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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > reverse characteristicsに関連した英語例文

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reverse characteristicsの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 252



例文

REVERSE-DIRECTION CHARACTERISTICS INSPECTION SYSTEM例文帳に追加

逆方向特性検査装置 - 特許庁

Reverse frequency characteristics which are reverse characteristics for the frequency characteristics are derived for every respective section.例文帳に追加

この周波数特性と逆特性となっている逆周波数特性を、各区間毎に求める。 - 特許庁

To improve reverse characteristics without deteriorating forward characteristics of a diode.例文帳に追加

ダイオードの順方向特性を劣化させることなく逆方向特性を改善させる。 - 特許庁

To provide a compression bonded semiconductor device which can especially improve the reverse-blocking breakdown voltage characteristics or reverse recovery characteristics of a thyristor.例文帳に追加

サイリスタの逆阻止耐圧特性や逆回復特性を格段に改善できる圧接型半導体装置を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a horizontal type diode that is excellent in reverse recovery characteristics.例文帳に追加

逆回復特性に優れた横型ダイオードを提供すること - 特許庁


例文

To provide a diode utilizing the reverse characteristics and exhibiting excellent high temperature characteristics and a high reverse breakdown voltage.例文帳に追加

逆方向の特性を利用したダイオードであって、高温特性が優れ、逆方向の耐圧が高いものを提供することを目的とする。 - 特許庁

To obtain a high power switching device possessing sufficient reverse- blocking characteristics.例文帳に追加

十分な逆阻止特性を備えるハイパワースイッチングデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which improves the reverse recovery characteristics and avoid increasing the reverse leakage current.例文帳に追加

逆回復特性を良くしつつ、逆漏れ電流の増加を防ぐことができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive diode exhibiting excellent total balance of ESD resistance, reverse surge resistance, forward voltage drop VF characteristics, reverse breakdown voltage characteristics, and the like.例文帳に追加

ESD耐量、逆方向サージ耐量、順方向電圧降下VF特性、逆耐圧特性等の総合バランスに優れ、かつ安価なダイオードを提供すること - 特許庁

例文

To provide a diode without increasing the forward voltage or reverse current and lowering of the reverse breakdown voltage, which has few reverse recovery charges and exhibits a soft recovery characteristics.例文帳に追加

順電圧と逆電流の増大並びに逆耐圧の低下を招くことなく、逆回復電荷が少なくソフトリカバリー特性を示すダイオードを提供する。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor device having low ON resistance and excellent reverse direction characteristics.例文帳に追加

オン抵抗が低く、逆方向特性の優れた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for improving the reverse recovery characteristics of a semiconductor device while suppressing occurrence of breakdown during reverse bias.例文帳に追加

逆バイアス時のブレークダウンの発生を抑制しながら半導体装置の逆回復特性を改善する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the reverse bias breakdown voltage characteristics of a MOSFET stabilize.例文帳に追加

MOSFETの逆バイアス耐圧特性が安定する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To improve both forward and reverse breakdown voltage characteristics in a high breakdown voltage semiconductor device.例文帳に追加

高耐圧半導体装置において、正逆双方における耐圧特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a norbornene polymer film whose retardation has reverse wavelength dispersion characteristics.例文帳に追加

レターデーションが逆波長分散特性を有するノルボルネン系重合体フィルムを提供する。 - 特許庁

Based on the measurements of reverse voltage-reverse current characteristics, a semiconductor laser element 10 having a low reverse current level is sorted as a good article in a screening process when a reverse voltage is applied.例文帳に追加

次に、選別工程では、逆方向電圧−逆方向電流特性の測定結果において、逆方向電圧を印加したときの逆方向電流レベルが低い半導体レーザ素子10を良品として選別する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device that is excellent in reverse recovery characteristics and has a low forward voltage and a small reverse leakage current.例文帳に追加

逆回復特性に優れ、順方向電圧が低く、逆方向リーク電流が小さい電力用半導体装置を提供する。 - 特許庁

To reduce the diode loss by eliminating the need for a reverse blocking diode, and to reduce the reverse recovery characteristics while suppressing self turn-on.例文帳に追加

逆阻止ダイオードを不要にし、ダイオード損失を低減すること、逆回復特性を低減すること、さらにはセルフターンオンを抑制する。 - 特許庁

To provide a reverse wavelength dispersion retardation film which can be easily manufactured and shows satisfactory reverse wavelength dispersion characteristics for its thickness.例文帳に追加

簡便に製造でき、しかも、膜厚の割に十分な逆波長分散特性を示す逆波長分散位相差フィルムを提供する。 - 特許庁

The echo canceller EC comprises a filter 12 for bringing the frequency characteristics (frequency characteristics of acoustic echo path H_AC) of the output signal s(n) from a microphone 1, and a reverse filter 13 having characteristics reverse to the frequency characteristics of the filter 12.例文帳に追加

エコーキャンセラECは、マイクロホン1の出力信号s(n)の周波数特性(音響エコー経路H_ACの周波数特性)を平坦な特性に近づけるためのフィルタ12と、フィルタ12の周波数特性と逆の特性を有する逆フィルタ13とを備えている。 - 特許庁

To measure display characteristics of CRT such as a reverse profile at a high speed and with stableness and high accuracy.例文帳に追加

リバースプロファイル等のCRTの表示特性を高速、安定かつ高精度に測定する。 - 特許庁

The compensation unit compensates for the distortion generated in the transmission amplifier by deforming the characteristics of the iput signal represented by the digital data to the reverse characteristics of the gain characteristics of the transmission amplifier.例文帳に追加

補償部は、ディジタルデータで表現される入力信号の特性を送信増幅器の利得特性と逆特性に変形させることにより、送信増幅器で生じる歪みを補償する。 - 特許庁

A second means 221 obtains the reverse characteristics of the gradation conversion characteristics for leveling the histogram of the image after the specific gradation conversion.例文帳に追加

第2の手段221は、所定の階調変換が施された画像のヒストグラムを均一化するための階調変換特性の逆特性を取得する。 - 特許庁

Boron oxide (B2O3 glass) having the temperature characteristics reverse from the temperature characteristics of the quartz glass and clad glass is added to the cores 13 and the clads 14.例文帳に追加

コア13及びクラッド14には、石英系ガラスやクラッドガラスの温度特性とは、逆の温度特性を有する酸化ボロン(B_2 O_3 ガラス)が添加されている。 - 特許庁

An adaptive filter 9 sets the tuned signal (reception signal) from the circuit 8 to a reverse-phase and also variably sets a pass characteristics (filtering characteristics).例文帳に追加

この同調回路8からの同調信号(受信信号)を適応型フィルタ9が、逆位相に設定し、かつ、通過特性(フィルタリング特性)を可変設定する。 - 特許庁

A third means 216 synthesizes the gradation conversion characteristics obtained by the 1st means 215 and the reverse characteristics obtained by the 2nd means 221.例文帳に追加

第3の手段216は、第1の手段215により得られた階調変換特性と、第2の手段221により得られた逆特性とを合成する。 - 特許庁

A coefficient calculating part 108 for update calculates the reverse characteristics of amplifier characteristics from signals before and after amplification by an amplifier 104 as coefficients for update.例文帳に追加

更新用係数計算部108は、増幅器104による増幅前後の信号から増幅器特性の逆特性を更新用係数として計算する。 - 特許庁

Proximity effect correcting processing is performed at the time of forming the pattern, and the electron beam is exposed by a filtering result having reverse characteristics of the exposure characteristics of the electron beam.例文帳に追加

パターン形成時は、近接効果補正処理を行い、かつ電子線の露光特性の逆特性を有するフィルタ処理結果で電子線を露光する。 - 特許庁

This device is provided with light reflecting characteristics detecting means 105, 106, 109 for detecting the light reflecting characteristics of the obverse and the reverse of the sheet material 104, and a discrimination means for discriminating the kind of the sheet material 104 based on the light reflecting characteristics of the obverse and the reverse detected by the light reflecting characteristics detecting means 105.例文帳に追加

シート材104の表面および裏面の光反射特性を検出する光反射特性検出手段105,106,109と、光反射特性検出手段105によって検出された表面および裏面の光反射特性に基づきシート材104の種類を判別する判別手段とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with reduced leakage current against reverse bias while maintaining excellent on-characteristics.例文帳に追加

良好なオン特性を維持したまま、逆方向バイアスに対するリーク電流を低減した半導体デバイスを得る。 - 特許庁

Consequently, the reverse recovery characteristics can be improved by feeding a large current to the external diode D1, D2.例文帳に追加

これにより、外付けダイオードD1、D2に電流を多く流し、逆回復特性を改善することが可能となる。 - 特許庁

To provide a small semiconductor device having good reverse direction characteristics, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

良好な逆方向特性を有する小型の半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having withstand forward and reverse voltage characteristics, and a manufacturing method of the device.例文帳に追加

順方向および逆方向の耐圧特性を有する半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cellulose acylate film, in which in-plane retardation Re is developed and the Re exhibits reverse wavelength dispersion characteristics.例文帳に追加

面内レターデーションReが発現され、且つReが逆波長分散性を示すセルロースアシレートフィルムの提供。 - 特許庁

To provide an SOI semiconductor device satisfactory in voltage breakdown characteristics in an arbitrary reverse bias state.例文帳に追加

任意の逆バイアス状態の態様において耐圧特性の良好なSOI型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pump controller for construction machinery, by which the working speed of the rise of a hydraulic actuator can be increased even when the output characteristics of an engine are isochronous characteristics or reverse drooping characteristics.例文帳に追加

エンジンの出力特性がアイソクロナス特性又は逆ドループ特性である場合でも、油圧アクチュエータの立ち上がりの動作速度を向上することができる建設機械のポンプ制御装置を提供する。 - 特許庁

Two coils of sinusoidal function amplitude characteristics are arranged so that they have reverse phases for the change in leakage flux, and two other coils of cosine function amplitude characteristics are arranged similarly so as to have reverse phases.例文帳に追加

正弦関数的振幅特性の2つのコイルは漏洩磁束の変化に対して互いに逆相となるように配置され、余弦関数的振幅特性の別の2つのコイルも同様に互いに逆相となるように配置される。 - 特許庁

To change output characteristics in forward and reverse travels by changing displacement of a hydraulic pump, and to provide efficient output characteristics in a hydraulic continuously variable transmission device.例文帳に追加

油圧無段変速装置において、油圧ポンプの容量の変更により、前後進の出力特性を変更するとともに、効率的な出力特性を得ることを課題とする。 - 特許庁

To improve short-channel characteristics of a P-type FET having a channel region composed of a semiconductor including Ge while preventing the occurrence of reverse short-channel characteristics.例文帳に追加

Geを含む半導体で構成されるチャネル領域を有するP型FETにおいて、逆短チャネル特性の発生を抑制しつつ、短チャネル特性を改善する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which enhances forward direction characteristics without degrading reverse direction characteristics in an SBD for a large power.例文帳に追加

本発明は、大電力用SBDにおいて逆方向特性を悪化させることなく、順方向特性を向上させる製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device which is capable of improving the current-voltage characteristics of a leakage current that flows, when a reverse voltage is applied.例文帳に追加

逆電圧印加時のリーク電流の電流電圧特性を改善する窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

Herein, Pw indicates the degree of the deterioration of the read/write characteristics of the reverse data in the ferroelectric memory device.例文帳に追加

尚、Pwは、強誘電体メモリ装置における逆データの書き込み読み出し特性の劣化の度合いを示す。 - 特許庁

To provide an amplifying circuit including a linearizer having gain deviation and phase deviation characteristics which are reverse to those of an amplifier.例文帳に追加

増幅器と逆の利得偏移および位相偏移特性を持つリニアライザを具備する増幅回路を提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode semiconductor device which has forward and reverse characteristics relative to various applications.例文帳に追加

使用用途に応じた順方向特性、逆方向特性を有するショットキーバリアダイオード半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an SOI high breakdown semiconductor device satisfactory in voltage breakdown characteristics in an arbitrary reverse bias state.例文帳に追加

任意の逆バイアス状態の態様において耐圧特性の良好なSOI型高耐圧半導体装置を提供する。 - 特許庁

To facilitate a setting of characteristics etc. such that in order to makes reverse revolution how much revolving resistance is expected (or in order not to make the reverse revolution) while securing the smooth revolution of positive direction.例文帳に追加

正方向の円滑な回転を確保しながら、どの程度の回転抵抗を持って逆回転させるか(或いはさせないようにするか)という特性等の設定を、容易に実現する。 - 特許庁

To avoid light deterioration and further increase the amount of generation to the light reception characteristics of the reverse side of a reverse side contact type single-crystal silicon solar battery or a double-sided light reception type solar battery.例文帳に追加

裏面コンタクト型単結晶シリコン太陽電池あるいは両面受光型太陽電池の裏面受光特性に対し、光劣化を回避し、さらに発電量を増加させること。 - 特許庁

A reverse-phase current balancing relay determination means 104 detects an accident of a regulating transformer by current balancing relay characteristics while using the reverse-phase currents Ie_2, It_2 as input.例文帳に追加

そして、逆相電流平衡リレー判定手段104では逆相電流Ie_2、It_2を入力として、電流平衡リレー特性により、調整変圧器の事故を検出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving reverse recovery characteristics and reverse recovery resistance of a diode provided side by side with an IGBT and connected in antiparallel to the IGBT on the same semiconductor substrate without deterioration of characteristics of the IGBT, and also improving, in particular, so as to reduce reverse recovery loss.例文帳に追加

IGBTの特性を低下させることなく、同一半導体基板上に併設される逆並列接続ダイオードの逆回復特性と逆回復耐量の改善をするだけでなく、さらに、特に逆回復損失を小さくするように改善することのできる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

例文

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing an increase of dV/dt during reverse recovery, suppressing oscillation in a voltage current waveform during the reverse recovery, and simultaneously improving both of high-speed and low-loss characteristics and soft recovery characteristics.例文帳に追加

逆回復時のdV/dtの増加を抑制し、逆回復時の電圧電流波形の振動を抑制し、高速・低損失特性とソフトリカバリー特性の両者を同時に向上させる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁




  
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