「sputtered」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a sputtering apparatus that prevents a substrate from being improperly conveyed due to the adhesion of a clamp and the substrate caused by a sputtered film.例文帳に追加

スパッタ膜によるクランプと基板との癒着に起因する基板の搬送不良を防止することができるスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

A Cr film and an Au film are deposited on the crystal substrate and a sputtered film of Ag is further formed thereon, to form a pad electrode.例文帳に追加

水晶基板上にＣｒ膜、Ａｕ膜を蒸着し、更にその上にＡｇのスパッタ膜を成膜してパッド電極を形成する。 - 特許庁

Sputtering particles to be sputtered from the front side of the target 32 are deposited on the substrate 34 to deposit the metal layer on the substrate 34.例文帳に追加

基板３４上にターゲット３２の前面からスパッタリングされるスパッタ粒子を積層し、基板３４上に金属層を形成する。 - 特許庁

Then, as shown in (b), aluminum is sputtered to form it on the entire surface, and an aluminum layer 14 is laminated as to bury the contact opening 13.例文帳に追加

次に、（ｂ）に示すように、全面にアルミニウムをスパッタ形成し、コンタクト開口部１３を埋めるようにアルミニウム層１４が積層される。 - 特許庁

Also, the surface of the first shield 41 is covered by the second shield 45 and therefore the first shield 41 is not sputtered and is protected.例文帳に追加

また、第一のシールド４１の表面は第二のシールド４５で覆われているので、第一のシールド４１はスパッタリングされずに保護される。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering reactor capable of ionizing 15% or more of the metal atoms sputtered from a target.例文帳に追加

本発明は、ターゲットからスパッタされる金属原子の１５％またはそれ以上をイオン化することができるマグネトロンスパッタリアクターを提供する。 - 特許庁

In a depositing interval a DC power is so applied to a target as to form a first plasma, and materials are sputtered from the target onto a substrate.例文帳に追加

堆積期間に、ＤＣ電力をターゲットに印加して第１プラズマを形成し、材料がターゲットから基板上にスパッタされる。 - 特許庁

Even if the graphite 32a is sputtered by the ion beam, since the injector flag Faraday cut 32 is arranged in an upstream of the beam scanner 36 and the ion beam is shielded by the injector flag Faraday cut 32, sputtered graphite particles do not deposit on a surrounding member of the injector flag Faraday cut 32.例文帳に追加

このとき、イオンビームでグラファイト３２ａがスパッタされても、インジェクタフラグファラデーカップ３２がビームスキャナ３６の上流側に配置されており、インジェクタフラグファラデーカップ３２でイオンビームが遮断されているので、スパッタされたグラファイト粒子がインジェクタフラグファラデーカップ３２の周辺部材に付着することはない。 - 特許庁

To improve the adhesion of a negative resist for improving reliability since there are problems such as resist collapses during the copper electroplating, the deformation of the wiring and the short-circuit between wirings because of that the adhesion between the copper sputtered film and the resist is inferior though the wirings are formed on a wafer fitted with a copper sputtered film by copper electroplating after being engraved with the resist.例文帳に追加

銅スパッタ膜付きウェハーにネガ型レジストを製版後に電解銅めっきにより配線が形成されるが、銅スパッタ膜とレジストの密着性が悪い為、電解銅めっき中にレジストが崩れてしまい、配線の変形や配線間がショートしてしまうという問題点が発生する。 - 特許庁

In the practical deposition simulation, the state of sputtered particles is determined according to the flow chart (b) by the Monte Carlo method by using the distribution function of sputtered particles preliminarily calculated in the figure (a) at a specified position, and deposition simulation of particles is carried out only at a specified point.例文帳に追加

実際の堆積シミュレーションに際しては、図１（ｂ）のフローに従い、上記特定点での図１（ａ）で予め計算しておいた飛来粒子分布関数を用いて、飛来粒子の状況をモンテカルロ法により決め、特定点でのみ粒子堆積シミュレーションを行う。 - 特許庁

The base material for immobilizing the biological substance can be manufactured by the steps of forming the sputtered SiO_2 film by sputtering SiO_2 on the surface of the glass base material containing the alkaline component, and treating the surface of the sputtered SiO_2 film obtained with a silane-coupling agent.例文帳に追加

当該生体物質固定用基材は、アルカリ成分を含有するガラス基材の表面にＳｉＯ_2をスパッタリングして、ＳｉＯ_2スパッタ膜を形成する工程、および得られたＳｉＯ_2スパッタ膜の表面をシランカップリング剤で処理する工程を実施して製造することができる。 - 特許庁

The sputtering apparatus 1 includes: a film forming chamber 2 housing a substrate W, and a sputtered particle ejecting section 3 having an opening 3a to eject a sputtered particle 5P from a pair of targets 5a, 5b facing each other with a plasma generation region Pz between the targets and the plasma generation region Pz.例文帳に追加

基板Ｗを収容する成膜室２と、プラズマ生成領域Ｐｚを挟んで対向する一対のターゲット５ａ，５ｂ、およびプラズマ生成領域Ｐｚからスパッタ粒子５Ｐを放出する開口部３ａを有するスパッタ粒子放出部３と、を備えたスパッタリング装置１である。 - 特許庁

To provide a target assembly which is made by jointing a target with a backing plate through a bonding material, but makes the jointed surface between the target and the backing plate not to be exposed to plasma when the target assembly is sputtered, and consequently prevents overdischarge from occurring while the target assembly is sputtered.例文帳に追加

ターゲットとバッキングプレートとをボンディング材を介して接合して構成されるターゲット組立体を用いスパッタリングする場合に、ターゲットとバッキングプレートとの接合面がプラズマに曝されることがなく、ひいては、スパッタリングの際の異常放電の誘発が防止できるようにする。 - 特許庁

To provide a method of making a sculptured layer into a desired shape by depositing a sputtered copper seed layer without polluting or disturbing its peripheral surface.例文帳に追加

周辺表面を汚染もしくは乱さずに、スパッタリングした銅シード層を堆積させて、所望の形状に刻設する方法を提供する。 - 特許庁

To deposit a film having a desired composition ratio by suppressing the composition reduction of an element being apt to be reversely sputtered by a sputtering method using plasma.例文帳に追加

プラズマを用いるスパッタリング法により、逆スパッタされやすい元素の組成減少を抑制して所望の組成比を有する膜を成膜する。 - 特許庁

To suppress abnormal discharge resultant from the adhesion of sputtered particles of a target material to a chamber-deposition shield and their peeling from the shield.例文帳に追加

スパッタされたターゲット材料の粒子が保護シールドに付着した後、剥離することに起因して生じる異常放電の発生を抑制する。 - 特許庁

Consequently, particles are so sputtered from targets 20a, 20b as to stick them on the substrates 1 moving in the right direction above the targets 20a, 20b.例文帳に追加

これにより、ターゲット２０ａ，２０ｂから粒子がスパッタされ、ターゲット２０ａ，２０ｂの上方を右方向に移動する基板１上に付着する。 - 特許庁

The auxiliary cathode 20 newly feeds a metallic material of the type same as that of the target material to the surface of the sputtered rotary cathode 18.例文帳に追加

補助陰極２０は、スパッタリングされた回転陰極１８の表面にターゲット材料と同種の金属材料を新たに供給する。 - 特許庁

In the step for film-depositing the oxide film of Ge, a Ge oxide target is sputtered while an Ar gas is introduced to film-deposit the oxide film 3.例文帳に追加

Ｇｅの酸化物膜の成膜工程では、Ａｒガスを導入しながらＧｅ酸化物ターゲットをスパッタリングして、酸化物膜３を成膜する。 - 特許庁

Film forming materials 7 and 8 mounted on cathodes 3 and 4 provided in a film forming chamber 2 are sputtered to form a thin film on a substrate 11.例文帳に追加

成膜室２内に設けられたカソード３，４上に載置された成膜材料７，８をスパッタリングして基板１１上に薄膜を形成する。 - 特許庁

A semiconductor wafer with a formed CCD is sputtered prior to a dicing process, and a TiO_2 film is formed on the surface of the microlens array.例文帳に追加

ダイシング工程に先立って、ＣＣＤが形成された半導体ウエハにスパッタを施して、マイクロレンズアレイの表面にＴｉＯ_２膜を形成する。 - 特許庁

A target 104 disposed inside a treatment region 107 provides a material source which is sputtered and thereafter ionized in plasma atmosphere.例文帳に追加

処理領域１０７内に配置されたターゲット１０４は、スパッタされその後プラズマ雰囲気中でイオン化される材料源を提供している。 - 特許庁

The generation of a strong electric field and plasma at the contact C is controlled, thereby, an amount of sputtered particle, and radical, etc. which reaches the wafer W is also controlled.例文帳に追加

接点Ｃでの強い電界，プラズマの発生が抑制され，スパッタされた粒子やラジカル等がウエハＷに到達する量も抑えられる。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus that does not cause a short circuit due to a sputtered particle which has deposited in a gap between a backing plate and a gland shield, even when sputtering treatment has been repeated.例文帳に追加

スパッタリング処理を繰り返し行っても、バッキングプレートとグランドシールドとの間で、スパッタリング粒子の堆積による短絡が生じないようにする。 - 特許庁

A resistance layer 8 of a diamond like carbon film is sputtered on the entire surface of a rear substrate 1 wherein a solid construction of a display electrode 5 and a partition 3 is formed.例文帳に追加

表示電極５と隔壁３の立体構造を形成した後方基板１の全面にダイヤモンドライクカーボン膜の抵抗層８をスパッタリング形成する。 - 特許庁

This target can be sputtered over a prolonged period before the exchange is made needed, and thereby, increases the productivity of thin film formation by deposition.例文帳に追加

本発明のターゲットは交換が必要となる前に延長された期間スパッタ出来、それにより付着による薄膜形成の生産性を増大する。 - 特許庁

METHOD OF REDUCING SPUTTERING BURN-IN TIME AND MINIMIZING SPUTTERED PARTICULATE, AND TARGET ASSEMBLY USED THEREUPON例文帳に追加

スパッタリングのバーンインに要する時間を短縮してスパッタリングの際に発生するパーティクルを最小限に抑える方法、及びこのときに用いられるターゲットアセンブリ - 特許庁

To remove aluminum-based reaction products, aluminum sputtered from material members inside the process chamber or the like, adhering inside the process chamber.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、処理室内部に付着したアルミニウム系反応生成物や処理室内の部材からスパッタされたアルミニウムなどを除去する。 - 特許庁

To avoid the contact between a treatment container and a cylindrical electrode, to prevent the line of magnetic force from varying, and to prevent the inner wall of the treatment container from being sputtered.例文帳に追加

処理容器と筒状電極の接触を回避し、磁力線の変動が生じないようにし、処理容器内壁がスパッタされにくいようにする。 - 特許庁

It is preferable to deposit a barrier layer 174 and a seed layer 176 in a chamber having an induction coil and a target containing a material to be sputtered.例文帳に追加

障壁層１７４およびシード層１７６は、誘導コイルとスパッタされる材料を含むターゲットとを有するプラズマチャンバ内で堆積されるのが好ましい。 - 特許庁

The granular magnetic thin film can be, for example, a sputtered film formed by sputtering or an evaporated film formed by evaporation.例文帳に追加

グラニュラー磁性薄膜は、例えば、スパッタ法により形成されたスパッタ膜であっても良いし、蒸着法により形成された蒸着膜であっても良い。 - 特許庁

The sputtering target T has a predetermined outer shape which has a slope T2 formed on the whole periphery at which a sputtered surface intersects with a peripheral wall surface.例文帳に追加

所定の外形を有するスパッタリング用のターゲットＴであって、スパッタ面と周壁面とが交わる部分に、その全周に亘って斜面Ｔ２を付けた - 特許庁

A conductive thin film is formed on the sample surface by allowing adhesion of atoms of a sputtered target 2 onto a sample 10 placed on a stage 11.例文帳に追加

スパッタされたターゲット２の原子がステージ１１上に載置された試料１０に付着することにより試料表面上に導電性薄膜が形成される。 - 特許庁

At least in one mode, a target 104 provides a source of the material sputtered by plasma and subsequently ionized by an induction coil 122.例文帳に追加

少なくとも一つの態様において、ターゲット１０４は、プラズマによりスパッタリングされ、その後、誘導コイル１２２によってイオン化される材料のソースを提供する。 - 特許庁

To provide a method for air-tightly sealing a quartz vibration device where the inside of its package is evacuated and a sputtered metal at air-tight sealing hardly enters the inside of the package.例文帳に追加

パッケージの内部を真空にし、かつ気密封止時の飛散金属がパッケージ内部に入りにくい水晶振動デバイスの気密封止方法を提供する。 - 特許庁

Owing to the plasma deposition of a sputtered seed layer, the shape of the seed layer is improved in the vicinity of the edge of the substrate, and the uniformity of the layer crossing the substrate is also improved.例文帳に追加

スパッタされたシード層のプラズマ堆積のために、シード層の形状は、基板のエッジ近くで改善され、基板を横切る層の均一性も改善される。 - 特許庁

To provide a processing method and a processing apparatus of a semiconductor device for improving characteristics in an interlayer film formed under a sputtered film.例文帳に追加

スパッタ膜下の層間膜の膜特性を向上させる事が可能である半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。 - 特許庁

A minus bias is applied to the workpiece W or a workpiece holder 8 holding the workpiece W by a bias power source 26, and the ionized sputtered particles are adsorbed.例文帳に追加

ワークＷまたはワークＷを保持するワークホルダ８には、バイアス電源２６によってマイナスのバイアスが与えられ、イオン化されたスパッタ粒子を吸着する。 - 特許庁

A flexible conductive surface (172) is sputtered on the board (176), to thereby cover the plurality of the conductors (178).例文帳に追加

フレキシブル導電性面（１７２）は、フレキシブル絶縁基板（１７６）上にスパッタリングされ、それによって複数のフレキシブル電気導体（１７８）が覆われるようにする。 - 特許庁

In the W sputtering target, the half-width of peak of crystal plane (110) obtained by X-ray diffraction of the plane to be sputtered is ≤0.35.例文帳に追加

Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a display device capable of inhibiting a decrease in transmissivity even if its discharge electrodes are sputtered, and capable also of preventing electrical leakage.例文帳に追加

放電電極がスパッタされても透過率の劣化を抑制し、かつ電気的リークの発生を防止することができる表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a tantalum sputtering target which provides good film uniformity and can improve the quality of a sputtered film, and to provide a method for production of the target.例文帳に追加

膜の均一性（ユニフォーミティ）を良好にし、スパッタ成膜の品質を向上させることができるタンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A target 104 provides a source of material to be sputtered by a plasma and then ionized by an induction coil 122, thereby producing electrons and ions.例文帳に追加

ターゲット１０４はプラズマによってスパッタされる材料を供し、さらに材料は電子とイオンを生成する誘導コイル１２２によってイオン化される。 - 特許庁

Both inside and outside surfaces of a magnetic shield cylinder are sputtered with silver to form a silver thin-film layer, for improved cooling efficiency of the shield.例文帳に追加

また、磁気シールド筒体の内外両表面に銀を溶射し、銀の薄膜層を形成させることによりシールド体の冷却効率を向上させる。 - 特許庁

An AC power source 5 is connected to the cathodes 3A and 3B, and negative voltage is alternatively applied to the cathodes 3a and 3B, so that the two targets 4 are alternatively sputtered.例文帳に追加

カソード３Ａ，３Ｂに交流電源５を接続し、カソード３Ａ，３Ｂに交互に負電圧を印加することにより２個のターゲット４，４を交互にスパッタする。 - 特許庁