「nitride complex」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To obtain a silicon nitride-based molybdenum silicide carbide complex having more improved high-temperature strength, oxidation resistance and toughness, to provide a method for producing the complex and a ceramic heater using the complex.例文帳に追加

高温強度、耐酸化性、及び靭性を更に向上させた窒化ケイ素質−珪化モリブデン炭化物複合体及びその製造方法、並びに該複合体を用いたセラミックスヒータを提供する。 - 特許庁

This catalyst is manufactured by dissolving a noble metal complex compound in an organic solvent to form an organic solution of the noble metal complex compound and mixing the organic solution of the noble metal complex compound with the boron nitride carrier to form the wetted boron nitride carrier and reducing the noble metal complex compound on the wetted boron nitride carrier to the noble metal at a specific temperature by using gas.例文帳に追加

この触媒を製造するには、貴金属錯化合物を有機溶剤に溶解させて該貴金属錯化合物の有機溶液を形成し、前記貴金属錯化合物の有機溶液を窒化硼素担体と混合して湿潤した窒化硼素担体を形成し、ガスにより特定温度下で前記湿潤した窒化硼素担体上の貴金属錯化合物を貴金属に還元することにより得られる。 - 特許庁

The cosmetic composition is prepared by adding a boron nitride complex powder, wherein metal particles of metal oxide are attached to at least a part of the surface of a base material composed of boron nitride, to a conventional cosmetic composition formula or by compounding the boron nitride complex powder in place of a conventionally compounded color material.例文帳に追加

窒化ホウ素からなる基材の表面の少なくとも一部に金属酸化物の粒子を付着させてなる窒化ホウ素複合粉体を、従来の化粧料組成物の処方に追加して、あるいは、従来配合されていた色材の替わりに配合した化粧料組成物。 - 特許庁

This silicon nitride-based molybdenum silicide carbide complex contains a molybdenum silicide carbide having >0 and ≤10 μm particle diameter in a silicon nitride-based ceramic.例文帳に追加

窒化ケイ素質セラミックス中に、その粒径が０より大きく１０μｍ以下である珪化モリブデン炭化物を含有した窒化ケイ素質−珪化モリブデン炭化物複合体である。 - 特許庁

To provide an aluminum nitride ceramic bonded product which yields a complex-shaped product and shows a bond strength and thermal conductivity at a bonded interface which are comparable to those of an ordinary aluminum nitride ceramic.例文帳に追加

複雑形状品を得ることができると共に、接合界面での接合強度及び熱伝導率を通常の窒化アルミニウムセラミックスとほぼ同等とし得る窒化アルミニウムセラミックス接合体の提供。 - 特許庁

GALLIUM OXIDE SINGLE-CRYSTAL COMPLEX, ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR FILM USING THE SAME例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶複合体及びその製造方法並びに酸化ガリウム単結晶複合体を用いた窒化物半導体膜の製造方法 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte secondary battery uses the positive electrode active material consisting of the Li-deficient manganese complex oxide as a positive electrode material and Li metal, a complex oxide, a nitride and a carbon material or the like as negative electrode materials.例文帳に追加

Ｌｉ欠損マンガン複合酸化物を含んで成る正極活物質を正極材料とし、Ｌｉ金属、複合酸化物、窒化物及び炭素材料などを負極材料として用いる非水電解質二次電池。 - 特許庁

This conductive ceramic bearing ball 43 is made of complex ceramic having tissue mixed with silicon nitride phase and titanium nitride system phase and adjusting the ratio of the contents of the silicon nitride phase and the titanium nitride system phase so that an average coefficient of linear expansion at 20°C to 100°C may be 2×10-6/K to 5×10-6/K.例文帳に追加

導電性セラミックベアリングボール４３を、窒化珪素質相と窒化チタン系相とが混在した組織を有し、かつ２０℃〜１００℃における平均の線膨張係数が２×１０^−６／Ｋ〜５×１０^−６／Ｋとなるように、窒化珪素質相と窒化チタン系相との含有量比が調整されている複合セラミックにより構成する。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor light-emitting element which can restrain a manufacturing process from becoming complex and can suppress the reduction of a luminous efficiency.例文帳に追加

製造プロセスが複雑になるのを抑制することが可能で、かつ、発光効率の低下を抑制することが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

One portion or all of the U(IV) in the solution is adsorbed onto the anion exchange member as a nitride ion complex by bringing the solution into contact with the anion exchange member.例文帳に追加

陰イオン交換体に上記溶液を接触させることにより、溶液中の一部または全部のU(IV)を硝酸イオン錯体として、前記陰イオン交換体に吸着させる。 - 特許庁

To provide a low resistance p-type III nitride semiconductor, and its producing method, in which a mother crystal can be doped efficiently and heavily with three atom complex dopant.例文帳に追加

効率よく高濃度に３原子複合体ドーパントを母体結晶中にドーピングできる低抵抗のｐ型III族窒化物半導体およびその作製方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a nitride compound semiconductor element includes a growth step for epitaxially growing a nitride compound semiconductor layer consisting at least of group III atoms including gallium atoms and nitrogen atoms on a substrate, and a decomposition step for decomposing a complex of group III holes and hydrogen atoms in the nitride compound semiconductor layer by irradiating the nitride compound semiconductor layer with laser light or the ionization radiation before an element structure is formed.例文帳に追加

基板上に少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と窒素原子とからなる窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長する成長工程と、素子構造形成前に、前記窒化物系化合物半導体層にレーザ光または電離放射線を照射し、前記窒化物系化合物半導体層中のＩＩＩ族空孔と水素原子との複合体を分解する分解工程と、を含む。 - 特許庁

Said electrode 2 consists of the conductive complex material containing aluminium nitride particles and sintered assistant particles of CaO and Y2O3 dispersed in tungsten or molybdenum matrix.例文帳に追加

電極２は、タングステンまたはモリブデンのマトリックス中に窒化アルミニウム粒子ならびにＣａＯおよびＹ_2 Ｏ_3 の焼結助剤粒子が分散された組織を有する導電性複合材料からなる。 - 特許庁

After the U(IV) is adsorbed onto the anion exchange member as the nitride ion complex by this manner, the adsorbed U(IV) is eluted from the exchange member to recover uranium, using a dilute nitric acid solution as an eluent.例文帳に追加

上記のようにU(IV)を硝酸イオン錯体として交換体に吸着させた後、希硝酸溶液を溶離剤として使用し、吸着したU(IV)を交換体から溶離させてウランを回収する。 - 特許庁

There is provided a silicone resin composition comprising boron nitride and a borosiloxane resin containing a B-O-Si bond, which borosiloxane resin is formed from a material component comprising a condensation-reactive silicone resin and a boron atom complex and has a boron atom complex containing ratio of 0.5-10 pts.mass per 100 pts.mass material component.例文帳に追加

縮合反応性シリコーン樹脂と、ホウ素原子錯体とを含有する原料成分から形成され、ホウ素原子錯体の含有割合が原料成分１００質量部に対して０．５〜１０質量部であるＢ−Ｏ−Ｓｉ結合を含有するボロシロキサン樹脂と、窒化ホウ素とを含有させるシリコーン樹脂組成物。 - 特許庁

There is provided a resin composition comprising aluminum nitride and an aluminosiloxane resin containing an Al-O-Si bond, which aluminosiloxane resin is formed from a material component comprising a condensation-reactive silicone resin and an aluminum atom complex and has an aluminum atom complex containing ratio of 0.5-10 pts.mass per 100 pts.mass material component.例文帳に追加

縮合反応性シリコーン樹脂とアルミニウム原子錯体とを含有する原料成分から形成され、アルミニウム原子錯体の含有割合が原料成分１００質量部に対して０．５〜１０質量部であるＡｌ−Ｏ−Ｓｉ結合を含有するアルミノシロキサン樹脂と、窒化アルミニウムとを含有させた樹脂組成物。 - 特許庁

In the method for manufacturing a gallium oxide single crystal complex having a nitrided gallium modification layer containing gallium nitride (GaN) on a surface layer part of the gallium oxide (Ga_2O_3) single crystal, nitrogen ions are implanted in the surface of the gallium oxide single crystal to form a gallium nitride modification layer.例文帳に追加

酸化ガリウム（Ga_2O_3）単結晶の表層部に窒化ガリウム（GaN）を含有した窒化ガリウム変性層を備えた酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、酸化ガリウム単結晶の表面に窒素イオンをイオン注入して窒化ガリウム変性層を形成する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法である。 - 特許庁

To provide an electrode for a lithium ion secondary battery satisfying battery characteristics, such as a discharge capacity, cycle characteristics, even if the mix density of an electrode mix layer containing lithium-containing complex nitride is lowered.例文帳に追加

リチウム含有複合窒化物を含有する電極合剤層の合剤密度を低くしても、放電容量やサイクル特性などの電池特性を満足するリチウムイオン二次電池用電極を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide an aluminum nitride capable of attaining a high heat conductivity with a less loading amount, excellent in operability, and having a high aspect ratio, therefore, little in the effect to human body, a method of manufacturing it, and a high heat conductivity resin complex material.例文帳に追加

より少ない充填量で高い熱伝導率を達成可能で、且つ作業性、人体への影響の少ない高アスペクト比を有する窒化アルミニウム、その製造方法およびそれを用いた高熱伝導性樹脂複合材料を提供する。 - 特許庁

To improve the takeout efficiency of light emitted from a luminous layer, and also to improve the external quantum efficiency of a light-emitting element by a gallium-nitride-based compound semiconductor without performing any complex processes, such as the formation of an irregular structure by dry etching and the removal of a substrate.例文帳に追加

ドライエッチングによる凹凸構造形成や基板除去等の複雑な工程を行うことなく、発光層で発光した光の取り出し効率を向上させ、窒化ガリウム系化合物半導体による発光素子の外部量子効率を向上させること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor light-emitting device that can improve light extraction efficiency, can remove damage in an active layer generated when forming a chip separation groove, and does not make complex a manufacturing process and does not extend time.例文帳に追加

光取り出し効率を向上させることができ、チップ分離溝を形成する際に発生する活性層のダメージを取り除くことができるとともに製造工程を複雑化、長時間化させない窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor light-emitting diode capable of restraining a manufacturing process from becoming complex, improving extraction efficiency of light from a luminescent layer, and improving flatness of a semiconductor layer; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

製造プロセスが複雑になるのを抑制するとともに発光層からの光の取り出し効率を向上させることが可能で、かつ、半導体層の平坦性をより向上させることが可能な窒化物系半導体発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since a good quality spinel type magnetic layer can be formed by inserting a titanium nitride layer and an excellent magnetoresistive element can be realized, production is facilitated even in case of a complex spinel type magnetic body of high spin polarization and a high performance magnetoresistive element can be provided stably.例文帳に追加

窒化チタニウム層を挿入することにより良質のスピネル型磁性層が形成でき、優れた磁気抵抗素子を実現できるので、高スピン分極の複雑なスピネル型磁性体の場合にも作製が容易であり、高性能の磁気抵抗素子を安定に提供できる。 - 特許庁

In the metallic tubular body, a film containing at least any one of nitride, carbide, oxide of titanium or aluminum and a complex compound thereof is deposited by a physical vapor deposition method on a surface of the metallic tubular body having the inside diameter of ≤ 1.0 mm.例文帳に追加

本発明の金属製管状体は、内径1.0ｍｍ以下の金属製管状体の表面にチタンまたはアルミニウムの窒化物、炭化物、酸化物およびこれらの複合化合物の少なくともいずれか一つを含む皮膜を物理蒸着法により形成することを特徴とする。 - 特許庁

The composite layer 20 is a complex layer or a mixed layer of the dielectric material 16 which is a silicon-containing compound, for example, silicon oxide, silicon nitride or a mixture of them, and the low heat-conducting material 18 which is a phase change material, a phase change material doped with nitrogen, or a phase change material doped with oxygen.例文帳に追加

複合層２０は、ケイ素含有の化合物、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、あるいは、それらの混合物である誘電材料１６と、相変化物質、窒素をドープした相変化物質、あるいは、酸素をドープした相変化物質である低熱伝導材料１８、との交錯層、あるいは、混合層である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gallium oxide single crystal complex having a nitrided gallium modification layer which is capable of reducing the possibility of generation of defects and dislocations, and simply performing the crystal growth of III-V group nitride semi-conductors at low cost, and recyclable as a novel substrate on a surface layer part of the gallium oxide single crystal.例文帳に追加

欠陥や転位の発生のおそれをより低減でき、かつ、低コストで簡便にIII−Ｖ族窒化物半導体を結晶成長させる新規な基板としても利用可能性を有する、酸化ガリウム単結晶の表層部に窒化ガリウム変性層を備えた酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The anode for the lithium secondary battery has a complex anode material made by mixing nitride expressed in formula: Li_3-xM_xN (M is a transition metal element, and x satisfies 0.1≤x≤0.7.) and transition metal oxide generating a stable product substantially in a potential range of 0 to 1.4 V (against Li/Li^+).例文帳に追加

本発明のリチウム二次電池用負極は、式Ｌｉ_3-xＭ_xＮ（Ｍは遷移金属元素である。ｘは０．１≦ｘ≦０．７である。）で表される窒化物と、上記窒化物を構成するリチウムと反応して少なくとも０〜１．４Ｖ（対Li/Li^+）の電位範囲で実質的に安定な生成物を生じる遷移金属酸化物と、を配合してなる複合負極材料を有する。 - 特許庁

The holding material 3 is composed of a sintered mixed powder compact comprising: one or two elements selected from transition metals belonging to groups IVa, Va, and VIa of the Periodic Table, oxide, carbide, nitride, boride, and a complex composite thereof, and silicon, as predominant components; and silicon dioxide of 1-6% of the weight of the holding material, added as a flux agent.例文帳に追加

この保持材３は、周期律のＩＶａ，Ｖａ，ＶＩａ族遷移金属、それらの酸化物、炭化物、窒化物、ホウ化物、及びこれらの複合化合物の１種又は２種以上とケイ素を主成分とし、これにフラックス剤として、上記保持材重量に対して１〜６％の二酸化ケイ素を添加してなる混合粉成形体を焼結して構成される。 - 特許庁

The disposal container is constituted of a complex materials obtained by forming the container body by spreading mixture of organic polymer material to be a precursor of ceramic fiber and fine powder of one or more kinds of carbon, silicon-carbide, boron-nitride, or boro-silicon carbonitride on the ceramic fiber or cloth consisting of carbon fiber or the silicon-carbide fiber, and sintering the container shape.例文帳に追加

炭素繊維又は炭化ケイ素繊維からなるセラミック繊維又はクロスに、これらセラミック繊維の前駆体となる有機高分子物質と炭素、炭化ケイ素、窒化ホウ素又はボロシリコンカーボナイトライドの一種又は二種以上の微小粉末との混合物を塗布して容器形状を形成し、この容器形状を焼成して得られる複合材料からなる処分容器である。 - 特許庁

By CVD or ALD of the metal coordination complex, a metal film and a metal compound film, e.g. a metal nitride film or a metal oxide film, are deposited on an electronic material substrate.例文帳に追加

例えばＥｔ（Ｎ）Ｃ（ｔＢｕ）ＣＨ_2ＳｉＭｅ_3（式中、Ｅｔ＝エチル、ｔＢｕ＝ｔｅｒｔ−ブチル、そしてＭｅ＝メチルである）のような代表的化合物の金属配位錯体であり、また、当該化合物の金属配位錯体のＣＶＤまたはＡＬＤを使用して電子材料基材上に金属膜と例えば金属窒化物膜および金属酸化物膜等の金属化合物膜を堆積させるための方法である。 - 特許庁

This abrasive composition for memory hard disks comprises at least one abrasive selected from silicon dioxide, aluminum oxide, ceric oxide, zirconium oxide, titanium oxide, silicon nitride and manganese dioxide and, additionally, water, furthermore, including an iron chelate complex and having ≥6 but ≤10 of the whole composition pH.例文帳に追加

二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素、および二酸化マンガンからなる群より選ばれる少なくとも１種類の研磨材、ならびに水を含んでなるメモリーハードディスクの研磨用組成物であって、さらにこの組成物中に溶存している鉄キレート錯体を含んでなり、組成物全体のｐＨが６以上１０以下であることを特徴とする、メモリーハードディスクの研磨用組成物 - 特許庁