「single-step method」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

This method for identifying a base sequence necessary for the development of affinity from among the base sequences of nucleic acid molecules having affinity with target substance includes a step for extracting a single strand region by excluding a base for forming a stem structure from the base sequence of the nucleic acid molecules and a step for retrieving a motif sequence on the basis of the evaluation value of the affinity from the single strand region.例文帳に追加

標的物質への親和性を有する核酸分子の塩基配列のうち、前記親和性の発現に必要な塩基配列の同定方法であって：前記核酸分子の塩基配列から、ステム構造を形成し得る塩基を除外して一本鎖領域を抽出する工程と；前記一本鎖領域から、前記親和性の評価値に基づいて、モチーフ配列を探索する工程と；を有することを特徴とする。 - 特許庁

This method has a step, where a test signal is entered from the element into the electron multiplier, and a step where a gain of the electron multiplier is determined from the electron multiplier outcome, wherein this test signal contains an electric charge generated by the single optical detector for reasons other than the incidence of an electromagnetic signal on at least a single optical detector, or is derived from it.例文帳に追加

本方法は、試験信号を素子から電子増倍管に入力させる段階と、電子増倍管の出力から電子増倍管の利得を判断する段階とを伴っており、この試験信号は、上述の少なくとも１つの光検知器上への電磁信号の入射以外の理由により、この少なくとも１つの光検知器によって発生した電荷を含むか又はそれから導出されたものである。 - 特許庁

The method for liquid-treating and drying the substrate 2 on a semiconductor wafer or the like includes a step for immersing a single substrate or a batch of substrates into a tank 1 filled with liquid, and a step for moving the substrate from the opening and allowing the liquid from overflowing from the opening while the substrate is moving.例文帳に追加

半導体ウエハ等の基板２を液体処理し、乾燥させる装置及び方法に関し、この方法は、単一の基板又は一群の基板を液体を満たしたタンク１内に浸漬するステップと、基板を開口部から移動させて、基板の移動の間、開口部から液体をあふれさせるステップとを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor substrate 5 includes: a step of forming a carbon layer mainly containing carbon, on a surface 1a of a substrate (silicon substrate 1) with a single crystal silicon on at least one surface; and a step of irradiating the carbon layer with electromagnetic wave, heating it, and forming a carbonizing buffer layer 3 containing silicon carbide.例文帳に追加

少なくとも一面に単結晶シリコンを有する基板（シリコン基板１）の一面１ａ上に、炭素を主に含んでなる炭素層を形成する工程と、炭素層に電磁波を照射して加熱し、炭化珪素を含む炭化緩衝層３を形成する工程と、を含む半導体基板５の製造方法。 - 特許庁

There is provided the method including a step in which a plurality of component carriers are enabled and a step in which MBMS single frequency network (MBSFN) allocation is applied to the first enabled component carrier but not applied to the remaining enabled component carrier when the mobile device receives MBSFN allocation by a first enabled component carrier.例文帳に追加

複数のコンポーネント・キャリアをイネーブルする段階と、移動装置が第１のイネーブルされたコンポーネント・キャリアでＭＢＳＦＮアロケーションを受信したとき、ＭＢＭＳ単一周波数ネットワーク（ＭＢＳＦＮ）アロケーションを、第１のイネーブルされたコンポーネント・キャリアに適用し、残りのイネーブルされたコンポーネント・キャリアには適用しない段階とを有する。 - 特許庁

The printing method comprises a step for making a decision whether any one of print elements 126, 127 in the print head 26 has failed or not, and a step for reassigning the function of the failed print elements 127' to other print element in such a manner as the single pulse operation mode is sustained substantially if the print elements 127 has failed.例文帳に追加

そして、プリントヘッド２６のいずれかの印字要素１２６，１２７が故障したかどうかを判定する段階と、印字要素１２７が故障している場合には、略シングルパス動作モードを維持するような方法で、故障した印字要素１２７'の機能を他の印字要素に再割り当てする段階と、を含む。 - 特許庁

A method for vapor depositing the amorphous silicon layer for the SLS crystallization comprises a step of vapor depositing in the range of silicon layer thickness of 6,000 Å to 2,000 Å, when the amorphous silicon (a-Si) layer is vapor deposited on an insulating substrate in a step of forming the single-crystal silicon by utilizing a complete melting energy density.例文帳に追加

完全熔融エネルギー密度を利用して単結晶シリコンを形成する工程で、非晶質シリコン(ａ−Ｓｉ)層を絶縁基板上に蒸着する際に、非晶質シリコン層を６００Å〜２０００Åに蒸着する段階を含むＳＬＳ結晶化のための非晶質シリコン層の蒸着方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises a step for providing a semiconductor substrate wherein a prescribed process is carried out for forming a semiconductor element and a step for forming an ion implantation layer 105 by injecting trivalent impurities having a larger atomic weight than that of boron and consisting of a single atom to a prescribed depth of the semiconductor substrate by an ion implantation process.例文帳に追加

半導体素子を形成するための所定の工程が行われた半導体基板を提供する段階と、前記半導体基板の所定深さに、ホウ素より大きい原子量を有し且つ単原子からなる３価不純物をイオン注入工程によって注入してイオン注入層１０５を形成する段階を含む。 - 特許庁

By employing the method of forming the shoulder under the condition of applying a transverse magnetic field at predetermined intensity, the occurrence of dislocation in the step of forming the shoulder can be suppressed and a silicon single crystal having no defect can be grown with high production efficiency.例文帳に追加

この肩形成方法は、所定強さの横磁場を印加した条件下で適用すれば、肩形成工程での有転位化を抑制し、欠陥のないシリコン単結晶を高い生産効率で育成することができる。 - 特許庁

To provide a method for decontaminating the component of a nuclear facility or a surface having an oxide layer of a system which is able to overcome the defects in conventional apparatuses and methods, to function effectively, and in particular, which can be carried out in a single step.例文帳に追加

従来の装置及び方法の上記欠点を克服して、有効に機能し、特に１工程で実施することができる、原子力施設の部品又は系の酸化物層を有する表面を汚染除去する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for sulfurizing and quenching treatment, sulfurizing and carburizing treatment, and sulfurizing and carbonitriding treatment, capable of simultaneously performing the combined treatment of various heat treatments accompanied by quenching and sulfurizing treatment by a single step and capable of reducing treatment cost.例文帳に追加

焼入れを伴う各種熱処理と浸硫処理との複合処理を一工程で同時に行うことができ、処理コストの大幅な削減が可能な浸硫焼入処理、浸硫浸炭処理、および浸硫浸炭窒化処理方法を提供する。 - 特許庁

The working method for cutting an object 2 to be worked by using a single crystal diamond tool 1 includes a step of transferring fine grooves 4 made on the tool 1 to the object 2 for working the fine grooves 3.例文帳に追加

単結晶ダイヤモンド工具１を用いて加工物２を切削する加工方法において、単結晶ダイヤモンド工具１上に作製された微細溝４を加工物２に転写させることにより微細溝３の加工を行う。 - 特許庁

By this method, the objective aromatic carboxylic ester can be produced in high efficiency by a direct single-step reaction through performing the oxidation of the alkyl substituent in the presence of the primary alcohol and the catalyst.例文帳に追加

本発明によると芳香族化合物のアルキル置換基の酸素酸化を１級アルコール及び触媒の存在下に実施することにより芳香族カルボン酸エステルを直接一段の反応で効率良く製造することができる。 - 特許庁

In a first step of the method for fabricating the structural body to support a rocking body in a torsionally vibrating manner with respect to a substrate 120, the single crystal substrate 120 and a member having a patterned mask layer provided on a face side and a back side of the substrate are prepared.例文帳に追加

揺動体が基板120に対してねじり振動可能に支持される構造体の製造方法の第1の工程で、単結晶基板120と、この表面及び裏面に設けられるパターニングされたマスク層150を有する部材を用意する。 - 特許庁

To provide a lubricant for producing carbon fiber capable of reducing baking variation for the carbon fiber through smoothing the feed of oxygen among the single filaments in the flame-retardizing step, and in its turn, to provide a method for stably producing high-performance carbon fiber.例文帳に追加

耐炎化工程での単繊維間への酸素の供給を円滑し、焼成ムラを減少することを可能にする炭素繊維製造用油剤、ひいては高性能な炭素繊維を安定して製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a facility for coating a metallic foil which effectively performs coating of various films and heat treatment onto the surface of a rolled metallic foil in a single step, and to provide a method for manufacturing a coated metallic foil with the use of the facility.例文帳に追加

ロール状にした金属箔表面に、各種皮膜のコーティング及び熱処理を、単一工程で効率的に行うことができる金属箔コート設備及びこの設備を用いたコーティング金属箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for directly producing a quinacridone solid solution in a single step comprises cocyclization of at least two kinds of 2,5- dianilinoterephthalic acids each optionally having substituent(s) in a mixed solvent of ethylene glycol and a phenolic compound.例文帳に追加

エチレングリコール（Ｂ）と、フェノール類（Ａ）との混合溶媒中で、２種類以上の、置換基を有していても良い２，５−ジアニリノテレフタル酸類（Ｃ）を、共環化反応させることで、一段階で直接的にキナクリドン固溶体（Ｄ）を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing micro beads, in which micro beads having uniform particle size can be manufactured easily by a single step without sorting manufactured micro beads and a small amount of micro beads can be manufactured easily.例文帳に追加

マイクロビーズ生成後にソーティング操作を行なわなくても、単一工程で粒径の均一なマイクロビーズを簡便に製造することができ、少量を手軽に作製することが可能なマイクロビーズの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method for producing an SOI substrate comprises a step for preparing an Si basic body 21 produced by floating zone(FZ) method, a step for forming an ion implantation layer 24 in the Si basic body 21 by implanting oxygen ions from the surface side thereof, and a step for forming a buried Si oxide layer 25 beneath a single crystal Si layer on the surface side by heat treating the Si basic body.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の作製方法において、フローティング・ゾーン法（ＦＺ法）により作製したＳｉ基体２１を用意する工程と、該Ｓｉ基体２１の該主表面側から酸素をイオン注入し、該Ｓｉ基体中にイオン注入層２４を形成する工程と、該Ｓｉ基体を熱処理して、該種表面側の単結晶Ｓｉ層の下方に埋め込まれた酸化Ｓｉ層２５を形成する埋め込み酸化Ｓｉ層形成工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently manufacturing a sapphire single crystal substrate having a uniform step-terrace structure at any tilted angle thereof and being suitable to the epitaxial growth method for use in making a nitride-based compound semiconductor element, SOS(silicn-on-sapphire) device, or the like.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体素子、ＳＯＳ（ｓｉｌｉｃｎ−ｏｎ−ｓａｐｐｈｉｒｅ）デバイス等を作製する際のエピタキシャル成長法に好適な均一なステップ−テラス構造を有するサファイア単結晶基板をその傾斜角度に関わらず効率的に製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for eliminating a fillet forming step for the sake of improving step coverage, by forming a metallic shielding layer made of conductive epoxy by using a spray nozzle, and fabricating an SAW filter package with well-built structure even though only a single-layer metallic shielding layer without an anti-oxidation layer is formed, by forming the exterior form of the package in a top molding method.例文帳に追加

スプレーノズルを用いて導電性エポキシの金属遮蔽層を形成することによりステップカバレージ改善の為のフィレット形成工程を省略することができ、トップモールディング方式を利用してパッケージの製品外形を形成することにより酸化防止層無しの単一層の金属遮蔽層のみ形成しながら、構造の堅固なＳＡＷフィルターパッケージを製造することにある。 - 特許庁

In a method for electrochemically detecting the complementary nucleic acid base pair, a method for electrochemically detecting genes comprises at least a step of bringing a single strand target nucleic acid into contact with a nucleic acid immobilized minute electrode obtained by immobilizing the probe nucleic acid to a minute electrode, and a step of measuring the change in the oxidation-reduction potential in the nucleic acid immobilized minute electrode.例文帳に追加

相補的核酸塩基対を電気化学的に検出する方法であって、少なくとも、微小電極に１本鎖プローブ核酸を固定化して得られる核酸固定化微小電極に１本鎖ターゲット核酸を接触させる工程と、該核酸固定化微小電極における酸化還元電位の変化を測定する工程を有する遺伝子の電気化学的検出方法とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon carbide substrate includes a step of preparing a plurality of SiC substrates 20 consisting of single crystal silicon carbide, a step of arranging a supporting substrate 10 to touch one main surfaces 20C of the plurality of SiC substrates 20 while the plurality of SiC substrates 20 are arranged side by side in plan view, and a step of interconnecting the plurality of SiC substrates 20 by means of the supporting substrate 10.例文帳に追加

炭化珪素基板の製造方法は、単結晶炭化珪素からなる複数のＳｉＣ基板２０を準備する工程と、複数のＳｉＣ基板２０を平面的に見て複数並べて配置した状態で、複数のＳｉＣ基板２０の一方の主面２０Ｃに接触するように支持基板１０を配置する工程と、支持基板１０により複数のＳｉＣ基板２０同士を接続する工程とを備えている。 - 特許庁

The method contains a step in which a synthetic gel together with a zeolite precursor composition is applied in a porous system of a fine particle matrix material having predetermined porous structure and grain size and on a surface of the material a step in which the precursor composition is subjected to a crystallizing condition; and a step in which porous single crystals of zeolite are isolated by removing the matrix material.例文帳に追加

この方法は、 − 合成ゲルを、ゼオライト前駆体組成物と一緒に予め決められた多孔質構造および粒度を有する微粒子マトリックス材料の多孔質系の中におよび該材料の表面に適用し； − 前駆体組成物を結晶化条件に付し；および − 上記マトリックス材料を除くことによってゼオライトの多孔質単結晶を単離する各段階を包含している。 - 特許庁

The manufacturing method of a surface elastic wave device 12 has a step of measuring a specific resistance value of an aluminum electrode film 34 formed on a piezoelectric substrate 28, and evaluating whether the aluminum composing the aluminum electrode film 34 is single crystal; and a step of patterning the aluminum electrode film 34 evaluated as single crystal by the measuring of the specific resistance value, and forming a comb electrode 32.例文帳に追加

本発明に係る表面弾性波素子１２の製造方法は、圧電性基板２８上に形成されたアルミニウム電極膜３４の比抵抗値を測定して、このアルミニウム電極膜３４を構成するアルミニウムが単結晶であるか否かを評価するステップと、比抵抗値の測定によって単結晶であると評価されたアルミニウム電極膜３４をパターニングして、櫛形電極３２を形成するステップとを有することを特徴とする。 - 特許庁

According to the manufacturing method, in a scribing step, the display panel 100 is cut out as single article by cutting the large substrate 150 in the condition of secondary cooling, along scribe lines B12 and B22 formed in a part overlapped with a common sealing material 5c.例文帳に追加

この製造方法によれば、スクライブ工程において、二次冷却された状態の大判基板１５０を共通のシール材５ｃと重なった部分に形成されたスクライブラインＢ１２，Ｂ２２に沿って切断し、単品の表示パネル１００を切り出す。 - 特許庁

To provide a semiconductor element, in which a cell region is formed as a shallow junctional region by forming a single crystal silicon in a selective epitaxial growth method, and a deep junction region with a uniform depth is formed at the surrounding region in an ion implantation step.例文帳に追加

セル領域は、選択的エピタキシャル成長方法で単結晶シリコン層を形成して浅い接合領域を形成し、周辺領域はイオン注入で均一な深さの深い接合領域を形成した半導体素子を提供する。 - 特許庁

The method incorporates multiple DNA fragments, also known as both "inserts" or "modules", such as one each of a promoter, expression, and 3' regulatory nucleotide sequence, into a cloning vector plasmid in a single step, rather than having to introduce each insert in a sequential manner.例文帳に追加

プロモーター、発現、及び３’調節ヌクレオチド配列の各々一つなど、「インサート」又は「モジュール」双方としても知られる複数のＤＮＡ断片を、各インサートを逐次的に導入するのではなく、単一工程でクローニングベクタープラスミドに組み込む方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a probe 1 used for a cantilever 2 of an SPM and the cantilever 2 in which a manufacturing step is simple and use can be permitted in the status that the full potential of a single crystal can be exploited.例文帳に追加

製造工程が簡便であり、なおかつ単結晶材料の性質が最大限に引き出せるような状態で使用することの出来る、ＳＰＭのカンチレバー２に用いるための探針１と、カンチレバー２の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a vibration-proofing method of a structure floor capable of efficiently exhibiting a vibration-proofing effect by realizing oscillating offset using the phase difference over single exciting force and, at the same time, being carried out on the floor wherein any gap and uneven step do not occur.例文帳に追加

単一の加振力に対する位相差を用いた振動相殺を実現させることで、効率よく防振効果を発揮することができると共に、隙間及び段差が生じない床面で実施可能な構造物床の防振工法を提供する。 - 特許庁

To provide a high-sensitivity oxygen sensor chip manufacturable even in a single-step coating process, a manufacturing method of the sensor chip, and an optical oxygen sensor for simply and accurately measuring the concentration of oxygen in a gaseous or liquid atmosphere by using the sensor chip.例文帳に追加

塗布プロセスがシングルステップでも作製可能な高感度酸素センサーチップと、前記センサーチップの製造方法と、前記センサーチップを用いて、気体や液体雰囲気中の酸素濃度を簡単、正確に測定できる光学式酸素センサーとを提供すること - 特許庁

In the method, an n-type single-crystal silicon wafer 21 is placed on a first placing surface 50A of a first substrate tray 50 covered by an i-type amorphous silicon layer 28, in a step of forming an HIT-structure.例文帳に追加

本実施形態に係る太陽電池の製造方法では、ＨＩＴ構造の形成工程において、ｎ型単結晶シリコンウェハ２１は、ｉ型非晶質シリコン層２８によって覆われた第１基板トレー５０の第１載置面５０Ａ上に載置される。 - 特許庁

The GaN substrate 1 manufacturing method includes a step of processing the surface of a substrate 1 composed of a GaN single crystal into a concaved spherical shape, based on variations in orientations a_0, a_1 of the crystallographic axes x_0, x_1 across the substrate 1 surface.例文帳に追加

ＧａＮ基板１の製造方法は、ＧａＮ単結晶からなる基板１の表面を、基板１表面における結晶軸ｘ_０，ｘ_１の方向ａ_０，ａ_１のばらつきに基づいて凹型の球面状に加工する工程を有する。 - 特許庁

This method includes a step of supplying at least one pack group 101, particularly, a pallet, wherein particularly, at least one pack group has at least a single article, particularly, the drink pack, and a step of loading at least one pack in the pack storage device by manual work by one or more of operators from at least the one pack group, particularly, the pallet.例文帳に追加

本発明の方法は、少なくとも１つのパック群、特にパレットを供給し、特に、少なくとも１つのパック群が少なくとも単一の物品、特に飲料品のパックを備えるステップと、少なくとも１つのパック群、特にパレットから少なくとも１つのパックを一人以上のオペレータによってパック保管デバイスに手作業で装填するステップとを備える。 - 特許庁

This method comprises a step (A) for matching the overcurrent protection electrical circuit and power source supply electrical circuit of each slot with the single control chip of a card reading device and a step (B) of disconnecting the power source of the card slot, when it is detected that overcurrents have been generated in the card slot of the card reading device by the overcurrent protection electrical circuit.例文帳に追加

それぞれのスロットの過電流保護電気回路と電源供給電気回路とをカード読取装置の単一のコントロール・チップに整合するステップ（Ａ）と、過電流保護電気回路がカード読取装置のカード・スロットに過電流が生じことを検出した時、そのカード・スロットの電源を断路させるステップ（Ｂ）と、を少なくとも有する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor substrate for cutting an ingot 1 using a single row or a plurality of rows of a wire W to which an abrasive grain is firmly fixed comprises a step of preparing the ingot 1 and a step of cutting the ingot 1 while rotating the wire in a direction y crossing an extension direction of the wire W.例文帳に追加

半導体基板の製造方法は、砥粒が固着されたワイヤＷを単数列または複数列用いてインゴット１を切断することにより半導体基板を製造する方法であって、インゴット１を準備する工程と、ワイヤＷの延在方向に対して交差する方向ｙにワイヤを回転させながら、インゴット１を切断する工程とを備えている。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride gallium substrate includes a step of forming a porous nitride gallium substrate 11a having a thickness of 10 nm to 1000 nm by etching a nitride gallium substrate 11 in an atmosphere of HCl and NH_3 gas in a reaction chamber of an HVPE apparatus, and further includes a step of forming a nitride gallium growth layer 20 in a single reaction chamber by in situ process.例文帳に追加

ＨＶＰＥ装置の反応チャンバ内でＨＣｌ及びＮＨ_３ガス雰囲気で窒化ガリウム基板１１をエッチングして１０〜１０００ｎｍの厚さの多孔性窒化ガリウム層１１ａを形成するステップを含み、ひいては、単一の反応チャンバ内でインシチュで窒化ガリウム成長層２０を形成するステップをさらに含む窒化ガリウム基板の製造方法。 - 特許庁

A marking method comprises: a step (a) where a marking work W made of single crystal silicon carbide is prepared; and a step (b) where pulse laser light is made incident on the prepared marking work W, thus a modified region having optical properties to visible light different from those of the remaining region is formed on the surface of the marking work W.例文帳に追加

マーキング方法は、（ａ）単結晶の炭化ケイ素からなるマーキング対象物Ｗを準備する工程と、（ｂ）準備したマーキング対象物Ｗにパルスレーザ光を入射させることにより、該マーキング対象物Ｗの表面に、可視光に対する光学特性が残余の領域とは異なる改質領域を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The inventive method comprises a step for applying a plastic material having adjustable viscosity in real time by single operation only to a place having a temperature sufficient for establishing physical chemical bond with a material composing an object support and requiring an embossed mark, and a step for cooling the applied material.例文帳に追加

この方法は、対象物支持体を構成する材料との物理化学結合を確立するのに十分な温度と、浮出しマーキングを備えなければならない場所にのみ、ただ１回の作業によってリアルタイムで調整可能な粘性を有する可塑性材料を付着させる段階と、付着された材料の冷却段階とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SOI substrate which improves adhesiveness between a single crystal semiconductor layer and a semiconductor substrate, reduces laminating defects, and provides sufficient bonding strength in a laminating step and also in a process of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

単結晶半導体層と半導体基板との密着性を向上させ、貼り合わせ不良を低減し、貼り合わせ工程及び半導体装置製造工程においても十分な接着強度をもつＳＯＩ基板の作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can grow a crystal into a desired length dimension and form a crystalline region having a desired crystal growth direction in a desired region in a single step of growing the crystal, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

結晶を成長させる工程が一度であって、結晶を所望の長さ寸法に成長させ、かつ所望の領域に所望の結晶成長方向を有する結晶領域を形成することができる半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for single-step terminal sterilization process for bioactive heparin coatings on materials and biomaterials containing heparin used in medical devices, such as catheters, tissue engineering scaffolds, or drug delivery carrier materials.例文帳に追加

本発明は、カテーテル、ティシューエンジニアリングスカフォールド、又は薬剤送達担体材料のような医療装置に使用される、ヘパリンを含有する、材料及び医用材料用生理活性ヘパリンコーティングのための、単一工程最終滅菌プロセスのための方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a circular tubular honeycomb comprising stacking cells of honeycomb from the center part to the periphery part with no space without crushing them in order to add pushing force in constant to a single corrugated sheet during the winding step.例文帳に追加

円筒形ハニカムを成形する工程において、中心部から外周部までハニカムのセルを潰すことなくかつ、隙間のなきよう積層することが必要であり、そのためには、巻き取り過程の片段シートに押し付け力を一定に加えることが必要である。 - 特許庁

To provide a method for producing a mixed gas for producing methane, by which a mixed gas usable for synthesizing methane is produced in a single step at low pressure and the long-term operation of a production process is made possible because the catalyst loss is reduced.例文帳に追加

本発明は、メタンの合成に利用可能な混合ガスを、低圧且つ１段で製造することができ、しかも触媒損失が小さいことにより製造プロセスの長期運転が可能な、メタン製造用混合ガスの製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Accordingly, the single wafer substrate cleaning facility and backside cleaning method of substrate, which can simplify a process step and saving a cost therefor by simplifying the facility for cleaning the backside of substrate and can minimize the contamination of the substrate by particles, can be provided.例文帳に追加

従って、基板の裏面を洗浄するための設備を簡素化して費用を節減し、工程ステップを簡素化することができ、パーティクルによる基板の汚染を最小化できる枚葉式基板洗浄設備及び基板の裏面洗浄方法を提供することができる。 - 特許庁