「single-step method」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing a carbon fiber precursor acrylic fiber bundle, by which fusion between single fibers in a flame-resisting step and the deposition of scales originated from silicones in a spinning step and in a baking step can be prevented, and step passableness can be improved.例文帳に追加

耐炎化工程における単繊維間の融着を抑制でき、かつシリコーン由来の紡糸工程、焼成工程でのスケールの堆積を抑制し、工程通過性を改善することができる炭素繊維前駆体アクリル繊維束の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a GaN single crystal substrate includes an ingot forming step of forming an ingot 64 of a GaN single crystal by growing an epitaxial layer 62 made of hexagonal GaN on the GaN single crystal using the GaN single crystal as a seed crystal, and a cutting step of cutting the ingot 64 into a plurality of sheets.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の製造方法は、ＧａＮ単結晶を種結晶として当該ＧａＮ単結晶の上に六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層６２を成長させて、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を形成するインゴット形成工程と、インゴット６４を複数枚に切断する切断工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

This method comprises a step for deciding a super sample image buffer 104 and single sample image buffers 102, 112 and a step using the texture mapping subsystem 18 for down sampling the super sample image to the single sample image buffers 102, 112.例文帳に追加

この方法は、スーパーサンプル画像バッファ１０４およびシングル・サンプル画像バッファ（１０２、１１２）を定めるステップと、テクスチャマッピング・サブシステム１８を使用してスーパーサンプル画像をシングル・サンプル画像バッファ（１０２、１１２）にダウンサンプリングするステップと、を含む。 - 特許庁

The working method comprises the step of forming an etching mask comprising a nitrogen-containing compound on the surface of single crystal alumina and the step of subjecting the single crystal alumina to reactive ion etching with a plasma containing boron and chlorine by using the etching mask.例文帳に追加

単結晶アルミナ表面に窒素を含む化合物からなるエッチングマスクを形成する工程と、単結晶アルミナをエッチングマスクを用いてホウ素と塩素を含むプラズマによる反応性イオンエッチングを行う工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for forming an alignment layer, by which an alignment layer for a liquid crystal can be formed in a single step of simultaneously carrying out a film forming step and an aligning step by using an ion beam sputtering method and the size of a substrate is not much limited.例文帳に追加

イオンビームスパッタリング法を用い、製膜工程と配向工程とを同時に行う単一の工程で液晶用配向膜を形成することが可能で、かつ、基板のサイズが大きく制限されない配向膜形成装置及び方法を提供する。 - 特許庁

The invention is directed to a single-step method for rapidly and efficiently preparing protein-polymer conjugates, including an insulin-polymer conjugate.例文帳に追加

本発明は、インスリン−ポリマー結合体を含む、タンパク質−ポリマー結合体を迅速にかつ効率的に調製する単一工程の方法に関する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the step of forming a cross-shaped mask 64 for forming a cross-shaped active region on a single crystal silicon layer 16 of an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の単結晶シリコン層１６の上に、十字状アクティブ領域を形成するため十字状マスク６４を形成する。 - 特許庁

The method of making a micro corner cube array 10 comprises a step of preparing a single crystal substrate 1, 4 which consists of cubic single crystals and has a surface substantially parallel to {111} planes of the crystals; and a step of etching the surface of the single crystal substrate 1, 4 anisotropically.例文帳に追加

マイクロコーナーキューブアレイ１０は、立方晶系の結晶からなる単結晶基板１，４であって結晶の｛１１１｝面と実質的に平行な表面を有する単結晶基板１，４を用意する工程と、この単結晶基板１，４の表面に対して異方性エッチング処理を行なう工程とによって作製される。 - 特許庁

The method of adjusting the color saturation of a single color of a digital image includes a step of determining an area, corresponding to the single color and adjusting the color saturation of pixels of which the coordinate values are within the determined area.例文帳に追加

デジタル画像の単一色の色飽和度を調整する方法は、単一色と相応する領域を決め、座標値が決められた領域にあるピクセルの色飽和度を調整するステップを含む。 - 特許庁

To provide a method for glowing a silicon single crystal where dislocations remained in the central axis portion of a neck part in a necking step can be surely removed when the single crystal with a large diameter and a heavy weight is produced.例文帳に追加

大口径で大重量のシリコン単結晶を製造する際、ネッキング工程でネック部の中心軸部分に残った転位を、確実に除去できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of forming a first film made of silicon oxide or silicon oxide nitride film on a silicon substrate, a step of forming a second film made of tetrachlosilane single molecular layer 1 in an ALD-CVD method, and a step of forming a third film made of silicon nitride single molecular layer by nitriding treatment or oxide-nitriding treatment in the ALD-CVD method.例文帳に追加

シリコン基板上にシリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなる第１の膜を形成する工程と、ＡＬＤ−ＣＶＤ法によりテトラクロロシラン単分子層１層からなる第２の膜を形成する工程と、ＡＬＤ−ＣＶＤ法により窒化処理または酸窒化処理して窒化ケイ素単分子層１層からなる第３の膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

Further, the method for manufacturing the mask comprises a step of forming the transfer pattern on an upper single-crystal silicon wafer of the substrate for the mask, a step of forming an opening at a lower single- crystal silicon wafer, and a step of removing a silicon oxide film of the opening, at least after both the previous steps.例文帳に追加

更に、上記転写マスク用基板の上部単結晶シリコンウェハに転写パターンを形成する工程と、下部単結晶シリコンウェハに開口部を形成する工程とを有し、少なくともこの両工程の後に、開口部の該シリコン酸化膜を除去する工程を含むこととした転写マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing a single cell of a fuel battery includes a step of forming the electrolyte layer on a first electrode 20, and a step of positioning a second electrode 60 on the electrolyte layer.例文帳に追加

この燃料電池の単セルの製造方法は、第１の電極２０上に電解質層を形成する工程と、電解質層上に第２の電極６０を位置させる工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a resin molded body and a manufacturing method thereof which can be easily manufactured in a single manufacturing step without increasing the manufacturing step and can ensure only necessary rigidity.例文帳に追加

製造工程を増加させることなく単一の製造工程で簡易に製造できると共に、必要な剛性だけを確保できる樹脂成形体及び、樹脂成形体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a slide bearing member, by which two slide bearing members can be made by a single round of vulcanizing step.例文帳に追加

１回の加硫工程により２個の滑り支承部材を製造することができる滑り支承部材の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

By this method, a functional film having the hard coat characteristic, the antireflection characteristic and the antidazzle characteristic is formed on the base film by a single coating step.例文帳に追加

このような方法では、一回の塗布工程により、ハードコート性、反射防止性および防眩性を有する機能層を基材フィルムに形成できる。 - 特許庁

To provide a method for directly producing an environmentally benign quinacridone solid solution from its precursor in a single step with simple operation.例文帳に追加

工程数が少なく、合成時の操作が簡便で、環境に優しいキナクリドン固溶体をその前駆体から一段階で直接的に製造する方法を提供する。 - 特許庁

This method includes a step for calculating tendon reference positions or motor commands by projecting a torque error into tendon position space using a single linear operation.例文帳に追加

単一の線形演算を使用して、トルクエラーを腱の位置空間へ投影することによって、腱の基準位置又はモーターコマンドを計算する段階を備えている。 - 特許庁

To provide a method for producing an unsaturated carboxylic acid or an unsaturated nitrile from a 2-8C alkane by a single-step catalytic vapor-phase (amm)oxidation reaction.例文帳に追加

炭素数２〜８のアルカンを原料として、不飽和カルボン酸又は不飽和ニトリルを一段接触気相酸化反応で製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus by which a splittable optical fiber ribbon can be produced in a single step process while greatly reducing the manufacturing cost and time of the present technology.例文帳に追加

現技術の製造コストと時間を大幅に抑え、単一ステッププロセスで引き裂き可能な光ファイバリボンを製造する方法と装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for TFT by utilizing a single lithography step to suppress the time and cost for manufacturing a self-matching device to minimum.例文帳に追加

単一のリソグラフィ・ステップを利用して自己整合デバイスを生産する時間とコストを最小限に抑えたＴＦＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

The structured document information analysis method has a division position reading step of reading a division position corresponding to a specified page number from page information, a single page detection step of setting the document contents of structured document information divided by the read division position as a single page of the structured document information, and a single page output step of outputting the single page of the structured document information.例文帳に追加

指定されたページ番号に対応する前記分割位置を前記ページ情報から読み取る分割位置読み取り過程と、前記読み取った分割位置によって分割された前記構造化文書情報の前記文書の内容を前記構造化文書情報の前記１ページ分とする１ページ検出過程と、前記構造化文書情報の１ページ分を出力する１ページ出力過程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The production method of an oxide single crystal having a non-congruent melting composition includes a step of crystallizing an oxide single crystal 17 while applying a magnetic field of not less than 238,800 (A/m) to a melt 5 as a raw material of the oxide single crystal 17.例文帳に追加

非一致溶融組成を有する酸化物単結晶の製造方法において、酸化物単結晶１７の原料である融液５に対し、２３８８００（Ａ／ｍ）以上の磁場を印加しながら酸化物単結晶１７の結晶化を行う工程を有する。 - 特許庁

The method includes the steps of: delivering the X-ray to a single-crystal substrate sealed with a package material; detecting the diffracted X-ray from the single-crystal substrate over the package material; and obtaining the stress of the single-crystal substrate by using a result of the detection step.例文帳に追加

単結晶基板をパッケージ材料で封止した部品にＸ線を照射し、前記単結晶基板からの回折Ｘ線を前記パッケージ材料越しに検出し、前記検出ステップの結果を用いて前記単結晶基板の応力を求める。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pulling-up apparatus capable of producing a silicon single crystal ingot having a prescribed shape and no defect by suppressing the occurrence of a flushed burr in a growth process for the crown part of single crystal ingot which is the most important step in the pulling-up process for silicon single crystal by a Czochralski method.例文帳に追加

本発明は、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引上げ過程で最も重要とされる単結晶インゴットのクラウン部成長工程においてフラッシュアウトの発生を抑制し、所望形状で欠陥のないシリコン単結晶インゴットを製造することができるシリコン単結晶引上装置を提供する。 - 特許庁

The heat treatment method for the above single crystal has a step of heating the single crystal of the specific activated silicate compound in the atmosphere having a small amount of oxygen and at a temperature T_1(unit: °C) satisfying a condition expressed by formula (3).例文帳に追加

特定のセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶を酸素の少ない雰囲気中、下記式（３）で表される条件を満足する温度Ｔ_１（単位：℃）で加熱する工程を有する単結晶の熱処理方法。 - 特許庁

The method for producing langasite based single crystal substrate comprises a step for polishing one major surface of langasite based single crystal substrate, and a step for wet etching the polished major surface of the substrate and the backside thereof using a solution containing at least one kind of phosphoric acid, acetic acid and nitric acid.例文帳に追加

ランガサイト系単結晶基板の一方の主面を研磨する工程と、研磨した基板の主面およびその裏面を、リン酸、酢酸、硝酸の少なくとも一種と塩酸とを含む溶液で湿式エッチングする工程と、を備えるランガサイト系単結晶基板の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor substrate includes a step of forming a silicon polycrystalline film 14 in advance on at least the chamfer 13 of a silicon single crystal substrate 10, and a step of then forming a thin film 11 of a silicon single crystal by epitaxial growth on a surface 11 of the substrate 10.例文帳に追加

本発明に係る半導体基板の製造方法においては、シリコン単結晶基板１０の少なくとも面取り部１３に予めシリコン多結晶膜１４を形成した上で、基板１０の表面１１にエピタキシャル成長によりシリコン単結晶の薄膜１１を形成する。 - 特許庁

The method for producing an SiC single crystal comprises a step for cutting away or grooving a part of the peripheral region 15 of an SiC substrate 1, and a step for growing the SiC single crystal on the surface of the substrate which has been cut away or grooved as the seed substrate.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１の周縁領域１５の一部を切除または溝切りする工程と、切除または溝切り後の基板を種基板としてこの種基板の表面上にＳｉＣ単結晶を成長させる工程とを含むＳｉＣ単結晶の製造方法である。 - 特許庁

The method for purifying the single crystal silicon member for heat treating the semiconductor substrate includes a step of cleaning the single crystal silicon member having an oxide film by an HF aqueous solution, and further a step of heat treating the semiconductor substrate in a mixed gas atmosphere of an HCl having an HCl gas concentration of 5 to 50 % and an oxygen.例文帳に追加

半導体基板熱処理用単結晶シリコン部材の純化方法は、酸化膜を有する単結晶シリコン部材をＨＦ系水溶液で洗浄する工程と、さらに、ＨＣｌガス濃度が５〜５０％のＨＣｌと酸素の混合ガス雰囲気で熱処理する工程とを有する。 - 特許庁

The method for conditioning the molten pig iron using a single conditioning vessel comprises a preliminary conditioning step mainly consisting of desiliconization and dephosphorization, subsequent removing slag after the preliminary step, and a further subsequent conditioning step after removing the slag.例文帳に追加

単一の溶銑予備処理容器を用いて溶銑の予備処理を行うに当たり、主として脱珪と脱りんを行う前段予備処理段階と、該前段予備処理段階に引き続いて行う除滓と、該除滓に引き続いて行う後段予備処理段階と、を順次行う。 - 特許庁

The production of the catalyst is carried out by a method comprising a simultaneous deposition step of simultaneously depositing the noble metal particles and the porous body in reversed micelles and a single deposition step of depositing the transition metal in the reversed micelles.例文帳に追加

上記触媒の製造は、貴金属と多孔質体とを逆ミセル内で同時に析出させる同時析出工程と、逆ミセル内で遷移金属を析出させる単独析出工程を有する方法で行う。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor thin film is provided with a step for forming a single crystal region 2 which becomes a crystalline nucleus by locally melting and solidifying an amorphous silicon thin film 3, and a step for expanding the single crystal region 2 by growing a crystal so as to become reverse directions to each other about the center of the single crystal region 2.例文帳に追加

半導体薄膜を製造する方法は、アモルファスシリコン薄膜３を部分的に溶融固化させることにより、結晶核となる単結晶領域２を形成させるステップと、単結晶領域２を中心に互いに逆方向になるように結晶成長させて単結晶領域２を拡大させるステップと、を備える。 - 特許庁

The method includes: a step S2 of depositing a perovskite-type oxide precursor at least a part of which is in an amorphous state on a seed single crystal substrate to form a complex of the seed single crystal and the precursor; and a step S3 of heat-treating the complex to induce solid epitaxy in the precursor to obtain an oxide single crystal.例文帳に追加

種子単結晶基板上に、少なくとも一部がアモルファス状態であるペロブスカイト型酸化物の前駆体を堆積させて種子単結晶と前駆体の複合体を形成する工程Ｓ２と、複合体を熱処理することにより前駆体に固相エピタキシーを生じさせて酸化物単結晶とする工程Ｓ３とを具備する。 - 特許庁

The method of manufacturing the GaN single crystal substrate comprises an ingot forming step of forming an ingot 64 of a GaN single crystal by growing an epitaxial layer 62 comprising a hexagonal GaN on a GaN single crystal being a seed crystal and a cutting step for cutting the formed ingot 64 into a plurality of sheets.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の製造方法は、ＧａＮ単結晶を種結晶として当該ＧａＮ単結晶の上に六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層６２を成長させて、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を形成するインゴット形成工程と、インゴット６４を複数枚に切断する切断工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of assembly for a housing made up of a single mold capable of containing multi-step connectors and capable of mechanically regulating the position of steps for each housing to be assembled, to provide a method of assembly for multi-step connectors utilizing the housing.例文帳に追加

多段式コネクタを構成可能なハウジングであって、各ハウジングが組付けられる段位置を機械的に規定でき、かつ単一の金型から構成されるもの、およびそのハウジングを利用した多段式コネクタの組付け方法を提供すること - 特許庁

The method for manufacturing a compound semiconductor comprises a first heating step for heating a GaN single crystal substrate 2 under a first gas atmosphere containing at least hydrogen gas, a second heating step for heating the GaN single crystal substrate 2 under a second gas atmosphere containing at least ammonia, and an epitaxial growth step for forming a nitride compound semiconductor layer 3 on the GaN single crystal substrate 2.例文帳に追加

本発明による化合物半導体の製造方法は、少なくとも水素ガスを含む第１ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱する第１加熱工程と、少なくともアンモニアを含む第２ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱する第２加熱工程と、ＧａＮ単結晶基板２上に窒化物系化合物半導体層３を形成するエピタキシャル成長工程とを含む。 - 特許庁

This method for producing the para-type whole aromatic polyamide fiber consisting of the multifilament having the large single fiber fineness comprises controlling the width of the fiber bundle on passing through water-washing step, and, setting the heat stretching step of a first step in a specific temperature range and at a stretching magnitude of a specific stretching magnitude or more in a heat-stretching step consisting of multiple steps.例文帳に追加

単糸繊度の大きい多フィラメントからなるパラ型全芳香族ポリアミド繊維を製造するにあたり、水洗工程を通過する際の繊維束の幅を制御し、多段からなる熱延伸工程において、第１段目の熱延伸工程を、特定温度範囲で特定倍率以上の延伸倍率とする。 - 特許庁

The method for detecting diarrheagenic Escherichia coli comprises a step of amplifying a partial and consecutive single-stranded nucleic acid as a test object from a single-stranded nucleic acid by using a group of bacterial species-specific primer pairs, a step of quantifying the amplified nucleic acid fragments, and a step of specifying the diarrheagenic Escherichia coli based on the specifying result.例文帳に追加

本発明の下痢原性大腸菌検出方法は、菌種特異性を有するプライマー対群を用いて、一本鎖核酸から検査対象としての部分的でかつ連続な一本鎖核酸を増幅する工程と、前記増幅した核酸断片を定量する工程と、定量結果に基づいて、下痢原性大腸菌を特定する工程とを含む。 - 特許庁

A single crystal silicon thin film 4 is grapho-epitaxial-grown by a catalyst CVD method on a glass substrate 1 having a step and single crystalline silicon TFTs Q_1-Q_n are formed by patterning the single crystalline silicon thin film 4 into strap-shapes.例文帳に追加

段差を設けたガラス基板１上に触媒ＣＶＤ法により単結晶シリコン薄膜４をグラフォエピタキシャル成長させ、これをパターン化して複数の短冊状の形状とし、これらの単結晶シリコン薄膜４を用いて単結晶シリコンＴＦＴＱ_1 〜Ｑ_n を形成する。 - 特許庁

The method for nucleic acid analysis includes a step for subjecting a complex containing a primer, a template, and a polymerase immobilized to a substrate and a single strand binding protein to nucleic acid analysis.例文帳に追加

基板に固定化したプライマー、テンプレート、ポリメラーゼ及び一本鎖結合タンパク質を含む複合体を核酸分析に供する工程を含む、核酸分析方法。 - 特許庁

The system and the method for the nuclear reactor include a step for developing the first peaking coefficient in the first combustion threshold for a single or a plurality of fuel rods.例文帳に追加

１つまたは複数の燃料棒のための第１の燃焼閾値における第１のピ−キング係数を展開するステップを含む原子炉のためのシステムおよび方法。 - 特許庁

In the method of this invention, a metallic reflective layer equipped with a roughened surface is completed by utilizing single step and consequently time and cost of manufacture can be greatly reduced.例文帳に追加

本発明の方法は単一ステップを利用し、粗化表面を具えた金属反射層を完成し、大幅に製造の時間とコストを低減することができる。 - 特許庁

The chromatograph analysis method includes the step of selecting a to-be-used column among a plurality of the columns to set each separation condition; the step of respectively injecting the same sample into the to-be-used columns on different separation conditions, and the step of combining obtained analysis results into single analysis data, and recording it.例文帳に追加

複数のカラムのそれぞれを使用カラムとして選択して、分離状態をそれぞれ設定するステップと、同一の試料を異なる分離条件でそれぞれの使用カラムに注入して分析するステップと、得られた分析結果を１つの分析データとして記録するステップとを含む。 - 特許庁

The method of producing the fluoride single crystal includes the step of cutting the fluoride crystal from an ingot, the step of optically polishing the external surface of the cut fluoride crystal, and the step of heat-treating the optically polished fluoride crystal contained in a sealable container.例文帳に追加

フッ化物結晶をインゴットから切り出す工程と、切り出されたフッ化物結晶の外表面を光学研磨する工程と、光学研磨されたフッ化物結晶を密閉可能な容器に収納して熱処理する工程と、を有するフッ化物結晶の製造方法。 - 特許庁