「sense bit」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide memory layout for a precharge circuit connected between other pair of bit lines rather than a sense amplifier.例文帳に追加

センスアンプよりはビットラインの他の対の間に連結されるプリチャージ回路のメモリレイアウトを提供する。 - 特許庁

The M bit data latched in the data input register is loaded in sense and latch blocks through a data bus.例文帳に追加

前記データ入力レジスタにラッチされたＭビットデータは、データバスを通じて感知及びラッチブロックにロードされる。 - 特許庁

BIT LINE SENSE AMPLIFIER DRIVE CONTROL CIRCUIT AND METHOD OF SYNCHRONOUS DRAM FOR SELECTIVELY SUPPLYING OPERATING VOLTAGE AND TEMPORARILY INTERRUPTING SUPPLY例文帳に追加

動作電圧を選択的に供給し、一時的に供給を中断する同期式ＤＲＡＭのビットラインセンスアンプ駆動制御回路及び方法 - 特許庁

The odd-numbered and even-numbered bit lines 12 are connected to terminals of sense amplifiers 16 one pair by one pair.例文帳に追加

これらのスイッチ１４を介して、奇数番目又は偶数番目のビット線を一対ずつセンスアンプ１６の端子に接続する。 - 特許庁

BIT LINE DRIVING CIRCUIT AND DRIVING METHOD FOR INTEGRATED CIRCUIT MEMORY DEVICE IMPROVING PRECHARGE AND SENSE AMPLIFICATION SCHEME例文帳に追加

プリチャージ及び感知増幅スキームを改善した集積回路メモリ装置のビットライン駆動回路及び駆動方法 - 特許庁

When data being in sense latch in this read memory data is in a programmed state, corresponding bit latch is reset.例文帳に追加

この読取ったメモリデータでセンスラッチにあるものがプログラムされた状態にあるときには対応するビットラッチをリセットするようにした。 - 特許庁

Alternatively, the combination of the bit line and a sense amplifier is exchanged between data input/output portions adjacent to each other.例文帳に追加

あるいは、ビット線とセンスアンプとの組み合わせを隣接のデータ入出力部間で交換する等の施策を実施する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which defective bit lines of both sides of a shared sense amplifier can be detected.例文帳に追加

シェアードセンスアンプの両側のビット線不良を検出することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To transmit information with audible sound waves based on a level that is not uncomfortable for human hearing sense and to improve the bit rate of transmission information.例文帳に追加

人間の聴覚に不快でないレベルにもとづいた可聴音波で情報を伝送すると共に伝送情報のビットレートを向上させること。 - 特許庁

To provide a bit line driving circuit and driving method for an integrated circuit memory device improving a precharge and sense amplification scheme.例文帳に追加

プリチャージ及び感知増幅スキームを改善した集積回路メモリ装置のビットライン駆動回路及び駆動方法を提供する。 - 特許庁

The third, fourth and fifth voltages are supplied to either one of a sense amplifier 53, word-line driving circuit 52 or bit-line precharge circuit 22.例文帳に追加

第３、第４、第５電圧はセンスアンプ５３、ワード線駆動回路５２、ビット線プリチャージ回路２２のいずれかに供給される。 - 特許庁

The hierarchized bit line structure by the division of the memory arrays reduces the input load capacity of the sense amplifier.例文帳に追加

上記メモリアレイの分割による階層化ビット線構造は、センスアンプの入力負荷容量を低減する。 - 特許庁

The latch type sense amplifier 70 senses the complementary data based on potential difference of the complementary bit lines BLT, BLB.例文帳に追加

ラッチ型センスアンプ７０は、その相補ビット線ＢＬＴ，ＢＬＢの電位差に基づいて、相補データをセンスする。 - 特許庁

When a sense amplifier SAU amplifies potential difference of the bit lines BLU0, BLU1, the switch transistors SWT0, SWT1 are turned off.例文帳に追加

一方、センスアンプＳＡＵがビット線ＢＬＵ0 ，ＢＬＵ1 の電位差を増幅するとき、スイッチトランジスタＳＷＴ0 ，ＳＷＴ1 をオフにする。 - 特許庁

To transmit information with audible sound waves based on a level that is not unpleasant to the hearing sense of human beings and to improve the bit rate of transmission information.例文帳に追加

人間の聴覚に不快でないレベルに基づいた可聴音波で情報を伝送すると共に伝送情報のビットレートを向上させる。 - 特許庁

Stress voltage is supplied to the bit lines BLZ, BLX by amplifying minute potential difference by a sense amplifier 6.例文帳に追加

微少電位差をセンスアンプ６で増幅することにより、ビット線ＢＬＺ，ＢＬＸにストレス電圧が供給される。 - 特許庁

A main body cell MC of a memory cell array 1 is connected to the sense node SN of a comparator 31 through a bit line BL.例文帳に追加

メモリセルアレイ１の本体セルＭＣは、ビット線ＢＬを介して比較器３１のセンスノードＳＮに接続される。 - 特許庁

In this state, a bit line BL is charged by a sense amplifier 3 to a first voltage Vb (precharged stated above and required for readout of memory cell).例文帳に追加

この状態で、センスアンプ３によりビット線ＢＬを第１の電圧Ｖｂに充電（メモリセルの読み出しに必要な既述のプリチャージ）する。 - 特許庁

A sense amplifier 140 compares a potential of the bit line BL1 with a potential of the BL2, amplifies the higher potential to Vcc and amplifies the lower potential to zero volt.例文帳に追加

センスアンプ１４０は、ビット線ＢＬ１，ＢＬ２の電位を比較して、高い方をＶccに増幅し且つ低い方を零ボルトに増幅する。 - 特許庁

In data writing, after the sense amplifier applies a writing voltage to the bit lines, the writing amplifier holds the writing voltage.例文帳に追加

データ書込みにおいて、センスアンプがビット線へ書込み電圧を印加した後、書込みアンプは書込み電圧を保持する。 - 特許庁

The row decoder outputs a second driving signal toward a sense amplifier circuit through the dummy bit line and the dummy word line.例文帳に追加

ロウデコーダは、第２駆動信号をダミービット線及びダミーワード線を介してセンスアンプ回路に向けて出力する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a shared bit line sense amplifier scheme and a driving method thereof.例文帳に追加

共有ビットライン感知増幅器構造を有する半導体メモリ素子及びその駆動方法を提供すること。 - 特許庁

A pair of bit lines BL1 and XBL1 are connected to a sense amplifier SAMP through an N channel type transistor pair (switch SW1).例文帳に追加

センスアンプＳＡＭＰには、Ｎチャネル型トランジスタ対（スイッチＳＷ１）を介してビット線対ＢＬ１及びＸＢＬ１が接続されている。 - 特許庁

To stably perform sense operation, even when a defective normal word line replaced by a spare word line is short-circuited with a bit line.例文帳に追加

スペアワード線に置換された不良ノーマルワード線がビット線とショートしている場合でも、安定してセンス動作を行う。 - 特許庁

On both sides of the respective columns (BLP) of a memory block (1a), sense amplifier circuits (SAU and SAD) are provided through bit line separation circuits (3ua and 3da).例文帳に追加

メモリブロック（１ａ）の各列（ＢＬＰ）の両側に、ビット線分離回路（３ｕａ，３ｄａ）を介してセンスアンプ回路（ＳＡＵ，ＳＡＤ）を設ける。 - 特許庁

A potential of the bit line connected to a cell to be accessed is amplified by the sense amplifier when the access circuit 150A accesses the memory cell.例文帳に追加

アクセス回路１５０Ａのアクセスに伴ってアクセス対象セルに接続されたビット線の電位がセンスアンプによって増幅される。 - 特許庁

After that, sense amplifier operation is stopped, pairs of bit lines are short-circuited, and equalized to half voltage of the second voltage (V2).例文帳に追加

その後、センスアンプ動作が停止されビット線対がショートされて第２電圧（Ｖ２）の１／２電圧にイコライズされる（ ）。 - 特許庁

The magnetic memory element has a magnetic tunnel junction (MTJ) for connecting a bit line (31) with a sense line (49) through an insulation transistor (81).例文帳に追加

磁気メモリ素子は、絶縁トランジスタ（８１）を介してビット線（３１）をセンス線（４９）に接続する磁気トンネル接合（ＭＴＪ）（３７）を備える。 - 特許庁

A first and a second sense amplifiers are arranged at both sides of a bit line direction of the memory cell array, respectively.例文帳に追加

メモリセルアレイのビット線方向両側に第１、第２のセンスアンプがそれぞれ配置されている。 - 特許庁

At the time, a data control circuit outputs all data read to the bit line from the memory cell and amplified by the sense amplifier are outputted to the outside.例文帳に追加

この際、データ制御回路は、メモリセルからビット線に読み出されセンスアンプで増幅された全てのデータを外部に出力する。 - 特許庁

The electric potential of these dummy bit lines is detected by a voltage detection circuit (52), and the timing for activating the sense amplifier (30) or the like is determined.例文帳に追加

これらのダミービット線の電位を電圧検出回路（５２）で検出して、センスアンプ（３０）の活性化などのタイミングを決定する。 - 特許庁

An SOI sense amplifier for sensing a bit value stored in a memory cell comprises 1st and 2nd input field-effect transistors (FETs).例文帳に追加

メモリセルに格納されているビット値をセンスするためのＳＯＩセンスアンプは、第１、第２入力電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含む。 - 特許庁

Four bit lines BLij (j=1 to 4) are connected to a sense amplifier circuit S/Ai (i=0 to n).例文帳に追加

センスアンプ回路Ｓ／Ａｉ（ｉ＝０〜ｎ）には、４本のビット線ＢＬｉｊ（ｊ＝１〜４）が接続されている。 - 特許庁

To improve high speed and stability of a sense amplifier circuit keeping conventional effect of a bit line disconnecting circuit.例文帳に追加

ビット線切り離し回路の従来の効果を維持しながら、センスアンプ回路の高速性及び安定性を向上させる。 - 特許庁

To detect efficiently defective bits caused by the coupling noise of adjacent bit lines by a sense amplifier in a memory test.例文帳に追加

メモリテストにおいて、センスアンプ増幅による隣接ビット線のカップリングノイズにより不良ビットを効率よく検出する。 - 特許庁

A sense amplifier SA connected to a bit line BL to which data of the memory cell MC are read out is constituted by using an operation amplifier OP.例文帳に追加

メモリセルＭＣのデータが読み出されるビット線ＢＬに接続されるセンスアンプＳＡは、オペアンプＯＰを用いて構成される。 - 特許庁

In a sense amplifier SA0 provided for a semiconductor device, a first node B1 is connected to a bit line BL0 for reading out data.例文帳に追加

半導体装置に設けられたセンスアンプＳＡ０において、第１のノードＢ１は、データ読出時にビット線ＢＬ０と接続される。 - 特許庁

A sense amplifier circuit SA is connected to the dummy bit lines Dummy BL and Dummy/BL, while a data line DQ is not connected.例文帳に追加

そしてダミービット線ＤｕｍｍｙＢＬ，Ｄｕｍｍｙ／ＢＬにセンスアンプ回路ＳＡを接続し、データ線ＤＱを接続しないようにしている。 - 特許庁

The sense amplifier 100 is connected to a folded pair of bit line BLL and /BLL through selection gates SG10 and SG20.例文帳に追加

センスアンプ１００は選択ゲートＳＧ１０およびＳＧ２０を介して折返しビット線対ＢＬＬおよび／ＢＬＬと接続される。 - 特許庁

The bit line pattern crossing a sense amplifier array diagonally is inverted with respect to the banks 0 and 1 each other.例文帳に追加

また、センスアンプ列を斜めに横切るビット線パターンがバンク０と１に関し互いに反転したものになっている。 - 特許庁

To provide a ferroelectric storage device which improves a sense margin accompanying the reduction of a cell array degree of integration and bit line capacity.例文帳に追加

セルアレイ集積度及びビット線容量の削減に伴うセンスマージンの向上した強誘電体記憶装置の提供。 - 特許庁

The operation timing of a sense amplifier provided for each of adjacent pair of bit lines is shifted by the control circuits 110 and 112.例文帳に追加

制御回路１１０および１１２により、隣接するビット線対のそれぞれに対して設けられるセンスアンプの動作タイミングをずらす。 - 特許庁

The sense amplifier senses the storage data by comparing a potential or current of the read bit line with a reference level.例文帳に追加

センスアンプは、リードビット線の電位あるいは電流とリファレンスレベルとを比較することによって記憶データをセンスする。 - 特許庁

Sense amplifiers of m pieces outputs signals generated on the corresponding bit lines BL to a reconfigurable circuit 10.例文帳に追加

ｍ個のセンスアンプは、対応するビットラインＢＬに生ずる信号を、リコンフィギュアラブル回路１０に出力する。 - 特許庁

The sense amplifier 13 operates at a voltage VSS and a voltage VDD (VSS<VDD) and amplifiers the signal voltage of a bit line BL.例文帳に追加

センスアンプ１３は、電圧ＶＳＳと電圧ＶＤＤ（ＶＳＳ＜ＶＤＤ）とにより動作し、ビット線ＢＬの信号電圧を増幅する。 - 特許庁