「sputtered」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The target having the composition contains at least trivalent Fe, Li, and PO_4 is used, and the target is sputtered by an ion such as a rare gas (for example an argon gas), thereby obtaining a thin film of iron lithium phosphate containing trivalent Fe.例文帳に追加

３価のＦｅと、Ｌｉと、ＰＯ_４と、を少なくとも含む組成のターゲットを用い、希ガス（例えばアルゴン）等のイオンでターゲットをスパッタリングすることにより、３価のＦｅを含むリン酸鉄リチウムの薄膜を得る。 - 特許庁

The first good conductor 406A and the semiconductor material area 403A of the first different material are connected, and the synthetic semiconductor 402A is sputtered on the semiconductor material area 403A with the first different material mixed.例文帳に追加

第１良導体４０６Ａと第１種雑質の半導体材料区域４０３Ａとを接続させ、合成半導体４０２Ａは第１種雑質を混入した半導体材料区域４０３Ａにスパッター加工する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus which forms a film on a plurality of substrates through sputtering, and can change incidence angles of sputtered particles heading for each substrate to form the film with desired thickness distribution.例文帳に追加

この発明は、複数の基板のスパッタが可能であると共に、それぞれの基板に対するスパッタ粒子の入射角度を変化させることができ、所望の成膜分布を得ることができるスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor-carrier film, a nickel-chromium-alloy sputtered layer having a thickness of 70 to 500 Å and a copper plated layer are formed on a surface of polyamide film, and a copper layer is formed on it.例文帳に追加

ポリイミド系フィルムの表面に、厚さ７０〜５００Åのニッケル−クロム合金のスパッタ層及び銅のメッキ層が設けられ、さらにその上に銅層が設けられていることを特徴とする半導体キャリア用フィルム。 - 特許庁

A silicon surface is sputtered, so that undulation recess portion forms periodical vertical portion of the same depth as the boundary of the silicon-insulator of an SOI material due to the uniform flow of nitrogen molecular ions in a ultra-high vacuum condition.例文帳に追加

シリコン表面は、超真空中で窒素分子イオンの均一流により、起伏の波窪がＳＯＩ材料のシリコン−絶縁体の境界と同じ深さの周期的な波状起伏を形成するためにスパッタされる。 - 特許庁

The surface of a polyimide film 1 is formed as a coarse surface 1a through formation of many fine recessed areas 2 where the internal diameter is expanded and an electrically copper plated layer 5 is formed on the surface described above via a sputtered nickel layer 3.例文帳に追加

ポリイミドフィルム１の表面が、内部が拡径している多数の微小凹部２の形成により粗化面１ａに形成され、上記表面にスパッタリングニッケル層３を介して電気銅めっき層５が形成されている。 - 特許庁

Alternatively, metal chemical species to become a silicification compound are simultaneously sputtered and deposited and are heat-treated to fix a metal silicide thin film on a surface of a base material, and a sulfide thin film is fixed on a surface thereof.例文帳に追加

あるいは、珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、これを熱処理することで金属珪化物薄膜を基材表面に固定化し、この表面に硫化物薄膜を固定化させる。 - 特許庁

To provide a sputtering system where, by using sputtered neutral atoms at respective tilted multicathodes, the satisfactory coverage of a side wall and a bottom part can be formed in a patterned hole or groove on the surface of a wafer.例文帳に追加

傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成できるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

Since the dielectric body consisting of ceramic having plasma resistance is installed between the cathode and the anode, the organic substance sputtered by the RIE (Reactive Ion Etching) is prevented from being stuck on the anode side.例文帳に追加

カソードとアノード間にプラズマ耐性を有したセラミックなどからなる誘電体が設置されていることで、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）によりスパッタされた有機物がアノード側に付着することを防ぐことができる。 - 特許庁

The gold color film 1 is composed of a polyimide film 2 and a sputtered layer 3 formed by subjecting a metal to sputtering on the back side face 22 of the polyimide film 2 and having light transmissivity of 95 to 99.5%.例文帳に追加

ポリイミドフィルム２と，ポリイミドフィルム２の裏側面２２に金属をスパッタリングすることにより形成したスパッタ層３とからなることを特徴とする光線透過率が９５〜９９．５％のゴールド色フィルム１。 - 特許庁

The method for manufacturing the sputtering target includes preparing a plurality of plate-shaped target chips each of which is made of a metal oxide sintered compact having a first composition and has a surface to be sputtered.例文帳に追加

本発明の一形態に係るスパッタリングターゲットの製造方法は、第１の組成を有する金属酸化物焼結体からなる、被スパッタ面を有する複数の板状のターゲット片を準備することを含む。 - 特許庁

In a second means, a carbon nitride film is deposited as the protective film, after the ABS surface is sputtered by using nitrogen plasma, to obtain strong bonding force between nitrogen atoms in the ABS surface and the carbon nitride film.例文帳に追加

第２の手段は前記ＡＢＳ面を窒素プラズマでスパッタし、その後窒化炭素膜を保護膜として成膜することにより、ＡＢＳ面および窒化炭素膜中の窒素原子間に強固な結合力を得る。 - 特許庁

To provide a film-depositing apparatus in which a film-control device for controlling the film thickness etc., of sputtered film formed on a substrate can be exchanged, and a method for exchanging the film-control device.例文帳に追加

ターゲットを設置した真空室を真空に保った状態で、基板に形成されるスパッタ成膜の膜厚などを制御する膜制御器の交換が可能な成膜装置及び膜制御器の交換方法を提供する。 - 特許庁

Under the magnetic recording layer, a multilayer underlayer is provided which has a nonmagnetic template layer composed of ruthenium and silicon disposed between a first nonmagnetic underlayer which has been sputtered in an inert gas atmosphere, and is composed of ruthenium or a first ruthenium alloy and a second nonmagnetic underlayer which has been sputtered in an inert gas atmosphere with pressure higher than that in sputtering the first nonmagnetic underlayer, and composed of one of ruthenium and a second ruthenium alloy.例文帳に追加

磁気記録層の下に、不活性ガス雰囲気でスパッタされた、ルテニウムまたは第１のルテニウム合金からなる第１非磁性下地層と、不活性ガス雰囲気で、第１非磁性下地層をスパッタするときの圧力よりも高い圧力でスパッタされた、ルテニウム、及び第２のルテニウム合金のうち一方からなる第２非磁性下地層との間に、ルテニウムとシリコンからなる非磁性テンプレート層が設けられた構造を有する多層下地層を設ける。 - 特許庁

A DC voltage is applied to a set of targets A, B which are disposed facing each other in a film formation chamber 124 and at least one of which consists of zinc of high purity, and they are sputtered by plasma generated between both the targets A, B.例文帳に追加

成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，Ｂに、ＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。 - 特許庁

Moreover, sputtering gas is introduced into the interior of the first treatment chamber 11, and either one out of first to third targets is sputtered by plasma of the sputtering gas, thereby capable of forming a thin film on the surface of the substrate 70.例文帳に追加

また、第一の処理室１１の内部に、スパッタガスを導入して、スパッタガスのプラズマが第一〜第三のターゲットのうち、いずれか一つのターゲットをスパッタすることにより基板７０の表面に薄膜を形成することができる。 - 特許庁

The direction regulating tool 391 is composed of several blade plates 392 radially extending from a center axis A coaxial with the substrate 9, and forms a sputtered particles- passing port having a profile which is long in a radial direction of the substrate 9 and opened at one placed.例文帳に追加

方向規制具３９１は、基板９と同軸の中心軸Ａから放射状に延びる複数の羽根板３９２から成り、基板９の径方向に長く一カ所で開いた断面形状のスパッタ粒子通過口を形成する。 - 特許庁

A water soluble or water dispersible layer 3b is formed on a base member 2 directly or indirectly via a layer 3a which is hardly soluble in water, a film-deposition material such as metal is sputtered on the layer 3b and a film 6 is formed.例文帳に追加

ベース部材２上に、直接または水難溶性の層３ａを介して間接的に、水溶性または水分散性の層３ｂを形成し、その層３ｂの上に、金属などの成膜材をスパッタリングして被膜６を形成する。 - 特許庁

To provide a method to generate a high purity plasma by solving the problems of the prior-art wherein an electrode is sputtered and impurities are mixed into the plasma when the plasma is generated by a high frequency discharge method.例文帳に追加

高周波放電法によってプラズマを発生する場合に、電極がスパッタリングされてプラズマ中に不純物が混入するという従来技術の問題点を解決して、高純度のプラズマを発生できる方法を提供する。 - 特許庁

The Si is preferably sputtered from the direction oblique to the substrate so that an incident angle θ formed by the normal direction of the substrate and an incident direction in which the Si is made incident on the surface of the substrate is 60 to 90°.例文帳に追加

前記Ｓｉを基板面に対して、基板の法線とＳｉが基板面に入射する入射方向との間の角度からなる入射角θが６０°以上９０°以下になるように斜め方向からスパッタリングすることが好ましい。 - 特許庁

This enables targets made of different materials to be positioned on the symmetrical sections above the substrate 8 on both internal and external peripheries of the substrate 8 and this also decreases the incident angle of particles sputtered to the inside of the surface of the rotating substrate 8.例文帳に追加

これにより、基板８における内周と外周との両方において、基板８上方に異種のターゲットが対称位置に配置され、回転時の基板８面内に対するスパッタ粒子の入射角度を小さくすることができる。 - 特許庁

To provide a film for touch panel that has long-term stable durability by preventing film peeling between an HC layer and a multilayer sputtered film even under a severe environment, and to provide a touch panel using the same.例文帳に追加

過酷な環境下においても、ＨＣ層と多層スパッタ膜間等の膜剥離の発生を防止して、長期にわたり安定した耐久性を発揮することが可能なタッチパネル用フィルムと、これを用いたタッチパネルを提供する。 - 特許庁

The ion beam sputtering system performs deposition on a substrate 14 by the particles jumped out of a target 21 by irradiating the target 21 with the ion beam 17, in which the shape of the sputtered surface 21a of the target 21 is formed as a recessed surface shape.例文帳に追加

ターゲット２１にイオンビーム１７を照射し、ターゲット２１から飛び出した粒子によって基板１４上に成膜を行うイオンビームスパッタ装置において、ターゲット２１のスパッタリングされる表面２１ａの形状を凹面形状とする。 - 特許庁

Plasma is formed in an atmosphere containing the sputter-gas mixture and atoms are sputtered from a target material to a substrate 14 to deposit a layer of the target material on the substrate 14, and then the substrate 14 and the layer deposited on it are annealed.例文帳に追加

スパッタリングガス混合物雰囲気中にプラズマを形成してターゲット材料から基板１４へ原子をスパッタすることで、基板１４上にターゲット材料の層を形成し、基板１４およびその上に堆積した層をアニーリングする。 - 特許庁

In this biosensor constituted in this way, the lead wire is drawn to the outside without enlarging the sensor thickness and run excellently, and the glucose concentration can be measured continuously without the autooxidation of the sputtered electrode material.例文帳に追加

本構成のバイオセンサはセンサの厚みを拡大することなく、導線を外部に引き出し、その取り回しに優れるとともに、スパッタした電極材料は自己酸化することなく、連続的にグルコース濃度が計測できるバイオセンサとしている。 - 特許庁

Since inclined surfaces of the sides of a projection 5 and a depression 6 are sputtered by priority and the speed of sputtering of the flat surface is low; sputtering proceeds from the sides of the projection and depression 5 and 6 toward the in-plane part, and the surface of the Cu layer 4 is planarized.例文帳に追加

凹凸部５、６の側面の傾斜した面が優先的にスパッタされ、平坦面のスパッタ速度は遅いので、凹凸ぶ５、６の側面から面内方向にスパッタが進行してＣｕ層４表面は平坦になる。 - 特許庁

Then, a sputtering gas is introduced into the vacuum tank 13 to generate plasma around it by applying voltage to the auxiliary electrode 23, and the intermediate layer material is sputtered to form an intermediate layer on the inner circumferential face 11b of the cylindrical member 11.例文帳に追加

そして、真空槽１３内にスパッタガスを導入し、補助電極２３に電圧を印加してその周囲にプラズマを発生させ、中間層材料をスパッタして円筒状部材１１の内周面１１ｂに中間層を形成する。 - 特許庁

Then second metal layers 6 are sputtered or vapor-deposited on the first metal layers 5 in the same manner, and a condition where a piezoelectric element side and a fixing end main body side have laminated structures comprising the first metal layer 5 and the second metal layer 6, respectively, is made.例文帳に追加

次に第１の金属層５の上に第２の金属層６を同じくスパッタまたは蒸着し、圧電素子側、固定端本体側それぞれが第１の金属層５と第２の金属層６の積層構造をとる状態とする。 - 特許庁

A first extra-slender shaft body 4 and a second extra-slender shaft body 5 each consisting of an extra-fine tube with one end being a sputter target and the other being a body to be sputtered along the direction of gravity are arranged coaxially in a vacuum container 1.例文帳に追加

、真空容器１内に、重力方向に沿っていずれか一方をスパッタターゲットとし、他方を被スパッタ体とする極細管による第１の極細長軸体４と第２の極細長軸体５を同軸心上に、配置する。 - 特許庁

Two sputter cathodes, on which targets are stuck, are disposed in close vicinity to each other in a vacuum system in which reduced pressure atmosphere can be regulated, and the above targets are co-sputtered to concurrently deposit films having compositions containing the materials of the targets respectively onto a substrate.例文帳に追加

減圧した雰囲気が調整できる真空装置にターゲットを貼り付けた２つのスパッタリングカソードを近接設置し、前記ターゲットを同時にスパッタリングして、基体に前記ターゲットの材料を含む成分の被膜を同時に被覆する。 - 特許庁

An RF coil 23 is arranged between a target 11 and a workpiece W, and sputtered particles scattered from the target 11 toward the workpiece W are ionized, so as to be plasma ions by feeding high frequency power to the RF coil 23.例文帳に追加

ターゲット１１とワークＷとの間には、ＲＦコイル２３が配され、ターゲット１１からワークＷに向けて飛散するスパッタ粒子は、ＲＦコイル２３に高周波電力が供給されるとによってプラスイオンにイオン化される。 - 特許庁

To provide a method for producing an ingot for a sputtering target, which inhibits the production of a new defective mode (huge dust and large cavity) occurring when a target is sputtered in a new sputtering system such as long slow sputtering and reflow sputtering.例文帳に追加

ロングスロースパッタやリフロースパッタ等の新スパッタ方式でスパッタリングした際に発生する新たな不良モード（巨大ダストや大きな凹部）の発生を抑制することを可能にしたスパッタリングターゲット用インゴットの製造方法を提供する。 - 特許庁

A contact pin 10 is formed with a surface 13 abutting on a lead formed into a curved surface, nickel or titanium is sputtered on the surface of a contact pin base material such as gold-plated beryllium copper, and then the thin film is covered by spattering tungsten, chromium or titanium.例文帳に追加

コンタクトピンがリードに接触する面を曲面に形成するとともに、金メッキされたベリリウム銅などのコンタクトピン母材の表面に、ニッケルまたはチタンのスパッタをし、次にタングステン、クロムまたはチタンのスパッタをして薄膜を被覆する。 - 特許庁

A target 14 composed of a fluororesin is irradiated with ion beams of inert gas in a gas atmosphere containing gaseous fluorine or a compound comprising fluorine atoms so as to be sputtered, and a fluororesin film is deposited on a film substrate 12.例文帳に追加

フッ素ガスまたはフッ素原子を含有する化合物からなるガス雰囲気中で、フッ素樹脂からなるターゲット１４に不活性ガスのイオンビームを照射してスパッタリングを行い、フィルム基材１２上にフッ素樹脂被膜を成膜する。 - 特許庁

The IC device 1 has an integrally formed coil 3, and a conductor forming the coil 3 is of a multilayer structure having either a metal sputtered layer or a metal deposition layer 6 and a metal plating layer 7.例文帳に追加

ＩＣ素子１としては、コイル３が一体形成されたＩＣ素子であって、コイル３を構成する導体が、金属スパッタ層又は金属蒸着層６と金属めっき層７とを有する多層構造からなるものを用いる。 - 特許庁

Prior to sputtering formation of a phase shift film on a transparent substrate by using a plurality of targets, surfaces of the targets are sputtered by using a gas (for example, argon) that does not substantially react with the targets.例文帳に追加

複数のターゲットを用いて透明基板上に位相シフト膜をスパッタリング成膜するに先立ち、これら複数のターゲットの表面を、ターゲットと実質的に反応しないガス（例えばアルゴン）を用いてスパッタ処理することとした。 - 特許庁

To control fluctuation in film thickness in a step of forming, for instance, an anti-reflection film, by stabilizing a film-forming speed throughout an early stage in using a target to the life end, in a process of forming a sputtered film with the use of an Nb target.例文帳に追加

Ｎｂターゲットを用いたスパッタ成膜工程において、ターゲットの使用初期からライフエンドまで成膜速度を安定化させることによって、例えば反射防止膜の形成工程における膜厚のばらつきを抑制する。 - 特許庁

Gas is introduced into a magnetic film producing chamber 1 through a gas introducing system 12, and sputter discharge is produced by using a sputter power source, so that a target 30, which is composed of magnetic materials, is sputtered and then a magnetic film is generated on the surface of a substrate 9.例文帳に追加

磁性膜作成チャンバー１内にガス導入系１２によりガスを導入し、スパッタ電源によりスパッタ放電を生じさせ、磁性材料より成るターゲット３０をスパッタして基板９の表面に磁性膜を作成する。 - 特許庁

Further, when the magnetic field forming apparatus 25 is also made to move to the substrate 10, the region to be largely sputtered in each target 15 moves to the substrate 10, and thus, the film thickness distribution of the film deposited on the substrate 10 is made more uniform.例文帳に追加

更に、磁界形成装置２５を基板１０に対しても移動するようにすれば、ターゲット１５が多くスパッタリングされる領域が基板１０に対して移動することになり、基板１０に形成される膜の膜厚分布がいっそう均一になる。 - 特許庁

In a chamber, sputtering is performed to form an erosion area different from that formed under a predetermined deposition condition required for forming a desirable sputtered film on a sputtering surface of the target material containing two or more elements.例文帳に追加

まず、チャンバ内において、複数の元素を含むターゲット材を用いて、所望のスパッタ膜を成膜する所定の成膜条件で形成される浸食領域とは異なる浸食領域がターゲット材のスパッタ面に形成されるように、スパッタリングを行なう。 - 特許庁

The sputtering method includes the steps of: arranging a gettering material 1X on a sputter surface of the sputter target; causing the gettering material 1X to be released in the early phase of the sputtering to increase the degree of vacuum; and then executing the sputtering of an object to be sputtered so as to achieve the film formation on the substrate with sputter particles.例文帳に追加

スパッタターゲットのスパッタ面上にゲッタリング材料1Xを配置し、スパッタリング初期にゲッタリング材料1Xを放出させて、真空度を上げ、その後、スパッタリング対象部をスパッタリングすることにより、スパッタ粒子を基板上に成膜する。 - 特許庁

A protective film 1 for preventing electrification consists of a resin film 2, an adhesive layer 4 formed on the lower surface 22 of the resin film 2, and a sputtered layer 3 formed on the upper surface 21 of the resin film 2 by sputtering metal or metal oxide.例文帳に追加

樹脂フィルム２と，該樹脂フィルム２の下面２２に形成した粘着層４と，上記樹脂フィルム２の上面２１に金属又は金属酸化物をスパッタリングすることにより形成したスパッタ層３とからなる帯電防止用保護フィルム１。 - 特許庁

The ECR sputtering system 100 is provided with: a plasma generation chamber 10 generating ECR plasma on a magnetic field space; and a treatment chamber 20 storing a target 21 sputtered by ions in the ECR plasma and a substrate holder 22 holding a substrate S.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタリング装置１００は、磁場空間にＥＣＲプラズマを生成させるプラズマ生成室１０と、ＥＣＲプラズマ中のイオンによりスパッタされるターゲット２１と基板Ｓを保持する基板ホルダー２２とを収納する処理室２０とを備える。 - 特許庁

In this case, an electro-conductive metal plate larger than the molded resin article 1 is used as the holder 2, the particles generated from the target by sputtering and flying toward the article 1 are ionized by an ionizing means 5 and the holder 2 is sputtered with the generated ion.例文帳に追加

この際、ホルダー２として樹脂成形品１よりも大きい導電性金属板を用いて、ターゲット３からのスパッタで発生して樹脂成形品１に向かう粒子をイオン化手段５でイオン化し、該イオンで上記ホルダー２をスパッタする。 - 特許庁

In a sputtering target 14 made of a magnetic material with the magnetic field applied via a backing plate 12, as to the face to be sputtered, the vicinity of a magnetic flux concentration region 14a where the formation of erosion grooves is forecast is provided with grooves 18, 22, 26 and 30 for magnetic flux leakage.例文帳に追加

バッキングプレート１２を介して磁界が印加される磁性材製のスパッタリングターゲット１４において、スパッタ面には、エロージョン溝の形成が予想される磁束集中領域１４ａの近傍に磁束漏洩用の溝１８，２２，２６，３０を設ける。 - 特許庁