「sinx」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A medical ceramic-coated puncture needle excellent in wear resistance and adhesion is available by coating the direct surface of the needle with a SiNx mixed layer 4, next coating it with a SiNx ceramic layer 3, then coating it with a composite SiNx and DLC film layer 2, and finally coating the outermost surface with a DLC layer 1.例文帳に追加

針の最表面にＳｉＮｘの混合層４、次いでＳｉＮｘのセラミック膜３を被覆、さらに、その上にＳｉＮｘとＤＬＣ膜の複合層２を被覆、最上層としてＤＬＣ１を被覆することにより、低摩耗で密着性に優れた医療用セラミック被覆穿刺針および針を用いる。 - 特許庁

Further, a sealing layer 22 is constituted of silicon nitride (SiNx) formed by using a high density plasma film-forming method.例文帳に追加

また、封止層２２を、高密度プラズマ成膜法を用いて形成した窒化シリコン（ＳｉＮｘ）で構成した。 - 特許庁

A p-SiNx is deposited up to the membrane thickness required for the heater protection membrane, thereafter, a cavitation-resistant layer composed of Ta is formed on the heater, then, the p-SiNx is deposited again up to the membrane thickness required as a membrane.例文帳に追加

ｐ−ＳｉＮｘをヒータ保護膜として必要な膜厚まで成膜し、その後にヒータ上部にＴａの耐キャビテェーション層を形成後、ｐ−ＳｉＮｘを再度メンブレンとして必要な膜厚まで成膜する。 - 特許庁

The polysilicon film 13 is hydrogenated by hydrogen in the raw gases to be used for forming the SiNx film 15.例文帳に追加

ポリシリコン膜１３は、ＳｉＮ_x膜１５の形成に使用される原料ガス中の水素により水素化されている。 - 特許庁

An SiNX film 28 is formed on the ridge except an window 31 exposing the contact layer and a p-side electrode 29 is formed on the SiNX film including the window while an n-side electrode 30 is formed on the backside of the substrate.例文帳に追加

リッジ上部のコンタクト層を露出させた窓３１を除く領域には、ＳｉＮ_X 膜２８が形成され、窓上を含むＳｉＮ_X 膜上にｐ側電極２９が、基板の裏面には、ｎ側電極３０が形成されている。 - 特許庁

To provide a film forming device capable of forming an SiNx film without inflicting heat damage to an organic EL element.例文帳に追加

ＳｉＮｘ膜を、有機ＥＬ素子に熱ダメージを与えることなく形成することができる成膜装置の提供。 - 特許庁

The entire SiO2 film 14 is covered with an SiNx film 15 formed by low-pressure CVD using raw gases containing hydrogen.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜１４の全体を、水素を含む原料ガスを用いた低圧ＣＶＤ法で形成されたＳｉＮ_x膜１５で覆う。 - 特許庁

The abrasion- resistant coating includes at least one type of ultrafine compound selected from a group containing B4C, BN, TiB2, TiB, TiC, WC, SiC, SiNX (X=0.5 to 1.33), andAl2O3.例文帳に追加

耐摩耗性被膜中には、B_4C、BN、TiB_2、TiB、TiC、WC、SiC、SiN_X（X＝0.5〜1.33）およびAl_20_３をよりなる群から選択される少なくとも1種の超微粒化合物を含む。 - 特許庁

ULTRA LOW CORE-LOSS GRAIN ORIENTED SILICON STEEL SHEET HAVING SiNX CERAMIC THIN FILM EXCELLENT IN FILM CHARACTERISTIC, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

被膜特性に優れたＳｉＮＸ系セラミック薄膜を有する超低鉄損一方向性けい素鋼板およびその製造方法 - 特許庁

The hinge part 13 is formed of a material such as SiNX different from materials forming a frame body 11 and the mirror substrate of a mirror part 12.例文帳に追加

枠体１１及びミラー部１２のミラー基板を構成する材料とは異なる、例えばＳｉＮ_X等の材料でヒンジ部１３を構成する。 - 特許庁

The abrasion- resistant coating includes at least one type of ultrafine compound selected from a group containing B4DC, BN, TiB2, TiB, TiC, WC, SiC, SiNX (X=0.5 to 1.33), and Al2O3.例文帳に追加

耐摩耗性被膜中には、B_4C、BN、TiB_2、TiB、TiC、WC、SiC、SiN_X（X＝0.5〜1.33）およびAl_20_３をよりなる群から選択される少なくとも1種の超微粒化合物を含む。 - 特許庁

Next, the p-SiNx layer as the second layer is shaved using the Ta as an etching stopping layer, then, the heater protection membrane can obtain the required membrane thickness in respective membranes.例文帳に追加

次に、２層目のｐ−ＳｉＮｘをＴａをエッチングストップ層として削りこみ、ヒータ保護膜それぞれに必要な膜厚を実現する。 - 特許庁

To provide a method of depositing a SiNx layer and an a-Si layer on a thin film transistor(TFT) substrate at a sufficient deposition rate keeping high film quality.例文帳に追加

ＴＦＴ基板上にＳｉＮ_Ｘ層及びａ−Ｓｉ層を充分な堆積速度で堆積し、膜品質を極高く維持する方法を提供する。 - 特許庁

SiNx, SiO2, Ti, Ta, Mo, or MoW is stacked on the source drain film Ag alloy film, and then, a collective pattern is made by dry etching or wet etching.例文帳に追加

ソース・ドレイン膜Ａｇ系合金膜上にＳｉＮ_x，ＳｉＯ_2，Ｔｉ，Ｔａ，ＭｏまたはＭｏＷを積層した後ドライまたはウェットエッチにより一括パターン形成する。 - 特許庁

An SiNx film 109 serving as a passivation film and an anti-reflective film for incident light is formed on the n^++ diffusion layer 107 and the n^+ diffusion layer 108.例文帳に追加

Ｎ＋＋拡散層１０７及びＮ＋拡散層１０８上に、パッシベーション膜および入射光の反射防止膜として機能するＳｉＮｘ膜１０９を形成する。 - 特許庁

Therefore, an auxiliary capacitance C1 can be formed by using an arbitrary insulation film of high dielectric constant, such as SiNx without direct influence of a dielectric film for forming the auxiliary capacitance C1 on characteristics, etc., of a TFT.例文帳に追加

前記第１の層間絶縁膜上に容量電極を設け、その上に補助容量の誘電体膜となる第２の層間絶縁膜を成膜する。 - 特許庁

A first moisture blocking layer 26 formed of a silicon-based nitride film of SiNx or the like is formed on the whole surface, covering a drain electrode 22 and a source electrode 24 of a TFT.例文帳に追加

ＴＦＴのドレイン電極２２、ソース電極２４を覆ってＳｉＮｘ等のシリコン系窒化膜等から形成される第１水分ブロッキング層２６を全面に形成する。 - 特許庁

A dispersion mask composed of SiNx film is formed on the n-type GaAs layer 5, and Zn is dispersed on the n-type GaAs layer 5 through the opening of the mask so as to form a p+-type gate region 6.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ層５にＳｉＮ_x 膜からなる拡散マスクを形成し、その開口部を通じてＺｎをｎ型ＧａＡｓ層５に拡散させてｐ^+ 型ゲート領域６を形成する。 - 特許庁

A first flattening film 28 formed of an organic material is provided on the first moisture blocking layer 26, and a second moisture blocking layer 60 formed of SiNx or the like is provided thereon.例文帳に追加

また、この第１水分ブロッキング層２６の上に有機材料からなる第１平坦化膜２８を設けその上にＳｉＮｘ等からなる第２水分ブロッキング層６０を設ける。 - 特許庁

A first flatten film 26 comprising an organic material is provided on the first moisture blocking layer 26, and a second moisture blocking layer 60 comprising SiNx or the like is provided on it.例文帳に追加

また、この第１水分ブロッキング層２６の上に有機材料からなる第１平坦化膜２８を設けその上にＳｉＮｘ等からなる第２水分ブロッキング層６０を設ける。 - 特許庁

A moisture blocking layer 26 made of a silicon base nitride film such as SiNx or a TEOS film is formed on the whole surface so as to cover a drain electrode 22 and a source electrode 24 of a TFT.例文帳に追加

ＴＦＴのドレイン電極２２、ソース電極２４を覆ってＳｉＮｘ等のシリコン系窒化膜やＴＥＯＳ膜により形成される水分ブロッキング層２６を全面に形成する。 - 特許庁

An SiNx film is formed on its surface in a thickness of about 100 nm by a P-CVD method, and a periodically striped mask is formed so that a ratio of area of opening portion/mask portion is 1:5.例文帳に追加

その表面にＰ−ＣＶＤ法によりＳｉＮｘ膜を約１００ｎｍ製膜し、開口部とマスク部の面積比がそれぞれ１：５になるように周期的なストライプ状のマスクを形成した。 - 特許庁

An SiNx gate insulating film 108, a p-type polycrystalline SiC layer 109 and a Pt/Au gate electrode 110 as an ohmic electrode are successively formed on the ALGaN barrier layer 104.例文帳に追加

ＡｌＧａＮバリア層１０４上にＳｉＮｘゲート絶縁膜１０８、ｐ型多結晶ＳｉＣ層１０９、オーミック電極であるＰｔ／Ａｕゲート電極１１０が順次形成されている。 - 特許庁

SiNx films of pixel apertures are removed to increase transmittance and dummy insulating film patterns are formed in the apertures to enable the formation of the pixel electrodes over a wide range, by which the aperture ratios are improved.例文帳に追加

画素開口部のＳｉＮ_x膜を除去して透過率を上げると共に、開口部にダミーの絶縁膜パターンを形成し、広範囲に画素電極を形成できるようにして開口率を向上させる。 - 特許庁

Through holes 32 each having a diameter of 50 μm are provided in a core 12a of the high density fault region of the GaN substrate, and embedded with a high resistance layer 34 such as, for example, an SiO_2 layer or an SiNX layer.例文帳に追加

ＧａＮ基板の高密度欠陥領域のコア部１２ａには、直径５０μｍの貫通孔３２が設けられ、高抵抗層３４、例えばＳｉＯ_2層又はＳｉＮ_X 層で埋め込まれている。 - 特許庁

A semiconductor regrowth layer 38 and a SiNx layer 40 are formed on a side of a mesa post 30 of the oxidization constrictive surface light emitting laser element 10 and a polyimide layer 28 is formed thereon.例文帳に追加

酸化狭窄型面発光レーザ素子１０のメサポスト３０の側面には、半導体再成長層３８及びＳｉＮｘ層４０が形成され、その上にポリイミド層２８が形成されている。 - 特許庁

High temperature annealing can be carried out for homogenizing a poly-Si semiconductor layer by employing an Ag alloy in the gate electrode and Ta or SiNX in an underlying film thus fabricating a thin film transistor having good transistor characteristics at a high yield.例文帳に追加

Ａｇ合金をゲート電極に且つＴａやＳｉＮ_xを下地膜とすることで、ポリＳｉ半導体層の均質化のための高温アニールが可能となり、トランジスタ特性及び歩留まりのよい薄膜トランジスタを形成する。 - 特許庁

A protective film 11, whose main component is iridium(Ir) or iridium oxide (IrO2), is interposed between the interlayer insulating film and the SiNx film or the SixNy film, which are formed as moisture resistant protective films.例文帳に追加

イリジウム（Ｉｒ）又は酸化イリジウム（ＩｒＯ_2 ）を主成分とする保護膜１１が、前記層間絶縁膜と、耐湿保護膜として形成された前記シリコン窒化膜（ＳｉＮ_X ）、又はシリコン酸窒化膜（ＳｉＯ_X Ｎ_Y ）との間に介在する。 - 特許庁

The gas barrier layer 19 made of an inorganic material such as SiNx and having 250 nm thickness is formed on cut end surfaces of flexible substrates each comprising a substrate supporting material 11 and gas barrier layers 18 formed on both surfaces thereof.例文帳に追加

基板支持材１１とその両面に形成されたガスバリア層１８からなる可撓性基板の切断端面にＳｉＮｘ等の無機材料からなるガスバリア層１９を２５０ｎｍの厚さで形成する。 - 特許庁

In this display panel, after the patterning of a tantalum film which is formed on a dielectric substrate 1 is processed and the electrode wiring 2 of the first layer being the lowermost layer of input lead wirings 21 is formed, an SiNx film is formed as a gate insulating film 3.例文帳に追加

絶縁性基板１上に成膜したタンタル薄膜をパターニング処理して、入力リード配線２１の最下層である第１層の電極配線２を形成した後、ゲート絶縁膜３としてＳｉＮｘ膜を形成する。 - 特許庁

An SiNx film 12a is formed on an electrode forming surface 11 except a part side surface of a first contact layer 4 and an n-side electrode 132, side surfaces of layers 5-8, an upper surface of a second clad layer 8 and the side surface of a ridge part 10.例文帳に追加

第１コンタクト層４の一部側面およびｎ側電極１３２を除く電極形成面１１、各層５〜８の側面、第２クラッド層８の上面ならびにリッジ部１０の側面にＳｉＮ_x 膜１２ａが形成される。 - 特許庁

Of the spots 511 to 516, those to be actually repaired are radiated with laser to cut a surface protection film, an electrode layer forming signal transfer line 508, an N+ type a-Si layer, an a-Si layer, and an a-SiNx film to become an insulation layer.例文帳に追加

５１１〜５１６の箇所の中で、実際にリペアする箇所についてレーザー照射し、表面の保護膜、信号転送線５０８を形成する電極層、Ｎ＋型ａ−Ｓｉ層、ａ−Ｓｉ層や絶縁層となるａ−ＳｉＮｘ膜を切断する。 - 特許庁

A microcrystalline silicon thin film 7a constituting a channel region and a hydrogen-containing silicon-based insulation film 13 made of silicon nitride (SiNx) containing ≥8×10^21/cm^3 hydrogen [Si-H] bound to the silicon are sequentially laminated and formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、チャネル領域を構成する微結晶シリコン薄膜７ａと、シリコンに結合した水素［Ｓｉ−Ｈ］を８×１０^21個／ｃｍ^3以上含む窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる水素含有シリコン系絶縁膜１３とを積層成膜する。 - 特許庁

At this point, an a-Si layer of high quality is deposited on a g-SiNx layer at a low deposition rate to form an interface 56, and an a-Si layer of average quality is deposited thereon at a high deposition rate to have the formation of an a-Si layer 58 completed.例文帳に追加

その際は先ず低堆積速度で高品質のａ−Ｓｉ層をｇ−ＳｉＮ_X層上に堆積して界面５６を形成後、高堆積速度で平均的品質のａ−Ｓｉ層を堆積してａ−Ｓｉ層５８を完成させる。 - 特許庁

Prior to a sputtered thin copper film forming step, a modified- property silicon nitride layer containing SiO2 and SiNX in a mixed state in its surface is formed on the surface of a silicon oxide-based glass substrate, a quartz substrate, or a silicon thin film by irradiating the surface with nitrogen plasma.例文帳に追加

銅薄膜のスッパタリング成膜工程に先だって、酸化珪素質のガラス基板、石英基板あるいは酸化珪素薄膜の表面に窒素プラズマを照射して、表面にＳｉＯ_2 とＳｉＮ_x とが混在した窒化珪素変質層を形成する。 - 特許庁

The low radiation rate transparent laminate 17 is equipped with ZnO layers 33, 35 as a dielectric layer which is divided in the direction of film thickness by an SiNx layer 34 as an amorphous layer, and an Ag/Pd layer 32 as a metal layer containing Ag and Pd.例文帳に追加

低放射率透明積層体１７は、アモルファス層としてのＳｉＮｘ層３４によって膜厚方向に分割された誘電体層としてのＺｎＯ層３３，３５と、Ａｇ及びＰｄを含む金属層としてのＡｇ−Ｐｄ層３２とを備える。 - 特許庁

Surfaces of final annealed, single directional silicon steel sheets are coated by insulation films comprising 0.01-0.2 μm thick Ti(N, O) oxide film on which 0.01-0.2 μm thick SiNx ceramics film is coated, the latter in turn being covered by 0.01-2.0 μm thick film consisting of phosphate and silica as major elements.例文帳に追加

仕上焼鈍済みの一方向性けい素鋼板の表面に、0.01〜0.2 μm 厚のTi系の窒・酸化物被膜〔Ti(N,O) 膜〕、その上に0.01〜0.2 μm 厚のSiＮ_X 系セラミック被膜、さらにその上に0.01〜2.0 μm 厚のりん酸塩とシリカを主成分とする絶縁被膜を被成する。 - 特許庁

Both the first and second gate insulating films 5 and 6 are SiNx films, the value of the optical band gap of the first gate insulting film 5 ranges from 3.0 to 4.5 eV, and that of the second one 6 ranges from 5.0 to 5.3 eV.例文帳に追加

第１のゲート絶縁膜５、第２のゲート絶縁膜６はともにＳｉＮ_x 膜であり、第１のゲート絶縁膜５の光学的バンドギャップの値が３．０ないし４．５ｅＶの範囲にあるとともに、第２のゲート絶縁膜６の光学的バンドギャップの値が５．０ないし５．３ｅＶの範囲にある。 - 特許庁

Pior to forming an SiNx base ceramic film in a DC magnetron spattering method on the filmless surface of the grain oriented silicon steel plate already subjected to a finish annealing, bom-bard treatment is applied under plasma atmosphere using inert gas to remove the oxide on the surface of the silicon steel plate.例文帳に追加

仕上焼鈍済みの膜無し一方向性けい素鋼板の表面に、直流マグネトロン・スパッタ法によってSiＮ_x 系セラミック被膜を被成するに先立ち、不活性ガスを用いたプラズマ雰囲気中にてボンバード処理を行うことにより、けい素鋼板表面の酸化物を除去する。 - 特許庁

In a method of forming the protective film of a silicon nitride (SiNx) film on a semiconductor surface of low-temperature polysilicon, material gas containing gas for H_2 passivation and Si is introduced into the semiconductor surface and a low-temperature plasma process is carried out to achieve H_2 passivation and deposition with a silicon nitride (SiN_x) film.例文帳に追加

低温ポリシリコンの半導体表面に窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜の保護膜を形成する成膜方法において、半導体表面にＨ_２パッシベーション用ガスとＳｉを含む材料性ガスとを導入し、低周波プラズマ処理により、Ｈ_２パッシベーションと窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜の成膜とを行う。 - 特許庁

In this case, and it is preferred that the surface temperature of the substrate in the surface coating layer forming process is kept 400°C or below, any metal of tungsten, molybdenum, vanadium, silicon and platinum is used, an SiNx film, an SiOx film, an SiOC film, an SiNC film or an SiC film is employed for the surface coating layer.例文帳に追加

このとき、表面被覆層形成工程中の基板表面温度を４００℃以下に保つこと、触媒体として、タングステン、モリブデン、バナジウム、シリコン及び白金のいずれかの金属を用いること、表面被覆層を、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｘ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＮＣ膜及びＳｉＣ膜のいずれかとすることが望ましい。 - 特許庁

The transparent gas barrier film 10 has a thin film 2 containing silicon atoms and nitrogen atoms on one side face or both side faces of a resin substrate 1, wherein a ratio between the silicon atoms and the nitrogen atoms contained in the thin film 2 satisfies SiNx (wherein, 0.5≤x≤1.4), and also the film thickness of the thin film 2 is 20 to 50 nm.例文帳に追加

樹脂基板１の片面または両面に珪素原子と窒素原子とを含む薄膜２を有する透明ガスバリアフィルム１０であって、前記薄膜２に含まれる珪素原子と窒素原子との割合がＳｉＮｘ（ただし、０．５≦ｘ≦１．４）であり、かつ、前記薄膜２の膜厚が２０〜５０ｎｍであることを特徴とする透明ガスバリアフィルム１０。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an array substrate comprising the steps of simultaneously patterning a three-layer metal film (Mo/Al/Mo) and multilayer nonmetallic film (SiNx/aSi:H/n+-type a-Si:H), by using one mask pattern capable of forming a stepwise cut of a film covering the multilayer film pattern and sufficiently preventing a fault due to the cut.例文帳に追加

一つのマスクパターンを用いて、三層金属膜（Mo／Al／Mo）及び多層非金属膜（ＳｉＮｘ／ａ-Ｓｉ:Ｈ／ｎ^+ａ-Ｓｉ:Ｈ）を一括してパターニングする工程を含むアレイ基板の製造方法において、多層膜パターンを覆う膜についての段切れの形成、及びこれに起因する不良の発生を充分に防止することができるものを提供する。 - 特許庁

This preparation consists of a step forming a semiconductor layer comprising a laminated structure of a-Si film 5 and n+ a-Si film 6, a step forming ITO film 7 as a transparent pixel electrode at a separated position from the semiconductor layer, a step forming an SiNx protective film 10 in whole area and an etching step patterning so as to separate this protective film from the transparent pixel electrode.例文帳に追加

ガラス基板１の上にａ−Ｓｉ膜５およびｎ^+ ａ−Ｓｉ膜６の積層構造からなる半導体層を形成する工程と、半導体層と離れた位置に透明画素電極となるＩＴＯ膜７を形成する工程と、全体にＳｉＮｘ保護膜１０を形成する工程と、この保護膜を、透明画素電極と離れるようにパターンニングするエッチング工程と、により液晶表示装置用のアレイ基板を製造する。 - 特許庁