「single-step method」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

This method according to the invention, which comprises a step of heat-treating the epitaxial wafer W, having an epitaxial layer EP formed by epitaxially growing silicon single crystals on the surface of a silicon substrate SUB, in a gas atmosphere, is characterized in that the gas atmosphere of the step includes nitride gas.例文帳に追加

シリコン基板ＳＵＢの表面にシリコン単結晶をエピタキシャル成長したエピタキシャル層ＥＰを有するエピタキシャルウェーハＷを雰囲気ガス中で熱処理する工程を有し、該工程の前記雰囲気ガスは、窒化ガスを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes: a modified layer forming step for pulse-irradiating a substrate 10 consisting of single crystal silicon with a laser light L by moving a focal position, and partially polycrystallizing the single crystal silicon to form a continuous modified layer 11 in the single crystal silicon; and an etching step for etching the modified layer 11 to remove it.例文帳に追加

単結晶シリコンからなる基板１０に対して、焦点位置を移動させてレーザ光Ｌをパルス照射し、前記単結晶シリコンを部分的に多結晶化して、前記単結晶シリコン中に連続した改質層１１を形成する改質層形成工程と、前記改質層１１をエッチングして除去するエッチング工程と、を備える半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

A method of producing a component including a single crystal substrate, on which at least one single crystal layer is deposited, includes one or several step/steps on deposition of a single crystal layer by powdering a metal or a semiconductor in gas plasma wherein deposition speed of an atom is slow compared with homogenization speed of such an atom in the step.例文帳に追加

本発明は、少なくとも１つの単結晶層が堆積された単結晶基板を含む構成要素の製作方法に関し、この方法は、気体プラズマ内の金属または半導体の粉末化による単結晶層の堆積に関する１つまたはいくつかのステップを含み、原子堆積の速度が、ステップ自体の中では、かかる原子の均質化速度より遅いことを特徴とする。 - 特許庁

To provide: a method of growing a gallium nitride-based compound semiconductor, using a substrate made of a diboride single crystal having on its surface an atomic step linear as a whole and a flat terrace without pits and projections on its surface, and to provide a method of processing the surface of a substrate made of a diboride single crystal.例文帳に追加

全体が直線状の原子ステップ及び表面に凹凸のない平坦なテラス部を表面に有する二硼化物単結晶から成る基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法、及び二硼化物単結晶から成る基板の表面処理方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step for forming a fin-shaped projection 5 using plasma etching on a single-crystal silicon layer 3 of the SOI wafer, a step for forming a sacrificial oxide film 6 on the top surface containing the damage arising on the projection 5, a step for eliminating the sacrificial oxide film 6 by wet-etching, and a reflow step for heating a buried oxide layer 2 for reflow.例文帳に追加

ＳＯＩウエハにおける単結晶シリコン層３にプラズマエッチングを施して、フィン状の突起部５を形成する工程と、突起部５に生じたダメージを含む表面に犠牲酸化膜６を形成する工程と、犠牲酸化膜６をウエットエッチングにより除去する工程と、埋め込み酸化物層２を加熱してリフローさせるリフロー工程とを含む。 - 特許庁

The method includes a step (1202) for forming a single crystal Si substrate having surfaces, a step (1204) for forming Si feature such as via, trench, or pillar in the substrate, a step (1206) for forming dots from materials of Ge superimposed on the Si feature or silicon germanium, and a step(1208) for forming the path including the dots.例文帳に追加

本発明の方法は、表面を有する単結晶Ｓｉ基板を形成するステップ（１２０２）と、基板内に、ビア、トレンチ、またはピラーのようなＳｉフィーチャを形成するステップ（１２０４）と、Ｓｉフィーチャの上に重なるＧｅまたはシリコンゲルマニウムの材料からドットを形成するステップ（１２０６）と、ドットを含む光路を形成するステップ（１２０８）とを含有する。 - 特許庁

The method for forming an acoustic laminated body (370) for an ultrasonic probe (106) includes a step of partially dicing the single-crystal piezoelectric material so as to form a single crystal piece (240) partially separated by a plurality of cut grooves (242).例文帳に追加

超音波探触子（１０６）用の音響積層体（３７０）を形成するための方法が、単結晶圧電材料を、複数の切り溝（２４２）によって一部分離された単結晶片（２４０）を形成するように一部ダイシングするステップを含む。 - 特許庁

The production process of a silicon single crystal wafer comprises a first heat treatment process performing heat treatment on a silicon wafer obtained by processing a single crystal grown by Czochralski method, and a step for polishing the heat treated wafer surface until a device active layer becomes a predetermined thickness.例文帳に追加

チョクラルスキー法によって育成された単結晶から加工されたシリコンウェーハに熱処理を施す第１熱処理工程と、熱処理が施されたウェーハ表面を、所定厚さのデバイス活性層を残すように研磨する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method for producing an aluminum nitride single crystal where yield is enhanced by effectively suppressing the occurrence of cracks at the neighborhood of the boundary surface to a seed substrate in a temperature falling step after the aluminum nitride single crystal is formed on the seed crystal substrate.例文帳に追加

種子結晶基板上に窒化アルミニウム単結晶を形成した後の降温過程において、種子基板との界面近傍で生じるクラックが効果的に抑制され、歩止り向上が図れる窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor wafer includes a step of forming a temporary n-type single crystal silicon wafer 21a, wherein slicing a second n-type single crystal silicon ingot 110 with a multi wire saw 200 is started from an addition part 110a.例文帳に追加

本実施形態に係る半導体ウェハの製造方法によれば、仮ｎ型単結晶シリコンウェハ２１ａを形成する工程において、マルチワイヤーソー２００による第２ｎ型単結晶シリコンインゴット１１０のスライスを付加部１１０ａから開始する。 - 特許庁

The method for producing metal single crystal includes a step of bringing the solution of a salt containing the metal into contact with the surface of a tannin layer disposed on an epoxy resin cured layer to precipitate the single crystal of the metal on the surface of the tannin layer.例文帳に追加

エポキシ樹脂硬化層の上に配置されたタンニン層の表面に、前記金属を含む塩の溶液を接触させ、前記タンニン層の表面に前記金属の単結晶を析出させる工程を含む、金属の単結晶を製造する方法。 - 特許庁

The method to produce the brewed liquor comprises a single cell-forming step of adding and reacting an enzyme selectively degrading intercellular substances without degrading cell walls to the raw material for fermentation and converting the raw material for the fermentation into single cells.例文帳に追加

醸造酒の製造方法において、発酵用原料に細胞壁を分解せず且つ細胞間物質を選択的に分解することが可能な酵素を添加し作用させ、発酵用原料を単細胞化する単細胞化工程を含む。 - 特許庁

To provide a washing method of a filter membrane by a chemical-addition reverse washing method, wherein a single chemical is used and a variation of washing effect is controlled without increasing a chemical-addition concentration and increasing a practice frequency of a chemical-addition reverse washing step and a rinse step to effectively wash the filter membrane.例文帳に追加

薬品添加逆洗方式によるろ過膜の洗浄方法において、単一の薬品を使用し、薬品添加濃度を上げることや、薬品添加逆洗工程およびリンス工程の実施頻度を上げることなしに洗浄効果のバラツキを抑制し、効率的なろ過膜の洗浄を行なう。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a wiring circuit board for simultaneously forming metal-plated layers in different thicknesses on an insulating part as a part of the surface of a board by a single step of plating treatment.例文帳に追加

基板の一面をなす絶縁部上に、厚さの異なる金属めっき層を、１回のめっき処理により同時に形成できる、配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method is provided with a step in which a single chip is mounted at the first part in the permanently-installed substrate by the chip-bonding technique in order to solve the problem of the brittleness of an EPI wafer.例文帳に追加

製造方法は、ＥＰＩウェハの脆弱性の問題を解決するために、常設基板の第１の部分にチップボンディング技術によって単一のチップを実装するステップを備える。 - 特許庁

This method comprises a step of forming first patterns 2 and second patterns 3 on a single ceramic green sheet, the patterns 2 and 3 being internal electrode patterns to be counterposed with each other in the direction of lamination as a finished product.例文帳に追加

同一セラミックグリーンシート上に、製品状態で積層方向に互いに対向させるべき内部電極パターンである第１パターン２と第２パターン３とを形成する。 - 特許庁

The deposition method has a process step of chemically adsorbing at least a first layer of the one single-layer film thickness on the substrate by bringing the substrate into contact with the first precursor at the first temperature.例文帳に追加

堆積方法は、第１温度において、基板を第１前駆体に接触させ、前記基板上に少なくとも１単層膜厚の第１層を化学吸着する工程を有する。 - 特許庁

The method comprises a step for providing an imager array 40 comprising n rows and m columns where a pair of rows can be read during a single row access time.例文帳に追加

本方法は、ｎ個の行およびｍ個の列を備えており、該行の一対を単一行アクセス時間の間に読み取ることができるようなイメージャアレイ４０を提供するステップを含んでいる。 - 特許庁

To provide both a method for flameproofing a carbon filament bundle precursor capable of eliminating treatment unevenness among single filaments in a flameproofing treatment step and preventing fluffs or damages to filaments and an apparatus for flameproofing.例文帳に追加

耐炎化処理工程での単繊維間での処理斑を無くすと共に、毛羽や糸の損傷を阻止できる炭素繊維束前駆体の耐炎化方法及び耐炎化装置を提供する。 - 特許庁

Further, in the method of manufacturing the fluorite crystal, a step for analyzing the concentration of an impurity in a part of the fluorite polycrystal and judging from the analyzed value whether the quality of the formed fluorite single crystal is good or not.例文帳に追加

さらに、蛍石多結晶体の部分の不純物濃度を分析し、その値で生成した蛍石単結晶の品質の良否を判定する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

This method of manufacturing thin polycrystalline silicon semiconductor film includes a step of irradiating single argon, helium, neon, and nitrogen gas cluster beams and their mixed gas cluster beam onto a thin polycrystalline silicon film.例文帳に追加

多結晶シリコン薄膜に、アルゴン、ヘリウム、ネオン、窒素の単体ガス、およびそれらを混合したガスクラスタービームを照射する工程を備える多結晶シリコン半導体薄膜の製造方法。 - 特許庁

In the utilization method of the EIA plate comprises a substantially single step wherein a reaction liquid is added to the EIA plate after the sample is added to the EIA plate to measure the APC sensitivity.例文帳に追加

このＥＩＡプレートに対して試料を添加してから反応液を加えてＡＰＣ感受性を測定すると言う、実質的に単一のステップからなるＥＩＡプレートの利用方法。 - 特許庁

The method for metabolic MR imaging for the hyperpolarization chemical agent includes a step (138) for exciting a single metabolic species of a hyperpolarized chemical agent injected into a subject of interest.例文帳に追加

過分極薬剤に対する代謝ＭＲ撮像のための方法は、関心対象物に注入された過分極した薬剤の単一代謝化学種を励起させる工程（１２８）を含む。 - 特許庁

The deodorizing and sterilizing method comprises a step of scattering or mixing a single substance or mixed solution of a hydrogen peroxide, a solution with a tartaric acid or a citric acid in the filth or the drainage causing various type of malodors.例文帳に追加

各種悪臭発生源となる、汚物・排水に過酸化水素水と酒石酸あるいはクエン酸の単品又は混合液を撒布・混合することによる脱臭・滅菌処理法 - 特許庁

The wafer polishing method includes a slicing step of cutting out a wafer from a single crystal ingot and a step of polishing at least one of both surfaces and the end face of the wafer, wherein the at least one surface and end face of the wafer are simultaneously subjected to a mirror polishing.例文帳に追加

単結晶インゴットからウェーハを切り出すスライス工程と、該ウェーハの両面のうち少なくとも片面および端面を研磨する工程とを具え、ウェーハの前記少なくとも片面と端面とを同時に鏡面研磨することを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the liquid crystal display devices having the process step for forming of non-single crystalline Si films on a transparent substrate and a cleaning process step of treating the substrate with an aqueous ozone solution, then treating the same with a dilute aqueous hydrofluoric acid solution.例文帳に追加

本発明は、透明基板上に非単結晶Ｓｉ膜を形成する工程と、オゾン水溶液で処理した後、希フッ酸水溶液で処理する洗浄工程とを有する液晶表示装置の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

This method for producing a langasite-based single crystal substrate comprises a step for polishing at least either one main face of a raw material substrate and a step for carrying out wet etching of main face of the polished substrate in a solution containing H3PO4, HNO3 and CH3COOH.例文帳に追加

ランガサイト系単結晶基板の製造方法は、原料基板の少なくとも一方の主面を研磨する工程と、この研磨した基板の主面をＨ_3ＰＯ_4、ＨＮＯ_3およびＣＨ_3ＣＯＯＨを含む溶液で湿式エッチングする工程とを備える。 - 特許庁

A method for publishing and managing the collection of related documents includes a step of designating the related documents which should be included in the collection, and a step of collectively executing desired operations, in each document in the collection by integrally issuing a single command corresponding to the operation.例文帳に追加

コレクションに含めるべき関連ドキュメントを指定する段階と、オペレーションに対応する単一のコマンドを統合的に発することによってコレクション内の各ドキュメントで所望のオペレーションを集合的に実行する段階とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of efficiently forming a plurality of circuits of the same shape and a plurality of discriminating marks for discriminating the circuits of the same shape from each other on a single processing board through a step and repeat exposure method.例文帳に追加

ステップ・アンド・リピート露光方法を用いて、１枚の加工基板上に複数同形の回路と、複数同形の回路を識別するための複数識別記号と、を効率的に形成する製造方法を提供する。 - 特許庁

Antibodies are produced by a method for producing VHH single heavy-chain antibodies in mammals, the method comprising a step of expressing a heterologous VHH heavy chain gene locus in antibody-producing cells of mammals.例文帳に追加

哺乳動物の抗体産生細胞において、異種ＶＨＨ重鎖遺伝子座を発現させるステップを含む、哺乳動物におけるＶＨＨ単一重鎖抗体の産生方法により抗体を産生する。 - 特許庁

To provide a method of producing a semiconductor single crystal rod by an FZ method (floating zone method or floating zone melting method) that copes with a growth process (cone step, straight body step, or the like) of a crystal and an operation condition (rotational speed, rotary direction, or the like of a crystal), controls a crystal diameter, or the like stably, and grows a crystal stably.例文帳に追加

結晶の成長工程（コーン工程や直胴工程等）や操業条件（結晶の回転数や回転方向等）に対応でき、安定して結晶径等を制御でき、安定した結晶成長を行うことが可能なＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体単結晶棒の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method is composed of an object model image generation step generating a model image of a single object 11, an object presence arrangement pattern image creation step using design data, an object position detection step, an imaging object arrangement pattern image creation step, and a correlation computation step performing correlation computation between the object presence arrangement pattern image and the imaging object arrangement pattern image.例文帳に追加

位置検出方法を、単一の対象物１１のモデル画像を生成する対象物モデル画像生成ステップと、設計データを用いた対象物有無配列パターン画像作成ステップと、対象物位置検出ステップと、撮像対象物配列パターン画像作成ステップと、対象物有無配列パターン画像と撮像対象物配列パターン画像との相関演算を行う相関演算ステップとで構成した。 - 特許庁

To provide a hot dip Zn-Mg-Al alloy coating method with which one step coating method with a single bath of the fused An-Mg-Al alloy in a flux treating method can be applied and also, zinc chloride and ammonium chloride can be used as the flux.例文帳に追加

フラックス処理法による溶融Ｚｎ−Ｍｇ−Ａｌ合金の単独浴による一段階メッキ法が可能で、しかも、フラックスとして塩化亜鉛と塩化アンモニウムの使用ができる溶融Ｚｎ−Ｍｇ−Ａｌ合金メッキ方法の提供。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device using the silicon carbide single-crystal substrate, a metal contamination removing process for the silicon carbide surface is applied which comprises: a step of oxidizing the silicon carbide surface; and a step of removing a film mainly composed of silicon dioxide, the film being formed on the silicon carbide surface in the step.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面を酸化するステップと、該ステップにより炭化珪素表面に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜を除去するステップとからなる炭化珪素表面の金属汚染除去工程を適用する。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method comprises a step of depositing a sapphire film 120 on a glass substrate 100, a step of depositing an amorphous silicon film 130 on the sapphire film 120 and a step of irradiating the silicon film 130 with an energy beam to grow this film 130 in a liquid phase to form a single-crystal silicon film 140.例文帳に追加

半導体装置の製造方法はガラス基板100上にサファイア膜120を堆積する工程と、このサファイア膜120上に非晶質シリコン膜130を堆積する工程と、この非晶質シリコン膜130に対してエネルギー線を照射し、非晶質シリコン膜130を液相成長させて単結晶シリコン膜140とする工程とを備える。 - 特許庁

A film formation method includes a titanium film formation step of forming the titanium film on an interlayer insulation film 520 and a silicon-containing surface 512 on a bottom of a contact hole 530, a nitriding step of nitriding the entire titanium film to form the single titanium nitride film 550, and a tungsten film formation step of forming the tungsten film 560 on the titanium nitride film.例文帳に追加

層間絶縁膜５２０上およびコンタクトホール５３０底部のシリコン含有表面５１２上にチタン膜を形成するチタン膜形成工程と，このチタン膜をすべて窒化し，単一の窒化チタン膜５５０を形成する窒化工程と，窒化チタン膜上にタングステン膜５６０を形成するタングステン膜形成工程とを有する。 - 特許庁

The method for forming the fine pattern comprises a step of cooling a single crystal substrate to -50°C to -273°C, a step of implanting charged particles of a dosage of 1×1014 cm-2 to 5×1016 cm-2 at a predetermined acceleration voltage, and a step of returning the substrate to the ambient temperature.例文帳に追加

単結晶基板１を−５０℃以下−２７３℃以上の低温に冷却する工程と、単結晶基板の表面に荷電粒子を１×１０^14ｃｍ^-2以上５×１０^16ｃｍ^-2以下のドーズ量にて、所定の加速電圧で注入する工程と、単結晶基板を室温に戻す工程とから少なくともなる。 - 特許庁

The inventive method comprises a step for forming a platinum alloy film of arbitrary shape and thickness on a nonmagnetic garnet single crystal substrate 1, and a step for growing a magnetic garnet single crystal film 3 on the nonmagnetic garnet single crystal substrate 1 by bringing a magnetic garnet material liquid containing lead oxide as flux into contact with the nonmagnetic garnet single crystal substrate 1 and removing platinum or platinum alloy therefrom by means of the flux.例文帳に追加

非磁性ガーネット単結晶基板１上に、白金または白金合金の膜を任意の形状および厚さに形成する工程と、融剤として酸化鉛を含有する磁性ガーネット原料融液と前記非磁性ガーネット単結晶基板１を接触させ、この非磁性ガーネット単結晶基板１上の白金または白金合金を融剤によって除去しながら、非磁性ガーネット単結晶基板１上に磁性ガーネット単結晶膜３を育成する工程とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the optical element containing the lithium tantalate single crystal with the substantially stoichiometric composition comprises: a step to form periodic polarization reversal regions on the lithium tantalate single crystal with the substantially stoichiometric composition; and a step to cut off both terminal portions, in longitudinal directions, of the lithium tantalate single crystal with the substantially stoichiometric composition, wherein the respective periodic polarization reversal regions on both terminal portions include tapered polarization reversal portions.例文帳に追加

実質的に定比組成のタンタル酸リチウム単結晶を含む光学素子を製造する方法は、実質的に定比組成のタンタル酸リチウム単結晶に周期分極反転領域を形成する工程と、実質的に定比組成のタンタル酸リチウム単結晶の長手方向の両端部を切断する工程であって、両端部の周期分極反転領域のそれぞれは、先細りの分極反転部分を含む。 - 特許庁

This production method comprises a growth step for supplying a prescribed raw material to a growth section controlled so as to be maintained under prescribed conditions, to grow a compound semiconductor single crystal having a prescribed outer diameter, and a strain removal step for heating the grown compound semiconductor signal crystal having the prescribed out diameter to a prescribed heat treatment (annealing) temperature, to remove strain inside the single crystal.例文帳に追加

所定の成長条件で制御された成長部へ、所定の原料を供給して所定の外径の化合物半導体単結晶を成長させる成長ステップと、所定の外径の化合物半導体単結晶を所定の熱処理（アニール）温度まで加熱して内部の歪を除去する歪除去ステップとを含むものとする。 - 特許庁

The method includes a step of forming a first silicon crystalline layer 12 doped with oxygen atoms on a silicon single crystalline substrate 11, a step of forming a silicon/germanium crystalline layer 13 on the first layer 12, a step of forming a second silicon crystalline layer 14 on the silicon/ germanium crystalline layer 13, and a step of heat-treating the second layer 14 to provide distortion thereto.例文帳に追加

シリコン単結晶基板１１上に酸素が添加された第１のシリコン結晶層１２を形成する工程と、第１のシリコン結晶層１２上にシリコン・ゲルマニウム結晶層１３を形成する工程と、シリコン・ゲルマニウム結晶層１３上に第２のシリコン結晶層１４を形成する工程と、熱処理により第２のシリコン結晶層１４に歪みを与える工程とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the motor stator comprises: a step of providing a silicon steel sheet set formed by tightly stacking a plurality of silicon steel sheets; a step of installing the silicon steel sheet set in a single metal mold; a step of injecting a plastic material into the metal mold; and a step of solidifying the plastic material and joining the solidified plastic material to the silicon steel sheet set.例文帳に追加

複数のシリコンスチールシートを緊密に積重して形成したシリコンスチールシートセットを提供するステップと、前記シリコンスチールシートセットを単一金型内に設置するステップと、前記金型内にプラスチック材料を注入するステップと、前記プラスチック材料を固化し、当該プラスチック材料を前記シリコンスチールシートセットに接合させるステップとを含むモーター固定子の製造方法。 - 特許庁

The method and system comprise a step for providing a single source for receiving a plurality of related globally reported errors and a step for filtering the plurality of related globally reported errors such that only one call for service is provided.例文帳に追加

この方法およびシステムは、複数の関連するグローバルに報告されたエラーを受け取るための単一のソースを提供するステップと、サービス要求が１つだけ提供されるように、複数の関連するグローバルに報告されたエラーをフィルタリングするステップとを含む。 - 特許庁

To provide a winding method of a single yarn thick fineness multifilament which has high hardness, is excellent in shape stability, reduces a bulge and cob-webbing without generating a ribbon, and provides high step passing performance by reducing a yarn cut in unreeling in a post-step such as weaving and yarn dividing.例文帳に追加

硬度が高く形状安定性が良好で、リボンの発生がなくバルジや綾落ちも少なく、製織や分繊などの後工程における解舒時に糸切れが少なく高い工程通過性が得られる単糸太繊度マルチフィラメントの巻取り方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method uses a low-cost process step and a wet chemical etching step at a mainframe, and the SPM sensor which is provided with the rectangular cantilever having the tip protruding or not protruding from the free end part is manufactured from a single object.例文帳に追加

本製造法は費用のかからないプロセスステップ、大体において湿式化学エッチングステップを利用し、その結果自由端部より突出しまたは突出しないチップを持つ矩形片持ちばりを備えたＳＰＭセンサーを単一物から製造することを可能にする。 - 特許庁