「metal film deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The selective gas-permeable film is manufactured by elongating a gas barrier film formed of a vapor deposition film layer 20 having a thickness of 5 to 50 nm prepared by supplying an organic silicon compound, metal or metal oxide on a base film 10.例文帳に追加

基材フィルム１０に、有機珪素化合物、金属または金属酸化物を供給してなる厚さ５〜５０ｎｍの蒸着膜層２０を設けたガスバリア性フィルムを伸長させてなる。 - 特許庁

To provide a resistance heating evaporation source capable of accurately controlling a film thickness of a coated film composed of a metal Li to be formed into a film in vacuum deposition using especially a metal Li as a material for forming a film.例文帳に追加

成膜材料として特に金属Ｌｉを使用した真空蒸着において、成膜される金属Ｌｉからなる被覆膜の膜厚を精度良く制御できる抵抗加熱蒸発源を提供する。 - 特許庁

The metallization film capacitor is formed by a pair of metal sprayed electrodes 7a and 7b being arranged opposingly, and by laminating a deposition metal 2 connected to one electrode 7a and a deposition metal 2 connected to the other electrode 7b in multiple via a dielectric film 1.例文帳に追加

相対向して配置される一対のメタリコン電極７ａ、７ｂを備え、一方の電極７ａに接続される蒸着金属２と、他方の電極７ｂに接続される蒸着金属２とを、誘電体フィルム１を介して複数積層することによって金属化フィルムコンデンサを形成する。 - 特許庁

Next, a polar electrode 12 formed of copper is formed by a metal film forming method so-called the Metal Chloride Reduction Chemical Vapor Deposition (MCR-CVD) method on the upper surface of connecting pad of wiring 7 within the aperture 11 of the overcoating film 10.例文帳に追加

次に、オーバーコート膜１０の開口部１１内の配線７の接続パッド部上面に、塩化金属還元気相成長（ＭＣＲ−ＣＶＤ：Metal Clloride Reduction Chemical Vapor Deposition）法と呼ばれる金属成膜法により、銅からなる柱状電極１２を形成する。 - 特許庁

The protective film 12 can be deposited by ion-plating, expansive thermal plasma, the plasma-excited chemical vapor deposition method, the organic metal vapor deposition method, the organic metal vapor deposition epitaxy, sputtering, electronic beams, plasma spray or the like.例文帳に追加

保護膜１２は、イオンプレーティング、膨張性熱プラズマ、プラズマ励起化学気相成長法、有機金属化学気相成長法、有機金属気相エピタキシー、スパッタリング、電子ビーム、プラズマスプレーなどにより成膜することができる。 - 特許庁

A metal oxide and ceramic as a substance having higher thermal conductivity than that of the metal oxide are packed into a cover-fitted crucible having an opening part, and vapor deposition is performed, so as to suppress the intrusion of garbage causing a black point defect during film deposition, and further, the reduction of a vapor deposition rate can be prevented.例文帳に追加

開口部を有する蓋付きの坩堝内に金属酸化物と金属酸化物よりも熱伝導率の高い物質であるセラミックスとを充填して蒸着を行うことで、成膜中に暗点欠陥の原因となるゴミが混入することを抑制し、さらに蒸着レートの低下を防ぐことができる。 - 特許庁

By performing film deposition of molybdenum layer in the film deposition chamber 11B having the pressure gradient, the molybdenum layer having metal density gradient along the substrate side to the surface side can be deposited.例文帳に追加

このような圧力勾配が生じた成膜室１１Ｂ内でモリブデン層の成膜を実施することで、基板側から表面側にかけて、金属密度勾配が形成されたモリブデン層を成膜することができる。 - 特許庁

To efficiently remove impurities deteriorating film quality when the vacuum deposition of an organic layer or a metal electrode is conducted in a film forming chamber in the forming of an organic EL element by a vacuum deposition method.例文帳に追加

真空蒸着法で作成する、有機ＥＬ素子作成方法に関わり、成膜室で有機層や金属電極を真空蒸着する際、膜質を劣化させる不純物を効率よく取り除く。 - 特許庁

To provide a CVD (Chemical Vapor Deposition) film deposition process where a metal film can be deposited by CVD according to oxidation-reduction reaction with sufficient reducibility without passing through a complicated process.例文帳に追加

複雑なプロセスを経ることなく十分な還元性をもって酸化還元反応によるＣＶＤにより金属膜を成膜することができるＣＶＤ成膜方法を提供すること。 - 特許庁

The light shielding film 2 is composed of a metal-containing thin film deposited by a vacuum deposition process, a sputtering process, or a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) which hold the treatment temperature of ≤150°C.例文帳に追加

遮光膜２は１５０℃以下の処理温度を維持できる真空蒸着法、スパッタ法又はプラズマＣＶＤ法にて成膜された金属を含む薄膜からなる。 - 特許庁

The ferroelectric film 12 is formed on both side surfaces of the electrode SD by an MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method and the electrode TD is formed on a side surface of the ferroelectric film 12 by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.例文帳に追加

強誘電体膜１２はＭＯＣＶＤ法により電極ＳＤの両側面に形成され、電極ＴＤはＣＶＤ法により強誘電体膜１２の側面に形成される。 - 特許庁

A number of gas supply holes opened to the outer surface of a chimney 104 and a deposition shield plate 107 are arranged thereon which are components disposed in the vacuum chamber 101 of the film deposition apparatus for forming the metal film on a substrate 106.例文帳に追加

基板１０６に金属膜を成膜するための成膜装置の真空チャンバー１０１に配備された構成部品であるチムニー１０４や防着板１０７の外面に開口する多数のガス供給孔を設ける。 - 特許庁

To resolve a conventional problem being very slow in forming a film by atomic layer deposition method by supplying both a metal source and an oxygen source into a film forming chamber at the same time in chemical vapor deposition (CVD) method.例文帳に追加

化学気相成長(CVD)法において金属源、ケイ素源および酸素源を成膜室に同時給送することにより、原子層堆積法の成膜は非常に低速であるという従来の難点を克服する。 - 特許庁

In the metal deposition film having a metal deposition film that will become an electrode and a margin on at least one surface of a polymer molecule film, the margin includes Al oxide or Al hydroxide adhering thereto and silicone oil.例文帳に追加

高分子フィルムの少なくとも片面に電極となる金属蒸着膜とマージン部分を有する金属蒸着フィルムにおいて、マージン部に酸化Ａｌまたは水酸化Ａｌ付着し、さらに、マージン部にシリコーンオイルが存在していることを特徴とする金属蒸着フィルム。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a base material with a metal thin film capable of reducing heat affection occurring on the surface of the base material traveling along a cooling can while performing film deposition by performing vapor deposition of the metal thin film on the surface of the base material.例文帳に追加

基材表面に金属薄膜を蒸着して成膜する場合に、成膜中に冷却キャンに沿って走行する基材の表面に発生する熱負けを低減できる金属薄膜付き基材の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

The film laminate includes a polyethylene film layer (layer A), a resin film layer (layer B) having an inorganic compound vapor deposition layer, and a resin film layer (layer C) having a metal vapor deposition layer, wherein the polyethylene film layer (layer A) is set as a surface layer.例文帳に追加

ポリエチレンフィルム層（Ａ層）と、無機化合物蒸着層を有する樹脂フィルム層（Ｂ層）と、金属蒸着層を有する樹脂フィルム層（Ｃ層）とを含み、かつ該ポリエチレンフィルム層（Ａ層）を表層とするフィルム積層体である。 - 特許庁

In the antireflection film deposition method for depositing the antireflection film by vapor-depositing metal fluoride onto a substrate, substrate temperature at which vapor-deposition onto a substrate surface is performed is 25 to 60°C lower than substrate temperature at which vapor-deposition onto a substrate rear surface is performed.例文帳に追加

本発明に関わる反射防止膜形成方法は、基板に金属フッ化物を蒸着することで反射防止膜を形成する方法において、前記基板の表面を蒸着する基板温度が、前記基板の裏面を蒸着する基板温度より25〜60℃低いものである。 - 特許庁

A metal electrode 2 is a semitransparent metal vapor deposition film (film thickness is 20 nm), and a metal electrode 3 is an ITO(indium tin oxide) of a transparent electrode which is deposited on a glass substrate.例文帳に追加

金属電極２は半透明金蒸着膜（膜厚20 nm）、金属電極３はガラス基板上に蒸着された透明電極のITO（酸化インジウム錫）である。 - 特許庁

The method includes a process of forming a lower conductive pattern on a semiconductor substrate and after the vapor deposition of a barrier metal film using a metal organic precursor, cleaning the vapor-deposited barrier metal film.例文帳に追加

この方法は半導体基板上に下部導電パターンを形成し、金属有機前駆体を使って、バリア金属膜を蒸着した後、蒸着されたバリア金属膜を浄化する段階を含む。 - 特許庁

The laminate layer 7 is formed by winding spirally or longitudinally reinforcingly a tape-like laminate sheet laminated with a resin film on anyone selected from the group of the metal foil the metal film and a reinforcing material, and the metal vapor-deposition layer.例文帳に追加

ラミネート層７は金属箔、金属箔及び補強材、金属蒸着層のいずれかに樹脂フイルムを積層したテープ状のラミネートシートを、螺旋巻き又は縦添え巻きすることにより形成される。 - 特許庁

A film deposition method of performing deposition processing to a workpiece W on whose surface an insulation layer 1 is formed includes: a first thin film formation process of forming a first thin film 60 consisting of first metal; an oxidation process of oxidizing the first thin film to form an oxide film 60A; and a second thin film formation process of forming a second thin film 62 containing second metal on the oxide film.例文帳に追加

絶縁層１が表面に形成された被処理体Ｗに対して成膜処理を施す成膜方法において、第１の金属よりなる第１の薄膜６０を形成する第１の薄膜形成工程と、前記第１の薄膜を酸化して酸化膜６０Ａを形成する酸化工程と、前記酸化膜上に第２の金属を含む第２の薄膜６２を形成する第２の薄膜形成工程とを有する。 - 特許庁

In a state where a region, at the surface of the substrate, free from deposition of vapor grown film, is coated with a silicon-metal-containing film containing silicon metal, a vapor grown film on a region other than the above region having vapor grown film on a region other than the above region having the silicon-metal-containing film thereon.例文帳に追加

基体の表面のうち気相成長膜を形成しない領域を、珪素金属を含有する珪素金属含有被膜によって被覆した状態で、基体を気相成長プロセスに供することによって、珪素金属含有被膜以外の領域に気相成長膜を形成する。 - 特許庁

The deposition method of a metal thin film includes a step (STEP1) for depositing a Ti film, a step (STEP2) for forming a Co film on the Ti film, and a step (STEP3) for forming a metal thin film containing a Co_3Ti alloy by heat-treating the Ti film and Co film.例文帳に追加

金属薄膜の成膜方法は、Ｔｉ膜を成膜する工程（ＳＴＥＰ１）、Ｔｉ膜上にＣｏ膜を形成する工程（ＳＴＥＰ２）、Ｔｉ膜及びＣｏ膜を熱処理してＣｏ_３Ｔｉ合金を含む金属薄膜を形成する工程（ＳＴＥＰ３）を備えている。 - 特許庁

To provide a sputtering target for oxide film formation which can increase production efficiency of a metal oxide film, e.g. an optical thin film etc. by inhibiting a decrease in film-forming rate of the metal oxide film at sputter-deposition of the oxide film which is suitably used as an optical thin film.例文帳に追加

光学薄膜に好適な金属酸化膜をスパッタ成膜するにあたって、金属酸化膜の成膜速度の低下を抑制することによって、金属酸化膜ひいては光学薄膜等の生産効率を高めることを可能にした酸化膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

This metal carrier catalyst for exhaust gas treatment comprises a metal carrier 1 made of a ferrous metal foil or a ferrous metal sheet, a carrier coating film 2 formed on the surface of the metal carrier 1, a deposition layer 3 formed on the surface of the carrier coating film 2, and a catalyst metal deposited on the deposition layer 3.例文帳に追加

本発明の排ガス浄化用金属担体触媒は、鉄系金属箔あるいは鉄系金属シートにより形成された金属担体１と、金属担体１の表面に形成された担体被膜２と、担体被膜２の表面に形成された担持層３と、担持層３に担持された触媒金属と、からなることを特徴とする。 - 特許庁

An integrated circuit having the mutilayered barrier-metal thin film structure and a substrate is the barrier-metal thin film deposited on the substrate by an atomic layer chemical vapor deposition, and the barrier- metal thin film comprises the barrier-metal thin film including metal nitride and a thin copper film deposited on the barrier-metal thin film.例文帳に追加

本発明の集積回路は、多層バリアメタル薄膜構造を備える集積回路であって、基板と、原子層化学的気相成長のプロセスによって該基板上に堆積されたバリアメタル薄膜であって、バリアメタル薄膜は金属窒化物を含む、バリアメタル薄膜と、バリアメタル薄膜上に堆積された薄い銅膜とを備える。 - 特許庁

To provide a plastic film laminate for a packaging material excelling in appearance design with film configuration having a PET film, a metal vapor deposition layer or metal foil, heretofore difficult with a solventless adhesive.例文帳に追加

従来、無溶剤型接着剤では困難であった、ＰＥＴフィルム／金属蒸着層又は金属箔を有するフィルム構成で、外観の意匠性に優れる包装材料用のプラスチックフィルム積層体を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a metal oxide coating film having a uniform film thickness even when a metal oxide other than SiO_2 is film-formed by a liquid phase deposition method.例文帳に追加

本発明は、液相析出法において、ＳｉＯ_2以外の金属酸化物を成膜する場合でも、均一な膜厚を有する金属酸化物被膜の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To reduce the possibility of ignition of a metal film in a short time when a vacuum chamber of a film deposition apparatus for forming the metal film is released to the atmosphere.例文帳に追加

金属膜を成膜するための成膜装置の真空チャンバーを大気開放する際に、金属膜が発火するおそれを短時間で低減することを目的とする。 - 特許庁

In the method for manufacturing the metal film, a metal vapor-deposited film is deposited on the surface of the base material formed of iron or its alloy at an atmospheric pressure of 0.1-3.0 Pa, and at an average film deposition rate of 0.01-10 μm/min.例文帳に追加

またその製造方法は、鉄またはその合金によって形成された母材の表面に、雰囲気圧力０．１〜３．０Ｐａ、平均成膜速度０．０１〜１０μｍ／分で、金属蒸着被膜を形成する。 - 特許庁

To provide a film deposition method where a thin film composed of a metal compound film of a high melting point metal in which concentration of carbon can be sufficiently increased can be deposited.例文帳に追加

炭素濃度を十分に高くすることが可能な高融点金属の金属化合物膜よりなる薄膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

In order to form the single crystal metal oxide thin film 6, the semiconductor substrate 2 is kept in a heated state, and then metal atoms and an oxidation gas are supplied to the oxide film 4 of the semiconductor substrate 2 in the film deposition apparatus.例文帳に追加

半導体基板２を加熱した状態で、成膜装置内で、金属原子および酸化ガスを半導体基板２の酸化膜４に供給する。 - 特許庁

ADHESIVE RESIN COMPOSITION FOR POLYOLEFIN MULTILAYERED FILM, METHOD FOR PRODUCING ADHESIVE RESIN COMPOSITION FOR POLYOLEFIN MULTILAYERED FILM, POLYOLEFIN MULTILAYERED FILM, METAL DEPOSITION FILM, AND WATER-BASED COATING AGENT FOR OLEFIN FILM例文帳に追加

ポリオレフィン多層フィルム用接着性樹脂組成物、ポリオレフィン多層フィルム用接着性樹脂組成物の製造方法、ポリオレフィン多層フィルム、金属蒸着フィルム、及び、オレフィンフィルム用水性コーティング剤。 - 特許庁

The metal oxide-based film having a high dielectric constant such as a TiO_2 film or a ZrO_2 film having an amorphous structure is deposited on a silicon substrate using a plasma chemical vapor deposition method, and this film is used as the gate insulation film.例文帳に追加

プラズマ化学気相成長法を用いてシリコン基板上にアモルファス構造のＴｉＯ_2膜またはＺｒＯ_2膜などの金属酸化物系高誘電体膜を堆積し、これをゲート絶縁膜として用いる。 - 特許庁

PROCESS AND SYSTEM FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION(MOCVD) FOR LEAD GERMANIUM OXIDE (PGO) THIN FILM AND ANNEALING例文帳に追加

ゲルマニウム酸化鉛（ＰＧＯ）薄膜の金属有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）およびアニーリングのための方法およびシステム - 特許庁

METHOD OF FORMING PrxCa1-xMnO3 THIN FILM HAVING PrMnO3/CaMnO3 SUPERLATTICE STRUCTURE BY METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION例文帳に追加

有機金属化学気相成長法によるＰｒＭｎＯ３／ＣａＭｎＯ３超格子構造を有するＰｒｘＣａ１−ｘＭｎＯ３薄膜の形成方法 - 特許庁

The first protective layer 14 is made of a metal-oxide film formed by using an electron beam deposition method or an ion plating method.例文帳に追加

第１保護層１４は、電子ビーム蒸着法又はイオンプレーティング法を用いて形成された金属酸化物膜からなる。 - 特許庁

PLASMA PROCESSING APPARATUS, DEPOSITION METHOD, METHOD OF MANUFACTURING METAL PLATE HAVING DLC FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING SEPARATOR例文帳に追加

プラズマ処理装置，成膜方法，ＤＬＣ皮膜を有する金属板の製造方法，セパレータの製造方法 - 特許庁

To provide a hafnium precursor able to be used for heaping a hafnium metal oxide thin film by CVD or ALCVD (atomic layer chemical vapor deposition).例文帳に追加

ＣＶＤまたはＡＬＣＶＤによってハフニウム金属酸化物薄膜を堆積するために用いられ得るハフニウム前駆体を提供すること。 - 特許庁

ORGANIC AMINOTANTALUM COMPOUND, SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING SAME FOR ORGANIC METAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND TANTALUM NITRIDE FILM MADE THEREOF例文帳に追加

有機アミノタンタル化合物及びこれを含む有機金属化学蒸着用溶液原料並びにこれから作られる窒化タンタル膜 - 特許庁

On the prism sheet 10, a metal deposition film 13 is formed on only one of the slopes of the respective prisms.例文帳に追加

プリズムシート１０には、各プリズムの斜面の一方にのみ金属蒸着膜１３が形成されている。 - 特許庁

TANTALUM COMPLEX AND SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING THE COMPLEX AND USED FOR ORGANIC METAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND TANTALUM-CONTAINING THIN FILM FORMED FROM THE SAME例文帳に追加

タンタル錯体及び該錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料並びにこれを用いて作製されたタンタル含有薄膜 - 特許庁

Regarding the composition of the vapor deposition source, compared with the composition of the alloy film, the content of the metal having low vapor pressure is made high.例文帳に追加

蒸着源の組成は、合金膜の組成に比較して、蒸気圧の小さい金属ほどその含有量を大きくする。 - 特許庁

The film is formed of a metal nitride by a metallo-organic chemical vapor deposition method, and partially subjected to plasma treatment.例文帳に追加

この膜は、金属有機化学気相蒸着法による金属窒化物で形成され、部分的にプラズマ処理される。 - 特許庁

Iron 3 is deposited as catalyst metal on a glass substrate 1 using a chemical vapor deposition apparatus 2, and thereby a thin film 4 consisting of iron particles is formed.例文帳に追加

ガラス基板１ 上に化学蒸着装置２ を用いて触媒金属として鉄３ を蒸着させ、鉄粒子からなる薄膜４ を形成した。 - 特許庁