「off al」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

No peeling off of the sealing resin from the chip, cracking of the resin itself, corrosion of Al of the IC chip, Al wire breaking, breaking and peeling of a wire, or peeling of a die bond is caused.例文帳に追加

チップと封止樹脂の剥離や、樹脂自身のクラック、ＩＣチップのＡｌの腐食、Ａｌ断線、ワイヤの断線、剥がれ、ダイボンドの剥がれも発生しない。 - 特許庁

The silver color of the Al can be seen on the surface of the electrode 10 before the lift-off and the gold color of the Au can be seen after the lift-off.例文帳に追加

また、リフトオフ前はＡｌの銀色がＰ側電極１０の表面に見られるが、リフトオフ後はＡｕの金色が表面に見られる。 - 特許庁

Such protective walls 52, 54 are formed by increasing the thickness of the Al wiring in a necessary part and the bonding pad by lift off after normal Al wiring patterning.例文帳に追加

このような保護壁５２，５４は、通常のＡｌ配線パターニングの後、リフトオフにより必要な部分のＡｌ配線およびボンディングパッドのＡｌ厚を増やすことにより形成される。 - 特許庁

To prevent the Al produced on a sidewall of a Al-Cu alloy wiring layer from disolving when cleaning with an agent liquid to peel off the sidewall polymer of a multiplayer.例文帳に追加

積層膜配線のサイドウォールポリマの剥離除去において、薬液（希酢酸水溶液）による洗浄の際に、Ａｌ−Ｃｕ合金配線層の側壁に生じるＡｌ溶解を防止する。 - 特許庁

Further, since the Al alloy wire has the high strength and the high toughness, it is hardly cut off when forming an insulating coated layer, such as enamel, and further, the wire is easily wound when coiling and is hardly cut off.例文帳に追加

また、高強度かつ高靭性であることで、エナメルといった絶縁被覆層の形成時に断線し難い上に、コイル成形時に巻回し易く、断線し難い。 - 特許庁

To provide a semiconductor device becoming normally-off, by optimizing a film thickness and an Al composition ratio for an electron supply layer.例文帳に追加

電子供給層について膜厚とＡｌ組成比率の最適化を図り、ノーマリオフとなる半導体装置を提供することである。 - 特許庁

During cooling of the structure 15 and 17 produced in this way, the Li(Al, Ga)O_x substrate 7 completely or largely flakes off the III-N layers 15, or residues 7' can be removed if necessary, by using etching liquid, such as aqua regia.例文帳に追加

このようにして製造された層１５、１７の冷却中、Li(Al, Ga)O_X基板７は全てあるいは大部分がIII-N層１５から脱落し、必要ならば、王水などのエッチング液により残留物７’を除去する。 - 特許庁

Blow-off air (AL) can be made blown in the transport chamber (14) via air flow paths (11.1, 11.2) connected to the transport chamber (14).例文帳に追加

やはり搬送チャンバ（１４）に接続されている空気流路（１１．１、１１．２、１１．３）を経由して、吹飛ばし空気（ＡＬ）を搬送チャンバ（１４）に吹込むことができる。 - 特許庁

To suppress the peel-off of a TiN film from Al alloy wiring in an ashing process when the TiN film is used as an antireflection film.例文帳に追加

反射防止膜としてＴｉＮ膜を用いる場合において、アッシング工程にてＴｉＮ膜がＡｌ合金配線から剥離するのを抑制できるようにする。 - 特許庁

An evaporation layer 2 is formed on one face of a substrate 1 by evaporating a mixture of Al or negatively charged Al and negatively charged Si or SiOx (0<X≤2), and negatively charged volcanic ashes, and the ultraviolet cut-off sheet 11 is obtained.例文帳に追加

基材１の一面に、Ａｌ若しくは負に帯電したＡｌと、負に帯電したＳｉ若しくはＳｉＯ_x （０＜ｘ≦２）との混合物、及び負に帯電した火山灰を蒸着させて蒸着層２を形成し、紫外線遮断シート１１を得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method to suppress etching of a base silicon oxide film in a peeling-off/removal step for hard mask of P-SiN after forming an Al-alloy wiring.例文帳に追加

Ａｌ合金の配線形成後のＰ−ＳｉＮのハードマスクの剥離、除去工程において下地シリコン酸化膜のエッチングを抑制する製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, a reaction between oxygen (O_2) radicals and the Al-Cu film 13c to form AlxOy can be prevented, and in a process of removing polymers, the reduction of AlxOy by fluorine radicals, and the peel-off of the antireflection films 13f, 16f from the Al-Cu film 13c are prevented.例文帳に追加

従って、酸素（Ｏ_2）ラジカルとＡｌ−Ｃｕ膜１３ｃとが反応してＡｌｘＯｙが形成されることが防止され、ポリマー除去時にＡｌｘＯｙがフッ素ラジカルによって還元され、反射防止膜１３ｆ、１６ｆがＡｌ−Ｃｕ膜１３ｃから剥離することもない。 - 特許庁

Otherwise, the manufacturing method of the layered double hydroxide having incorporated thereinto an ultraviolet-absorbing compound comprises adding dropwise to an aqueous solution containing the ultraviolet-absorbing compound a mixed aqueous solution of Zn(NO3)2 and Al(NO3)3, adjusting its pH to 5-9 and subsequently batching off and drying the resultant precipitate.例文帳に追加

さらに、紫外線を吸収する化合物を含有する水溶液に、Zn(NO_3)_2及びAl(NO_3)_3混合水溶液を滴下し、ｐＨを５〜９に調整後、沈殿を分取乾燥することによる紫外線を吸収する化合物を取り込んだ層状複水酸化物の製造方法。 - 特許庁

To provide a thin film transistor (TFT), which uses Al and/or an alloy thereof as electrode/wiring material, and has a small off-leak current and a good device property.例文帳に追加

電極／配線の材料としてＡｌ及び／又はその合金が用いられており、オフリーク電流が小さく良好な素子特性を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を提供する。 - 特許庁

The grown main surface 10a is constituted of a surface having an off angle in an a-axis direction relative to an m-surface and the barrier wall layer 14b is made of AlGaN which is an Al-containing nitride semiconductor.例文帳に追加

上記成長主面１０ａは、ｍ面に対して、ａ軸方向にオフ角度を有する面からなり、障壁層１４ｂは、Ａｌを含む窒化物半導体であるＡｌＧａＮからなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which can prevent remaining of an unremoved melting layer after lift-off with inhibiting roughening of a surface of an Al layer on a surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面のＡｌ層の表面が荒れることを抑制しつつ、リフトオフの後に溶解層が剥離せずに残ることを防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, the self-running-off layer preferably includes (a) a surfactant and (b) not less than one kind of metallic oxide of a metal selected from the group consisting of Al, Si, Ti, Zr, Sn and Zn.例文帳に追加

前記自己流出性の層は、（ａ）界面活性剤ならびに（ｂ）Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＳｎおよびＺｎからなる群から選ばれる１種以上の金属酸化物を含むことが好ましい。 - 特許庁

An engine control part 37 stops an engine 2 when at least one of the environmental low temperature signals AL and the cooling water low temperature signals CL is not outputted when a heat request is turned off.例文帳に追加

エンジン制御部３７は、ヒートリクエストがオフになったときに、環境低温信号ＡＬおよび冷却水低温信号ＣＬのうち、少なくとも一方が出力されていないときはエンジン２を停止する。 - 特許庁

Thus, entering of O_2 radical is prevented by the amorphous TiN films 13d and 16d to suppress peeling off of the TiN films 13d, 13e, 16d and 16e from the Al alloy wire in the ashing process.例文帳に追加

このようにすれば、非結晶性のＴｉＮ膜１３ｄ、１６ｄによってＯ_２ラジカルの進入が防止され、アッシング工程にてＴｉＮ膜１３ｄ、１３ｅ、１６ｄ、１６ｅがＡｌ合金配線から剥離するのを抑制できる。 - 特許庁

With such a structure, at reverse bias, the contact part of the n- type layer 2 with the Al film 5 in a mesa part is pinched off by a depletion layer which extends to the n- type epitaxial layer 2, and at reverse bias, the potential barrier in the mesa part is made higher.例文帳に追加

このような構成にて、逆バイアス時にはｎ^- 型エピ層２に延びる空乏層によってメサ部分のｎ^- 型層２とＡｌ膜５との接触部をピンチオフし、逆バイアス時にはメサ部分の電位障壁を高くする。 - 特許庁

Thereby, the conduction between the barrier rib 14 and the grid electrode 27 is cut off by the intermediate layer 30, and the reduction of the lead glass due to the oxidation of Al at baking is prevented on the interface between the barrier rib 14 and the grid electrode 27.例文帳に追加

これにより、隔壁１４とグリッド電極２７との間の導通が中間層３０で遮断され、隔壁１４とグリッド電極２７との界面において、焼成時のＡｌの酸化による鉛系ガラスの還元が防止される。 - 特許庁

Also, the 'History of the Mongols,' a subsection of the "Compendium Chronicle (Jami al-Tawarikh)," stated that there was a large island named Jimangu (جمنكو Jimangū?), which was surrounded by a great ocean, located to the southeast, 400 farsang (or about 2,000km; farsang is an Iranian or Persian unit of measurement for how far a man can walk in one day) off the coast of the Jurchen and Goryeo (جورجه و كولى Jūrja wa Kūlī) regions. 例文帳に追加

また、『集史』「クビライ紀」によると、「東南方、環海中、女直と高麗（جورجهوكولىJūrjawaKūlī）地方沿岸近くに大島があり、それはジマングー（جمنكوJimangū?）という名前で（女直や高麗の地域から）400ファルサング（約2,000km）離れている。」とある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To process a good pattern without remainders, while preventing precipitation of copper or silicon generated in a step of forming a film containing Al as a main component and containing at least Cu or Si, or in a thermal step of peeling off a defective resist pattern during pattern processing after the film formation.例文帳に追加

Ａｌを主成分とし、少なくともＣｕあるいはＳｉを含んだ膜の成膜時、あるいは成膜後におけるパターン加工時の不良レジストパターンの剥離時の熱工程時に発生する銅あるいはシリコンの析出を防ぎ、残渣のない良好なパターンを加工する。 - 特許庁

To suppress the occurrence of a bonding peel-off defect caused by the reason that components such as C and F in etching gas such as CF_4 and CHF_3 to be used in an etching process for forming the aperture of a passivation film consisting of a silicon nitride film is left on the Al surface of a bonding pad.例文帳に追加

本発明は、シリコン窒化膜から成るパッシベーション膜に開口部を形成するためのエッチング工程において用いられる、例えばＣＦ_４やＣＨＦ_３等のエッチングガス内のＣやＦの成分などがボンディングパッドのＡｌ表面に残ることに起因するボンディング剥がれ不良を抑止する。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a semiconductor film on a substrate 1, forming a P-side electrode 10, for instance, on which an Au and Al are deposited one by one on the semiconductor film, depositing an insulating film 11, and removing the electrode 10 and the film 11 by a lift-off method.例文帳に追加

基板１上に半導体膜を形成する工程と、該半導体膜上に例えばＡｕおよびＡｌが順に積層されたＰ側電極１０を形成する工程と、絶縁膜１１を堆積する工程と、リフトオフによってＰ側電極１０、絶縁膜１１を除去する工程を有している。 - 特許庁

A redundant circuit is previously connected to another circuit via a fuse 3 formed of Al wiring, and when a normal circuit becomes partially defective, a defective circuit is replaced by a redundant circuit isolated by cutting off the fuse 3, to ensure a semiconductor integrated circuit device of normal operations, where the cut edge face of the cut fuse 3 is formed of an inactive compound 21.例文帳に追加

冗長回路をＡｌ配線からなるヒューズ３を介して別回路に予め接続しておき、正規回路が部分的に不良回路となった場合には、ヒューズ３を切断して分離した冗長回路を不良回路に代替して正常動作を確保する半導体集積回路装置において、切断したヒューズ３の切断端面を、不活性な化合物２１で構成する。 - 特許庁

Regarding the oxide fluorescent substance, the main peak of a light emitting spectrum is present near 535 nm, the light emitting output is more than 1.8 times as large as CdWO_4, and the attenuation factor of the afterglow at 300 ms after cutting off stimulating light becomes ≤2.5×10^-5.例文帳に追加

シンチレータとシンチレータの発光を検出するための光検出器とを備えた放射線検出器において、シンチレータとして、発光中心イオンがCeで、Gd、Al、Ga、Oを主要元素としたガーネット構造を有する酸化物蛍光体であって、該酸化物蛍光体1モル％に対して長周期型周期律表のIVa族、Va族及びVIa族のうちの、少なくとも一種の元素を0.0001モル％以上、1.0モル％以下含有せしめたものを用いる。 - 特許庁