「single-crystal sample」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the method, the crushed single crystal sample (crushed sample S) is irradiated with the X-ray.例文帳に追加

この方法において、Ｘ線の照射を粉砕された単結晶の試料（粉砕試料S）に対して行う。 - 特許庁

STANDARD SAMPLE FOR EVALUATING SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER, ITS PRODUCING METHOD, AND EVALUATING METHOD BY USING STANDARD SAMPLE例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハ評価用の標準サンプル、その製造方法及び標準サンプルを用いた評価方法 - 特許庁

To provide an X-ray diffraction apparatus, capable of easily adjusting the crystal azimuth of a single-crystal sample with high accuracy.例文帳に追加

単結晶試料の結晶方位を容易かつ高精度に調整可能なＸ線回折装置を提供する。 - 特許庁

PHOTOGRAPHING METHOD OF CRYSTAL DEFECT HAVING IN-PLANE ORIENTED DISLOCATION LINE IN SINGLE CRYSTAL SAMPLE BY X-RAY TOPOGRAPH例文帳に追加

単結晶試料における面内配向した転位線を有する結晶欠陥のＸ線トポグラフによる撮影方法 - 特許庁

A single-crystal substrate 10 is fixed on a sample fixing stand 1 by using an inclination correcting device 20.例文帳に追加

単結晶基板１０を傾斜補正治具２０を用いて試料固定台１に固定する。 - 特許庁

A single crystal sample 20 whose crystal lattice interval is known is mounted on a sample mounting section 16, and a crystal lattice image is acquired by a STEM detector 17 and an image analysis section 18.例文帳に追加

試料搭載部１６の上に結晶格子間隔が既知の単結晶試料２０を搭載し、ＳＴＥＭ検出器１７及び画像解析部１８により結晶格子像を取得する。 - 特許庁

The quality of the single crystal is evaluated by using the mirror-polished sample for estimating the quality, and it is determined that the single crystal mass is suited to manufacture the silicon single crystal wafers satisfying the quality standard or not, according to the results of the quality evaluation of the silicon single crystal mass.例文帳に追加

この鏡面研磨された品質評価測定試料を用いて品質測定を行い、それによるシリコン単結晶塊の品質評価結果に基づいて、該シリコン単結晶塊を、品質規格を充足したシリコン単結晶ウェーハの製造に使用できるか否かを判定する。 - 特許庁

SILICON SINGLE CRYSTAL, EPITAXIAL WAFER, METHOD OF MEASURING AMOUNT OF NITROGEN IN SILICON SINGLE CRYSTAL, SAMPLE TUBE UNIT USED IN ESR METHOD AND METHOD OF MEASURING ESR SPECTRA例文帳に追加

シリコン単結晶、エピタキシャルウェ−ハ、シリコン単結晶中の窒素量の測定方法、ＥＳＲ法に使用される試料管ユニット及びＥＳＲスペクトルの測定方法 - 特許庁

During growing a silicon single crystal by the Czochralski method, a sample 12 used for evaluation is used as a source material for growing a silicon single crystal or a source material for growing a purification source material.例文帳に追加

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の育成時に、評価使用済みサンプル１２を前記シリコン単結晶育成用の原料または精製原料育成用の原料として使用する。 - 特許庁

In the method for measuring nitrogen concentration in a silicon single crystal reared by Czochralski method, a reference of the silicon single crystal not containing a nitrogen and a thermal donor of a nitrogen-containing sample of an object to be measured are erased by using the sample containing the nitrogen and the reference of the silicon single crystal, and the nitrogen concentration is measured.例文帳に追加

チョクラルスキー法育成のシリコン単結晶中の窒素濃度の測定方法において、窒素を含有する試料と、窒素を含まないチョクラルスキー法育成のシリコン単結晶のレファレンスを用い、このレファレンスと測定対象である窒素含有試料のサーマルドナーを消去して、窒素濃度を測定する。 - 特許庁

A single crystal having a desired resistivity can be grown by utilizing that the resistance of the used sample is known and by accurately controlling the quality (resistivity) of a silicon single crystal to be grown.例文帳に追加

評価使用済みサンプルの抵抗値が既知であることを利用し、育成されるシリコン単結晶の品質（抵抗率）を正確にコントロールして、所望の抵抗率の単結晶育成が可能である。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pulling apparatus where a sample tube is transferred to a feeding part with a simple constitution and maintenance performance is enhanced.例文帳に追加

簡易な構成で試料管を供給部に送ることが可能であると共に、メンテナンス性の向上したシリコン単結晶引上装置を提供すること。 - 特許庁

The silicon single crystal pulling apparatus 1a pulls a doped silicon single crystal from a melt by Czochralski method, wherein a plurality of sample dishes 20a placed above a pulling furnace 2 are used as a storage means for storing a sublimable dopant.例文帳に追加

ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引上げるシリコン単結晶引上装置１ａであって、昇華性ドーパントを収納する収納手段として引上炉２の上部に設置された試料皿２０ａを用いる。 - 特許庁

Since the diffracted X-rays from the single crystal sample plate 21 are not included in the operation of X-ray intensity, X-ray intensity distribution can be accurately calculated in relation to only the diffracted X-rays from the sample S.例文帳に追加

単結晶試料板２１からの回折Ｘ線がＸ線強度の演算に算入されないので、試料Ｓからの回折Ｘ線だけに関して正確にＸ線強度分布を求めることができる。 - 特許庁

To provide a method for evaluating impurities of a silicon single crystal in which a silicon sample can be dissolved in a solvent while preventing contamination of impurities so as to lower a minimum limit of impurity detection in the silicon single crystal.例文帳に追加

不純物の混入を防止しながらシリコン試料を短時間で溶解することができ、これによりシリコン単結晶中の不純物の検出下限を低くすることができるシリコン単結晶の不純物評価方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The silicon single crystal pulling apparatus 1a pulls a doped silicon single crystal from a melt by Czochralski method, wherein, for example, a plurality of sample dishes 20a placed above a pulling furnace 2 are used as a storage means for storing a sublimable dopant.例文帳に追加

ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引上げるシリコン単結晶引上装置１ａであって、昇華性ドーパントを収納する収納手段として、例えば引上炉２の上部に設置された試料皿２０ａを複数用いる。 - 特許庁

Electron beams through an objective lens (electromagnetic lens) 16 are allowed to enter a single-crystal sample 20 whose lattice constant is known, and the image data of a Ronchigram is acquired by an imaging device 18.例文帳に追加

対物レンズ（電磁レンズ）１６を透過した電子線を格子定数が既知の単結晶試料２０に入射し、撮像素子１８によりロンチグラムの画像データを取得する。 - 特許庁

The micro sample block 10, the connection rib 60, the outer frame 70 and the connection rib 80 are made of silicon in the wholes thereof, and are integrally manufactured of a single crystal silicon wafer 101.例文帳に追加

微小試料台１０、連結リブ６０、外枠７０および接続リブ８０は、全てシリコン製であり、単結晶シリコンウエハ１０１から一体で作製される。 - 特許庁

To provide a pulling apparatus of a silicon single crystal having a rising and falling means by which the position of a sample tube housing a sublimable dopant can be easily modified although it is miniaturized.例文帳に追加

小型でありながら、昇華性ドーパントを収容する試料管の位置を容易に修正可能な昇降手段を有するシリコン単結晶引上装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sample tube unit used for measuring high sensitivity electron spin resonance spectra in order to guarantee the quality of a silicon single crystal and an epitaxial wafer.例文帳に追加

シリコン単結晶とエピタキシャルウェ−ハの品質を保証するために行われる高感度の電子スピン共鳴スペクトルの測定に使用される試料管ユニットを提供すること。 - 特許庁

A ruled line 10a is formed on the surface on the side of the metal film 3 of a sample 10 obtained by forming the metal film 3 on a single crystal substrate 2, and the sample 10 is cleaved along the ruled line 10a while cooled in liquid nitrogen 50.例文帳に追加

単結晶基板２上に金属膜３が成膜された試料１０の金属膜３側の表面に罫書線１０ａを形成し、試料１０を、液体窒素５０中で冷却しながら、罫書線１０ａに沿ってへき開する方法とする。 - 特許庁

To accurately measure the concentration of impurities by region by simply and accurately specifying the axial core position of a single crystal sample (the position of a silicon core rod) prepared from a polycrystalline silicon rod by an FZ method.例文帳に追加

多結晶シリコンロッドからＦＺ法により作製した単結晶試料の軸芯位置（シリコン芯棒の位置）を簡易かつ正確に特定して、不純物濃度を部位別に正確に測定する。 - 特許庁

To provide a measurement device that can easily and quickly measure the variation in transmittance due to repeated laser irradiation on a sample like a piece of single crystal of calcium fluoride.例文帳に追加

フッ化カルシウム単結晶製小片の如き試料の、レーザ光線を繰り返し照射したことに起因する透過率の変動を充分簡易且つ迅速に測定することができる測定装置を提供する。 - 特許庁

The silicon single crystal pulling device 1 for pulling the silicon single crystal 6 from a melt 5 by a Czochralski method comprises a pulling furnace 2, a sample chamber 20 externally mounted on the pulling furnace 2 and housing the sublimable dopant, a shielding mechanism 24 thermally shielding the sample chamber 20 from the pulling furnace 2, and a supply means supplying the sublimable dopant to the melt 5 after canceling the shield by the shielding mechanism 24.例文帳に追加

チョクラルスキー法により融液５からシリコン単結晶６を引上げるシリコン単結晶引上装置１であって、引上炉２と、引上炉２に外付けされており昇華性ドーパントを収容する試料室２０と、引上炉２と試料室２０とを熱的に遮断する遮蔽機構２４と、遮蔽機構２４の遮断を解除した後に昇華性ドーパントを融液５に供給する供給手段と、を含む。 - 特許庁

The calibrated sample, which has a twining crystal structure having a serrated uneven cross section in its (110) surface, is manufactured by annealing a La_2CuO_4 single crystal, of which the (110) surface is formed into a mirror surface by polishing, at 230-500°C and subsequently cooling the annealed crystal gradually.例文帳に追加

この出願の発明による校正試料の作製方法は、（１１０）面を鏡面研磨したＬａ_2ＣｕＯ_4単結晶を２３０から５００℃の温度でアニールした後、徐冷することにより、（１１０）面に断面が鋸歯状の凹凸を有する双晶構造の校正試料を作製することを特徴とする。 - 特許庁

The X-ray absorption fine-structure analyzer is composed of a single crystal 2 which spectrally diffracts X-rays so as to be made monochromatic, a support part for a sample 7 which transmits the monochromatic X-rays 23 and an X-ray detector 8 which detects the X-rays transmitted through the sample 7.例文帳に追加

Ｘ線を分光して単色化する単結晶２と、単色化されたＸ線２３を透過させる試料７の支持部分と、試料７を透過したＸ線を検出するＸ線検出器８とからなるＸ線吸収微細構造分析装置に関する。 - 特許庁

To provide a standard sample for evaluating silicon single crystal wafers containing octahedral BMD (bulk micro defects) in high density, of which the sizes can be found by LST (laser scattering tomography) and which can be measured by TEM (transmission electron microscopy) for size definition, its manufacturing method, and an evaluating method by using the correlation sample.例文帳に追加

ＬＳＴで欠陥サイズを求めることができ、かつサイズ定義に必要なＴＥＭで測定できる八面体のＢＭＤを高密度で含むシリコン単結晶ウェーハ評価用の標準サンプル、その製造方法及び標準サンプルを用いた評価方法を提供する。 - 特許庁

A transmission electron image is obtained by radiating the electron beam to an evaluation site of the sample having the evaluation site where the structure is to be evaluated, and a single crystal site integrally joined with the evaluation site, and the electron beam diffraction image is obtained by radiating the electron beam to the single crystal site without changing a radiation angle of the electron beam.例文帳に追加

前記構造を評価すべき評価部位と、前記評価部位一体的に結合した単結晶部位とを有する試料の前記評価部位に前記電子線を照射して透過電子像を取得すると共に前記電子線の照射角度を変化させずに前記単結晶部位に前記電子線を照射して電子線回折像を取得する。 - 特許庁

The two-layer separating temperature measuring device is, as well as the measuring technique thereof, presented which includes a test tube consisting of a single crystal sapphire tube containing samples such as lube oil and refrigerant and a controlling means for the sample temperature concerned.例文帳に追加

潤滑油及び冷媒を含む試料を収容する単結晶サファイア管からなる試験管及び該試料温度の制御手段を有する二層分離温度測定装置及びその測定方法である。 - 特許庁

The liquid evaluation device comprises a silicon single crystal electrode, a control electrode, and a device for measuring a potential generated between the two electrodes when they are immersed in a sample liquid, as main components.例文帳に追加

シリコン単結晶電極と、比較対照電極と、これらの電極を試料液体に浸漬した際に両電極間に発生する電位を測定する装置を主要構成要素として有する液体評価装置である。 - 特許庁

The coordinate position where the diffracted X-rays issued from the single crystal sample plate 21 are detected by the two-dimensional X-ray detector is recognized as a blank region not allowed to contribute to the operation of the diffracted X-ray intensity distribution.例文帳に追加

単結晶試料板２１から出る回折Ｘ線が２次元Ｘ線検出器２によって検出される座標位置を、回折Ｘ線強度分布の演算に寄与させないブランク領域として認識する。 - 特許庁

In the cell for optical measurements, a liquid sample under high-pressure and high-temperature condition is irradiated with an exciting light passing through a window member, and the scattered / transmitted light is received through the window member, and a single-crystal diamond thin plate is employed as the window member.例文帳に追加

高温高圧下の液体試料に窓材を通して励起光を照射し、その散乱／透過光を窓材を通して受光する光学測定用セルにおいて、単結晶ダイヤモンド薄板を窓材として用いたものである。 - 特許庁

By sequentially feeding the dopant from the plurality of sample dishes 20a to the supply means by use of the drive means 25a, the sublimable dopant in high concentration can be supplied a plurality of times at desired timing during growing a crystal in a single batch.例文帳に追加

試料皿２０ａから駆動手段２５ａを用いて順次供給手段に投入することにより、１バッチの結晶成長において所望のタイミングで高濃度の昇華性ドーパントを供給することができる。 - 特許庁

To provide a structure analysis method of a trace element capable of suppressing measurement inhibition of a fluorescent X-ray signal caused by generation of a strong diffraction X-ray at a specific angle from a sample, when performing structure analysis of the trace element included in a single crystal sample by utilizing a fluorescent XAFS method.例文帳に追加

蛍光ＸＡＦＳ法を利用して、単結晶の試料に含まれる微量元素の構造解析を行うのに際し、試料から特定角度に強い回折Ｘ線が生じることに伴い、蛍光Ｘ線信号の測定が阻害されることを抑制できる微量元素の構造解析方法を提供する。 - 特許庁

The resist and the single-crystal semiconductor layer can also be grounded together with the foundation semiconductor layer through a grounding terminal by fixing the SOI substrate under the state on a sample table having the grounding terminal on a surface by using an electrostatic attraction method.例文帳に追加

この状態のＳＯＩ基板を、表面に接地端子を備えた試料台に静電吸着法を用いて固定することで、接地端子を介して下地半導体層とともにレジストおよび単結晶半導体層も接地することが可能となる。 - 特許庁

By sequentially feeding the dopant from the plurality of sample dishes 20a to the supply means by use of the drive means 25a, the sublimable dopant in high concentration can be supplied a plurality of times at desired timing during growing a crystal in a single batch.例文帳に追加

複数の試料皿２０ａから駆動手段２５ａを用いて順次供給手段に投入することにより、１バッチの結晶成長において所望のタイミングで高濃度の昇華性ドーパントを複数回供給することができる。 - 特許庁

In the electrical characteristics measuring device including a vessel 8 that stores the sample liquid 2 and is made of single crystal sapphire, and a temperature controller 5 of the sample liquid, and including an electrode 6 for measuring the electrical characteristics inside the vessel 8, the electrode 6 is connected to a volume resistivity measuring device and/or a permittivity measuring device with the vessel 8 keeping transparent or semitransparent, so that the sample liquid 2 can visually be recognized.例文帳に追加

試料液体２を収容する単結晶サファイアからなる容器８及び該試料液体の温度制御手段５を有することを特徴とし、容器８の内部に、電気特性を測定する電極６を有し、電極６が、体積抵抗率測定器及び／又は誘電率測定器に接続されており、容器８が透明又は半透明であり、試料液体２が視認可能である電気特性測定装置。 - 特許庁

The standard sample is for measuring the size of the BMD in wafer, and it is a silicon single crystal wafer which is grown by being doped with nitrogen by Czochralski method and which does not contain I region fully, and BMD in the standard sample exist in a density of 1×10^9 pieces/cm^3 or more, and have a size of 15 nm or more in octahedral shape.例文帳に追加

ウェーハ中のＢＭＤのサイズを測定するための標準サンプルであって、該標準サンプルは、チョクラルスキー法により窒素をドープされて育成された全面がＩ領域を含まないシリコン単結晶ウェーハであって、該標準サンプル中のＢＭＤは、密度が１×１０^９個／ｃｍ^３以上、かつサイズが１５ｎｍ以上の八面体形状である。 - 特許庁

A large diameter single crystal can be grown by arranging the reflecting mirrors 2 of the rotary elliptic face so that a straight line from one focus to another focus inclines downward and by irradiating the sample with infrared light reflected at a reflection surface from diagonally upward.例文帳に追加

また、回転楕円面反射鏡２を、一方の焦点から他方の焦点への直線が下方へ傾斜するように配置し、反射面で反射された赤外線を斜め上方から試料へ照射することにより、大口径の単結晶を育成可能とした。 - 特許庁

The single crystal diamond is grown by a vapor phase synthesis method, wherein the retardation between two mutually orthogonal linearly polarized lights outgoing from a principal surface being the opposite surface by irradiation of a linearly polarized light regarded as the synthesis of two mutually orthogonal linearly polarized lights on the other principal surface is a maximum of ≤50 nm per 100 μm of a sample thickness across the whole sample.例文帳に追加

１主面から２つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した２つの互いに直交する直線偏光の位相差が、試料全体にわたり、試料厚さ１００μｍあたり最大５０ｎｍ以下であることを特徴とする気相合成法により成長された単結晶ダイヤモンドである。 - 特許庁

A sample holder 32 of a measurement device 31 for measuring the resonance characteristic of a resonance element 21 made of a single crystal sphere of a ferrimagnetic body is formed tubular and structured to locate the resonance element 21 in its inside, and the tubular part 33 is provided with an intake port 34 and an exhausting port 35 for blast processing air.例文帳に追加

フェリ磁性体の単結晶球よりなる共振素子２１の共振特性を測定する測定器３１におけるサンプルホルダ３２を管状として、その内部に共振素子２１が位置される構造とし、その管状部３３にブラスト加工用エアの導入口３４と排気口３５とを設ける。 - 特許庁

In the probe 10 for the magnetic force microscope having a magnetic region at its pointed end part 12 and detecting the magnetic force caused by allowing the magnetic region to approach the surface of a sample, the magnetic region of the pointed end part 12 of the probe 10 is formed of a dia-ferromagnetic single crystal to micronize the self-magnetic field leaked from the magnetic region.例文帳に追加

尖端部１２に磁性体領域を有し、この磁性体領域を試料表面に接近させることにより生じる磁気力を検出する磁気力顕微鏡用プローブ１０であって、プローブ尖端部１２の磁性体領域が反強磁性単結晶で形成されるようにして、磁性体領域から漏れ出る自己磁場を微小にする。 - 特許庁

A level shift circuit 143 for level-shifting a timing pulse is mounted on an analog driver 14, wherein the level shift circuit 143 is formed from single crystal silicon as well as circuit devices constituting an analog sample hold circuit 141 and an analog buffer circuit 142, thereby the electrostatic countermeasure for the circuit devices inside the panel is taken more securely while attaining size reduction of the set and cost reduction.例文帳に追加

タイミングパルスをレベルシフトするレベルシフト回路１４３をアナログドライバ１４上に搭載し、当該レベルシフト回路１４３をアナログサンプルホールド回路１４１およびアナログバッファ回路１４２を構成する回路素子と共に単結晶シリコンで作製することにより、セットの小型化、低コスト化を図りつつ、パネル内部の回路素子に対してより確実な静電対策を施すようにする。 - 特許庁