「sputtered」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Also, the prediction of the film thickness of the case the deposition is performed while shielding the prescribed aperture is made possible by subtracting the thickness of the films formed by the sputtered particles arriving at the arbitrary point on the substrate through the prescribed aperture from the total sum film thickness at the arbitrary point.例文帳に追加

また、基板上の任意の点における総和膜厚から、所定の開口部から到達するスパッタ粒子により形成される膜の厚みを減算することにより、コリメータの複数の開口部のうち、前記所定の開口部を遮蔽して成膜を行う場合の膜厚を予測できるようにする。 - 特許庁

Deposition pressure is so set that the distance between the substrate S and a first target T1 is shorter than a mean free path of sputtered particles discharged from the first target T1, to thereby deposit an MgO layer having 5 to 20 nm film thickness on the substrate S whose temperature is maintained at room temperature.例文帳に追加

そして、基板Ｓと第１ターゲットＴ１との間の距離が第１ターゲットＴ１から放出されるスパッタ粒子の平均自由工程よりも短くなるように成膜圧力を設定して、室温に保持される基板Ｓに、膜厚が５ｎｍ〜２０ｎｍのＭｇＯ層を形成した。 - 特許庁

When the bonding wire 2 is inserted into the plasma region 52; the material of the bonding wire 2 is changed into particles and the micro-plasma 303 containing the particles of that sputtered gold is jetted from the opening 48, and the material same as that of the bonding wire 2 is deposited on the surface of the bonding target.例文帳に追加

ボンディングワイヤ２がプラズマ領域５２の中に挿入されると、ボンディングワイヤ２の材料が微粒子化し、そのスパッタされた金の微粒子を含むマイクロプラズマ３０３が開口４８から噴出し、ボンディング対象の表面にボンディングワイヤ２と同じ材料が堆積する。 - 特許庁

When the negative voltage is applied to the target holder 11, Ar+ is allowed to sputter a target to deposit a thin film onto the surface of a substrate 10; when the negative voltage is applied to the substrate holder 9, Ar+ is allowed to sputter the surface of the substrate 10 to activate sputtered particles and densify the thin film.例文帳に追加

Ａｒ^+は、ターゲットホルダ１１に負電圧が印加されるときにはターゲットをスパッタして基板１０表面に薄膜を成膜させ、基板ホルダ９に負電圧が印加されるときには基板１０表面をスパッタしてスパッタ粒子を活性化し、薄膜を緻密にする。 - 特許庁

Alternatively, the nickel and silicon are simultaneously sputtered and deposited, metal chemical species to become a sulfide compound or a sulfide thereof is deposited, and they are heated in a sulfur atmosphere to simultaneously fix the NiSi_2 thin film and the sulfide thin film of a laminate thin film on the surface of the base material.例文帳に追加

あるいは、ニッケルとシリコンを同時にスパッタ堆積し、さらに硫化化合物となる金属化学種またはこれらの硫化物を堆積し、これを硫黄雰囲気下にて加熱することにより基材表面にＮｉＳｉ_２と硫化物の積層薄膜を同時に固定化させる。 - 特許庁

A sputtered titanium nitride film 27 is interposed between a tantalum nitride film 26 constituting the capacitive insulating film of a capacitive element and a CVD-titanium nitride film constituting a part of an upper electrode, so that it may avoid the influence that the crystal condition of the tantalum oxide film 26 has on the CVD-titanium nitride film 28.例文帳に追加

容量素子の容量絶縁膜を構成する酸化タンタル膜２６と上部電極の一部を構成するＣＶＤ−窒化チタン膜２８との間にスパッタ−窒化チタン膜２７を介在させ、酸化タンタル膜２６の結晶状態がＣＶＤ−窒化チタン膜２８に及ぼす影響を回避する。 - 特許庁

To solve the problem that when a short circuit occurs between the side parts close to each other of respective plate-like connection members 5a, 5b during lighting and lighting of a lamp 1 is started without sufficiently preheating a winding part 4a, an electron emitting substance 3a is excessively sputtered and excessively worn out, and consequently, a lamp service lifetime is shortened.例文帳に追加

板状の接続部材５ａ，５ｂそれぞれの互いに近接する辺部同士で点灯時に短絡が発生し、巻回部４ａが十分に予熱されずにランプ１が点灯を開始すると、電子放出物質３ａが過剰にスパッタされて過剰に損耗され、ランプ寿命が縮む。 - 特許庁

To provide a diffusedly joined target assemblage of a high purity cobalt target with a backing plate with which a high purity cobalt ferromagnetic target can effectively be sputtered, and the occurrence of warpage and peeling can be prevented even at the time of being joined with the backing plate and in the severe conditions of high power sputtering, and to provide its production method.例文帳に追加

高純度コバルト強磁性体ターゲットの実効あるスパッタリングが可能であり、またバッキングプレートとの接合時及びハイパワースパッタの過酷な条件下でも、反りや剥れの発生が防止できる高純度コバルトターゲットとバッキングプレートとの拡散接合ターゲット組立体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By keeping up such a state for a prescribed time, the particles (Ti atom) 141 sputtered from the heated target 102 are oxidized by an activated oxygen such as oxygen ion or oxygen radical in the ECR plasma and are deposited on the substrate 103 to form the titanium oxide film 112 thereon.例文帳に追加

この状態を所定時間継続することで、加熱されたターゲット１０２よりスパッタされている粒子（Ｔｉ原子）１４１が、ＥＣＲプラズマ中の酸素イオンや酸素ラジカルなどの活性化された酸素により酸化されて基板１０３の上に堆積し、基板１０３の上に酸化チタン膜１１２が形成される。 - 特許庁

In a plasma deposition device for depositing a sputtered target material on a substrate, capacitance in an impedance-matching box for an RF coil is varied during the deposition process in such a manner that heating of the RF coil and the substrate and the film deposition become more uniform according to "time-averaging" of the RF voltage distribution along the RF coil.例文帳に追加

スパッタされたターゲット材料を基板上に堆積させるためのプラズマ堆積装置において、ＲＦコイルのインピーダンス整合ボックス内のキャパシタンスを、堆積プロセス中に、ＲＦコイルと基板の加熱、及び薄膜の堆積が、ＲＦコイルに沿ったＲＦ電圧分布の「時間平均」によってより均一になるように、変化させる。 - 特許庁

To provide a long-life plasma-addressed liquid crystal display device in which the frequency of arc discharge generation is small in cathode initialization (activation), the discharge current is reduced and the deterioration of the cathode after a lapse of discharge time is decreased and the deterioration of transmittance due to sticking of sputtered matters is suppressed so as to improve the panel life.例文帳に追加

陰極初期化（活性化）時にアーク放電の発生頻度が少なく、放電電流を低減し放電時間の経過に伴う陰極の劣化が低減されて、スパッタ飛散物の付着による透過率劣化が抑制されパネル寿命が改善される、長寿命なプラズマアドレス液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a device for measuring a film thickness distribution, which can more precisely measure a distribution of particles sputtered from a target, and can provide a distribution function for sputter simulation by processing the measured data into an appropriate expression as the simulation function of the measured values, and to provide a method for processing the measured data by the measuring device.例文帳に追加

ターゲットからの粒子の分布をより精密に測定することができ、測定値のシミュレーション関数としての適切な表現等による測定データ処理が可能となるスパッタシミュレーションのための膜厚分布関数の測定装置、及び該測定装置による測定データの処理方法等を提供する。 - 特許庁

The nano/micro projection body is formed and grown, on a plate made of a noble metal having threshold energy of Ar ion sputtering of 25 eV or less and having activation energy of surface diffusion of 1.6 eV or less, by irradiating the plate with a high energy beam in low vacuum to induce surface diffusion of sputtered metal atoms in a direction toward the energy source.例文帳に追加

Ａｒイオンスパッタリングの閾値エネルギーが２５ｅV以下で、表面拡散の活性化エネルギーが１．６ｅＶ以下の貴金属からなる板に、低真空下で高エネルギービームを照射して、スパッタされた金属原子のエネルギー源方向への表面拡散により形成・成長されたことを特徴とするナノ・マイクロ突起体。 - 特許庁

In the piezoelectric component, a member including a built-in piezoelectric element and securing the air tight of the piezoelectric element is formed from non-conductive material on which metal can be vapor-deposited or sputtered, and on the surface of the member, a metal film is deposited by vapor deposition or sputtering, thereby the piezoelectric component is given shield effect on external noise.例文帳に追加

本発明は、圧電素子を内蔵し、かつ、該圧電素子を内部に気密確保する金属を蒸着あるいはスパッタリング可能な非導通材料からなる部材の表面に金属膜を蒸着またはスパッタリングにより形成し、外来ノイズのシールド効果をもたせたことを特徴とする圧電部品に関する。 - 特許庁

To solve a problem that a target made by a prior art leaves its peripheral part unsputtered and consequently uneroded, when sputtered after having been mounted on a sputtering apparatus and surrounded by an earth shield, because when plasma is generated, an electric current passes to the earth shield from the target and the plasma is not formed on the surface of the peripheral part of the target.例文帳に追加

従来技術にかかるターゲットをスパッタリング装置に装着し、ターゲットの周囲にアースシールドを設けると、プラズマを発生させた際に、ターゲットからアースシールドへと電流が流れるため、ターゲットの外周縁部の表面ではプラズマが形成されず、ターゲットの外周縁部がスパッタされない非侵食領域として残る。 - 特許庁

In the clathrate compound thin film manufacturing method for manufacturing a clathrate compound thin film having a crystalline structure of a basket-shaped molecular aggregate on a substrate 16, a target 20 is sputtered by a helicon excitation sputtering method, and the clathrate compound thin film is deposited on the substrate 16.例文帳に追加

籠状分子集合体の結晶構造を有するクラスレート化合物薄膜を基板１６上に製造する方法であって、ターゲット２０をヘリコン励起スパッタ法によりスパッタし、基板１６上に前記クラスレート化合物薄膜を形成することを特徴とするクラスレート化合物薄膜の製造方法。 - 特許庁

This is the organic light emitting device which is provided with at least one light emitting organic material layer arranged between a first electrode and a second electrode, in which either one of the first and the second electrodes is multi-layered, and in which respective layers of the multi-layered structure are the layers sputtered by a DC magnetron.例文帳に追加

第１の電極と第２の電極との間に配置された少なくとも１つの発光性有機材料層を有し、前記第１の電極及び第２の電極の一方が多層構造であり、前記多層構造の各層がＤＣマグネトロンによりスパッタされた層である有機発光デバイスにつき開示する。 - 特許庁

This apparatus comprises a hot cathode type ionizing means 6 for ionizing sputtered particles which is arranged between a target 2 and the substrate 9, a magnetic field generating means 7 arranged near the ionizing means 6, and introducing thermoelectrons generated from the ionizing means 6 toward the target 2 side by the magnetic field generated by the generating means 7.例文帳に追加

ターゲット２と基板９との間に配置され、スパッタ粒子をイオン化させる熱陰極方式のイオン化手段６を備え、イオン化手段６近傍に磁場発生手段７を配置して、磁場発生手段７により発生させた磁場により、イオン化手段６から発生させた熱電子をターゲット２側へ導くようにしている。 - 特許庁

In the sputtering target, a surface on a side of a sputtering surface to which the target atoms are sputtered, is thickened concentrically according to a distance from the center of the sputtering surface so that the sputtering surface is curved, and also a plurality of recessed and projected parts are formed in the surface of the curved sputtering surface.例文帳に追加

また、スパッタリング用ターゲットは、前記ターゲット原子がスパッタされるスパッタ面側の表面にスパッタ面の中心からの距離に応じた同心円状の厚みを持たせることによって前記スパッタ面が湾曲させられるとともに、湾曲させられた前記スパッタ面の表面に複数の凹凸形状部が形成されている。 - 特許庁

To solve the problem that when a short circuit occurs between a winding part 4a of a filament coil 4 and the inner peripheral face of a sleeve 7 covering the winding part during lighting and lighting of a lamp 1 is started without sufficiently preheating the winding part 4a, an electron emitting substance 3a is excessively sputtered and excessively worn out, and consequently, a lamp service lifetime is shortened.例文帳に追加

フィラメントコイル４の巻回部４ａとこれを覆うスリーブ７の内周面との間で点灯時に短絡が発生し、巻回部４ａが十分に予熱されずにランプ１が点灯を開始すると、電子放出物質３ａが過剰にスパッタされて過剰に損耗され、ランプ寿命が縮む。 - 特許庁

Prescribed electric power (200 W in one example) is alternatively applied to rotary magnet cathodes 17A and 17B from power sources 23A and 23B, further, the cathodes are alternatively rotated, and a target (Mo) 19 and a target (Si) 21 are sputtered, so that Mo layers and Si layers are alternatively deposited on a substrate 27 to deposit a multilayer film of a pair of 50 layers.例文帳に追加

回転マグネットカソード１７Ａ、１７Ｂに電源２３Ａ、２３Ｂから所定の電力（一例で２００Ｗ）を交互に投入するとともに同カソードを交互に回転させ、ターゲット（Ｍｏ）１９及びターゲット（Ｓｉ）２１をスパッタリングし、Ｍｏ層とＳｉ層を基板２７上に交互に成膜して５０層対の多層膜を成膜する。 - 特許庁

To compose a cathodic sputtering apparatus in such a manner that the magnetic field intensity within the active zone of a target to which the target is sputtered is increased, further, the active zone is enlarged to increase the sputtering rate of a target material, and simultaneously, the density of the heat power to be introduced into the target material is reduced.例文帳に追加

冒頭に記載した装置を、ターゲットが浸食されるターゲットの活性ゾーンの領域内の磁界強度を増強し、更に、活性ゾーンの幅を大きくして、ターゲット材料のスパッタリング速度を高め、それと同時に、ターゲット材料内に導入される熱パワー密度を低減するように構成すること。 - 特許庁

To provide a sputtering target which can increase leakage flux density, can make an anisotropy in the sputtered surface larger than that considered from magnetic permeability, therefore, can greatly improve a uniformity for a function of a thin film within the surface, and hence can form the thin film of high quality, and to provide an arranging method therefor.例文帳に追加

漏れ磁束密度を大きくすることができ、スパッタ面内の異方性も透磁率で見られる以上に大きくすることができ、したがって、薄膜の有する機能の面内不均一性を大幅に改善することができ、その結果、高品質の薄膜を形成することが可能なスパッタリングターゲット及びその配置方法を提供する。 - 特許庁

In the ITO sputtering target, the number of the adhered particles with an average diameter of ≥ 0.2 μm existing in the area of 100 μm × 100 μm of the surface to be sputtered is not more than 400, which is achieved by subjecting the sputtering surface of a ITO sputtering target sintered body to multiple oscillation ultrasonic cleaning.例文帳に追加

ＩＴＯスパッタリングターゲット焼結体のスパッタ面を多重発振超音波洗浄することにより得られたスパッタされる表面の１００μｍ×１００μｍのエリアに存在する平均直径０．２μｍ以上の付着粒子の数が４００個以下であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。 - 特許庁

A second recessed part 5 is formed at the insulating film 4 through etching, while the etching stopper film 2 on the side peripheral of the first recessed part 3 is exposed in the second recessed part 5, and by making the etching stopper film 2 sputtered so that a sputtering object 6 is deposited as to cover the first recessed part 3, thus allowing etching to stop spontaneously.例文帳に追加

続いてエッチングにより絶縁膜４に第２の凹部５を形成するとともに第２の凹部５内に第１の凹部３の側周のエッチングストッパ膜２を露出させ、エッチングストッパ膜２をスパッタリングすることにより第１の凹部３上を覆う状態にスパッタ物６を堆積させてエッチングを自発的に停止させる。 - 特許庁

To prevent falling of deposits from a shutter arranged between an evaporation source 3 and a workpiece, and accurize film thickness control by a highly responsive opening or closing action of the shutter, in a vacuum film-forming apparatus (A) for forming a film on the workpiece by vapor-depositing a depositing material sputtered from an evaporating source 3 in a vacuum chamber 1.例文帳に追加

真空槽１内で蒸着源３から飛散した蒸着材料をワークに蒸着させて成膜させる真空成膜装置Ａにおいて、蒸着源３とワークとの間に配置されるシャッタからの被着物の落下防止と、シャッタの応答性のよい開閉動作による膜厚制御の高精度化とを図る。 - 特許庁

In the ion beam sputtering apparatus for depositing an insulating thin film on a substrate by irradiating a target with ion beams from an ion gun, a conductive target 31 is arranged at the position where a part of the ion beams are emitted, and a conductive film is deposited on a grid 22 of the ion gun 13 by particles sputtered out from the conductive target 31.例文帳に追加

イオンガンよりイオンビームをターゲットに照射して絶縁性の薄膜を基板上に成膜するイオンビームスパッタ装置において、イオンビームの一部が照射される位置に導電材ターゲット３１を配置し、その導電材ターゲット３１よりスパッタアウトされた粒子によってイオンガン１３のグリッド２２に導電膜が堆積される構成とする。 - 特許庁

To provide a sputtering target having high strength and capable of forming a sputtered film having a stable amorphous property, high transmittance in a blue wavelength region and high refractive index in order to enhance characteristics of an optical information recording medium and to improve and stabilize quality of a thin film and to provide the thin film for the optical information recording medium.例文帳に追加

光情報記録媒体の特性の向上及び薄膜の品質を大幅に改善しかつ安定化するため、スパッタリングターゲットの強度が高く、スパッタ膜の非晶質性が安定であり、青色波長領域で透過率が高く、また屈折率も高い膜を形成できるスパッタリングターゲット及び光情報記録媒体用薄膜を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the organic light-emitting device has two or more of light-emitting organic material layers arranged between the first electrode and the second electrode, the most upper layer of an organic material has resistance to sputtering adhesion rather than a lower layer of the organic material, and the electrode formed on the most upper layer of the organic material is a sputtered layer.例文帳に追加

さらに、第１の電極と第２の電極との間に配置された２つ以上の発光性有機材料層を有し、有機材料の最上層が有機材料の下側層よりもスパッタ付着に対し耐性を有し、さらに前記有機材料の最上層の上に形成された電極がスパッタ層である有機発光デバイスについても開示する。 - 特許庁

Even if the target T moves, the distribution of the magnetic field is not varied to a glass substrate S, thus the part where particles to be sputtered are relatively largely released is not varied, and the distribution in the thickness of the film deposited on the glass substrate S is uniformly retained.例文帳に追加

ターゲットＴが移動しても、ガラス基板Ｓに対して磁界分布は変動しないために、磁界の強さが所定値以上でターゲットＴ近傍のプラズマが集中する領域は、ガラス基板Ｓに対して変動せず、したがって、スパッタされる粒子が比較的多数放出される箇所は変動せず、ガラス基板Ｓに成膜される膜厚の分布は均一に保たれる。 - 特許庁

When the second metal thin film 32 is formed, oxygen gas or nitrogen gas is introduced into a sputtering atmosphere, and a metal target 61 is sputtered while increasing the introduction amount, whereby the content of oxygen or nitrogen of the second metal thin film 32 is increased toward the front surface, and wear resistance of the surface of the lower electrode layer 30 is improved.例文帳に追加

第二の金属薄膜３２を成膜する際には、スパッタリング雰囲気中に酸素ガス又は窒素ガスを導入し、導入量を増大しながら金属ターゲット６１をスパッタリングするので、第二の金属薄膜３２は表面側程酸素又は窒素の含有量が多くなり、下部電極層３０の表面の耐摩耗性が高くなる。 - 特許庁

A controller 50 controls the rate of cesium Cs to be mixed in a metal electrode 30 being formed by controlling the temperature of the dispenser Ds, at the time of generating plasma by exciting the argon gas by using the energy of the high frequency power to generate plasma and depositing silver Ag atoms sputtered from a target material 305 as the metal electrode 30 by the generated plasma.例文帳に追加

制御器５０は、高周波電力のエネルギーを用いてアルゴンガスを励起させてプラズマを生成し、生成されたプラズマによりターゲット材３０５から叩き出された銀Ａｇ原子をメタル電極３０として成膜する際、ディスペンサＤｓの温度を制御することにより成膜中のメタル電極３０に混入させるセシウムＣｓの割合を制御する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which does not generate a camber caused by solidification shrinkage of a bonding material, has a superior relaxing and absorbing property for thermal stress during being sputtered, can be applied to a large-scale divided target material, and can uniformly join the approximately whole surface of a target material with a back plate, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

ボンディング材の凝固収縮に起因するターゲット材の反りが発生せず、スパッタリング中における熱応力の緩和吸収性も良好で、しかも、大型分割ターゲット材にも適用可能な、ターゲット材の略全面にわたって均一にターゲット材とバッキングプレートとを接合することが可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A flash memory (500) has three layer structure (512) consisting of quick thermal oxide, germanium (Ge) nanocrystal (510) in silicon dioxide (SiO_2), and sputtered SiO_2 cap (516) and measurements of capacity vs voltage (C-V) shows memory hysteresis due to a Ge nanocrystal (510) in the central layer of the three layer structure (512).例文帳に追加

フラッシュメモリ（５００）は、急速熱酸化物と、二酸化シリコン（ＳｉＯ_2）におけるゲルマニウム（Ｇｅ）ナノ結晶（５１０）と、スパッタリングされたＳｉＯ_2キャップ（５１６）とからなる３層構造（５１２）を有し、容量対電圧（Ｃ−Ｖ）測定値により３層構造（５１２）の中央層のＧｅナノ結晶（５１０）によるメモリヒステリシスを有することで示される。 - 特許庁

A substrate 11 is carried into an oxide chamber F3, a first target with titanium as a main constituent is sputtered under an oxygen atmosphere to form an oxide layer made of a titanium oxide, the substrate 11 having the oxide layer is carried into an irradiation chamber F4, and the surface of the oxide layer is further irradiated with an oxygen radical to form a variable resistor.例文帳に追加

基板１１を酸化物チャンバＦ３に搬入し、チタンを主成分とする第一ターゲットを酸素雰囲気の下でスパッタさせてチタン酸化物からなる酸化物層を形成し、酸化物層を有する基板１１を照射チャンバＦ４に搬入し、酸化物層の表面にさらに酸素ラジカルを照射して可変抵抗体を形成した。 - 特許庁

Two planer type cathodes are closely arranged as a pair, in the case a target A bonded to either cathode is used as the negative pole, a target B of a component B different from that A in the target A bonded to the other cathode is used as the positive pole, then, the polarities of these targets are alternately reversed, voltage is applied, and the targets A and B are simultaneously sputtered.例文帳に追加

２つのプレーナー型カソードを１組として近接配置し、一方のカソードにボンディングしたターゲットＡを陰極とするときには、他方のカソードにボンディングしたターゲットＡとは異なる成分のターゲットＢを陽極にし、そしてこれらターゲットの極性を交互に反転させて電圧を印加してターゲットＡおよびＢを同時にスパッタリングする。 - 特許庁

In the laser isomer separation device, the product recovery efficiency is improved by providing a groove part 11 on the surface of a product recovery electrode 10, increasing the ion recovering quantity at the side lower end part of the product recovery electrode 10 and re-recovering atoms sputtered from the product recovery electrode 10 with the recovery electrode itself.例文帳に追加

レーザ同位体分離装置において、製品回収電極の表面に溝部を設け、電圧を上げることなく、前記製品回収電極の側面下端部でのイオン回収量を増加させ、且つイオン入射により前記製品回収電極からはじき飛ばされた原子をその回収電極自身で再回収することにより、製品回収効率を向上させる。 - 特許庁

In manufacturing a semiconductor device including a barrier metal layer in which a metal compound layer is sandwiched between two metal layers, a first metal layer which is to be a bottom layer is applied with oxidation treatment during a process in which a target consisting of one metal element out of titanium and tantalum is sputtered in the atmosphere of rare gas so that a plurality of metal layers are stacked on a background wiring.例文帳に追加

２つの金属層の間に金属化合物層が挟まれてなるバリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、チタン及びタンタルのいずれか一方の金属元素から構成されるターゲットを希ガスの雰囲気でスパッタして、複数の金属層を下地配線上に積層する過程において最下層となる第１金属層に酸化処理を施す。 - 特許庁

A second sputter rate of a second upper electrode 82 is smaller than a first sputter rate of a first upper electrode 81, so when a part of a protective film 100 formed on the second upper electrode 82 is removed by sputtering, the second upper electrode 82 is less sputtered than the upper electrode 80 composed of only the first upper electrode 81, thereby reducing variance in film thickness of the second upper electrode 82.例文帳に追加

第２上電極８２の第２のスパッタレートが、第１上電極８１の第１のスパッタレートと比較して小さいので、第２上電極８２上に形成された保護膜１００の一部をスパッタによって取り除く際に、第１上電極８１のみからなる上電極８０と比較して、第２上電極８２がスパッタされにくく、第２上電極８２の膜厚のバラツキを少なくできる。 - 特許庁

The sputtering metal mask is a plate material made of metal which includes penetrated aperture parts having nearly rectangular and similar aperture shapes and which has an overhanging part formed by a wall of the aperture part at an end of the aperture part of a plane having the aperture shape having the smaller similitude ratio, wherein a plane having the aperture shape having the larger similitude ratio is on the side in contact with a material to be sputtered.例文帳に追加

略方形で相似形の開口形状を有する貫通した開口部を備え、相似比が小さい方の開口形状を有する平面の開口部縁に、前記開口部の壁が張り出し部を形成している金属製板材で、相似比の大きな方の開口形状を有する平面が、被スパッタ材と接する側であることを特徴とするスパッタ用メタルマスク。 - 特許庁

Because a region in which scattering substances are not deposited by the influence of irregular patterns 8a is formed even if scattering substances sputtered from the electrodes 2, 3 are deposited on the exoelectron emitting substance 8, the emission of the exoelectrons by the exoelectron emitting substance is maintained, and starting characteristics are improved under a dark condition, and the glow switch starter stably operates during the rated life.例文帳に追加

電極２，３からスパッタされた飛散物質がエキソ電子放射物質８に堆積しても、凹凸部８ａの影響によって飛散物質が堆積しない領域が形成されることとなり、エキソ電子放射物質によるエキソ電子の放射が維持され、暗所条件下における始動特性を改善するとともに、グロースタータが定格寿命中に安定的に動作する。 - 特許庁

The carbon oxide thin film, the carbon oxynitride thin film and the diamond-like carbon oxide thin film are manufactured by plasma-decomposing gaseous starting materials including CO in an inert gaseous atmosphere, sputtering a carbonaceous material with at least part of ions in the generated plasma-forming components, and depositing the reaction product of at least part of the plasma-forming components and sputtered carbon atoms on a substrate.例文帳に追加

不活性ガス雰囲気において、一酸化炭素を含む原料ガスをプラズマ分解し、発生したプラズマ生成成分のうちのイオンの少なくとも一部で炭素原料をスパッタし、プラズマの生成成分の少なくとも一部とスパッタされた炭素原子との反応物を基板上に堆積させることで、酸化炭素薄膜、酸化窒化炭素薄膜および酸化ダイヤモンド状炭素薄膜を製造する。 - 特許庁

Sheet plasma 27 is guided so as to pass a space between the substrate 34B and the target 35B in the sputtering chamber 30, and when an Al material sputtered from the target 35B by charged particles in the sheet plasma 27 is deposited on the aperture of the substrate 34B, the coverage property of a deposited film made of the Al material is adjusted based on plasma discharge current ID and substrate bias voltage VA.例文帳に追加

シートプラズマ２７は、スパッタリングチャンバ３０内の基板３４Ｂとターゲット３５Ｂとの間を通過するように誘導され、シートプラズマ２７中の荷電粒子によってターゲット３５ＢからスパッタリングされたＡｌ材料が基板３４Ｂの開口部に堆積する際に、Ａｌ材料からなる堆積膜のカバレッジ性が、プラズマ放電電流ＩＤおよび基板バイアス電圧ＶＡに基づいて調整されている。 - 特許庁

This deposition method consists in forming the film of the copper by depositing the copper particles sputtered from a target 16 made of the copper arranged in a vacuum treatment chamber 12 onto a semiconductor wafer W supported by a substrate supporting means 18 in this vacuum treatment chamber 12, in which gaseous hydrogen is supplied from a gaseous hydrogen supply source 32 to the vacuum treatment chamber 12 during the deposition of the copper particles.例文帳に追加

本発明は、真空処理チャンバ１２に配置された銅製のターゲット１６からスパッタリングされた銅粒子を、この真空処理チャンバ１２内の基板支持手段１８により支持された半導体ウェハＷ上に堆積させ銅の膜を形成する成膜方法において、銅粒子の堆積中に水素ガスを水素ガス供給源３２から真空処理チャンバ１２に供給することを特徴としている。 - 特許庁

The sputtered film of an inorganic oxide is arranged on one face of a base material film, and polyolefin system resin and annular polyolefin system resin are used and extruded so that an extruded layer constituted of a polyolefin system resin layer and an annular polyolefin system resin layer can be arranged on the face of the evaporated film of the non-organic oxide.例文帳に追加

基材フィルムの一方の面に、無機酸化物の蒸着膜を設け、更に、該無機酸化物の蒸着膜の面に、ポリオレフィン系樹脂と環状ポリオレフィン系樹脂とを使用し、そられを共押し出しし、そのポリオレフィン系樹脂層と環状ポリオレフィン系樹脂層とからなる共押し出し樹脂層を設けることを特徴とする太陽電池モジュ−ル用裏面保護シ−トおよびそれを使用した太陽電池モジュ−ルに関するものである。 - 特許庁