「metallic interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Then, on-metal wiring 54 connected with the metallic pole 51 is selectively formed on the interlayer insulating film 7.例文帳に追加

次に、金属柱５１と接続する金属上配線５４を層間絶縁膜７上に選択的に形成する。 - 特許庁

Then an interlayer insulating film 36 is formed on the zap diode and a metallic film 39 is formed on the insulating film 36.例文帳に追加

そのザップダイオード上に層間絶縁膜３６を形成し、その層間絶縁膜３６の上に金属膜３９を積層する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 15 containing a SOG (Spin On Glass) film 13 is formed on the surface of the semiconductor substrate 10 including the surfaces of the metallic layers 6.例文帳に追加

当該金属層６上を含めた半導体基板１０の表面上にはＳＯＧ(Spin On Glass)膜１３を含む層間絶縁膜１５を形成する。 - 特許庁

To provide a metallic tone decorative sheet which is high in metal tone designability and excellent in weatherability and interlayer adhesion.例文帳に追加

金属調の高意匠性を有し、耐候性や層間密着性に優れた、金属調化粧シートを提供すること。 - 特許庁

A metallic wiring 124 is formed on a boundary portion between the interlayer insulating films 117 and 118 in the peripheral wiring region.例文帳に追加

そして、周辺配線領域における層間絶縁膜１１７と透明膜１１８との境界部分には、金属配線１２４が形成されている。 - 特許庁

To provide a sputtering system effective for depositing a metallic film free from voids in the insides of grooves and interlayer connecting holes.例文帳に追加

溝や層間接続孔の内部にボイドのない金属膜を形成するのに有効なスパッタ装置を提供すること。 - 特許庁

After removing a resist pattern 121, a chemical-mechanical polishing(CMP) method is used to grind and polish a part of a metallic pattern 105 projecting over the surface of an interlayer insulation film 102 and to planarize the interlayer insulation film 102.例文帳に追加

レジストパターン１２１を除去した後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）法により、金属パターン１０５の層間絶縁膜１０２表面上に突出している部分を研削研磨し、層間絶縁膜１０２上を平坦化する。 - 特許庁

Also, the metallic wiring 124 is elongated and formed on a groove 123 formed on the interlayer insulating film 117 between the metallic wiring 124 and the etching stop film 121.例文帳に追加

また、金属配線１２４とエッチングストップ膜１２１との間は、層間絶縁膜１１７に形成された溝１２３に金属配線１２４が延伸形成されている。 - 特許庁

On a primary interlayer dielectric 106 and lower metallic film pattern 108b, there is disposed an intermetal insulating film 112 having a via contact hall 120b that exposes part of the surface of the lower metallic film pattern 108b.例文帳に追加

第１層間絶縁膜１０６及び下部金属膜パターン１０８ｂ上には下部金属膜パターン１０８ｂの一部表面を露出させるビアコンタクトホール１２０ｂを有する金属間絶縁膜１１２が配される。 - 特許庁

To provide an aqueous surface preparation agent for particularly improving the interlayer adhesion between a metallic material and a resin coating layer such as a film and a coating film, and for improving the corrosion resistance and solvent resistance of a metallic material or the like.例文帳に追加

特に金属材料とフィルムや塗膜などの樹脂被覆層との層間密着性を向上させ、さらに金属材料などの耐食性や耐溶剤性を向上させるための水性下地処理剤を提供すること。 - 特許庁

The steps of the end parts of the metallic wiring are relaxed by having formed the resin film 11 across the end parts of the metallic wiring 13, 14, and even if the interlayer insulating film 10 is changed in the shape, the end parts of the metallic wiring 13, 14 are prevented from peeling off and this makes it possible to prevent disconnection of the pixel electrode 12.例文帳に追加

金属配線１３，１４の端部に樹脂膜１１を形成したことにより、金属配線１３，１４の端部が有する段差が緩和され、層間絶縁膜１０が形状変化しても、金属配線１３，１４の端部の剥がれが防止され、画素電極１２の断線を防ぐことが可能となる。 - 特許庁

The rigid/flexible printed circuit board (R/FPC) is formed by adhering the RPC to both surfaces of the FPC produced by adhering the CCL and CL, with an interlayer adhesive sheet in-between, and the interlayer adhesive sheet is added with an alkaline metallic compound of 5-50 mass% as an acid acceptor.例文帳に追加

ＣＣＬとＣＬとを貼り合わせてなるＦＰＣの両面に層間接着シートを介してＲＰＣを接着したＲ・ＦＰＣであって、前記層間接着シート中には、受酸剤としてアルカリ性金属化合物が５〜５０質量％添加されているＲ・ＦＰＣとすることによって、解決される。 - 特許庁

This device contains a silicon substrate 10 on which a MOS element 14 and an element-isolation region 12 are formed, a first interlayer insulation layer 20 formed on the silicon substrate 10, and a metallic wiring layer 30 (and 50) formed on the first interlayer insulation layer 20.例文帳に追加

多層配線構造を有する半導体装置は、ＭＯＳ素子１４および素子分離領域１２が形成されたシリコン基板１０、シリコン基板の上に形成された第１の層間絶縁層２０、および第１の層間絶縁層より上に形成された金属配線層３０（および５０）を含む。 - 特許庁

The interlayer insulating film 15 on the metallic layer 6 can be set equal in thickness to the interlayer insulating film on a wiring pattern inside an LSI, and a length measuring contact hole can be formed with qualifications near to those of a contact hole located on an actual wiring pattern.例文帳に追加

そして、金属層６上の層間絶縁膜１５の膜圧をＬＳＩ内部の配線パターン上の層間絶縁膜と同等にすることができ、実際の配線パターン上のコンタクトホールと近い条件の測長用コンタクトホールが形成される。 - 特許庁

To provide a method of forming interlayer connection structure by which a metallic layer having a uniform thickness and an interlayer connection material having a uniform height can be formed easily and inexpensively on a core substrate, double-sided wiring board for lamination, etc., with high connection reliability, and to provide an interlayer connection structure and a multilayered wiring board formed by the method.例文帳に追加

コア基板や積層用両面配線基板などに対し、簡易かつ低コストに、厚みが均一な金属層と高さの均一な層間接続体とを形成することができ、しかも接続の信頼性が高い層間接続構造の形成方法、及び当該方法で形成された層間接続構造及び多層配線基板を提供する。 - 特許庁

An inductor is made of the second metallic wiring 14b in vortex form, and right below it, a polysilicon 5b where a metallic silicide 8b is made is provided across the first and second interlayer insulating films 9 and 12, and the polysilicon 5b is provided with a cut 15, constituting a first shield pattern.例文帳に追加

インダクタは渦巻き形状の第２層金属配線１４ｂで形成され、その直下には、第１および第２層間絶縁膜９、１２を挟んで、金属シリサイド８ｂが形成されたポリシリコン５ｂが設けられ、ポリシリコン５ｂには切り込み１５が設けられて第１のシールドパターンを構成している。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a step of forming an interlayer insulating film on a silicon substrate, and a step of forming metallic wirings in which barrier metal layer contains titanium.例文帳に追加

本発明では、バリアメタルにチタンを含む膜を使用した場合であっても、界面準位を低減することができる半導体装置の製造方法を提案する。 - 特許庁

To prevent an interlayer peeling and to improve mechanical properties necessary as a catheter 1 formed by embedding metallic cloth 4 between at least two layers; an inner layer tube 2 and an outer layer tube 3 made of resin.例文帳に追加

金属製編組物４が樹脂製の内層管２と外層管３の少なくとも二層の間に埋設されたカテーテル１において、層間剥離を防止し、カテーテルとして必要な機械的性質のさらなる向上を図る。 - 特許庁

Upon manufacturing a semiconductor device, when a metallic wiring line 12 is formed on a first interlayer insulating film on a semiconductor substrate 54 by plasma etching, charges are stored not only the wiring line 12 but also on a metal wiring line 10.例文帳に追加

製造時に、半導体基板５４上の第１の層間絶縁膜の上に金属配線１２などをプラズマエッチングにより形成する際、金属配線１２とともに金属配線１０にも電荷が蓄積する。 - 特許庁

To provide an interlayer compound formed by intercalating a metallic complex between layers of a layer compound containing vanadium, phosphorus and oxygen as basic components, and to provide a method of manufacturing the intercalation compound.例文帳に追加

バナジウム、リン及び酸素を基本組成とする層状化合物の層間に金属錯体がインターカレートしているな層間化合物、及び該層間化合物を製造するための方法を提供する。 - 特許庁

By performing oxidation processing for the surface of an interlayer insulating film made of a metallic oxide thin film deposited by a sputtering method, a CVD method or the like, defects caused by an oxygen loss are reduced to prevent insulating failures.例文帳に追加

スパッタリング法、ＣＶＤ法などによって堆積させた金属酸化物薄膜からなる層間絶縁膜の表面を酸化処理することにより、酸素欠損に起因する欠陥を低減し、絶縁不良を防止することができる。 - 特許庁

The resistor element 34 is, for instance, a polysilicon film and connected to a contact plug formed in an interlayer insulating film 42 and a high-voltage terminal 39 (+15 V) through a metallic wiring layer.例文帳に追加

抵抗素子３４は、例えば、ポリシリコン膜であり、層間絶縁膜４２に形成されたコンタクトプラグ及び金属配線層を介して高電圧端子３９（＋１５Ｖ）と接続されている。 - 特許庁

A lower wire 101 comprising a first barrier metal film 102, a wire metallic film 104, and a second barrier metal film 106 is formed on a semiconductor substrate (not shown), and an interlayer insulation film 108 is formed on the wire 101.例文帳に追加

半導体基板（不図示）上に、第一のバリアメタル膜１０２、配線金属膜１０４、および第二のバリアメタル膜１０６により構成された下層配線１０１を形成し、その上に層間絶縁膜１０８を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilayer-coated metallic sheet, in which uncured multilayer coating films can be prevented from being mixed with one another and the interlayer movement of a reactive substance such as a monomer of a resin can also be prevented when uncured multilayer coating films are dried simultaneously.例文帳に追加

未硬化の多層皮膜を同時に乾燥させる際に，混層を防止することに加えて，樹脂モノマーなどの反応物質の層間移動をも防止することが可能な多層被覆金属板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Above the polysilicon resistors 12, on the other hand, a thin metallic plate 28 (second resistor biasing conductor) is disposed in parallel with the substrate 22 through an interlayer film 26 (insulator).例文帳に追加

一方、複数のポリシリコン抵抗体１２の上方には、層間膜２６（絶縁体）を介して、金属薄板２８（第２の抵抗体バイアス用導体）が基板２２と平行に配置されている。 - 特許庁

The resistor element 34 is, for instance, connected to a contact plug formed in an interlayer insulating film 42 and to a high-voltage terminal 39 (+15 V) through a metallic wiring layer.例文帳に追加

抵抗素子３４は、例えば、層間絶縁膜４２に形成されたコンタクトプラグ及び金属配線層を介して高電圧端子３９（＋１５Ｖ）と接続されている。 - 特許庁

The flexible printed wiring board 1 has constitution wherein the interlayer connection 6 is formed of a complex in which the gap of a compact 7 which is formed by insulation displaced molding of metallic particles 7a is filled with solder 8.例文帳に追加

本発明のフレキシブルプリント配線板１は、層間接続部６が金属粒子７ａを圧接成形した成形体７の間隙に半田８を充填した複合体で形成された構成を有する。 - 特許庁

To provide a composition for sealing a semiconductor, which enables the formation of a thin resin layer, can prevent the diffusion of a metallic component into a porous interlayer insulating layer, and has excellent adhesion to wiring materials.例文帳に追加

薄い樹脂層を形成可能で、多孔質の層間絶縁層への金属成分の拡散を抑制することができ、配線材料の密着性に優れる半導体用シール組成物を提供する。 - 特許庁

Apertures 32a for exposing a contact metal 27 arranged on a position where a lower electrode is to be formed are formed through the interlayer insulating films 151, 152 and the metallic films 291, 292.例文帳に追加

層間絶縁膜１５１，１５２や金属膜２９１，２９２を貫通し、下部電極を形成すべき位置のコンタクト金属２７を露出させる開口３２ａを形成する。 - 特許庁

In this case, in the peripheral wiring region, an etching stop film 121 is formed on a boundary portion between the interlayer insulating films 117 and 113 which is a region equivalent to the lower part of the metallic wiring 124.例文帳に追加

ここで、周辺配線領域では、層間絶縁膜１１３と層間絶縁膜１１７との境界部分であって、金属配線１２４の下部に相当する領域には、エッチングストップ膜１２１が形成されている。 - 特許庁

One terminal end 3a of the inductor coil 8 is located at the top of the pyramid 9 and is connected with an upper metallic wiring layer 7 by means of a through hole 6 formed in an interlayer insulating film 4 and a planarizing layer 5.例文帳に追加

インダクタコイル８の一方の終端３ａは、角錐台９頂部に位置し、層間絶縁膜４及び平坦化層５に形成されたスルーホール６を介し上層の金属配線層７に接続される。 - 特許庁

An interlayer insulating film 26 is made all over these, and further a metallic shading film 27, which has a light receiving window 27w, is made above the photosensor 21.例文帳に追加

これら上に層間絶縁膜２６を全面的に形成させ、更に、フォトセンサ２１の上方に受光窓２７ｗを有する金属遮光膜２７を形成させる。 - 特許庁

To provide a transfer foil for an in-mold having a partially metallic-glossy hologram of high design property reduced in interlayer separation, whitening and a crack, and the solid moldded article using the same.例文帳に追加

層間剥離、白化、割れが少ない意匠性の高い部分的な金属光沢ホログラムを有するインモールド用転写箔、及びそれを用いた立体成形品を提供する。 - 特許庁

Embedded wirings 8a, 8b, and 10 are formed on interlayer insulating films 6 and 9 by discharging metallic droplets 7a-7c into contact holes CH1 and CH2 and a via hole BH1 by an ink-jet method.例文帳に追加

インクジェット法を用いて、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２およびビアホールＢＨ１に金属の液滴７ａ〜７ｃを吐出することにより、埋め込み配線８ａ、８ｂ、１０を層間絶縁膜６、９上に形成する。 - 特許庁

The interlayer dielectric formation composition is used to insulate metallic wirings including copper wiring.例文帳に追加

銅配線を含む金属配線間の絶縁に用いられる層間絶縁膜形成用組成物であって、下記一般式（Ｉ）で表される化合物、その加水分解物または縮合物を含有する絶縁膜形成組成物。 - 特許庁

Moreover, the bottom part having the roughly ring shape and the recessed shape of the interlayer film 19 of the upper layer is constituted so as to be positioned at the end face of the switching element 3 and the end face of the metallic film 2 between the substrate 1 and the switching element 3.例文帳に追加

この上層層間膜４ｂの概略環状の凹形状の底部をスイッチング素子３の端面と基板１とスイッチング素子３との間の金属膜２の端面に位置する構成をとる。 - 特許庁

To provide a metal surface treating agent which improves the interlayer adhesion between a metallic material and a film, and improves corrosion resistance and solvent resistance of a metal surface, or improves the adhesiveness of a coated product, and to provide a treatment method using the agent.例文帳に追加

金属材料とフィルムとの層間密着性を向上させ、耐食性、耐溶剤性を向上させたり、塗装品の接着性を向上させる属表面処理薬剤及びこれを用いた処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent the deterioration of an interlayer insulation film of a semiconductor device as well as the deterioration of a metallic film forming wiring, a plug or the like and has high reliability.例文帳に追加

半導体装置の層間絶縁膜の劣化を抑制するとともに、配線やプラグ等を構成する金属膜の劣化を抑制し、高い信頼性を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device having a wiring width of 0.25 μm by using a production device for manufacturing the semiconductor device having the wiring width of 0.35 μm, by preventing the generation of voids in interlayer insulating films among metallic wirings.例文帳に追加

メタル配線間の層間絶縁膜でのボイドの発生を防ぐとともに、配線幅が０．３５μｍの半導体装置を製造する製造装置を用いて、配線幅が０．２５μｍの半導体装置を製造する。 - 特許庁

Interlayer insulating films which insulate polysilicon gates formed in the trenches (groove) of a vertical MOS transistor and metallic films which are caused to deposit as source wiring conductor films from each other are formed in the grooves of the transistor so as to cover the gates.例文帳に追加

縦型ＭＯＳトランジスタのトレンチ（溝）内に形成したポリシリコンのゲートを覆い、ゲートとソース配線導体膜として堆積させる金属膜との間の絶縁を行う層間絶縁膜を溝内に形成する。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, which achieves both high polishing speed and high planarization characteristics for an interlayer insulation film (a cap layer) such as a barrier metal film and TEOS film, and prevent metallic contamination of a wafer.例文帳に追加

バリアメタル膜およびＴＥＯＳ膜等の層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立でき、かつ、ウエハの金属汚染の少ない化学機械研磨用水系分散体を提供する。 - 特許庁

To provide a decorative material having a feel of metallic tone brightness which cannot be obtained only by printed expression and is free from the so-called glittering sensation, with an elegance and a solemnness of design and excellent interlayer strength and after-processability.例文帳に追加

印刷表現だけでは得られない高度の金属調の輝度感であって、しかも輝度感に所謂ギラギラ感のない、上品で重厚な意匠感を有し、層間強度や後加工性にも優れた化粧材を提供する。 - 特許庁

To provide a composite coating structure free from interlayer separation and showing excellent crack following properties/waterproofness to a concrete and a mortar construction, a metallic driver, etc., and adhesion with the driver.例文帳に追加

層間剥離がなく、コンクリート及びモルタル構造物、金属駆体等に対して亀裂追従性、防水性、駆体との接着性に優れた複合構造体を提供することを目的とする。 - 特許庁

The mount board has a plurality of boards 1,2,3, and a through-hole 5 for forming an opening exposed externally or an interlayer through-hole 7 is filled in by a metallic jointing material 8 and the filled material is solidified.例文帳に追加

複数の基板１、２、３を有する実装装置であって、外部に露出する開口部が形成された貫通スルーホール５または層間スルーホール７が、金属接合材料８で充填・固化されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit wafer having an SiOC (Carbon Doped Silicon Oxide) film as its interlayer insulating film, low in dielectric constant, excellent in adhesion to a metallic film, and free of deterioration or deformation when subjected to CMP.例文帳に追加

低誘電率で、金属膜への密着が良く、ＣＭＰ処理においても変質、変形がない、層間絶縁膜としてＳｉＯＣ膜を有する半導体集積回路ウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁