みを可能とした半導体記憶装置のデータ書き込み方法を提供する。 - 特許庁

To provide a detachable external memory device, automatic boot program, and relay server for achieving an excellent advertizement effect in utilizing a computer.例文帳に追加

コンピュータを利用する際の優れた広告効果を実現可能な着脱式外部記憶装置、自動起動プログラム、および中継サーバを提供する。 - 特許庁

To provide a pre-distortion type distortion compensation circuit that can reduce the distortion compensation quantity to be stored in a memory while maintaining the effect of nonlinear distortion compensation.例文帳に追加

プリディストーション型歪補償回路において、非線形歪補償の効果を維持しつつ、メモリに記憶しておく歪補償量を低減する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory in which a current for magnetization inversion is sufficiently secured in a magnetoresistive effect element, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子において磁化反転のための電流を十分に確保した磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To further improve an energy saving effect by accumulating, in a common memory, data which a subsystem uses in an energy saving mode and maintaining the energy saving mode.例文帳に追加

省エネモード時にサブシステムが使用するデータを共有メモリに蓄積することで、省エネモードを維持して、より省エネ効果を向上させる。 - 特許庁

A memory cell structure is equipped with a field effect switch provided with a gate terminal 1000 possessed of a trench upper part and a depletion region in a substrate.例文帳に追加

メモリセル構造は、基板内の空乏領域およびトレンチ上部を有するゲート端子１０００を有する電界効果スイッチを備えている。 - 特許庁

To provide a spin injection element and a spin field effect transistor capable of application to a memory and a logic element based on the spin valve effect obtained by injecting carriers spin-polarized from a ferromagnetic substance at normal temperatures.例文帳に追加

常温で強磁性体からスピン分極されたキャリアを半導体に注入して得られるスピンバルブ効果から、メモリ及び論理素子への応用が可能なスピン注入素子及びスピン電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor which changes resistance by injecting a highly concentrated charge into a channel using an electrical double layer method and also to provide a memory element using the field effect transistor as a switching element.例文帳に追加

電気二重層法を用いてチャンネルに高濃度の電荷注入を行うことで抵抗を変化させる電界効果トランジスタと、該電界効果トランジスタをスイッチング素子として利用したメモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor that changes a resistance by injecting charges with high concentration into a channel using the electrical double layer method, and to provide a memory device using the field effect transistor as a switching device.例文帳に追加

電気二重層法を用いてチャンネルに高濃度の電荷注入を行うことで抵抗を変化させる電界効果トランジスタと、該電界効果トランジスタをスイッチング素子として利用したメモリ素子を提供する。 - 特許庁

By operating a photographing button of an operation switch 18, a moving picture encoding part 24 compresses the original moving image of the image memory 16 or the effect-processed moving image with effect efficacy to be recorded in a hard disk 26.例文帳に追加

操作スイッチ１８の撮影ボタンの操作により、画像目盛り１６の原動画像又はエフェクト処理されたエフェクト効果付き動画像が、動画符号化部２４により圧縮され、ハードディスク２６に記録される。 - 特許庁

When the first MOS field effect transistors Q1S and the second MOS field effect transistors Q2S are turned on, electric charges accumulated in a drain region of a non-volatile memory cell MC are extracted through the first MOS field effect transistors Q1S and the main bit lines BLM.例文帳に追加

第１のＭＯＳ電界効果トランジスタＱ__１Ｓおよび第２のＭＯＳ電界効果トランジスタＱ_２Ｓをオンすると、不揮発性メモリセルＭＣのドレイン領域に蓄積された電荷が、第１のＭＯＳ電界効果トランジスタＱ_１Ｓおよびメインビット線ＢＬＭを介して引き抜かれる。 - 特許庁

The magnetic random access memory disclosed herein includes a magneto-resistance effect element MTJ, a write line 42 for providing a magnetic field for data write to the magneto-resistance effect element MTJ, and a means Is2 for increasing the temperature of the magneto-resistance effect element MTJ more than that of other magneto-resistance effect elements during the data write.例文帳に追加

本発明の例に関わる磁気ランダムアクセスメモリは、磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、磁気抵抗効果素子ＭＴＪにデータ書き込みのための磁場を与える書き込み線４２と、データ書き込みを行っている間、磁気抵抗効果素子ＭＴＪの温度をそれ以外の磁気抵抗効果素子の温度よりも高くする手段Ｉｓ２とを備える。 - 特許庁

To provide a huge magnetoresistive effect element that inhibits variation in current density in the huge magnetoresistive effect element, can effectively utilize an element, and at the same time has reliability and a long life, and to provide a reliable magnetoresistive effect head, a thin-film magnetic memory, and a thin-film magnetic sensor that have the huge magnetoresistive effect element.例文帳に追加

巨大磁気抵抗効果素子内の電流密度のばらつきを抑制して、素子を有効に利用することができ、かつ信頼性や長寿命を有する巨大磁気抵抗効果素子、及びこの巨大磁気抵抗効果素子を備えて信頼性の高い磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、並びに薄膜磁気センサを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect device capable of reducing a switching magnetic field required when, in a fine magnetic detection device and a magnetic memory cell and the like, a magnetic field is detected or information is written in the magnetic memory cell.例文帳に追加

微小な磁気検出素子や磁気メモリセルなどにおいて磁場検出あるいはセルに情報を書き込む際に必要なスイッチング磁場を低減することができる磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory device which has a uniform bulk current eliminating effect by keeping a bulk voltage lower than a certain voltage, and to enable the memory devices to be highly integrated by minimizing a bulk bias contact structure in layout area.例文帳に追加

バルク電圧を一定電圧以下に維持し、均一なバルク電流消去効果を有する不揮発性メモリ素子の提供とともに、バルクバイアスコンタクト構造のレイアウト面積を最小化し、素子の高集積化をはかる。 - 特許庁

In an electronic device 1, the energy saving effect can be improved since the dual port memory 4 can be operated in the energy saving mode when 2 units are connected to the dual port memory and are working in the energy saving mode.例文帳に追加

デュアルポートメモリに接続され２つのユニットが省電力モードで動作しているときにデュアルポートメモリ４を省電力モードで作動することができるので、電子装置１の省電力効果を向上することができる。 - 特許庁

When the effect of the authentication "yes" is recorded in the nonvolatile memory 14, a transmission processing part 18 transmits a user ID recorded in the nonvolatile memory 14 to a payment terminal 40 through the IC holder 20.例文帳に追加

送信処理部１８は、不揮発性メモリ１４内に認証「正」の旨が記録されている場合には、ＩＣホルダ２０を介して支払端末４０に不揮発性メモリ１４に記録されたユーザＩＤの送信処理を行う。 - 特許庁

This reduces operation voltage, flows tunnel current directly, prolongs the lifetime of a memory cell, better the holding ability of a memory since current does not flow without the voltage of resonance tunnel effect.例文帳に追加

これにより、作動電圧を低下でき、直接トンネル電流が流れ、メモリセルの寿命を長くでき、しかも、共鳴トンネル効果の電圧以外では電流が流れないため、記憶保持能力を高くすることができる。 - 特許庁

To prevent the effect of a cache mechanism due to a prefetch instruction, from becoming invalid caused by accessing a system having a plurality of processors sharing a memory device by simultaneous access to the memory device, using a simple circuit configuration.例文帳に追加

メモリ装置を共有する複数プロセッサからなるシステムで、プリフェッチ命令によるキャッシュ機構の効果が、メモリ装置への競合アクセスに起因して無効となることを、簡単な回路構成で防止すること。 - 特許庁

Light piping is lengthened by shading of memory array 33 and several characteristics of the image sensor, holding time of memory cell being lengthened under the effect of sub threshold current that increases according to light and photocharge in the substrate.例文帳に追加

メモリアレイ３３の遮光と画像センサの幾つかの特徴とにより、光パイピング、光により増加するサブスレショルド電流、及び基体における光電荷の影響をさせることにより、メモリセルの保持時間が長くなる。 - 特許庁

This forms the shape of a memory card and completely seals the joints of the parts to provide an appreciable waterproof effect for the memory card and reduce percent defective and production costs in the production process.例文帳に追加

これにより、メモリカードの形状を形成すると共に、各部品の結合場所を完全にシールすることにより、本発明のメモリカードの良い防水効果を与えるほか、生産工程における不良率と生産コスト軽減する。 - 特許庁

The second compensation means compensates as to an amplitude component of variation of an input signal to compensate the memory effect according to source voltage variation.例文帳に追加

第２の補償手段は、入力信号の変化の振幅成分について補償することで、電源電圧変動に従うメモリ効果を補償する。 - 特許庁

To provide a memory cell structure, where depletion of majority carrier controlled by the field effect of an embedded strap region that controls access to a trench cell capacitor is used.例文帳に追加

トレンチ・セル・キャパシタへのアクセスを制御する埋込みストラップ領域の電界効果制御される多数キャリア空乏化を用いるメモリセル構造を提供する。 - 特許庁

To provide a display device, which is fast in memory read speed and small in effect of noise of a signal and can be made small-sized, and its driving method.例文帳に追加

メモリからの読み出し速度が速く、信号のノイズの影響が少なく、小型化可能な表示装置及びその駆動方法を提供することを課題とする。 - 特許庁