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se cの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 38



例文

The C-V logical expression is an operational expression showing a relation of voltage V_G and a capacity value C_MIS1, and comprises a capacity value C_se and a resistance value R_se of the semiconductor layer 46 as the parameters.例文帳に追加

このC-V論理式は、電圧V_Gと容量値C_MIS1との関係を表す演算式であり、半導体層46の容量値C_seと抵抗値R_seとをパラメータとして含む。 - 特許庁

T shows O, S, Se, N(R^1), C(R^2) (R^3) or C(R^4)=(R^5).例文帳に追加

Tは、O、S、Se、N(R^1)、C(R^2)(R^3)またはC(R^4)=C(R^5)を表す。 - 特許庁

You can always use the Plugins Manager from the Tools menu to add,remove, or update sets of features for Java SE, Java EE, Java ME, JavaFX, Ruby,Groovy, PHP, C/C++, UML, or SOA development,including a wide variety of other features from third-party providers. 例文帳に追加

いつでも「ツール」メニューからプラグインマネージャーを使用して、他社のプロバイダからのその他のさまざまな機能を含む、Java SE、Java EE、Java ME、JavaFX、Ruby、Groovy、PHP、C/C++、UML、または SOA 開発のための機能のセットを、追加、削除、または更新できます。 - NetBeans

Preferably, prior to the hot-dip galvanization process, a compound containing an element X which is at least one of S, Cl, Na, K, Ni, C, N, B, Se and Br is deposited on the sheet surface satisfying [X]≥(1/600)×[M], and the sheet is subjected to recrystallization annealing.例文帳に追加

好ましくは、溶融亜鉛めっき処理を施すに先立ち、まず、元素XとしてS、Cl、Na、K、Ni、C、N、B、Se、Brの少なくとも1種以上を含有する化合物を、下記(1)式を満足するように鋼板表面に付着させ、次いで、再結晶焼鈍する。 - 特許庁

例文

To obtain a grain oriented silicon steel sheet having good magnetic properties both in the L direction and C direction even if impurities such as Se, S, O and N are contained to some degree.例文帳に追加

Se,S,O,N等の不純物がある程度含有されていても、L方向およびC方向ともに良好な磁気特性を有する方向性電磁鋼板を得る。 - 特許庁


例文

A formed precursor film is heat-treated in a heat-treatment chamber 5 at a substrate temperature of approximately 550°C while pouring Se vapor on the precursor film using a Se evaporation source 25.例文帳に追加

形成した前駆体膜を、熱処理室5にて、Se蒸着源25を用いてSe蒸気を前駆体膜上へ照射しながら、基板温度約550℃で熱処理する。 - 特許庁

A substrate 1, on which a Mo film is formed, is placed into a film-forming chamber 3, and sputterings of an In-Ga-Se target 21 and a Cu target 23 are carried out at a substrate temperature of approximately 150°C-450°C.例文帳に追加

成膜室3にMo膜が形成された基板1が入れられIn-Ga-Seターゲット21およびCuターゲット23のスパッタを、基板温度約150℃〜450℃で行う。 - 特許庁

Before the sticking treatment of the magnetite, a compound containing one or more kinds of elements selected from S, Se, Cl, Br, Na, K and C is preferably stuck to the surface of the steel sheet.例文帳に追加

なお、マグネタイト付着処理前に、鋼板表面にS、Se、Cl、Br、Na、K、Cのうちから選ばれた1種または2種以上の元素を含有する化合物を付着させることが好ましい。 - 特許庁

A C-MOS buffer Q1 moves electric charge in a capacitor C2 to a capacitor C5 in response to operation of a detection switch SE.例文帳に追加

C−MOSバッファQ1は、検出スイッチSEが作動すると、コンデンサC2の電荷をコンデンサC5に移動させる。 - 特許庁

例文

In addition, the phase change alloy contains one element selected from Al, C, N, Se, and Sn.例文帳に追加

(3)相変化合金が、更にAl、C、N、Se、Snの中から選ばれる一つの元素を含有する(1)又は(2)記載の相変化型光記録媒体。 - 特許庁

例文

Effective sound SE as a simulated engine sound is used an identification sound for correcting transmission function C^ of the offset sound CS, and the transmission function C^ of the offset sound CS is renewed by the transmission function (filter coefficient Wsqz) determined regarding the effective sound SE.例文帳に追加

相殺音CSの伝達関数C^を補正するための同定音として擬似エンジン音としての効果音SEを用い、効果音SEについて求めた伝達関数(フィルタ係数Wsqz)により相殺音CSの伝達関数C^を更新する。 - 特許庁

When object sounding data C are selected from a selected sounding data sequence, an object section SE including their sounding time window is automatically set and a temporal arrangement of other sounding data in the object section SE is automatically adjusted.例文帳に追加

選択された発音データ列の中から、対象発音データCが選択されると、その発音時間帯を包含する対象区間SEが自動的に設定され、対象区間SE内の他の発音データの時間的配置が自動的に調整される。 - 特許庁

A composition contains a polymer having a repeating unit represented by the chemical formula, wherein Z is Se, S, O, NR, or PR; Y is NH, O, C(R)_2, N(R)_2, and S; X is O, S, Se, or NH; and E is a functional or a non-functional end group.例文帳に追加

下記式の繰返し単位を有するポリマーを含む組成物: (ZはSe、S、O、NR又はPR;Yは、NH、O、C(R)_2、N(R)_2及びS;Xは、O,S、Se又はNH、そしてEは、官能性又は非官能性末端基である。)。 - 特許庁

(7) In the application of Art. 8 paragraph (1) letter c) of the Law, the computer programs per se shall not be considered inventions within the meaning of the provisions of Art. 7 paragraph (1) of the Law.例文帳に追加

(7) 本法第 8条第 1段落(c)の規定の適用上,コンピュータ・プログラム自体は本法第 7条第1段落の規定の意味内での発明とはみなされないものとする。 - 特許庁

As a physical property of a foam body per se to be used for implementing the same, its rubber hardness by Asker C according to JIS (K7312) is in the range of 10-60, and the loss tangent tan δ at the temperature of 20°C is 0.1 or less.例文帳に追加

これを実現するために用いる発泡体自身の物性としては、そのゴム硬度が、JIS(K7312)によるアスカーCで10〜60の範囲内であり、且つ、温度20°Cにおける損失正接tanδが0.1以下であればよい。 - 特許庁

A glass containing one or more kinds of nonmetal compounds containing Si, B, C, P, Se and Te is irradiated with pulse laser light to selectively precipitate nonmetal particles in the glass.例文帳に追加

Si、B、C、P、Se、Teの1種又は2種以上を含む非金属化合物を含有するガラスへパルスレーザー光を照射することにより非金属粒子がガラス内部に選択析出させる。 - 特許庁

As for the photoconductor, for example, a photoconductor having a current amplifying a mechanism by the avalanche effect is used, and c-Si, a-Se, a-SiC or the like can be used.例文帳に追加

この光導電体としては、例えばアバランシェ効果による電流増幅機構を有するものがあり、具体的にはc−Si、a−Se、又はa−SiC等を用いることができる。 - 特許庁

Each of the pixels PX includes a first power supply terminal, a second power supply terminal, a driving transistor DR, a display element including a display electrode, a storage capacitor C including a first electrode and a second electrode, and a shield electrode SE.例文帳に追加

各画素PXは、第1電源端子と、第2電源端子と、駆動トランジスタDRと、表示電極を含んだ表示素子と、第1電極及び第2電極を含んだ保持容量Cと、シールド電極SEとを有している。 - 特許庁

The electrode catalyst consists of an alloy which contains at least one platinum group element and at least one element selected from a group consisting of B, C, Be, Si, P, S, Ga, As and Se, and the crystalline structure of which is amorphous.例文帳に追加

電極触媒は、少なくとも一つの白金族元素と、B、C、Be、Si、P、S、Ga、As及びSeからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素とを含み、その結晶構造が非晶質状態である合金からなる。 - 特許庁

R1 and R2 in the formula (1) are alkyl groups with the carbon number of C1 to C15 of fluorine substitution, and X is C(CH_3)_2, S, Se, or NR_3, and A and B are carboxy groups.例文帳に追加

式(1)におけるR1及びR2がC1〜C15のフッ素置換のアルキル基であり、XはXはC(CH_3)_2、S、Se又はNR_3であり、A及びBはカルボキシ基である。 - 特許庁

Then, when a solid electrolyte layer (SE layer 3) is formed on the positive electrode active material layer 12 of the positive electrode layer 1 by the gas phase method, temperature change of the positive electrode layer 1 is controlled within ±30°C.例文帳に追加

そして、正極層1の正極活物質層12上に固体電解質層(SE層3)を気相法により形成する際、正極層1の温度変化を±30℃以内に制御する。 - 特許庁

Then, when a solid electrolyte layer (SE layer 3) is formed on the positive electrode active material layer 12 of the positive electrode layer 1 by the gas phase method, temperature of the positive electrode layer 1 is controlled at 0-90°C.例文帳に追加

そして、正極層1の正極活物質層12上に固体電解質層(SE層3)を気相法により形成する際、正極層1の温度を0〜90℃に制御する。 - 特許庁

In a manufacturing method, the nano-material is synthesized by a chemical transport method using high purity Nb and Se in the stoichiometric ratio as the initial materials under vacuum at800°C and 1 K/cm temperature gradient.例文帳に追加

製造方法は、化学量論的比率の高純度Nb、Seを初期物質として化学輸送法により、真空下で800℃以下、1K/cmの温度勾配において合成する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 1 whose collector C is connected to a terminal T1, whose emitter E is connected to a terminal T2 and whose sense emitter SE is connected to the terminal T2 via a variable resistor VR1 being a current voltage conversion section.例文帳に追加

端子T1にコレクタCが接続され、端子T2にエミッタEが接続されたIGBT1が配設され、そのセンスエミッタSEは電流電圧変換部である可変抵抗VR1を介して端子T2に接続されている。 - 特許庁

Since the effective sound SE can increase amplification (sound volume) without giving the uncomfortable sense to the occupant, the transmission function C^ of the offset sound CS can be corrected to high accuracy.例文帳に追加

効果音SEは、乗員に不快感を与えずに振幅(音量)を大きくできるものであるため、相殺音CSの伝達関数C^を高精度に補正することができる。 - 特許庁

Free-cutting stainless steel containing one or more kinds among S, Se, Te, Pb and Bi as free-cutting components are used as the stock and subjected to warm forging at 400 to 600°C to be formed into dimensions close to those of the shape of parts.例文帳に追加

快削成分としてS、Se、Te、Pb、Biのうちいずれか1種以上を含有する快削ステンレス鋼を素材として、400〜600℃の温度において温間鍛造加工により、部品形状に近い寸法に成形する。 - 特許庁

This sensitizer is a heterocyclic compound represented by formula I [X1 is C(R5, R6), NR7, O, S or Se; Y1 is N or N(+)-R8; and A1 is H or an organic group].例文帳に追加

一般式I [X^1はC(R^5,R^6)、NR^7、O、SまたはSeを示し;Y^1はNまたはN^(+)−R^8を示し、A^1はHまたは有機基を示す]の複素環式化合物。 - 特許庁

A high-boiling solvent, one or more metal salts and a chalcogen source containing one or more of Se, Te and S are heated to170°C to thereby obtain nanoparticles of a chalcogen compound (a compound comprising one or more metal elements and one or more elements selected from Se, S and Te as constituent elements).例文帳に追加

高沸点溶媒を用いてカルコゲン化反応させる温度領域に昇温する際に、例えば硝酸塩のCu(NO_3)_2、In(NO_3)_3をアンモニア水溶液によりCuとInの水酸化物を共沈させる金属水酸化物又は脱水反応後の酸化物状態では、カルコゲン化反応において局所的に金属酸化物が発生し、CuInSe系の化合物が単相で生成できない。 - 特許庁

An ingot for thermoelectric module contains at least two kinds of elements selected from among a group composed of Bi, Sb, Te, and Se and contains a plurality of hexagonal recrystallized grains, with their c-faces being aligned in one direction.例文帳に追加

熱電モジュール用インゴットは、Bi、Sb、Te及びSeからなる群から選択された少なくとも2種の元素を含有し、結晶構造が六方晶系でありそのc面が一方向に整列している複数の再結晶粒を有する。 - 特許庁

A (Ti, Zr) series compound containing at least either Ti or Zr as metallic element components, containing, as bonding components with the metallic element components, C as the essential components and moreover containing one or two or more kinds selected from S, Se and Te is formed into a matrix metal phase.例文帳に追加

TiとZrとの少なくともいずれかを金属元素成分として含有し、その金属元素成分との結合成分として、必須成分としてのCを含有し、さらにS、Se及びTeから選ばれる1種又は2種以上とを含有する(Ti、Zr)系化合物が基質金属相中に形成される。 - 特許庁

A bonding wire is a silver wire 40 coated with a gold film 41, where the gold film 41 contains at least one element selected out of Na, Se, Ca, Si, Ni, Be, K, C, Al, Ti, Rb, Cs, Mg, Sr, Ba, La, Y, and Ce.例文帳に追加

銀線40と、銀線40を被覆する金膜41とを有し、金膜41は、Na、Se、Ca、Si、Ni、Be、K、C、Al、Ti、Li、Rb、Cs、Mg、Sr、Ba、La、Y、Ceのうちの少なくとも一つの元素を含むことを特徴とするボンディングワイヤ。 - 特許庁

The corrosion resistant steel for shipbuilding has a composition comprising 0.01 to 0.30% C, 0.01 to 2.0% Si, 0.01 to 2.0% Mn and 0.005 to 0.10% Al, and further comprising 0.005 to 0.50% Se, and the balance Fe with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明の造船用耐食鋼は、C:0.01〜0.30%、Si:0.01〜2.0%、Mn:0.01〜2.0%、Al:0.005〜0.10%を夫々含有する他、Se:0.005〜0.50%を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなるものである。 - 特許庁

The cathode catalyst for the fuel cell consists of an alloy which contains at least one element of the platinum group and at least one element selected from the group consisting of B, C, Be, Si, P, S, Ga, As and Se and the crystal structure of which is in an amorphous state.例文帳に追加

少なくとも一つの白金族元素と、B、C、Be、Si、P、S、Ga、As及びSeからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素とを含み、その結晶構造が非晶質状態である合金からなる燃料電池用カソード電極触媒。 - 特許庁

The wave length conversion nano particles (ZnSe:Mn) are produced by mixing an aqueous solution containing a Zn ion source and NAC with an aqueous solution containing a Mn ion source and NAC, adjusting the pH, adding a Se ion source, adjusting the pH, and then heating at 200°C under a high pressure.例文帳に追加

Znイオン源とNACとを含む水溶液と、Mnイオン源とNACとを含む水溶液とを混合し、pH調整後にSeイオン源を添加し、更にpHを調整した後、高圧下で200℃に加熱することによって、波長変換ナノ粒子(ZnSe:Mn)を製造した。 - 特許庁

The iron based consumable welding material has a composition containing 0.005 to 0.40% C, 0.2 to 8.0% Mn and >1.1 to 8.0% Si, and further containing 0.01 to 1% Se and/or 0.01 to 1% Te.例文帳に追加

本発明の鉄系消耗溶接材料は、C:0.005〜0.40%,Mn:0.2〜8.0%およびSi:1.1%超、8.0%以下を夫々含有すると共に、Se:0.01〜1%および/またはTe:0.01〜1%を含有するものである。 - 特許庁

The light-emitting layer 103 includes a three-dimensional compound ABC_2 (wherein A=Cu or Ag, B=Al, Ga or In, and C=S, Se or Te) which is called the chalcopyrite.例文帳に追加

基板100上に、第1の電極101、第1の絶縁層102、発光層103、第2の絶縁層104、第2の電極105を有し、発光層103は、カルコパイライトと呼ばれる三元化合物ABC_2(但し、A=Cu、またはAg、B=Al、Ga、またはIn、C=S、Se、またはTe)を含む発光素子を提供する。 - 特許庁

A thermoelectric material is configured by an alloy of at least one kind of element chosen from a group consisting of Bi and Sb and at least one kind of element chosen from a group consisting of Te and Se, and in which an atomic element is arranged to each surface of twenty one layers formed in a direction vertical to a c-axis in a unit cell.例文帳に追加

熱電材料を、Bi,Sbからなる群から選択される少なくとも1種の元素と、Te,Seからなる群から選択される少なくとも1種の元素との合金であって、ユニットセルにおいてc軸に垂直な方向に形成される21層の面のそれぞれに原子が配置される合金によって構成する。 - 特許庁

例文

Further, free cuttability impartion compound phases containing Ti and/or Zr as the main metallic element component, and essentially consisting of C and containing at least one selected from S, Se and Te as bonding components with the metalic element component are dispersedly formed in the structure in the range of 0.1 to 10% by area in the cross section.例文帳に追加

さらに、Ti及び/又はZrを金属元素成分の主成分とし、該金属元素成分との結合成分として、Cを必須とし、S、Se及びTeの少なくともいずれかを含有する快削性付与化合物相が、断面における面積率にて0.1〜10%の範囲にて組織中に分散形成されている。 - 特許庁

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