「sputtered」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The sensitivity of a secondary ion mass spectrometer (SIMS) is increased by using steam in order to raise yield of a positive secondary ion to be sputtered by a primary convergence ion beam.例文帳に追加

二次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）の感度は、一次集束イオンビームによってスパッタリングされる正の二次イオンの収量を高めるために水蒸気を使用することで増加される。 - 特許庁

At that time, since the sputtered particles (b) are not magnetized, they are deposited uniformly on the anode 7, without being affected by a magnetic field E formed in the ion chamber 3.例文帳に追加

その際、スパッタ粒子ｂは磁性を有していないので、スパッタ粒子ｂはイオン化室３に形成された磁場Ｅの影響を受けることなくアノード７上に一様に堆積する。 - 特許庁

To provide a sample preparation method for a microsampling operation using a focused ion beam, which prevents substances sputtered by and which prevents sample processing from adhering to a sample surface.例文帳に追加

集束イオンビームを用いたマイクロサンプリングにおいて、試料加工の妨げとなる、スパッタリングされた物質の試料表面への付着を防止する試料の作製方法を提供する。 - 特許庁

Protective film layers having the discriminated zone groups of different compositions are first sputtered on a disk surface by using discriminated masks under different sputtering conditions.例文帳に追加

、異なる組成の区別されたゾーン群を有する保護膜層が、異なるスパッタリング条件下において区別されたマスクを用いることによって、ディスク表面上に最初にスパッタリングされる。 - 特許庁

Lastly, a transparent conductive layer is sputtered by using the aperture filling as a mask and, thereby, the self-aligned pixel electrode is formed respectively on the surface of each pixel electrode region.例文帳に追加

最後に、隙間充填物をマスクとして用いて透明導電層をスパッタリングすることで、各画素電極区域の表面にそれぞれ自己位置合わせ画素電極を形成する。 - 特許庁

When a negative DC voltage or high-frequency power is applied to a target 5, component particles in the target 5 are sputtered by ions in the plasma P and deposited on the substrate 100.例文帳に追加

ターゲット５に負の直流電圧または高周波電力が印加されると、プラズマＰ中のイオンによってターゲット５の組成粒子がスパッタされ、基板１００上に堆積する。 - 特許庁

The first different material and second different material are mixed inside the synthetic semiconductor 402A too, and the second conductor 405A is sputtered on the part on the synthetic crystal semiconductor 402A.例文帳に追加

合成半導体４０２Ａの内部にも第１種雑質及び第２種雑質が混入され、合成水晶半導体４０２Ａ上の局部に第２良導体４０５Ａをスパッター加工する。 - 特許庁

Cobalt 2 is sputtered on one surface of the label 1 made of polyester to form a coating film 3 and vulcanization is applied to the raw tire in the state wherein the cobalt coating film 3 is stuck on the surface of the raw tire.例文帳に追加

ポリエステル製のラベル１の一方の表面に、コバルト２をスパッタリングして被膜３を形成し、そのコバルト被膜３を生タイヤの表面に貼着させた状態で生タイヤに加硫を施す。 - 特許庁

In an organic EL element having a transparent conductive electrode and a cathode opposed to the transparent conductive electrode, the cathode includes a film of a rare earth element that can be sputtered.例文帳に追加

透明導電性電極と、該透明導電性電極に対向する陰極とを備えた有機ＥＬ素子において、スパッタ可能な希土類元素の膜を含む陰極によって形成する。 - 特許庁

At the time when the minus DC bias is fed, constitutive elements are sputtered from the chalcogen compound target and are combined with reactive gas, so as to deposit a chalcogen compound thin film on the substrate.例文帳に追加

マイナスの直流バイアスが供給されるときに、カルコゲン化合物ターゲットから構成元素がスパッタされて、反応ガスと結合して基板上にカルコゲン化合物薄膜が形成される。 - 特許庁

As an ionized rate of sputtered metal is high, the ionized metal is repelled by the positively biased shield and is drawn to a negatively biased pedestal electrode for supporting a wafer to be sputter coated.例文帳に追加

スパッタされた金属イオンの割合が高く、金属イオンは、正にバイアスされたシールドにより制限され、スパッタコーティングするウェハを支持する負にバイアスされたペデスタル電極に引付けられる。 - 特許庁

This method comprises steps of generating ions in a chamber 201, generating materials sputtered from targets 241 and 242 in the chamber 201 using the ions, generating other ions from the materials sputtered in the chamber 201, extracting the other ions from the chamber 201, and implanting the other ions in a wafer.例文帳に追加

半導体装置を製造する方法は、チャンバ２０１内でイオンを生成する段階，イオンを用いてチャンバ２０１内でターゲット２４１，２４２からスパッタリングされる材料を生成する段階，チャンバ２０１内でスパッタリングされた材料から他のイオンを生成する段階，チャンバ２０１から他のイオンを抽出する段階および他のイオンをウェハ１１１内に注入する段階を備える。 - 特許庁

A liquid crystal alignment layer is produced by a long throw sputtering method including steps of mounting a substrate on a substrate carrier in a chamber, bombarding and sputtering a target above the substrate with a high-density plasma to produce a sputtered substance, and applying a bias voltage in the chamber to deposit the sputtered substance along a nearly normal direction onto the substrate surface to form an alignment layer.例文帳に追加

ロングスロースパッタリング法で液晶配向膜を製作する方法は、基板をチャンバー内の基板キャリアに乗せ、高密度プラズマで基板の上方にあるターゲットをスパッタリング衝撃してスパッタ物質を生成発生し、チャンバー内でバイアス電圧を印加提供してスパッタ物質を垂直に近い方向に沿って基板表面に堆積させて液晶配向膜を形成するなどのステップを含む。 - 特許庁

For the bedding, the surface of cloth for which titanium is sputtered on the surface is placed on the body side of a user, the wadding is placed on the side away from the body of the cloth and they are surrounded by side cloth.例文帳に追加

表面にチタンをスパッタリング加工した布帛の前記表面を使用者の身体側に置き、該布帛の身体より遠い側に詰綿を置き、これらを側地で囲ってなる寝具とした。 - 特許庁

To provide a target member that facilitates its swelled part to be easily and accurately positioned, and does not make a portion at which the target member is positioned roughened even when a hole is formed in a member to be sputtered.例文帳に追加

膨らませた部分を正確に位置させることが容易となると共に、スパッタされる部材に穴があいてもターゲット部材を設置する部分は荒らされることがないターゲット部材の提供。 - 特許庁

An alloy layer of Pt_50-Mn_50 is formed as the sputtered layer in a sufficient yield, by means of employing a Pt_45-Mn_55 alloy for the target 22 and Pt for the composition controlling materials S_1-S_5.例文帳に追加

ターゲット２２としてＰｔ_４５−Ｍｎ_５５合金を用いると共に組成制御材Ｓ_１〜Ｓ_５としてＰｔを用いることによりスパッタ層としてＰｔ_５０−Ｍｎ_５０合金層を歩留りよく形成できる。 - 特許庁

A ZrB target is sputtered with an Ar gas, and a common first metal cap layer 16 principally containing ZrBx (x=0.5-4.0) is laminated on a second interlayer dielectric 11 and a first wiring 13.例文帳に追加

ＺｒＢターゲットをＡｒガスでスパッタし、第２層間絶縁膜１１と、第１配線１３と、にＺｒＢｘ（ｘ＝０．５〜４．０）を主成分にした共通する第１メタルキャップ層１６を積層した。 - 特許庁

For barrier metals 18 and 19, a photoresist PR1 is let sag and is sputtered and is patterned to be thinner as it goes to the periphery of the barrier metal 18, and a protective sheet 20 is stuck, and the back is grounded.例文帳に追加

バリアメタル１８、１９は、ホトレジストＰＲ１をダレさせてスパッタリングし、バリアメタル１９の周辺に向かうに連れて薄くなるようにパターニングした後に、保護シート２０を貼り合わせてバックグラインドする。 - 特許庁

The method further comprises the steps of: pressure molding the mixed powder to a molding 2, sealing the molding 2 together with an Si substrate 3 having an Fe sputtered film formed thereon in vacuum in a quartz tube 1, and then heat treating the molding.例文帳に追加

この混合粉末から加圧成形して成形体２とし、この成形体２をＦｅスパッタ膜を形成したＳｉ基板３とともに石英管１に真空状態で封入し、続いて熱処理する。 - 特許庁

A sputtering target is DC-sputtered at water partial pressure of 3×10^-4 to 5×10^-2 Pa in a system so as to form a formation body, and the formation body is crystallized in the film formation method of the oxide semiconductor.例文帳に追加

系内の水分圧３×１０^−４〜５×１０^−２Ｐａで、スパッタリングターゲットをＤＣスパッタリングして成膜体を成膜し、前記成膜体を結晶化する酸化物半導体の成膜方法。 - 特許庁

The conductive particles are used, each of which comprises: a resin particle 11; an electroless metal plating layer 12 covering a surface of the resin particle; and a sputtered non-Au metal layer 13 forming the outermost layer.例文帳に追加

樹脂粒子１１と、樹脂粒子表面を被覆する無電解金属めっき層１２と、最外層を形成するＡｕを除く金属スパッタ層１３とを有する導電性粒子を用いる。 - 特許庁

This probe for the test device is made of SKD, SKH, stainless steel and a hardmetal, with a hardness of HRC50 or higher and silver, aluminum or copper is sputtered on the surface.例文帳に追加

検査機用のプローブの材質をＨＲＣ５０以上の硬度を有するＳＫＤ、ＳＫＨ、ステンレス、超硬合金で形成するものとし、その表面に銀またはアルミニウムまたは銅をスパッタリングさせることする。 - 特許庁

A plasma gas such as argon is made to flow from a bomb 18 into a sputtering room 11, and an oxide transparent conductive film material is sputtered on a glass substrate 15 from a target 12 arranged in the sputtering room 11.例文帳に追加

スパッタリング室１１内にボンベ１８からアルゴンなどのプラズマガスを流し、スパッタリング室１１内に配置されたターゲット１２からガラス基板１５に酸化物透明導電膜材料をスパッタリングする。 - 特許庁

The sputtering target is used for a dual cathode sputtering apparatus, and has a chamfered portion in a side end of a face opposing a substrate to be sputtered when mounted on the sputtering apparatus.例文帳に追加

デュアルカソードスパッタリング装置に使用するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリング装置に装着した時に、処理対象である基板と対向する面の側端部に面取り部を有するスパッタリングターゲット。 - 特許庁

Since the scattering plate 11 in the ion trap 9 has a corrugated plate shape, the incident angle of a part of the ions made incident on the scattering plate 11 is made shallow, and the scattering plate 11 is made hard to be sputtered.例文帳に追加

イオントラップ９の散乱板１１は波板状となっているので、散乱板１１に入射するイオンの一部はその入射角が浅くなり、散乱板１１はスパッタされにくくなる。 - 特許庁

In the titanium sputtering target, the half-width of the peak of crystal plane (101) determined by the X-ray diffraction of at least a part of the noneroded area of a surface to be sputtered is regulated to 0.25-0.5.例文帳に追加

スパッタされる面の非エロージョン領域の少なくとも一部のＸ線回折により求められる結晶面（１０１）のピークの半値幅が０．２５〜０．５であることを特徴とする、チタンスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The sputtering method has a sub-process area 23 set at a position in the vicinity of a main process area 22 set according to a region to have the circuit corrected and the sub-process area 23 is sputtered before the main process area 22.例文帳に追加

回路修正を行う範囲に対応して設定されるメイン加工エリア２２の近傍位置にサブ加工エリア２３を設定し、メイン加工エリア２２に先立ってサブ加工エリア２３を事前にスパッタする。 - 特許庁

In the ramp 1, a pressure is reduced by a vacuum pump 3, argon gas is fed, the glow discharge is generated, the generated ions collide with a sample 4, the sample 4 is sputtered, excited to emit light in the plasma and the light is spectrally separated by a spectroscope 9.例文帳に追加

ランプ１内部は真空ポンプ３によって減圧されアルゴンガスが流されておりグロー放電し発生したイオンが試料４に衝突し、試料４をスパッタリングし、プラズマ中で励起発光する。 - 特許庁

The layered structure 20 may include a silver-sputtered layer 6, and may include further a silver coating layer 7 for coating the outer circumference of the layered structure 20, between the copper plating thin-film 9 and the layered structure 20.例文帳に追加

積層構造２０には銀スパッタ層６を備えていてもよいし、銅めっき薄膜９と積層構造２０との間に、積層構造２０の外周を覆う銀被覆層７をさらに備えていてもよい。 - 特許庁

It is desirable that the carbon thin film 34 is deposited to ≥2 nm film thickness by a vacuum deposition method or sputtering method where the minimum angle of incidence of sputtered particles upon the substrate is ≤40°.例文帳に追加

このとき、カーボン薄膜３４は、２ｎｍ以上の膜厚で、真空蒸着法または基板に対するスパッタ粒子の最低入射角が４０°以下となるスパッタ法で成膜を行うことが望ましい。 - 特許庁

The intermediate materials are sputtered from a plurality of targets that are arranged in various directions as seen from the to-be-joined surfaces of the substrates, so that the intermediate materials are evenly formed on the to-be-joined surfaces.例文帳に追加

基板の被接合面から見て、種々の方向に配置された複数のターゲットから中間材の材料がスパッタリングされるので、前記被接合面へ中間材を均一に形成できる。 - 特許庁

In this way, the phenomenon that members other than the target material are sputtered is prevented, and the utilizing efficiency of the target material can be improved without causing the intrusion of impurities into a film.例文帳に追加

これによればターゲット材料以外からなる部材がスパッタされることを防止し、膜中への不純物混入を起こすことなくターゲット材料利用効率を向上させることが可能である。 - 特許庁

By the sputtering treatment, a deposit of particles on one target is removed, the particles sputtered and flying from other targets, and abnormal discharge during the sputtering formation of the phase shift film can be suppressed.例文帳に追加

このスパッタ処理により、他のターゲットからスパッタリングされた粒子がターゲット上に飛来して形成された堆積物が除去され、位相シフト膜のスパッタリング成膜時の異常放電が抑制される。 - 特許庁

The composite target materials are successively sputtered by using a common ion gun 2 so that vitreous films with the refractive index varying stepwise can be successively deposited on the surface of a substrate 3 with high accuracy.例文帳に追加

共通のイオンガン２で、前記複合ターゲット材料毎に順にスパッタすることで、基板３の表面に、屈折率が段階的に変化するガラス質の膜を高精度な膜厚で順次積層できる。 - 特許庁

The aluminum component comprises an aluminum body, an anodized aluminum oxide layer 120 formed on the aluminum body, and a sputtered layer comprising aluminum oxide layer 132 on the anodized aluminum oxide layer 120.例文帳に追加

アルミニウムコンポーネントは、アルミニウム本体と、該アルミニウム本体上に形成された陽極酸化アルミニウム層１２０と、該陽極酸化アルミニウム層１２０上に酸化アルミニウム層１３２から成るスパッタ層と、を備える。 - 特許庁

The two targets 4 and 4 are alternately sputtered by connecting a pulse power source 6 to the cathodes 3A and 3B and alternately applying pulse voltages to the cathodes 3A and 3B while circulating a gaseous mixture composed of oxygen and argon.例文帳に追加

カソード３Ａ，３Ｂにパルス電源６を接続し、酸素とアルゴンの混合ガスを流通させながらカソード３Ａ，３Ｂに交互にパルス電圧を印加することにより２個のターゲット４，４を交互にスパッタする。 - 特許庁

A base material of glass or the like is introduced into magnetron sputtering vessels 7, 8 and 9, and silicon is sputtered in an atmosphere of nitrogen and hydrocarbon to form a film contg. silicon nitride and silicon carbide on the base material.例文帳に追加

ガラスのような基材をマグネトロンスパッタリング容器（７、８、９）に導入し、窒素及び炭化水素雰囲気においてケイ素をスパッタリングして窒化ケイ素及び炭化ケイ素を含むフィルムを基材上に作る。 - 特許庁

Direct current power of 1 kW is fed from respective direct current power sources 72 to the cathodes 54a, 54b, 54c, and a target 78 made of chromium is sputtered, so as to form a chromium oxide thin film on a substrate 10.例文帳に追加

其々の直流電源７２からカソード５４ａ、５４ｂ、５４ｃに１ｋＷの直流電力を供給して、クロム製のターゲット７８をスパッタリングし、基板１０上に酸化クロム薄膜を形成する。 - 特許庁

When an electrode layer is formed on a semiconductor laminate composed of compound semiconductor by sputtering, heat treatment is performed while electrode material is sputtered by increasing high frequency power.例文帳に追加

化合物半導体からなる半導体積層構造上にスパッタリングにより電極層を形成する際に、高周波パワーを大きくすることにより、電極材料をスパッタリングしながら熱処理を行う。 - 特許庁

The DC power of 1 kW is supplied to the cathodes 54a, 54b and 54c from each DC power source 72, a chromium target 78 is sputtered to form a chromium oxide thin film on a substrate 10.例文帳に追加

それぞれの直流電源７２からカソード５４ａ、５４ｂ、５４ｃに１ｋＷの直流電力を供給して、クロム製のターゲット７８をスパッタリングし、基板１０上に酸化クロム薄膜を形成する。 - 特許庁

Since almost all liquid mercury remaining at time of lighting exists locally or totally intensively in the effective luminous area (13), coating on mercury with sputtered matter can be avoided.例文帳に追加

点灯時に残留する概ね全ての液体水銀が有効発光領域(13)に局所的又は全体的に集中的に存在するので、スパッタ物による水銀上の被覆を回避することができる。 - 特許庁

Much electron current can be extracted by the self bias voltage of the second keeper electrode 8 and since the second keeper electrode 8 is hardly sputtered, a long lifetime can be achieved.例文帳に追加

第二のキーパ電極８の自己バイアス電圧により多くの電子電流が引き出すことができると共に、第二のキーパ電極８はスパッタされにくくなるため、長寿命化を図ることが可能となる。 - 特許庁

The super-fine particles 5 of metal are obtained by taking metal sputtered on a water soluble or water dispersible layer 3b by water or hydrate alcohol 4.例文帳に追加

金属の超微粒子５は、水溶性または水分散性の層３ｂの上にスパッタリングされた金属を、前記層３ｂの全部または一部とともに、水あるいは含水アルコール４で取り込むことによって得られる。 - 特許庁

To provide a method for producing an SrRuO_3 crystal film having low resistance equal to that of a bulk film by a sputtering process having excellent mass-productivity, and to provide a sputtered SrRuO_3 crystal film having low resistance equal to that of a bulk film.例文帳に追加

バルクに匹敵する低抵抗のＳｒＲｕＯ_３結晶膜を量産性に優れたスパッタ法で成膜する方法及びバルクに匹敵する低抵抗のスパッタＳｒＲｕＯ_３結晶膜を提供すること。 - 特許庁

To provide a composite material which is made from a metal and a resin, specifically, is produced by forming a sputtered Cu film having high electroconductivity tightly bonded onto a fluororesin substrate; a production method therefor; and a product using the same.例文帳に追加

弗素樹脂基材上に高導電率のスパッタＣｕ膜を高密着力で密着させてなり、金属と樹脂からなる複合材料及びその製造方法並びにそれを用いた製品を提供するものである。 - 特許庁