「sputtered」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

An added gas containing oxygen or nitrogen is introduced into a vacuum tub 13 in which a film deposition object 21 is arranged, a copper target 11 containing additive elements such as Zr and the like is sputtered, and a barrier film 24 is formed on a surface of an aluminum film 23.例文帳に追加

成膜対象物２１が配置された真空槽１３に酸素又は窒素を含有する添加ガスを導入し、Ｚｒ等の添加元素を含む銅ターゲット１１をスパッタリングし、アルミニウム膜２３の表面にバリア膜２４を形成する。 - 特許庁

The material does not require the beams emitted to the work piece and is sputtered on the work piece from a sputter material source in order to form, for example, a protective coating or a conductive coating, and thereby damage to the work piece can be reduced or eliminated.例文帳に追加

材料は、ビームをワーク・ピースに向けることを必要とせずに、たとえば、保護コーティングまたは導電コーティングを形成するために、スパッタ材料源からワーク・ピースの上にスパッタリングされ、それによりワーク・ピースに対する損傷を低減または排除する。 - 特許庁

When a metallic film layer and a dielectric film layer are formed in a laminate shape on a plate-shaped substrate raw material to constitute an optical film layer, a target material is sputtered with an inert gas onto a surface and a rear surface of the substrate to form a coating film of sputtering particles.例文帳に追加

平板形状の基板素材上に金属膜層と誘電体膜層を積層状に形成する際に、この光学膜層を基板表面と裏面にターゲット物質を不活性ガスでスパッタリングしてスパッタ粒子で被膜を形成する。 - 特許庁

The slit member 50 is disposed so that a slit open end of the slit S in an upstream side of the conveying direction of the substrate W may be positioned within 50 mm toward the upstream side from an open end in the upstream side of the opening 25 of the sputtered particle ejecting section 3.例文帳に追加

スリット部材５０は、スパッタ粒子放出部３における開口部２５の上流側開口端から上流側へ５０ｍｍ以内に、基板Ｗの搬送方向の上流側におけるスリットＳのスリット開口端が位置している。 - 特許庁

In the sputtering film deposition method, a metal target is sputtered by a sputtering gas in the presence of a reactive gas of CO_2 and/or CO, and the transparent thin film composed of the oxide of the metal is deposited on the substrate by setting the reaction mode during the sputtering as an oxidation mode.例文帳に追加

ＣＯ_２及び／又はＣＯの反応性ガスの存在下で金属ターゲットをスパッタガスによりスパッタリングし、当該スパッタリング中の反応モードを酸化モードとして基板上に前記金属の酸化物からなる透明薄膜を成膜する。 - 特許庁

The CNT and Cu are simultaneously sputtered to form the CNT-containing metal layer 13, so that the CNT can be homogeneously mixed into the Cu, and interface resistance between the CNT and the Cu can be reduced to improve the electric conductivity of the wiring.例文帳に追加

ＣＮＴとＣｕを同時にスパッタリングしてＣＮＴ入り金属層１３を形成しているため、ＣＮＴをＣｕ中に均一に混入できると共に、ＣＮＴとＣｕ間の界面抵抗を低減でき配線の電気導電率が向上する。 - 特許庁

To provide a sputtering target useful for forming a protective film of a phase-change recording medium, which does not crack or break when manufacturing the sintered compact, has a high manufacturing yield, and does not cause cracks even when being sputtered in high power, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

焼結体の作製時にクラックや割れが発生せず、製造歩留りが高く、かつ大電力でのスパッタを行っても割れが発生しない相変化記録媒体の保護膜形成に有用なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The conductive circuit formation method is a sputtering method where metal atoms sputtered from a target 2 provided in a cathode electrode 1 are deposited on the surface of a substrate 3, relating to the conductive circuit formation method having a process for forming a conductive film 4 to form a circuit on the substrate 3.例文帳に追加

カソード電極１に設けたターゲット２からスパッタさせた金属原子を基板３の表面に堆積させるスパッタリング法で、基板３に回路形成用の導体膜４を形成する工程を有する導電性回路形成方法に関する。 - 特許庁

When the oxide transparent conductive film material is sputtered on the glass substrate 15 from the target 12, cesium vapor is introduced into a space from the center of the plasma space in the sputtering room 11 over the glass substrate 15 by a cesium evaporation source 21.例文帳に追加

ターゲット１２からガラス基板１５に酸化物透明導電膜材料をスパッタリングするとき、スパッタリング室１１内のプラズマ空間の中心からガラス基板１５にかけての空間にセシウム蒸発源２１によりセシウム蒸気を導入する。 - 特許庁

When titanium oxide targets are sputtered by a sputtering gas added with an oxygen gas, the titanium oxide thin film 31 can replenish deficit oxygen atoms, and thereby the titanium oxide thin film 31 having a photocatalyst function can be formed.例文帳に追加

酸化チタン薄膜３１は、酸素ガスが添加されたスパッタリングガスにより、酸化チタンターゲットをスパッタリングすると、形成される酸化チタン薄膜中の欠損酸素を補充できるので、光触媒機能を有する酸化チタン薄膜３１を形成することができる。 - 特許庁

Prior to a sputtered thin copper film forming step, a modified- property silicon nitride layer containing SiO2 and SiNX in a mixed state in its surface is formed on the surface of a silicon oxide-based glass substrate, a quartz substrate, or a silicon thin film by irradiating the surface with nitrogen plasma.例文帳に追加

銅薄膜のスッパタリング成膜工程に先だって、酸化珪素質のガラス基板、石英基板あるいは酸化珪素薄膜の表面に窒素プラズマを照射して、表面にＳｉＯ_2 とＳｉＮ_x とが混在した窒化珪素変質層を形成する。 - 特許庁

An evaporation source 59 is fed in the vicinity of the heater 52 while introducing the inert gas in the cylindrical insulator 51 via a gas introduction pipe 54, and the target 3 is sputtered and the evaporation source 59 is heated simultaneously or at different timing.例文帳に追加

ガス導入管５４を介して、円筒状絶縁体５１内に不活性ガスを導入しながら、発熱体５２の近傍に蒸発源５９を供給し、ターゲット３のスパッタと蒸発源５９の加熱を同時あるいは異なるタイミングで行う。 - 特許庁

The ECR (electron cyclotron resonance) sputtering system 100 is provided with: a plasma generation chamber 10 for generating ECR plasma on an irradiation magnetic field space; and a treatment chamber 20 storing a target 21 sputtered by ions in the ECR plasma and a substrate holder 22 for holding a substrate S.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタリング装置１００は、発散磁場空間にＥＣＲプラズマを生成させるプラズマ生成室１０と、ＥＣＲプラズマ中のイオンによりスパッタされるターゲット２１と基板Ｓを保持する基板ホルダー２２とを収納する処理室２０とを備える。 - 特許庁

More particularly, when the diameter d of the inner magnet 35 is smaller than the inner peripheral radius R of the outer magnet 31, and is rotated around a central axial line 37 of the outer magnet 31, the strongly sputtered region passes over the entire surface of the target.例文帳に追加

特に、内側磁石３５の直径ｄを外側磁石３１の内周半径Ｒよりも小さくし、外側磁石３１の中心軸線３７を中心として回転させると、強くスパッタリングされる領域がターゲットの全表面上を通過する。 - 特許庁

The method for forming the metal oxide thin film is characterized by sputtering at a base material temperature of 100°C or less with a magnetron sputtering apparatus in which a target is arranged aslant so that sputtered particles can be launched in an angle of 75 degree or less against the base material.例文帳に追加

基材に対して７５°以下の角度でスパッタ粒子が入射するように傾斜させてターゲットを配置したマグネトロンスパッタリング装置を用いて、１００℃以下の基材温度でスパッタリングすることを特徴とする金属酸化物薄膜の形成方法。 - 特許庁

The method further includes steps of depositing high melting point metal 107 such as cobalt by being sputtered on the entire surface of the silicon nitride film 103, then annealed to further remove the excessive metal, and thus forming a silicide 108 of the metal on the surface of the polysilicon film 106.例文帳に追加

さらに、シリコン窒化膜１０３の全面にコバルトなどの高融点金属１０７をスパッタ法により堆積させた後、アニール処理を行い、さらに余剰金属を除去することにより、ポリシリコン膜１０６の表面にこれらの金属のシリサイド１０８を形成する。 - 特許庁

The manufacturing apparatus of the optical disk is used for manufacturing the optical disk wherein a recording part formed of a sputtered film 2 and the light transmission layer 3 are formed in this order on the surface of a transparent substrate 1 and the recording part is irradiated with light via the light transmission layer 3.例文帳に追加

この光ディスク製造装置は、透明基板１の表面にスパッタ膜２による記録部と、光透過層３とがこの順に形成され、光透過層３を介して光を記録層に照射するようにした光ディスクを製造するためのものである。 - 特許庁

The coater for coating the large-area substrate by means of cathode sputtering has a coating chamber and, on the inner part, a cathode assembly 2 where material to be sputtered is rotated during a coating process and is arranged above a target 4 having a curved surface is disposed.例文帳に追加

大面積の基板を陰極スパッタによってコーティングするためのコーターであって、コーティングチャンバを有し、その内部に、スパッタされる材料がコーティングプロセス中に回転するとともに湾曲面を有するターゲット４上に配置されている陰極アセンブリ２を備える。 - 特許庁

A predetermined area of multipart targets (3 and 4) formed of a plurality of members is preferably affected, the stoichiometric ratio of the target material sputtered on a substrate (15) to be covered is adjusted thereby, and the structural homogeneity of a layer can be improved.例文帳に追加

こうすることにより、複数部材からなるターゲット（３，４）の一定の領域が好ましくは影響を受け、それにより、被覆されるべき基板（１５）上のスパッタされたターゲット材料の化学量論比を調整し、層の構造の均質性を改善することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which an ARC layer the thickness of which can be easily adjusted is formed, and a semiconductor device; and to provide a method for manufacturing a semiconductor device that does not impede a semiconductor process in such a way that a sputtered material overhangs on a via hole, and a semiconductor device.例文帳に追加

厚みが容易に調整可能なＡＲＣ層を形成すること、スパッタリングされた材料がビアホールにオーバーハングして半導体処理を妨害するということがない半導体デバイスの製造方法および半導体デバイスが提供される。 - 特許庁

In the phase change optical disk 10, the dielectric material protective films 2 and 4 consisting of a mixed material of ZnS and TiO2, ZnS and Ta2O5 or ZnS and CeO2 and mixtures formed by adding ITO thereto, a recording film 3 and a reflection film 5 are respectively sputtered to a substrate 1.例文帳に追加

この発明の相変化光ディスク１０は、ＺｎＳとＴ_ｉ０_２，ＺｎＳとＴａ_２０_５，ＺｎＳとＣｅ０_２，およびそれぞれにＩＴＯを加えた混合材からなる誘電体保護膜２，４と、記録膜３と、反射膜５が、それぞれ、基板１にスパッタされている。 - 特許庁

To provide a polyester film for molding a membrane switch which excels in the moldability at low temperatures and low pressures, transparency, solvent resistance, and handling properties and excels in the visibility and the designing properties when a deposited layer, a sputtered layer or a printed layer is provided.例文帳に追加

低い温度及び低い圧力下での成型性、透明性、耐溶剤性、耐熱性、取扱い性に優れ、かつ視認性及び蒸着層、スパッタリング層、又は、印刷層を設けた際の意匠性に優れたメンブレンスイッチ成型用ポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the metal target of the cylindrical configuration with the bottom, of which the inner curved surface is sputtered, is characterized by metal spinning to form it and subsequent heat treatment to control a fine structure of the metal target.例文帳に追加

底付き円筒状の形状であり、その内曲面がスパッタされるターゲットの製造方法において、スピニング加工による成形加工後、熱処理を施してメタルターゲットの微細組織を制御することを特徴とする底のある円筒状メタルターゲットの製造方法。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus which can deposit a sputtered film having an excellent uniformity in a film thickness distribution on a wafer without increasing the cost and size of the sputtering apparatus, and further without reducing the reliability and yield of a product, and to provide a sputtering method using the same.例文帳に追加

スパッタ装置を高コスト化・大型化させることなく、さらには製品の信頼性や歩留りを低下させることなく、ウェーハ上に膜厚分布の均一性の優れたスパッタ膜を形成することができるスパッタ装置及びそれを用いたスパッタ方法を提供する。 - 特許庁

A treatment chamber 20 is provided in its inside with: a target 1 from which metal particles 3 on the surface are sputtered; a semiconductor substrate 2 to which the metal particles 3 deposit to form a metal film; and a distance sensor 9 which measures the distance to the surface of the target.例文帳に追加

処理室２０の内部に、スパッタリングによって表面のメタル粒子３が弾き出されるターゲット１と、メタル粒子３が付着してメタル膜が形成される半導体基板２と、ターゲット表面までの距離を測定する距離センサー９とが設けられている。 - 特許庁

The method for manufacturing the target member 1 for sputtering includes the steps of: making the projecting part 2A of the target 2 to be sputtered having the projecting part 2A engage with the recessed part of the retaining member 3 for the target 2 having the recessed part 3A; and making the target 2 pressure-contact the retaining member.例文帳に追加

このスパッタリング用ターゲット部材１の製造法は、凸部２Ａを有するスパッタリング用のターゲット２の凸部２Ａを、凹部３Ａを有するターゲット２の保持部材３の凹部に嵌合させる工程と、ターゲット２を保持部材と圧接させる工程と、を有している。 - 特許庁

In the ITO sputtering target consisting essentially of indium, tin and oxygen, the surface roughness (Ra) at the surface to be sputtered of the target is regulated to ≤0.1 μm and also the brittle fracture region per unit area is regulated to ≤10%.例文帳に追加

実質的にインジウム、スズおよび酸素からなるＩＴＯスパッタリングターゲットにおいて、前記ターゲットの被スパッタリング面における表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下でかつ単位面積当たりの脆性破壊領域が１０％以下であるＩＴＯスパッタリングターゲット - 特許庁

This method decreases a sputtered film failure of the frame connection part 6 formed after the sintering in association with the void on the surface of the ceramic substrate to be able to form a uniform solder wihtout a defective wet solder at the time of solder connection of the frame.例文帳に追加

この方法により、焼結後に形成するフレーム接続部分６のスパッタ膜欠陥は、セラミック基板表面の表面ボイドに付随して少なくなり、フレームを半田接続する際に、半田濡れ不良のない均一な半田を形成することが可能となる。 - 特許庁

In the reactive sputtering method where the target atoms sputtered from the surface of a target by plasma discharge are allowed to react with oxygen to deposit the resultant oxides onto a substrate, inert gas such as argon or etching gas of oxide is allowed to flow along the surface of the target.例文帳に追加

プラズマ放電によりターゲット表面から飛び出したターゲットの原子を酸素と反応させて、その酸化物を基板に付着させる反応性スパッタ方法において、ターゲット表面に沿ってアルゴンなどの不活性ガスまたは酸化物のエッチングガスを流すものである。 - 特許庁

In the gas flow sputtering device, argon or the like is introduced from a sputtering gas guide-in port 11, a target 15 is sputtered by plasma generated in discharge between an anode 13 and the target 15, and sputter particles flicked off are transported by coercive flow of argon or the like to a base board 16 to be deposited.例文帳に追加

ガスフロースパッタ装置では、スパッタガス導入口１１からアルゴン等を導入し、アノード１３及びターゲット１５間での放電で発生したプラズマによりターゲット１５をスパッタリングし、はじき飛ばされたスパッタ粒子をアルゴン等の強制流にて基板１６まで輸送し堆積させる。 - 特許庁

In the ITO sputtering target constituted by joining an ITO sintered compact to a backing plate by a bonding agent, at least one among planes connecting the surface to be sputtered of the ITO sintered compact to a joining surface intersects the joining surface at an angle of >90° with respect to the joining surface.例文帳に追加

ＩＴＯ焼結体を、バッキングプレートに接合剤により接合してなるＩＴＯスパッタリングターゲットにおいて、ＩＴＯ焼結体の被スパッタリング面と接合面とを連結している面の少なくとも一つが、接合面に対して９０度を超える角度をなして交差している。 - 特許庁

Targets which have a same shape and are made of different materials are respectively arranged on a plurality of sputtering cathodes 203a, 203b, 204a, and 204b, and targets made of a same material are mounted on the cathodes 203a, 203b, 204a, and 204b which are positioned on the section symmetrical about the rotational center of a substrate 8 to be sputtered.例文帳に追加

同一の形状であり、かつ異種の材料からなるターゲットを、それぞれ複数のスパッタリングカソード２０３ａ，２０３ｂ，２０４ａ，２０４ｂに取り付け、さらに、ターゲットにおける同種のものを、スパッタリング対象の基板８の回転中心を対称とした位置に設けられたスパッタリングカソード２０３ａ，２０３ｂ，２０４ａ，２０４ｂに搭載する。 - 特許庁

The method of preparing a potassium tantalate thin film includes a process of preparing the potassium tantalate thin film on the glass substrate 12 according to sputtering using a potassium tantalate target 17, wherein, apart from the potassium tantalate target, a tantalum target 18 is sputtered simultaneously to deposit a potassium tantalate thin film on the glass substrate.例文帳に追加

タンタル酸カリウムターゲット１７を用いてスパッタリングによって、ガラス基板１２上にタンタル酸カリウム薄膜を作製するタンタル酸カリウム薄膜の作製方法であって、タンタル酸カリウムターゲットとは、別に、タンタルターゲット１８を同時にスパッタリングし、ガラス基板上にタンタル酸カリウム薄膜を堆積する。 - 特許庁

In the rotary application device, the light transmission layer is formed by rotatively applying a UV curing resin on the sputtered film 2 and irradiating the applied film of the UV curing resin with UV from a UV light source 61 via an optical fiber 62 and a lens 63 from the rear surface side of the transparent substrate 1.例文帳に追加

この回転塗布装置では、スパッタ膜２上に紫外線硬化樹脂を回転塗布するとともに、紫外線光源６１からの紫外線を、光ファイバー６２およびレンズ６３を介して、透明基板１の裏面側から紫外線硬化樹脂の塗布膜に照射して光透過層を形成する。 - 特許庁

A coil is conductively coupled with the metallic plate at a connecting position which is constituted to generate such a peak-to- peak voltage that reduces the sputtered amount of the internal surface of the window in the optimum way and substantially simultaneously prevents deposition of by-products of etching on the internal surface of the window.例文帳に追加

コイルは、窓の内面がスパッタリングされるのを最適に低減し、それと実質同時に、窓の内面上にエッチング副産物が堆積されるの防ぐような、ピークトゥピーク電圧を生成するように構成された接続位置において、金属板に導電結合される。 - 特許庁

Sputter particles or a sputter film adhering to the forward end part of an eaves part 11 is isolated from sputter particles or a sputtered film, adhering onto a wafer 2 by employing such a structure, since as the forward end part of the eaves part 11 is higher than the root part thereof, thus preventing adhesion thereof.例文帳に追加

ひさし部分１１の先端部分を根元部分よりも高くした構造とすることにより、上記先端部分に付着するスパッタ粒子やスパッタ膜と、ウェハ２上に付着するスパッタ粒子や堆積するスパッタ膜との接触を絶ち、両者の癒着を防止する。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor structure by sputtering a sputtered SiO2 above a trench and possibly depositing the same on both sides of the trench, resulting in excessive build-up, and restricting an opening where a bottom up gap filling is achieved in STI gap filling.例文帳に追加

ＳＴＩギャップ充填において、スパッタリング済みＳｉＯ２はトレンチ上方からスパッタリングされ、かつトレンチの両側に堆積することが可能であり、過剰なビルドアップをもたらし、かつボトムアップギャップ充填が達成される開口を制限して、半導体構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a BaAl_2S_4-based sputtering target containing thioaluminate as a component, which is used for manufacturing an inorganic electroluminescent device provided with a luminescent layer of high quality and high brightness by forming a uniform thin film having a narrow range of variation in luminescent properties, and further causes little cracking when machined or sputtered.例文帳に追加

発光特性のばらつきが小さい均一な薄膜の成膜により、高品質および高輝度の発光層を備える無機ＥＬ素子を製造可能とし、さらに、加工時やスパッタリング時に、割れが生じにくい、チオアルミネートを成分とするＢａＡｌ_2Ｓ_4系のスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus of a liquid crystal device, by which film quality of an inorganic alignment layer is improved by preventing attachment of a sputtered particle to a region where on attachment the particle adversely affects the film quality of the inorganic alignment layer, without disposing a shutter between a film depositing chamber and a sputtering apparatus.例文帳に追加

成膜室とスパッタ装置との間にシャッターを設けることなく、無機配向膜の膜質に悪影響を及ぼす箇所にスパッタ粒子が付着することを防止して、無機配向膜の膜質を向上させることができる液晶装置の製造装置を提供する。 - 特許庁

Pressure before the start of sputtering is changed to low vacuum of a level of 10^-1 Pa for changing the film stress into tensile stress when a high refractive index film 15, a low refractive index film 16, a high refractive index film 17 and a low refractive index film 18 are sputtered on a resin substrate 9.例文帳に追加

樹脂基板９などに高屈折率膜１５，低屈折率膜１６，高屈折率膜１７，低屈折率膜１８をスパッタする場合に、スパッタの開始前の圧力を１０^−１Ｐａ台の低真空として、膜応力を引張応力とすることを特徴とする。 - 特許庁

Upon formation of a lower electrode 13x of a nonlinear element 10x, a plurality of sheets of substrates 20x are sequentially fed into a film growth chamber, so that a target is sputtered while an argon gas and a nitrogen gas are introduced into the chamber to from a metallic film 132 for the lower electrode.例文帳に追加

非線形素子１０ｘの下電極１３ｘを形成するにあたって、複数枚の基板２０ｘを成膜室に順次、搬入するとともに、アルゴンガスおよび窒素ガスを導入しながらターゲットをスパッタリングして、窒素含有タンタル膜からなる下電極用金属膜１３２を形成する。 - 特許庁

A recording region 10a of a disk substrate 11 is sputtered while a shielding member 50A whose shape is formed based on film thickness distribution of the thin film to be formed on the disk substrate is disposed between the disk substrate 11 which is rotated and a sputtering target 25.例文帳に追加

回転するディスク基板１１とスパッタターゲット２５との間に、ディスク基板に形成しようとする薄膜の膜厚分布に基づいてその形状が形成された遮蔽部材５０Ａを配置した状態で、ディスク基板１１の記録領域１０ａに対するスパッタリングを行う。 - 特許庁

Metal chemical species to become a silicification compound are simultaneously sputtered and deposited, metal chemical species to become a sulfidization compound or sulfides thereof are deposited, and they are heated in a sulfur atmosphere to simultaneously fix a laminate thin film of metal silicides and sulfides on a surface of a base material.例文帳に追加

珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、さらに硫化化合物となる金属化学種またはこれらの硫化物を堆積し、これを硫黄雰囲気下にて加熱することにより基材表面に金属珪化物と硫化物の積層薄膜を同時に固定化させる。 - 特許庁

This metalized polyimide film has a nickel-chrome alloy-sputtered layer as a base layer and a thickened metal layer, and has an oxygen permeability of ≤20 ml/m^2/day/atm and a thermal linear expansion coefficient of ≤12 ppm/°C.例文帳に追加

ニッケル−クロム合金のスパッタ層を下地層とし、さらに厚付けされた金属層を有する金属化ポリイミドフィルムにおいて、該ポリイミドフィルムの酸素透過率が２０ｍｌ／ｍ^2・ｄａｙ・ａｔｍ以下で、かつ熱線膨張率が１２ｐｐｍ／℃以下あることを特徴とする金属化ポリイミドフィルムである。 - 特許庁

To prevent generation of gas molecules and sputter particles generated by impact of other gas ions except sputtered metal ions on the inner wall of a wave guide in an ion accelerator equipped with a sputter type ion source and a mass separation mechanism to reduce the mixing of impurities on the downstream side.例文帳に追加

スパッタ型イオン源と質量分離機構を備えたイオン加速器において、スパッタさせた金属イオン以外のガスイオンがウェーブガイドの内壁に衝突することにより発生するガス分子やスパッタ粒子の発生を抑制して下流側での不純物の混人を低滅できるようにする。 - 特許庁