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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > single-step methodの意味・解説 > single-step methodに関連した英語例文

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single-step methodの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 305



例文

GAS SHIELD ARC WELDING METHOD IN SINGLE BEVEL TWO STEP GROOVE, AND SINGLE BEVEL TWO STEP GROOVE DEDICATED GAUGE例文帳に追加

レ形2段開先ガスシールドアーク溶接方法及びレ形2段開先専用ゲージ - 特許庁

CONVEYER AND CONVEYING METHOD FOR STEP ROLL UNIT OF SINGLE FACER例文帳に追加

シングルフェ−サの段ロールユニットの搬送装置及び搬送方法 - 特許庁

STEP BUNCH SINGLE CRYSTAL SAPPHIRE INCLINED SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ステップバンチ単結晶サファイヤ傾斜基板及びその製造方法 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR PERFORMING SINGLE STEP CRYOABLATION例文帳に追加

単一ステップ凍結切除術を実施するためのシステムおよび方法 - 特許庁

例文

To provide a method for producing a single crystal substrate having a composite step-terrace structure comprising a downward step and an upward step on the surface of a single crystal.例文帳に追加

単結晶表面に下り方向段差と上り方向段差からなる複合ステップテラス構造を有する単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁


例文

METHOD OF PINNING STEP STRUCTURE FORMED ON SURFACE OF SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE HAVING PINNED STEP STRUCTURE例文帳に追加

単結晶基板表面に形成されるステップ構造のピン止め方法、及びピン止めされたステップ構造を有する単結晶基板 - 特許庁

The method for manufacturing a silicon carbide single crystal includes an arrangement step S1 and a sublimation/growth step S2.例文帳に追加

炭化ケイ素単結晶の製造方法は、配置工程S1と、昇華・成長工程S2とを有する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR ENDOSCOPICALLY PERFORMING GASTRIC REDUCTION SURGERY IN SINGLE STEP例文帳に追加

胃縮小手術を一段階で内視鏡的に実施する方法および器具 - 特許庁

To provide a method for introducing a triflate group into a specific substrate through a single step.例文帳に追加

特定の基質に一段階でトリフラート基を導入する方法を提供する。 - 特許庁

例文

The method includes a step of creating a first template using a single recorded master.例文帳に追加

単一の記録マスタを使用して第一のテンプレートを製造するステップを備える。 - 特許庁

例文

The method for manufacturing a thermoelectric material comprises a step of mixing Fe powder with a single element of Si at an element ratio of 1:2.例文帳に追加

Fe粉末とSiの単体元素の粉末を1:2の元素比で混合する。 - 特許庁

The method for manufacturing the thermoelectric material comprises the step of: mixing an Fe powder with a powder of an Si single element by an element ratio of 1:1.例文帳に追加

Fe粉末とSiの単体元素の粉末を1:2の元素比で混合する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for endoscopically performing gastric reduction surgery in a single step.例文帳に追加

胃縮小手術を一段階で内視鏡的に実施する方法および器具を提供する。 - 特許庁

The method also includes a step for concatenating the plurality of packets into a single jumbo packet.例文帳に追加

当該方法はまた、前記複数のパケットを単一の巨大パケットへと連結する段階を含む。 - 特許庁

The method further includes a step for applying a single set of security information to the jumbo packet.例文帳に追加

当該方法は更に、巨大パケットに単一組のセキュリティ情報を付加する段階を含む。 - 特許庁

A method for producing the diamond single crystal includes a step for providing a diamond single crystal substrate 101 as a plate-like seed crystal having a thickness of100 μm and a step for forming the diamond single crystal 102 on the diamond single crystal substrate 101 by a vapor phase synthetic method.例文帳に追加

ダイヤモンド単結晶の製造方法は、厚みが100μm以下の板状種結晶としてのダイヤモンド単結晶基板101を準備する工程と、ダイヤモンド単結晶基板101上にダイヤモンド単結晶102を気相合成法により形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a method capable of developing and gumming a printing plate precursor in a single step.例文帳に追加

単一の段階で版前駆体を現像し且つゴム引きすることができる方法を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing the multilayer printed wiring board 40 includes a step of preparing a single-sided plate 10; a step of hardening an insulating layer 14 of the single-sided plate 10 by heating the single-sided plate 10; and a step of preparing a two-sided plate 20.例文帳に追加

多層プリント配線板40の製造方法は、片面板10を準備する工程と、この片面板10を加熱することにより当該片面板10の絶縁層14の硬化処理を行う工程と、両面板20を準備する工程と、を備えている。 - 特許庁

To provide a method for producing boride single crystal which can produce boride single crystal excellent in crystallinity by removing impurities in the growing step of boride single crystal.例文帳に追加

ホウ化物単結晶の成長工程において不純物を除去し、結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができるホウ化物単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a solid crystal surface having a uniform single atom step by using a metal adsorption method.例文帳に追加

金属吸着法を用いて均一な単原子ステップを有する固体結晶表面を形成する方法を提供する。 - 特許庁

The method for heat treating the single crystal comprises a step of heating a single crystal of a specific cerium-doped silicate compound in an oxygen-containing atmosphere.例文帳に追加

特定のセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶を酸素を含む雰囲気中で加熱する工程を有する単結晶の熱処理方法。 - 特許庁

The method for heat treating the single crystal has a step of heating the single crystal of the specific cerium-activated orthosilicate compound in an oxygen-containing atmosphere.例文帳に追加

特定のセリウム付活オルト珪酸塩化合物の単結晶を酸素を含む雰囲気中で加熱する工程を有する単結晶の熱処理方法。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR AUTO-MATCHING THIN-FILM TRANSISTOR FOR FORMING DRAIN AND SOURCE IN SINGLE PHOTOLITHOGRAPHY STEP例文帳に追加

単一のフォトリソグラフィ・ステップでドレインとソースを画定するための自動整合薄膜トランジスタを製造する方法 - 特許庁

To provide a single-step method for removing bulk metal contamination from a III-V semiconductor substrate.例文帳に追加

III−V族半導体基板からバルク金属汚染を除去するための単一工程の方法を提供する。 - 特許庁

A wafer is obtained, by cutting a silicon single crystalline ingot obtained by a CZ method into thin discs (step S1).例文帳に追加

CZ法により得られたシリコン単結晶インゴットを薄円板状に切り出してウェハを得る(ステップS1)。 - 特許庁

The method includes a step for forming an SiGe alloy layer on a surface of a first single crystal Si layer.例文帳に追加

方法が、第1の単結晶Si層の表面上にSiGe合金層を形成するステップを含む。 - 特許庁

A method for producing an SiC-bonded substrate comprises a step S10 to prepare a plurality of single crystal bodies consisting of silicon carbide (SiC), a step S20 to form an assembly, a step S30 to bond the single crystal bodies with each other and a step S60 to slice the assembly.例文帳に追加

SiC張り合せ基板の製造方法は、複数の炭化珪素(SiC)からなる単結晶体を準備する工程S10と、集合体を形成する工程S20と、単結晶体同士を接続する工程S30と、集合体をスライスする工程S60とを備える。 - 特許庁

The method for measuring a local average absorption power according to the present invention includes: a vector estimation step including a single transmission amplitude measuring sub-step, a simultaneous transmission amplitude measuring sub-step, and a phase difference calculating sub-step; and a local average absorption power calculating step including a synthetic sub-step and a local average absorption power candidate calculating sub-step.例文帳に追加

本発明の局所平均吸収電力測定方法は、単独送信振幅測定サブステップ、同時送信振幅測定サブステップ、位相差計算サブステップを有するベクトル推定ステップと、合成サブステップ、局所平均吸収電力候補計算サブステップを有する局所平均吸収電力計算ステップを有する。 - 特許庁

This method comprises a step of forming single crystals by grinding a polymeric polycrystal, a step of forming a group of single crystal groups of even orientation directions by applying an external force to the single crystals, and a step of dissolving or melting surfaces of the individual single crystals of the groups to form a continuously oriented structure by attaching the single crystals together.例文帳に追加

高分子の多結晶体を粉砕して単結晶を形成する工程と、前記単結晶に外力を加え配向方向のそろった一群の単結晶群にする工程と、前記単結晶群の個々の単結晶表面部分を溶解または溶融し、単結晶同士を付けて連続配向体を形成する工程とを備える高分子の連続配向体の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal wafer by which a loss caused by carrying out an outer peripheral grinding of a crystal in a cylindrical grinding step or a beveling step in a process for producing the silicon single crystal wafer having200 mm diameter using a silicon single crystal grown by the Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法で育成されたシリコン単結晶を用いて直径200mm以上のシリコン単結晶ウエーハを製造する工程において、円筒研削工程やべべリング工程で結晶の外周研削を行なうことにより生じる損失を低減する製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for measuring the warpage on a single crystal substrate includes a generation step to generate an X ray with an angle spread, an irradiation step to irradiate the single crystal substrate with the X ray with the angle spread, and a detection/measurement step that detects the X ray diffracted from the single crystal substrate to measure the warpage on the single crystal substrate.例文帳に追加

単結晶基板の反り測定方法であって、角度広がりを持つX線を発生させる発生ステップと、前記角度広がりを持つX線を単結晶基板に照射する照射ステップと、前記単結晶基板からの回折X線を検出して、前記単結晶基板の反りを測定する検出・測定ステップと、を含むようにする。 - 特許庁

The method of manufacturing the diode includes a step of separating a sapphire substrate which can prevent the surface of a single GaN crystal from being damaged.例文帳に追加

特に、前記方法においては、GaN単結晶面のダメージを防止できるサファイア基板の分離工程を提案する。 - 特許庁

To provide a method for determining the quantity of cholesterol in high specific gravity lipoprotein by a single-step assay using a dry slide.例文帳に追加

乾式スライドを使ったシングル・ステップ・アッセイによる高比重リポタンパク質中のコレステロールの定量方法を提供する。 - 特許庁

To provide a rank step-down method for MIMO SCW (single code word) design employing HARQ.例文帳に追加

HARQを使用するMIMO SCW(単一符号語)設計のためのランクの段階的低下方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing in a single step a specific 2- arylbenzimidazolesulfonic acid useful as an ultraviolet filter.例文帳に追加

紫外線フィルタとして有用な、特定の2−アリールベンズイミダゾールスルホン酸を1段階で製造する方法を提供する。 - 特許庁

The method includes: a melting step of heating a source material used for producing an oxide single crystal to obtain a melt 18; an impurity removing step of retaining the melt state to decrease impurities included in the melt; and a single crystal growing step of producing an oxide single crystal 1 from the melt 18 of the source material after the impurity removing step.例文帳に追加

酸化物単結晶の製造に使用する原料を加熱して融液18を得る溶融工程と、融液状態を保持することにより融液に含まれる不純物を低減させる不純物除去工程と、この不純物除去工程を経た原料の融液18から酸化物単結晶1を製造する単結晶育成工程とを備える。 - 特許庁

The method for etching an area having a negatively polarized face in a fluoride ferroelectric single crystal comprises a step of heating hydrochloric acid and a step of applying the hydrochloric acid to the fluoride ferroelectric single crystal.例文帳に追加

フッ化物強誘電体単結晶における負の分極面を有する領域をエッチングする方法は、塩酸を加熱するステップと、塩酸をフッ化物強誘電体単結晶に付与するステップとを包含する。 - 特許庁

In the method for producing a silicon single crystal by Czochralski method, the silicon single crystal is pulled in a tail growing step by controlling the furnace inner pressure of a pulling device to be in the range from 0.5 to 0.8 times as the pressure when a step of growing a straight body portion is finished.例文帳に追加

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法において、テール部育成工程における引き上げ装置の炉内圧を直胴部育成工程終了時の0.5から0.8倍の範囲に下げてシリコン単結晶の引き上げを行う。 - 特許庁

The method for producing the epitaxial wafer includes a step for pulling a single crystal from a boron-added silicon melt by a Czochralski method in a chamber and a step for forming an epitaxial layer on the surface of a silicon wafer obtained by slicing the single crystal.例文帳に追加

ボロンが添加されたシリコン融液から単結晶をチャンバ内でチョクラルスキー法により引上げる工程と単結晶をスライスして得られたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法である。 - 特許庁

This method for forming the antibody-based structure suitable for the in vivo use comprises (a) a step of selecting an antibody single variable domain having an epitope-binding specificity, and (b) a step of attaching the single domain in the step (a) with an effector group.例文帳に追加

工程:(a)エピトープ結合特異性を有する抗体単一可変ドメインを選択すること;および(b)工程(a)の単一ドメインをエフェクター基と連結することを含む、in vivoでの使用に適した抗体を基礎とする構造を生成するための方法。 - 特許庁

To provide a substrate mounting method for completing the steps of mounting a sub-substrate and to provide mounting components on a main substrate as a single step.例文帳に追加

メイン基板へのサブ基板と実装部品の搭載を行う工程を一度で行う基板実装方法を提供する。 - 特許庁

This method can additionally include a step for reviewing a single or a plurality of selected time priority periods about a user.例文帳に追加

本方法は、ユーザについて1つまたは複数の選択された時間優先期間を見直すステップをさらに含むことができる。 - 特許庁

To provide a separator for a fuel cell formed with a channel with no step in the thickness of a single frame, and its manufacturing method.例文帳に追加

1つのフレームの板厚内に、段差をもたない流路を形成した燃料電池用セパレータとその製造方法の提供。 - 特許庁

The manufacturing method of the ferroelectric crystal has a substrate preparing step S1, a step S2 for performing VTE (Vapor Transport Equilibration)-treatment of the prepared substrate, a step S3 for forming an electrode film on the substrate, a polarizing step S4 for polarizing the substrate in a single domain, an annealing treatment step S5 and the like.例文帳に追加

本発明の強誘電体結晶の製造方法は、基板作製工程S1と、作製した基板をVTE処理する工程S2と、基板上に電極膜を形成する工程S3と、基板を単分域化処理する分極工程S4と、アニール処理工程S5等を有している。 - 特許庁

The method of manufacturing a polymer single crystal comprises a step of removing the solvent from the solution containing the helical polyacetylene having a columnar-content of25% and the solvent to obtain a polymer single crystal-containing film containing the helical polyacetylene single crystal, and a step of treating the polymer single crystal-containing film with a solvent to obtain the polymer single crystal composed of the helical polyacetylene single crystal.例文帳に追加

カラムナー含有率が25%以上である螺旋型ポリアセチレンと、溶媒を含有する溶液から、前記溶媒を除去して前記螺旋型ポリアセチレンの単結晶を含有する高分子単結晶含有膜を得る工程、前記高分子単結晶含有膜を溶媒で処理して前記螺旋型ポリアセチレンの単結晶からなる高分子単結晶を得る工程を有する高分子単結晶の製造方法。 - 特許庁

The method comprises only two method steps including: a first joining step of joining two fabric material panels; and a second impermeabilizing step which is carried out by cauterizing and sealing a strip element, and is performed by a single machine in a single operation thereof.例文帳に追加

2つの繊維材料パネルを接合する第1の接合ステップと、焼灼およびストリップ要素の封止によって実施され1つの機械によってその1つの工程において行なわれる第2の不浸透化ステップの2つの方法ステップのみで成り立っている。 - 特許庁

Therefore, a step of forming the vibration plate, a step of grinding the silicon single crystal substrate, and a step of forming a mask for etching the silicon single crystal substrate can be skipped, so that a method for manufacturing an inkjet type recording head 1 reduced in manufacturing cost can be obtained.例文帳に追加

したがって、振動板の形成工程、シリコン単結晶基板を研削する工程およびシリコン単結晶基板をエッチングするためのマスク膜を形成する工程を省略でき、製造コストの低減したインクジェット式記録ヘッド1の製造方法を得ることができる。 - 特許庁

The method for forming the single-stranded DNA segment/single-walled carbon nanotube composite includes a step of forming the single-stranded DNA segment/single-walled carbon nanotube composite by bonding the single-stranded DNA segment to the single-walled carbon nanotube, wherein each single-stranded DNA segment has the same length of larger than 2,000-bases.例文帳に追加

上記の一本鎖DNAセグメント/単層カーボン・ナノチューブ複合体を形成する方法は、一本鎖DNAセグメントを単層カーボン・ナノチューブに結合させて一本鎖DNAセグメント/単層カーボン・ナノチューブ複合体を形成するステップを含む方法であって、前記一本鎖DNAセグメントのそれぞれが2,000塩基より大きい同一の長さを有する方法である。 - 特許庁

To disclose a single tunnel gate oxidation method for fabricating a NAND memory string where a gate oxide (24) of select transistor and floating gate memory transistor is fabricated in a single oxidation step.例文帳に追加

選択トランジスタと浮遊ゲート・メモリ・トランジスタのゲート酸化物(24)を単一の酸化工程で製造する、NANDメモリ・ストリングを製造するための単一トンネル・ゲート酸化方法を開示する。 - 特許庁

例文

A multi-step signing system and method uses multiple signing devices (11, 13, 15, 17, 19) to affix a single signature which can be verified using a single public verification key.例文帳に追加

多数の署名装置(11、13、15、17、19)を用いるマルチステップ署名システム及び方法は単一の公開照合鍵をもちいて照合される単一の署名を添付する。 - 特許庁




  
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