「memory-effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an image forming device, capable of giving sufficient destaticizing effect by the irradiation of eraser light, without optically fatiguing a photoreceptor drum concerning the prevention of the so-called transfer memory caused by the photoreceptor drum.例文帳に追加

感光体ドラムに起因するいわゆる転写メモリの防止に関し、特に感光体ドラムを光疲労させることなく、イレーサ光の照射によって十分な除電効果を得ることが可能な画像形成装置を提供するものである。 - 特許庁

The control part 21 of a simulation device 20 calculates a saturated steam pressure distribution in each calculation grid coordinate taking into consideration a Kelvin effect on the hole diameter in the fuel cell structure stored in a three-dimensional structure data memory part 23.例文帳に追加

シミュレーション装置２０の制御部２１は、３次元構造データ記憶部２３に記録された燃料電池の構造体における空孔径について、Kelvin効果を考慮して、各計算格子座標における飽和水蒸気圧分布を算出する。 - 特許庁

To provide a data read-out circuit in which attenuation of a read-out signal is suppressed, current consumption of a circuit is reduced, and which has an effect on reducing area occupied by circuits, in a data read-out circuit of a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体記憶装置のデータ読み出し回路において、読み出し信号の減衰を抑え、回路の消費電流を低減し、回路の占める面積を縮小する効果の有るデータ読み出し回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

In injecting liquid crystal, the liquid crystal 4 and a liquid crystal panel are heated to the nematic-isotropic phase transition temperature of the liquid crystal of higher, so that a memory effect of the liquid crystal 4 is erased to remove influence of flow alignment in the injection step.例文帳に追加

液晶注入の際に液晶および液晶パネルを液晶のネマティック−アイソトロピック相転移点以上の温度に加熱することで、液晶のメモリ効果を消して、注入時の流動配向の影響を除去する。 - 特許庁

To provide a personal identification system which can reduce the memory capacity of a storage device, can suppress the cost required for the storage device and has the high rate of recognition with the reduced effect by the state of a person receiving the recognition.例文帳に追加

記憶装置のメモリ容量を少なくすることができ、記憶装置にかかるコストを低く抑えることができ、かつ、識別を受ける者の状態による影響が少ない認識率の高い個人識別システムを提供する。 - 特許庁

To realize a battery system in which a unit to be supplied with power can be used continuously even if a secondary battery having memory effect is used up and the lifetime of the secondary battery can be prevented from shortening.例文帳に追加

メモリー効果のある２次電池を使用し、この２次電池の全充電量を使いきっても、電力供給対象装置の使用を継続し、且つ、その２次電池の寿命短命化を防止することができる電池システムを実現する。 - 特許庁

The second memory C2 converts the value from the timer T1 for each parking room 2, and the high-speed area 20 in the garage leaving mode is changed in a timer T2 to obtain a stable low-speed area 22 and realize the constant effect of the garage leaving time.例文帳に追加

第２記憶装置Ｃ２は、駐車室２ごとにタイマＴ１を換算して出庫の高速領域２０をタイマＴ２に換えることで安定した低速領域２２を得ると共に、出庫時間を一定にできる効果がある。 - 特許庁

Furthermore, a frame memory area segmentation unit 7 and a threshold decision unit 11 are used to reduce the effect of luminance shading of a CRT 1, so as to enhance the accuracy of the luminance gravity calculation and thereby inspecting image quality, such as convergence.例文帳に追加

また、フレームメモリ領域切出し器７としきい値決定器１１を用いて、ＣＲＴ１の輝度シェーディングの影響を少なくして輝度重心算出の精度を向上を行い、コンバージェンス等の画質検査を行う装置。 - 特許庁

To satisfy focusing conditions for a primary electron beam and a secondary electron beam at the same time, facilitate axis-taking of lenses, minimize space charge effect, and decrease memory capacity accumulating images of objects for inspection.例文帳に追加

一次電子線と二次電子線とに同時にレンズの合焦条件を満足させることができ、レンズの軸合わせが容易で、空間電荷効果を最小に制限し、被検査対象の画像を蓄積するメモリ容量を小さくすること - 特許庁

To reduce or eliminate the inprint effect of ferroelectric devices such as capacitive elements and memory cells without exposing the devices to a too high temperature and ultraviolet light or without conducting a post-annealing process.例文帳に追加

強誘電体素子を過大な温度にさらしたり、紫外光にさらしたり、あるいはポストアニーリング処理を行ったりすることなく、容量素子やメモリセルなどの強誘電体素子におけるインプリント効果を少なくしあるいはなくす。 - 特許庁

To provide a polycrystalline Ni-Mn-Ga series shape memory alloy in which brittleness can be improved without damaging the shape memorizing effect characteristic of an Ni-Mn Ga series alloy, to provide its production method.例文帳に追加

多結晶体であって、Ｎｉ−Ｍｎ−Ｇａ系合金の本来的な形状記憶効果を損なわずに脆さの改善を行うことができるＮｉ−Ｍｎ−Ｇａ系形状記憶合金とその製造方法とを提供すること。 - 特許庁

To provide an optimum voltage setting method for reading out data in which retention caused by reduction of polarization of ferroelectric substance can be improved in a semiconductor memory in which a ferroelectric capacitor is connected to a gate of a field effect transistor FET.例文帳に追加

強誘電体コンデンサを電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）のゲートに接続した半導体記憶装置において、強誘電体の分極低下によるリテンションを改善できるデータ読み出しの最適電圧設定方法を提供する。 - 特許庁

After a buffer layer 11, a channel layer 12, a spacer layer 13, an electron supplying layer 14, and a contact layer 15 are sequentially grown on a substrate 10; the substrate 10 is taken out from the vapor growth apparatus, and a non-alloy contact layer 16 is additionally grown on the contact layer 15 with the other vapor growth apparatus to eliminate adverse effect of the memory effect.例文帳に追加

基板１０上にバッファ層１１、チャネル層１２、スペーサ層１３、電子供給層１４、コンタクト層１５を順次成長させた後、その基板１０を気相成長装置から取り出し、他の気相成長装置でコンタクト層１５上にノンアロイコンタクト層１６を別途成長させてメモリー効果の影響を排除するようにしたものでる。 - 特許庁

By having a dummy cell array 201 arranged in a memory cell array 101, and an intermediate buffer 300 arranged between the dummy cell array and the input-output circuits 400, control signal of the input-output circuit 400 can be operated at a high speed and at a high frequency in the memory of a large bit width, while the effect of increasing area to the absolute minimum is suppressed.例文帳に追加

ダミーセルアレイ２０１をメモリセルアレイ１０１内に配置し、中間バッファ３００を入出力回路４００の間に配置することにより、ビット幅の大きなメモリにおいても面積増大効果を最小限に抑えつつ、入出力回路４００の制御信号を高速かつ高周波で動作させることを可能にする。 - 特許庁

This effect device is provided with a waveform reproduction means 34 for reproducing the waveform based on a prescribed partial waveform among the waveforms stored in a waveform memory 33 and based on a present pitch of the input waveform detected by a pitch detection means 37 after the reproduction of the waveform of a prescribed section from attack stored in the waveform memory means 33.例文帳に追加

波形メモリ手段３３に記憶された、アタックから所定区間内の波形の再生に引き続いて、その波形メモリ手段３３に記憶された波形のうちの所定の一部分の波形に基づくとともにピッチ検出手段３７により検出された入力波形の現在のピッチに基づく波形を再生する波形再生手段３４を備えた。 - 特許庁

This circuit is a PROM integrated circuit using poly-silicon fuse technology, when a poly-silicon fuse resistor 21 is adapted to a conventional PROM memory cell 17 as it is, as the element area of the poly-silicon fuse resistor 21 is larger than that of a zener diode element, though NPN transistors 2, 3 are miniaturized, effect of miniaturization is less in a whole memory.例文帳に追加

ポリシリコンヒューズ技術を用いたＰＲＯＭ集積回路に関するものであり、ポリシリコンヒューズ抵抗２１をそのまま従来のＰＲＯＭメモリーセル１７に適用すると、ポリシリコンヒューズ抵抗２１の方がツェナーダイオード素子よりも素子面積が大きいためＮＰＮトランジスタ２，３は小型化してもメモリー全体では小型化の効果が少なかった。 - 特許庁

The apparatus includes a memory of length m for memorizing the data stream, an accumulator of length n for calculating the CRC checksum, a remainder circuit which makes data output from the accumulator feed back to the accumulator by using a predetermined CRC polynomial, and a subtraction circuit for eliminating the effect of data output from the memory from the accumulator.例文帳に追加

本装置は、データストリームを記憶するための長さｍのメモリと、ＣＲＣチェックサムを計算するための長さｎのアキュムレータと、アキュムレータから出力されるデータを所定のＣＲＣ多項式を用いてアキュムレータへフィードバックさせる剰余回路と、メモリから出力されるデータの効果をアキュムレータから除去するための減算回路とを備える。 - 特許庁

Furthermore, the amplitude (g) of the input signal and an address (h) of the memory 2 are cross-referenced and an address calculation circuit that calculates the address from the amplitude (g) of the input signal is provided to the pre-distortion type distortion compensation circuit that can reduce the memory capacity while maintaining the effect of the nonlinear distortion compensation.例文帳に追加

また、入力信号の振幅値ｇとメモリ２のアドレスｈとの対応付けを有し、これに基づき入力信号の振幅値からする算出するアドレス算出回路を備えて構成したので、非線形歪補償の効果を維持しつつ、メモリ容量を少なくすることができるプリディストーション型歪補償回路が実現できる。 - 特許庁

The game machine comprises memory means 39 and 45 which can store game data therein, a backup power means 51 which enables the memory means 39 and 45 to hold the storage data therein and an output means 55 for providing an external device 57 with an external signal to the effect that the data is held by way of the backup power means 51.例文帳に追加

遊技状態に関する遊技データを記憶可能な記憶手段39,45 と、外部電源装置48からの電源供給が停止したときに、記憶手段39,45 に記憶データを保持させるバックアップ電源手段51と、バックアップ電源手段51による保持状態である旨の外部信号を外部装置57へ出力する出力手段55とを備えている。 - 特許庁

With respect to the IC card with an improved forgery prevention effect, an IC chip having a memory and an identification body 13 made of a ferromagnetic material foil are provided on an IC card base material, and ID peculiar information is recorded in the identification body, and the same ID peculiar information as recorded information is stored in the memory of the IC chip.例文帳に追加

本発明の偽造防止効果を高めたＩＣカードは、ＩＣカード基材に、メモリーを有するＩＣチップと強磁性材箔からなる識別体１３を設けたＩＣカードであって、当該識別体にＩＤ固有情報を記録し、当該記録された情報と同一のＩＤ固有情報をＩＣチップのメモリーに記憶させたことを特徴とする。 - 特許庁

Since current-voltage conversion is performed, using an FET for resistance substitution to memory effect of current mode which uses a GTO thyristor, a device is made smaller than S-RAM, in terms of the occupancy area and also is made shorter than D-RAM, in terms of data input/output time.例文帳に追加

［解決手段］ＧＴＯサイリスターを使って電流モードのメモリ効果を抵抗代用のＦＥＴで電流−電圧変換する事でＳ−ＲＡＭよりも占有面積を小さく、また、Ｄ−ＲＡＭよりもデータ入出力時間を縮くする。 - 特許庁

To provide a device and a method by which average loads on an inquiry to a database are reduced, and a memory use capacity is decreased drastically, while an effect of batch update is enhanced by increasing the number of update requests to be flashed at a time.例文帳に追加

データベースへの問合せの平均負荷を下げ、メモリ使用量を大幅に減少させることができ、一度にフラッシュする更新要求の数を増加させてバッチ更新の効果を向上させることができる装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide an automatic lid opening and closing device for a composting container which uses a shape memory alloy allowing a lid to be automatically opened or closed by an effect of an ambient atmospheric temperature so as to prevent the diffusion of generated vapor and the absorption of moisture.例文帳に追加

堆肥化容器に於いて、周辺の雰囲気温度により自動的に蓋を開閉し発生蒸気の放散と吸湿を防止する事を目的として形状記憶合金を用いた堆肥化容器の自動蓋開閉装置を提供する。 - 特許庁

In the case that the kind of the accumulator used in an accumulation device does not exhibit a memory effect when creating the operation program by using the operation program creation device, a refresh program for fully charging the accumulator by adding an electric charge to a remaining capacity is created.例文帳に追加

運転計画作成装置で運転計画を作成するとき、蓄電装置に使用される蓄電池の種類がメモリ効果を発生しない種類時には、蓄電池に残存する容量に追加して満充電とするリフレッシュ計画を作成する。 - 特許庁

A well potential control part 13 drops N well potential or raises power supply potential of P channel field effect transistors M1 and M2 of a memory cell MC in the timing when the potential of a word line WL shifts to a low level from a high level in a writing cycle.例文帳に追加

ウェル電位制御部１３は、書き込みサイクル内においてワード線ＷＬの電位がハイレベルからロウレベルに移行するタイミングでメモリセルＭＣのＰチャンネル電界効果トランジスタＭ１、Ｍ２のＮウェル電位を下降または電源電位を上昇させる。 - 特許庁

A memory effect canceller 100 includes: a delay unit 61; delay units 62-1 to 62-Q; delay units 63-1 to 63-Q; a subtracting unit 65; computing units 70-0 to 70-Q; multiplying units 72-0 to 72-Q; an adding unit 75; and a signal converting unit 76.例文帳に追加

メモリ効果キャンセラ１００は、遅延器６１、遅延器６２−１〜６２−Ｑ、遅延器６３−１〜６３−Ｑ、減算器６５、演算器７０−０〜７０−Ｑ、乗算器７２−０〜７２−Ｑ、加算器７５、及び信号変換部７６を備える。 - 特許庁

To effectively prevent a magnetoresistance effect element from being eroded by oxygen or hydrogen or the like, concerning a magnetic memory device that utilizes a change in resistance based on the direction of a spin of a magnetic layer and its manufacturing method.例文帳に追加

磁性層のスピンの向きに基づく抵抗変化を利用した磁気メモリ装置及びその製造方法に関し、酸素や水素等による磁気抵抗効果素子の侵食を効果的に防止しうる磁気メモリ装置の構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) in a non-volatile memory cell has a source, a drain and a channel region between the source and the drain, and all of them are formed in a substrate of opposite conductivity type to the conductivity type of the source and drain.例文帳に追加

非揮発性メモリセル内の酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）は、ソースと、ドレインと、ソースとドレイン間のチャネル領域とを有し、これら全てがソース及びドレインの導電型と逆導電型の基板内に形成されている。 - 特許庁

To provide a generator device which can reduce a control load on a first control device (main control board) to mainly manage the progress of a game including a lottery and expand variation of performance effect requiring much memory capacity such as previous notice, continuous notice, etc. of lottery results.例文帳に追加

主として抽選を含む遊技の進行を司る第１の制御機器（メイン制御基板）の制御負担を軽減し、かつ、抽選結果の事前予告や連続予告等、メモリ容量を多く必要な演出効果のバリエーションを拡大する。 - 特許庁

The structure of the semiconductor device in which even when the defect occurs, its effect does not bring about a leakage current for deteriorating the transistor characteristics or the holding characteristics of a memory and the method for manufacturing the device for realizing these structures are provided.例文帳に追加

又は結晶欠陥がたとえ発生してもその効果がトランジスタ特性や、メモリの保持特性を悪化させるようなリーク電流とならないような半導体装置の構造、及びこれらの構造を実現するための製造方法を提供する。 - 特許庁

Performing reverse bonding in a layered manner by means of ball bonding enables wires in 2 directions to be formed on a pad 4a of a memory chip 4 to produce an equivalent effect to sequential stitch bonding of wedge bonding in ball bonding.例文帳に追加

ボールボンディングによる逆ボンディングの重ね打ちを行うことにより、メモリチップ４のパッド４ａ上に２方向のワイヤを形成することが可能になるため、ボールボンディングでウエッチボンディングの連続ステッチボンディングと同等の効果を生み出すことができる。 - 特許庁

Since wires in two directions can be formed on pads 4a of memory chips 4 by performing reverse bonding by ball bonding by overstriking, an effect equivalent to that of continuous stitch bonding of wedge bonding can be achieved by ball bonding.例文帳に追加

ボールボンディングによる逆ボンディングの重ね打ちを行うことにより、メモリチップ４のパッド４ａ上に２方向のワイヤを形成することが可能になるため、ボールボンディングでウエッチボンディングの連続ステッチボンディングと同等の効果を生み出すことができる。 - 特許庁

The CPU 11 stores accumulatively image data generated by the ADF reading or the manually placed reading, until the effect that original reading is finished is designated, as the image data of each page of a series of originals arranged in order of reading in an image memory 14.例文帳に追加

原稿読取を完了する旨の指定がなされるまでの間にＡＤＦ読取または手置き読取で生成された画像データをＣＰＵ１１は、読取順序で並ぶ一連の原稿の各ページの画像データとして画像メモリ１４に蓄積する。 - 特許庁

To provide a phase changing type information recording medium which has a low melting point, hardly receives an effect of oxidation, and has a high crystallization speed, which for example, enables to decrease consumption of electric power of a non-volatile memory utilizing the phase changing type information recording medium.例文帳に追加

融点が低く、酸化の影響を受けにくく、さらに結晶化の速度が速い相変化型情報記録媒体を提供し、例えば、相変化型情報記録媒体を利用する不揮発性メモリの低消費電力化を可能にする。 - 特許庁

The spin memory has a ferromagnetic word line, a nonmagnetic bit line crossing the ferromagnetic word line, a wiring opposed to the ferromagnetic word line, and the magneto-resistance effect element 201 provided between an intersection part of the ferromagnetic word line and nonmagnetic bit line, and the wiring.例文帳に追加

強磁性ワード線と、強磁性ワード線と交差する非磁性ビット線と、強磁性ワード線と対向する配線と、強磁性ワード線及び非磁性ビット線の交差部分と配線との間に設けられた磁気抵抗効果素子２０１とを備える。 - 特許庁

Since the set differential pressure is prevented from being changed by the temperature on the entrance side by negating the effect of the shape memory alloy spring 31 when the temperature on the entrance side is above a predetermined value, the pressure on the entrance side is prevented from exceeding the predetermined value.例文帳に追加

また、入口側の温度が所定の温度以上では形状記憶合金ばね３１の効きを無効にして設定差圧が入口側の温度では変わらないようにしたので、入口側の圧力は所定の圧力を超えてしまうことはない。 - 特許庁

A method for recording a magnetic memory cell comprises a step of disposing a write line 3 near a side face of the magnetoresistance effect element 2 of a structure, in which a nonmagnetic layer 23 is interposed between a first magnetic layer 21 and a second magnetic layer 22 each having an axis of easy magnetization in a film surface perpendicular direction via an insulating film.例文帳に追加

膜面垂直方向に磁化容易軸を持つ第１磁性層２１及び第２磁性層２２で非磁性層２３を挟んだ構造の磁気抵抗効果素子２の側面近傍に、絶縁膜を介して書込み線３を配置する。 - 特許庁

Thus, even if the punch-through stopper layer 7 having a function to prevent a short channel effect is provided while a control gate of a non-selected memory cell is applied with a negative voltage to suppress a leak current at writing, the drain-disturb phenomenon is prevented.例文帳に追加

これにより、短チャネル効果を防ぐ機能を有するパンチスルーストッパ層７を設け、さらに書き込み時のリーク電流を抑えるために非選択メモリセルの制御ゲートに負電圧を印加しても、ドレインディスターブ現象を防止することが可能となる。 - 特許庁

When the temperature is lowered to the nematic-isotropic phase transition temperature or lower, this time adsorption occurs between the liquid crystal 4 and the alignment layer due to the memory effect and stronger alignment controllability is obtained through a multiplier action with the alignment due to rubbing.例文帳に追加

温度がネマティック−アイソトロピック相転移点以下の温度になると、今度はメモリ効果により液晶と配向膜との間で吸着が生じ、ラビングによる配向との相乗作用により、より強い配向規制力を得ることができる。 - 特許庁

To improve the flexibility of the shape and the reliability when used in a joining holding part in which a function to make dismantling to be executed efficiently when products are disposed by utilizing a shape memory effect is added to the function to fasten a plurality of parts or members.例文帳に追加

複数の部品もしくは部材を締結する機能に、形状記憶効果を利用して製品廃棄の際の解体を効率化する機能を付加した結合保持部品における、形状の自由度及び使用に際しての信頼性を向上すること。 - 特許庁

To provide a cache control method and a cache control circuit that can solve a conventional technical problem and acquire a performance improving effect by a cache memory even with a program which does not guarantee locality of reference in a strict sense.例文帳に追加

従来技術の問題点を解消し、参照の局所性が厳密な意味で保証されないプログラムであっても、キャッシュメモリによる性能向上効果を得ることができるキャッシュ制御方法およびキャッシュ制御回路を提供すること。 - 特許庁

The sound reproduction LSI 42 reads a necessary operation parameter from a sound memory 43 based on the sound quality command, determines the sound quality of the sound signal to output subsequently, and then determines the sound volume of a sound effect based on the sound volume command.例文帳に追加

音声再生ＬＳＩ４２は、音質指令に基づいて、音声メモリ４３から必要な動作パラメータを読み出し、それ以後に出力される音声信号の音質を決定し、音量指令に基づいて、その後の音声演出の音量を決定する。 - 特許庁

To provide an interactive system for learning computer program which is inexpensive, enables self-learning, unnecessitates other textbooks, etc., at the time of learning, in which misspellings, etc., are easily found out, enables learners to attain sufficient memory effect and certain experiencing effect by program execution, and which can be executed easily and without stress even by a learner with low skills.例文帳に追加

安価であり、単独実行が可能であり、学習時に他の教本等を併用する必要がなく、スペルの勘違い等がすぐに判明し、学習者にとって十分な記憶効果およびプログラム実行による一定の体験効果が得られ、習熟度が低い学習者でも容易にストレスなく実施しうる、コンピュータプログラム学習のための対話システムを提供すること。 - 特許庁

In the blasting abrasives formed of powder of a shape memory alloy member with a primary average grain diameter of 0.05-3 mm exhibiting martensitic transformation, a member used as the shape memory alloy member is to exhibit a shape memory effect through solution annealing and quenching after crushing at least one alloy selected from CuAlNi alloy, CuZnAl alloy, FeMnSi alloy, CuAlMn alloy, CuAlNiTi alloy and CuAlNiMn alloy.例文帳に追加

マルテンサイト変態を発現させた一次平均粒子径０．０５~３ｍｍの形状記憶合金製部材の粉末であるブラスト用研磨材にあり、上記形状記憶合金製部材としてはＣｕＡｌＮｉ合金、ＣｕＺｎＡｌ合金、ＦｅＭｎＳｉ合金、ＣｕＡｌＭｎ合金、ＣｕＡｌＮｉＴｉ合金、そしてＣｕＡｌＮｉＭｎ合金から選ばれた少なくとも一種の合金を粉砕した後に溶体化処理し、焼入れを行って形状記憶効果を発現させたものを使用する。 - 特許庁

To reduce power consumption for deciding a logic level of a data bus supplied with the memory cell read-out data in a synchronous DRAM output circuit and to generate an output of a nearly source voltage level by latching the memory cell read-out data, generating a boosted voltage based on the latched data and driving an n-channel field effect transistor.例文帳に追加

シンクロナスＤＲＡＭの出力回路において、メモリセル読み出しデータが供給されるデータバスの論理レベルを確定するための消費電力を低減するとともに、メモリセル読み出しデータをラッチし、ラッチしたデータに基づいて昇圧された電圧を発生させてｎチャネル電界効果トランジスタを駆動することでほぼ電源電圧レベルの出力を発生できるようにする。 - 特許庁