「sputtered」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

MgO and W metal are sputtered simultaneously on a W heating substrate 901 to form an MgO+W cermet layer 902.例文帳に追加

W加熱基材９０１上にMgO及びW金属を同時にスパッタリングしてMgO+Wサーメット層９０２を形成する。 - 特許庁

Targets 14 mounted at the surfaces of the electrodes 13 are sputtered, by which the protective films are formed.例文帳に追加

そして、電極１３の表面に取付けられたターゲット１４がスパッタリングされて保護膜が形成される。 - 特許庁

Irradiation with the nitrogen plasma can be carried out by utilizing a cleaning chamber annexed to a sputtered film forming device.例文帳に追加

窒素プラズマの照射はスパッタ成膜装置に付随するクリーニング室を利用して行うことができる。 - 特許庁

As the light scattering reflective layer 4, for example, a ground glass substrate is used on which Pt is sputtered.例文帳に追加

光散乱反射層４としては、例えば、すりガラス基板上にＰｔをスパッタしたものを用いる。 - 特許庁

When the bias layer 5 is formed, magnetic crystal grains and non-magnetic insulating material are simultaneously sputtered.例文帳に追加

バイアス層５を形成するときに、磁性結晶粒子と、非磁性絶縁物質とを同時にスパッタする。 - 特許庁

The shutter sheet 15 makes the recess part 15B face to the target 18 when the target 18 is pre-sputtered, and makes its aperture 15A face to the target 18 when the target 18 is seriously sputtered.例文帳に追加

そして、シャッタ板１５は、ターゲット１８のプレスパッタを実行するとき、その凹部１５Ｂとターゲット１８とを対向させ、ターゲット１８の本スパッタを実行するとき、その開口１５Ａとターゲット１８とを対向させる。 - 特許庁

The plasmatization of the process gas and the ionization of the particles to be sputtered are executed so as to be separated timewise and spacially.例文帳に追加

プロセスガスをプラズマ化と、被スパッタリング粒子のイオン化を時間的および空間的に分離して行うようにした。 - 特許庁

HIGH-PURITY Si-Ge ALLOY TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SPUTTERED HIGH-PURITY Si-Ge FILM例文帳に追加

高純度Ｓｉ−Ｇｅ系合金ターゲット及びその製造方法並びに高純度Ｓｉ−Ｇｅ系スパッタ膜 - 特許庁

Then, a metal plated layer 7 is laminated in the exposed part of the metal sputtered layer or the metal vapor- deposited layer 6.例文帳に追加

ＩＣ素子の製造方法については、金属めっき層７の形成手段として、精密電鋳法を用いた。 - 特許庁

The small form enables the application of high electric power density on the actual region of the target to be sputtered.例文帳に追加

小さな形は、高電力密度がスパッタされる実際のターゲットの領域に印加されることを可能にする。 - 特許庁

At an optional step, a thin metal coating can be sputtered on the surface of the silicon-based electric field emitter tip.例文帳に追加

オプションのステップで、薄い金属コーティングをシリコンベースの電界エミッタチップの表面にスパッタリングすることができる。 - 特許庁

A target is sputtered with helicon wave excited plasma, and an epitaxial growth is carried out on a substrate that plasma does not reach.例文帳に追加

ヘリコン波励起プラズマによりターゲットをスパッタし、プラズマの到達しない基板上へエピタキシャル成長を行う。 - 特許庁

The opening part 17 has a shape corresponding to the emission distribution of sputtered particles scattered from the target 3.例文帳に追加

この開口部１７は、ターゲット３から飛散するスパッタ粒子の放出分布に対応した形状を有している。 - 特許庁

Tungsten and molybdenum are hard to be sputtered comparing with nickel and iron, and have a small work function and a high melting point.例文帳に追加

タングステンやモリブデンは、ニッケルや鉄と比較してスパッタリングし難く、仕事関数が小さく、高融点である。 - 特許庁

The Ge nanocrystal (510) is synthesized through quick thermal annealing of a Ge+SiO_2 layer (516) sputtered simultaneously.例文帳に追加

Ｇｅナノ結晶（５１０）は、同時スパッタリングされたＧｅ＋ＳｉＯ_2層（５１６）の急速熱アニールにより合成される。 - 特許庁

The sputtered atoms (34) are deposited while rotating the semiconductor substrate (26) about the center axis thereof orthogonal to it.例文帳に追加

半導体基板（２６）を、それに直交する中心軸回りに回転させながらスパッタ原子（３４）を被着させる。 - 特許庁

A cermet coating is sputtered on a stainless steel heat pipe (a heat exchanger), and allows absorptivity of 96%.例文帳に追加

サーメットコーティングがステンレス鋼製ヒートパイプ（熱交換器）の上にスパッタされ、９６％の吸収率を可能にする。 - 特許庁

The sputtered particle ejecting section 3 includes an electron capture unit 50 that is disposed opposite to the opening 3a of the plasma generation region Pz and captures an electron 5r in the plasma generation region Pz, and a sputtered particle attach section 52 that is disposed on the plasma generation region Pz side of the electron capture unit 50 and attaches the sputtered particle 5P.例文帳に追加

スパッタ粒子放出部３は、プラズマ生成領域Ｐｚの開口部３ａと反対側に設けられ、プラズマ生成領域Ｐｚに含まれる電子５ｒを捕捉する電子捕捉手段５０と、電子捕捉手段５０のプラズマ生成領域Ｐｚ側に設けられてスパッタ粒子５Ｐを付着させるスパッタ粒子付着部５２と、を含んでいる。 - 特許庁

Since the mean free path of the sputtered particles becomes long and a large amount of high-energy sputtered particles is incident by lessening a gas pressure, the crystal particles having a crystal plane (11-20) hardly damaging by incidence of the high-energy sputtered particles are preferentially grown, and the film with c-axis in-plane orientation is thus formed.例文帳に追加

こうしてガス圧を小さくすれば、スパッタ粒子の平均自由工程が長くなってエネルギーの高いスパッタ粒子が大量に入射する結果、エネルギーの高いスパッタ粒子の入射による損傷を受けにくい結晶面である（１１−２０）面を持つ結晶粒が優先的に成長してｃ軸面内配向膜が形成される。 - 特許庁

The sputtering coil 104 provides energy into a plasma and also acts as a source of sputtering material to be sputtered onto a workpiece from the coil 104 to supplement material being sputtered from a target 110 onto the workpiece.例文帳に追加

前記スパッタ用コイル１０４は、エネルギーをプラズマ中に結合し、そしてまた、ターゲット１１０からワークピース上にスパッタされる物質を補うために、コイル１０４からワークピース上にスパッタされるスパッタ用物質の供給源とする。 - 特許庁

Thereafter, an insulation oxide 35 is sputtered on the joined surfaces 2a and 3a, the insulation oxide 35 is filled at least inside the notched recessed part 19 and mirror finishing is executed to the joined surfaces 2a and 3a where the insulation oxide 35 is sputtered.例文帳に追加

その後、接合面２ａ，３ａ上に絶縁酸化物３５をスパッタして、少なくとも切り欠き凹部１９内に絶縁酸化物３５を充填し、絶縁酸化物３５がスパッタされた接合面２ａ，３ａに鏡面加工を施す。 - 特許庁

To enlarge an area of a sputtered face as much as possible, and at the same time, improve the efficiency of reflection of electrons emitted from a cathode, while simplifying a mounting structure of a sputtered member and also making a reflecting electrode structure compact.例文帳に追加

被スパッタ面の面積を可及的に大きくすると同時に、被スパッタ部材の取り付け構造を簡単化するだけでなく反射電極構造体をコンパクトにしつつ、陰極から射出される電子の反射効率を向上させる。 - 特許庁

The substrate 28 is arranged to position inside a plasma region in a vacuum chamber 21, and the sputtered particles sputtered from a region exposed from the shielding plate 51 of the erosion area 39 are made to be incident to the surface of the substrate 28.例文帳に追加

真空チャンバ２１内のプラズマ領域の内部に位置する高さに基板２８を配置し、エロージョン領域３９の遮蔽板５１から露出している領域から飛び出たスパッタ粒子を基板２８の表面に入射させる。 - 特許庁

To provide a sputtering target which has enhanced cooling and can reduce the deflection of a sputtered material.例文帳に追加

向上した冷却能を有し、且つスパッタ材料の撓みを減少させることのできるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A Cu plating layer 15 and an Ni plating layer 17 are formed on the Cu sputtered layer 13 by first electroplating.例文帳に追加

次に、第１電解メッキにより、Ｃｕスパッタ層１３上にＣｕメッキ層１５及びＮｉメッキ層１７を形成する。 - 特許庁

Aluminum is sputtered thereon and is subjected to a photolithographic etching processing to form a diffusion reflection electrode MT in a reflection region.例文帳に追加

この上にアルミニウムをスパッタし、フォトリソ−エッチング処理で反射領域に拡散反射電極ＭＴを形成する。 - 特許庁

Particles are sputtered from targets 21a, 21b, and a p-layer 3 consisting of a Cu_2O film is deposited on the substrate 1.例文帳に追加

これにより、ターゲット２１ａ，２１ｂから粒子がスパッタされ、基板１上にＣｕ_２Ｏ膜よりなるｐ層３が形成する。 - 特許庁

An alternating current component of voltage which is applied to the cathode electrode 12, is applied to the target material 14, and the target is sputtered.例文帳に追加

ターゲット材料１４には、カソード電極１２に印加される電圧の交流成分が印加され、スパッタされる。 - 特許庁

The crystalline ferromagnetic layer is formed by carystallizing a sputtered film containing FeCoB or FeCoNiB.例文帳に追加

結晶質の強磁性層は、ＦｅＣｏＢあるいはＦｅＣｏＮｉＢを含有するスパッタ膜の結晶質化強磁性層による。 - 特許庁

The semiconductor substrate (26) is arranged in such a direction that the vertically and downwardly flying sputtered atoms (34) are obliquely deposited on it.例文帳に追加

鉛直下方に向けて飛散するスパッタ原子（３４）が斜めに被着する向きに半導体基板（２６）を配置する。 - 特許庁

Most of particles (b), sputtered from the nonmagnetic material 2b by this ion collision are deposited on an inner surface I of an anode 7.例文帳に追加

このイオン衝突によりスパッタされた非磁性体２ｂの粒子ｂの殆どは、アノード７の内面Ｉ上に堆積する。 - 特許庁

To provide a method for producing an Ni alloy target material having a uniform structure for suppressing variance of a sputtered film.例文帳に追加

スパッタリング膜のバラツキを抑制すべく、均一な組織を有するＮｉ合金ターゲット材を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The sputtered particle ejecting unit 3 has a holding member 80 holding the targets 5a, 5b and unitizing each component of the sputtered particle ejection unit 3, and the ejection unit is detachably disposed as detachable and attachable in the deposition chamber 2 via the holding member 80.例文帳に追加

また、スパッタ粒子放出ユニット３は、ターゲット５ａ，５ｂを保持するとともにスパッタ粒子放出ユニット３の各構成部材をユニット化する保持部材８０を有し、保持部材８０を介して成膜室２に着脱可能に設けられる。 - 特許庁

Ti atoms are sputtered from the targets 15 by the plasma generated between the targets 15 and the burst sputtered particles are transferred to a substrate 16 by a forced current of the argon gas and accumulated on the surface of the substrate 16 while reacting with the reactive gas.例文帳に追加

ターゲット１５間に発生したプラズマによってターゲット１５がスパッタリングされ、はじき飛ばされたスパッタ粒子は、アルゴンの強制流によって基板１６まで輸送され、反応性ガスと反応すると共に基板１６表面に堆積する。 - 特許庁

Further, the metal film layer is film-formed in such a manner that each target composed of a metal substance is sputtered with a working gas, so as to form a film on the substrate with sputtered particles, or the formed film is irradiated with plasma, and a film is formed with the produced compound.例文帳に追加

また上記金属膜層は、金属物質からなるターゲットを動作ガスでスパッタリングして上記基板上にスパッタ粒子で膜形成され、または形成された膜にプラズマを照射して生成された化合物で膜形成する。 - 特許庁

An electric current flowing through the bias source 26 is limited in such a manner that the stuck sputtered particles are not immediately made electrically neutral.例文帳に追加

バイアス電源２６に流れる電流は、付着したスパッタ粒子が直ちに電気的に中性とならないように制限される。 - 特許庁

The oxidized portion and the non-oxidized portion of the partially-oxidized layer are sputtered from the same target and have the same composition of metallic elements.例文帳に追加

部分酸化層の酸化部分および非酸化部分は、同じターゲットからスパッタリングされ、金属元素の組成が同じである。 - 特許庁

To reduce particles contaminating a sample (wafer) when forming a sputtered film using a target material containing two or more elements.例文帳に追加

複数の元素を含むターゲット材を用いたスパッタ膜の成膜時に、試料（ウェハ）を汚染するパーティクルを低減できるようにする。 - 特許庁

In a non-equilibrium magnetron sputtering device 1, sputtered particles discharged from a target T are stuck onto a substrate S to form a film.例文帳に追加

非平衡マグネトロンスパッタ装置１は、ターゲットＴから放出させたスパッタ粒子を基板Ｓ上に付着させて膜を形成する。 - 特許庁

Then, an upper wiring, having a contact metal layer 7 comprising a Ti/Pt/Au sputtered film and an Au-plated film 8 (d) is formed.例文帳に追加

その後、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕスパッタ膜からなるコンタクトメタル層７とＡｕメッキ層８を有する上層配線を形成する（ｄ）。 - 特許庁

The method for producing the spattered staple fiber comprises subjecting the fiber in a drawn fiber bundle shape to sputtering, and cutting the sputtered product.例文帳に追加

および、延伸された繊維束の状態でスパッタリング加工を施したのち、カットするスパッタリング加工短繊維の製造方法。 - 特許庁

First metal layers 5 are sputtered or vapor-deposited on a piezoelectric material 3 having an electrode 4 and a fixing end main body 1, respectively.例文帳に追加

電極４を有する圧電材料３、固定端本体１それぞれの上に、第１の金属層５をスパッタまたは蒸着する。 - 特許庁

The sputtered particle control board 16 is made of a material such as stainless steel, and an opening part 17 is formed at the central part thereof.例文帳に追加

このスパッタ粒子制御板１６はステンレス等の材質からなり、その中央部に開口部１７が形成されている。 - 特許庁

In one embodiment, a water-sheeting coating 20 comprising silica is sputtered directly onto an exterior surface of the glass.例文帳に追加

１つの態様においては、シリカを含有する水をシート状にするコーティング２０は、ガラスの外部用表面に直接にスパッタリングする。 - 特許庁

To provide a sputtering system where the probability of the intrusion of outgases into a sputtered film is reduced, and the improvement of its film quality is made possible.例文帳に追加

スパッタ膜にアウトガスが混入してしまう確率を小さくし、その膜質向上を可能としたスパッタ装置を提供する。 - 特許庁