「memory-effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a magnetoresistive effect device capable of restraining a variation from occurring in the switching magnetic field of a free layer, and to provide a magnetic memory using the same.例文帳に追加

フリー層のスイッチング磁界の「ばらつき」を抑えることができる磁気抵抗効果素子及びこれを用いた磁気メモリを提供することを目的とする。 - 特許庁

When this processing is completed, a removability displaying section 33 displays the effect that the USB memory 20 is safely removable, on an operation panel 17.例文帳に追加

この処理が終了すると、抜脱可能表示処理部３３は、ＵＳＢメモリ２０を安全に取り外し可能であることを操作パネル１７に表示させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a NAND flash memory device which reduces an electrical interference effect between cells by reducing the area of a floating gate.例文帳に追加

フローティングゲートの面積を減少させてセル間の電気的干渉効果を減少させるためのＮＡＮＤフラッシュメモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method capable of easily applying shape memory permanent within a short period of time, by using a conventional combustible hair shaping instrument with a steaming effect.例文帳に追加

従来のスチーム効果のある燃焼式毛髪整形器を使用して、短時間で手軽に形状記憶パーマに施術できる方法を提供する。 - 特許庁

As another example, when the fuse is not melted at the first trial, such an effect is stored in a memory, and then the second trial is performed.例文帳に追加

本発明の他の態様では、１回目の試みでヒューズが溶断しなかった場合には、このことがメモリに記憶され、後に２回目の試みが行なわれる。 - 特許庁

The memory 16 can be also substituted with a RAM built in a terminal, so that an audio path (circuit 40) is only added for imparting a surround effect.例文帳に追加

メモリ１６も端末内蔵のＲＡＭで賄えるので、サラウンド効果付与のためには入出力段のオーディオパス（回路４０）の追加のみでよい。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which no adverse effect caused by capacitor coupling noise, etc., is received and a high speed data reading is made possible by a continuous column selection.例文帳に追加

キャパシタのカップリングノイズ等の影響を受けずに、連続的なカラム選択による高速データ読み出しを可能とした半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a card reader having a prevention effect against forgery such as copying or conversion while using a microcomputer mounted with a general-purpose flash memory.例文帳に追加

本発明は、汎用的なフラッシュメモリ搭載のマイコンを使用しつつ、複製や改造といった偽造に対する防止効果を有するカードリーダを提供する。 - 特許庁

MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT. THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, HEAD ARM ASSEMBLY, MAGNETIC DISK APPARATUS, SYNTHETIC ANTI-FERROMAGNETIC MAGNETIZATION FIXING LAYER, MAGNETIC MEMORY CELL, AND CURRENT SENSOR例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリ、磁気ディスク装置、シンセティック反強磁性磁化固着層、磁気メモリセルおよび電流センサ - 特許庁

A media device 100 carries out a digital effect and filter processing for inputting a video stream by on-the-fly basis, and video data stored in a memory.例文帳に追加

メディア装置１００は、入力してくるビデオ・ストリームについてオンザフライで、又はメモリに記憶された映像データについて、デジタル・エフェクト及びフィルタ処理を行う。 - 特許庁

To eliminate the influence of a memory effect appearing on a photoreceptive drum without deteriorating detection accuracy at the time of detecting the reflection density of a reference patch.例文帳に追加

基準パッチの反射濃度を検出する際に、検出精度を低下させないで感光ドラム上に現れるメモリー効果の影響を解消する。 - 特許庁

To provide a composition for mitigating or eliminating anxiety disorder, having no side effect such as memory disturbance recognized in a conventional antianxiety drug.例文帳に追加

従来の抗不安薬に認められる記憶障害や、その他の副作用を有さない、不安障害の緩和用又は消失用組成物を提供すること。 - 特許庁

Thus, the imprint effect can be reduced by inverting a data value stored in the ferroelectric memory device.例文帳に追加

このように、本発明は強誘電メモリ装置内に記憶されているデータ値を反転させ、それによりインプリント効果を減少させることを可能としている。 - 特許庁

To provide a composite device that can enhance the energy saving effect by utilizing effectively a memory so as to decrease the frequency of ON/OFF operations of a power supply.例文帳に追加

メモリを有効利用して電源のＯＮ／ＯＦＦ動作の頻度を減らすことにより、省エネ効果を上げることが可能な複合装置を提供する。 - 特許庁

When an operation device 34 indicates a recording start, a video effect generation processor 22 performs fading processing to the precedent image data in the precedent image memory 20b.例文帳に追加

操作装置３４の記録開始指示により、映像効果生成処理装置２２が、先行画像メモリ２０ｂの先行画像データにフェード処理を施す。 - 特許庁

To provide a tunnel magnetoresistive effect film having a negative MR ratio which can be used under normal temperature and can be utilized in daily necessities such as a magnetic memory.例文帳に追加

負のＭＲ比を有し、常温での使用が可能な、磁気メモリ等の実用品への利用を可能にするトンネル磁気抵抗効果膜を提供する。 - 特許庁

A voltage-dividing circuit 15 including a series-connected circuit of resistances R1 and R2 is provided between a drain of an FET (Field Effect Transistor)(T1) and an EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-only Memory) 12.例文帳に追加

ＦＥＴ（Ｔ１）のドレインと、ＥＥＰＲＯＭ１２との間に、抵抗Ｒ１，Ｒ２の直列接続回路を含む分圧回路１５を設ける。 - 特許庁

A secondary battery 3, having experienced a memory effect, is discharged for refreshing, and the current flowing through the battery is cumulated to calculate the capacity of the secondary battery.例文帳に追加

メモリー効果の生じた二次電池３を、リフレッシュ放電させると共に、電池に流れる電流を積算して二次電池３の容量を演算する。 - 特許庁

To provide a game machine which enables reverse reproduction of animation images while maintaining the effect of decreasing the amount of data to be stored into a memory means for reproducing animation.例文帳に追加

動画再生用の記憶手段に格納されるデータ量の低減効果を維持しつつ動画像の逆再生を可能にする遊技機を提供する。 - 特許庁

A magnetic random access memory according to an embodiment is provided with a laminate film, on which a lower electrode, a magnetoresistance effect element, and an upper electrode are sequentially laminated from a lower layer.例文帳に追加

実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極、磁気抵抗効果素子、上部電極が下層から順に積層された積層膜が設けられる。 - 特許庁

Because it relies on a low level memory mapping to effect this sharing, programs using it must be run as root. 例文帳に追加

共有メモリを使用するために 低レベルのメモリマッピングが実行できることを期待しているので、この機能を使うプログラムは root権限で実行されなければなりません。 - FreeBSD

CALCULATION METHOD OF STORED ENERGY AND PROXIMITY EFFECT, PROGRAM MEMORY MEDIUM, DESIGNING METHOD OF MASK OR RETICLE PATTERN, AND PROCESSING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

蓄積エネルギー計算方法、プログラム記憶媒体、近接効果計算方法、マスク又はレチクルパターンの設計方法、及び半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

OXIDE MATERIAL, MAGNETOOPTICAL DEVICE, FARADAY ROTATION COEFFICIENT CONTROLLING METHOD, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY ELEMENT, RESIDUAL MAGNETIZATION CONTROLLING METHOD, AND COERCIVE FORCE CONTROLLING METHOD例文帳に追加

酸化物材料、光磁気デバイス、ファラデー回転係数制御方法、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ素子、残留磁化制御方法及び保持力制御方法 - 特許庁

To provide a method for designing a semiconductor device, etc., which can shorten a TAT and prevent a memory macro from being destroyed by an antenna effect.例文帳に追加

ＴＡＴを短くすることができ、メモリマクロがアンテナ効果によって破壊されることを防止することができる半導体装置の設計方法等を提供する。 - 特許庁

Further in the upper surface of the semiconductor layer 4, a second field-effect transistor having a second gate electrode and constituting the memory circuit is formed.例文帳に追加

また、半導体層４の上面内には、第二のゲート電極を有し、メモリ回路を構成する第二の電界効果型トランジスタが形成されている。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises a field effect transistor 30A having a gate electrode 3, and a pair of source/drain diffusion regions 13 and 13 on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上にゲート電極３と、一対のソース／ドレイン拡散領域１３，１３とを有する電界効果トランジスタ３０Ａを備える。 - 特許庁

A CPU 31 reads musical sound control information, such as tone data and effect data, out of an external memory device 34 or fetches them via an interface circuitry 51.例文帳に追加

ＣＰＵ３１は、音色データ、効果データなどの楽音制御情報を外部記憶装置３４から読み出しまたはインターフェース回路５１を介して取り込む。 - 特許庁

The root canal instrument 1 has a core 7 composed of a flexible elastic material having a shape memory effect, and the core 7 has a coating with abrasive particles.例文帳に追加

根管用器具１は形状記憶効果を有する柔軟性弾性材料からなるコア７を有し、コア７は、研磨粒子を有するコーティングを有する。 - 特許庁

When the memory 113 stores the image data usable by the adaptor 200, a display section 112 displays to the effect that the image data are in existence.例文帳に追加

そして、メモリ１１３にアダプタ２００で利用可能な画像データを記憶しているとき、表示部１１２に、当該画像データが存在する旨を表示しておく。 - 特許庁

It is so regarded that a memory effect is generated, when a cell voltage during discharge is measured and the fact that the cell voltage is too low against the charging current, is detected.例文帳に追加

放電中の電池の電圧を測定し、放電電流値に対して電池電圧が低すぎることを検知すると、メモリ効果が発生していると見なす。 - 特許庁

To attain the access to a non-contact memory even during the recording/reproducing operation in a recording/reproducing device coping with a recording medium furnished with the non-contact memory, by evading the adverse effect to recording/reproducing data due to the magnetic field generated from an antenna at the time of accessing the non-contact memory.例文帳に追加

非接触型のメモリを備えた記録媒体に対応する記録再生装置において、非接触型のメモリに対するアクセス時に、アンテナから発生する磁界による記録／再生データへの悪影響を回避し、記録／再生中にも非接触型のメモリにアクセスできるようにする。 - 特許庁

By the above constitution, the multi-valued memory applying the two quantum points can be realized, is made different from the other memory and can be realize an extreme high integration memory of 1 Tb or more without attaining a physical limit such as short channel effect due to MOSFET scale- down.例文帳に追加

このように構成することによって、２個の量子点を応用した多値メモリを具現化することが可能となり、他のメモリとは異なってＭＯＳＦＥＴのスケールダウンによる短チャネル効果のような物理的限界に達することなく、１Ｔｂ以上の超高集積メモリを具現化することができる。 - 特許庁

To enable uniform and quick heating of a shape memory resin molded product up to its restorable temperature when the shape memory resin molded article is restored to the memorized shape or when flexibility is imparted to a molded product to effect postforming change of shape to a desired shape, and also to increase the mechanical strengths of the shape memory resin molded product.例文帳に追加

形状記憶樹脂成形体を記憶した形状に復元させる場合や、一次成形体に可とう性を与えて所望の形状に二次変形させる場合に、形状記憶樹脂成形体の温度を、均一かつ迅速に回復可能温度まで加熱できるようにする。 - 特許庁

In addition, the lamp control means outputs a turning on/off signal according to the lighting patterns of the game effect LED 28a, game effect lamps 28b and 28c, decoration lamp 25, prize winning ball lamp 51, blowout lamp 52, start memory indicator 18 and gate pass memory indicator 41 defined by the lamp control commands.例文帳に追加

また、ランプ制御手段は、ランプ制御コマンドに応じて定義されている遊技効果ＬＥＤ２８ａ、遊技効果ランプ２８ｂ，２８ｃ、装飾ランプ２５、賞球ランプ５１、球切れランプ５２、始動記憶表示器１８およびゲート通過記憶表示器４１の点灯パターンに応じて、それらに対して点灯／消灯信号を出力する。 - 特許庁

No adverse effect due to the emitted noise is given to the reception processing to be performed by the receiving part 3 even when a weak radio wave is emitted from the bus 8 for memory connection as a noise component by a fact that access is made to the memory 9 through the bus 8 for memory connection by the CPU 2 and data is transferred through the bus 8 for memory connection.例文帳に追加

ＣＰＵ２がメモリ９に対してメモリ接続用のバス８を通じてアクセスし、データがメモリ接続用のバス８を通じて転送されることにより、メモリ接続用のバス８から微弱な電波がノイズ成分として放射されても、受信部３が行う受信処理に放射ノイズによる悪影響が与えられてしまうことはない。 - 特許庁

For an insulated gate type field effect transistor inside a memory cell array (1), the transistor of a gate insulating film (Tox1) thicker than the gate insulating film (Tox2) of the insulated gate type field effect transistor of peripheral circuits (3, 4 and 5) is utilized.例文帳に追加

メモリセルアレイ（１）内の絶縁ゲート型電界効果トランジスタには、周辺回路（３，４，５）の絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート絶縁膜（Ｔｏｘ２）よりも膜厚の厚いゲート絶縁膜（Ｔｏｘ１）のトランジスタを利用する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element having a large MR change rate, and to provide a magnetic head assembly, a magnetic recorder/reproducer, and a memory cell array using the same, and a manufacturing method of a magnetoresistance effect element.例文帳に追加

本発明の実施形態によれば、劣化しにくく、ＭＲ変化率の大きい磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッドアセンブリ、磁気記録再生装置、メモリセルアレイ、及び磁気抵抗効果素子の製造方法を提供することができる。 - 特許庁

To disclose such a technology that a data maintaining (Retention) property can be improved without losing a refresh information even when a power source is OFF state, by applying 1T-FET type (1 transistor-Field Effect Transistor Type) ferroelectric memory cell having nonvolatile property to DRAM.例文帳に追加

本発明は、不揮発性特性を有する1T-FET型(1 transistor-Field Effect Transistor Type)強誘電体メモリセルをDRAMに適用して電源のオフ時にもリフレッシュ情報を失わず、データ維持(Retention)特性を向上させることができるようにする技術を開示する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory characteristic changing method capable of imprinting in a time shorter than a conventional imprinting time and supplementing the reduction of a polarizing amount due to relaxation effect to improve reading characteristics, in a ferroelectric memory.例文帳に追加

本発明は、強誘電体メモリについて、従来よりも短時間でインプリントを行い、リラクゼーション効果による分極量の減少を補い、読出特性を向上出来る強誘電体メモリ特性変更方法を提供する。 - 特許庁

The physical format processing is automatically started when the memory medium 7 not subjected to the physical format processing is set in the medium exchange type memory device 7 and therefore an effect of drastically reducing the labor of a user is obtained.例文帳に追加

媒体交換型記憶装置６に物理フォーマット処理がされていない記憶媒体７がセットされているときには、自動的に物理フォーマット処理を開始するので、ユーザの手間が大幅に軽減されるという効果を得る。 - 特許庁

To obtain a memory bandwidth reduction effect due to a subsample by continuously acquiring pixels required for encoding processing at the time of reading image data and reference image data being a target of the encoding processing from an input image memory.例文帳に追加

符号化処理の対象となる画像データおよび参照画像データを入力画像メモリから読み出す際に符号化処理に必要な画素を連続して取得でき、これによってサブサンプルによるメモリバンド幅削減効果を発揮できる。 - 特許庁

One of the erosion resistant valves 20 is a Ti-Ni group shape memory alloy valve, and fastened to both or one of a valve casing side valve seat 13 and a valve element side valve seat 14 by utilizing shape memory effect of the alloy.例文帳に追加

一つの耐エロージョン弁２０は、Ｔｉ−Ｎｉ系形状記憶合金弁であって、弁の弁箱側弁座１３および弁体側弁座１４の双方あるいは一方に、該合金の形状記憶効果を利用して締結した。 - 特許庁

To prevent the use of fraudulent memory media by issuing memory media having stored game medium information indicating the number of the game media while issuance information to the effect is transmitted to a managing unit.例文帳に追加

遊技媒体数を示す遊技媒体情報が記憶された記憶媒体を発行すると共にそのことを示す発行情報を管理装置に伝達する構成において、不正な記憶媒体が使用されてしまうことを防止する。 - 特許庁

When an instruction to cancel part of an effect applied to image data or change the execution order of plural effects is input by a user, a CPU changes effect setting information stored in a CPU memory, and while utilizing input and output buffers secured on a GPU memory in initialization processing as they are, based on the changed effect setting information, updates only connection information of the input and output buffers.例文帳に追加

ユーザより、画像データに対してかけるエフェクトの一部をキャンセルしたり、複数のエフェクトの実行順序を変更する指示が入力されたとき、ＣＰＵは、ＣＰＵメモリに保存されたエフェクト設定情報を変更し、変更されたエフェクト設定情報をもとに、初期化処理でＧＰＵメモリに確保された入出力バッファをそのまま利用しつつ、それらの入出力バッファの接続情報のみを更新する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory of a spin tunnel magneto-resistance effect type which has an satisfactory productivity capable of simply and uniformly producing an insulating layer having an excellent characteristic.例文帳に追加

良好な特性の絶縁層を、簡単にしかも均一に作製することができる生産性のよいスピントンネル磁気抵抗効果型の磁性メモリを提供する。 - 特許庁