「sputtered」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The W sputtering target is characterized in that a half band width of a peak corresponding to a crystal plane (110) of the target is 0.35 or less when a surface of the target to be sputtered is analyzed by X-ray diffraction.例文帳に追加

Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。 - 特許庁

A passage cut-off means 22 cutting-off a passage through which particles sputtered from a target reach the back face of the monitor substrate 21 upon film deposition for the substrate to be-film deposited is provided.例文帳に追加

成膜基板の成膜時にターゲットからスパッタされた粒子がモニター基板２１の裏面に到達する経路を遮断する経路遮断手段２２が設けられている。 - 特許庁

To provide a cylindrical sputtering target using a ceramic sintered compact as a target material, which does not cause cracking in the target material while the sputtering target is sputtered.例文帳に追加

セラミックス焼結体をターゲット材とする円筒形スパッタリングターゲットであって、スパッタ中にターゲット材に割れが発生することのない円筒形スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

When the data lines 30 are sputtered by using such a wiring pattern, an element substrate where the anode oxide lines 50 are formed is moved in a column direction (Y direction).例文帳に追加

このような配線パターンを用いてデータ線３０をスパッタリングする際には、陽極酸化線５０が形成された素子基板を列方向（Ｙ方向）に移動させる。 - 特許庁

To satisfy required characteristics to a sputtered film which have been made more and more severe in accordance with the high performance and so on of the devices in a sputtering target essentially consisting of Ta.例文帳に追加

Ｔａを主成分とするスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化等に伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。 - 特許庁

To provide a method and device for realizing an appropriate step coverage for one or more kinds of materials on a substrate by using a sputtered and ionized material.例文帳に追加

本発明は、スパッタされイオン化された材料を使用して基板上への１種以上の材料の不適合ではないステップ・カバレージを実現する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Since the electrode area functioning as the anode electrode does not change, the position of plasma is stabilized, and the film deposition faces of the first and second targets 31a, 31b are sputtered with high efficiency.例文帳に追加

アノード電極として機能する電極面積が変化しないので、プラズマの位置が安定し、第一、第二のターゲット３１ａ、３１ｂの成膜面が高効率でスパッタされる。 - 特許庁

After the pattern of the gate metal Ag alloy film has been formed, the surface of the film is reversely sputtered or plasma treated to prevent a deterioration of characteristics, due to the oxidation of the Ag alloy film.例文帳に追加

またゲート金属Ａｇ系合金膜のパターン形成後、膜表面を逆スパッタする、またはプラズマ処理してＡｇ系合金膜の酸化による特性劣化を防止する。 - 特許庁

The target 17 is sputtered by making the position of the electrode face 15a in the normal direction of the substrate S displaced into a "target electrode position" corresponding to a "target composition ratio Rp".例文帳に追加

そして、基板Ｓの法線方向における電極面１５ａの位置を、「目標組成比Ｒｐ」に対応する「目標電極位置」に変位させてターゲット１７をスパッタする。 - 特許庁

Particles are sputtered from a target 21a consisting of copper and a target 21b consisting of aluminum, and a p-layer 3 consisting of a CuAlO_2 film is deposited on the substrate 1.例文帳に追加

これにより、銅よりなるターゲット２１ａ及びアルミニウムよりなるターゲット２１ｂから粒子がスパッタされ、基板１上にＣｕＡｌＯ_２膜よりなるｐ層３が形成する。 - 特許庁

Since the hard sputtered metal layer 13 is formed as the outermost layer, the conductive particles can be made to bite into wiring, thereby allowing high connection reliability to be obtained.例文帳に追加

最外層に硬い金属スパッタ層１３が形成されているため、配線へ導電性粒子を食い込ませることができ、高い接続信頼性を得ることができる。 - 特許庁

After an AlNd film 111 is formed on a cathode substrate 10 by sputtering, a pure Al film 112 is sputtered in a thickness exceeding 10 nm.例文帳に追加

本発明はＡｌＮｄ膜１１１を陰極基板１０の上にスパッタリングによって形成した後、純Ａｌ膜１１２を１０ｎｍを超える厚さにスパッタリングする。 - 特許庁

To provide an aluminum-containing silicon alloy target for sputtering, which develops no crack and few particles even when sputtered with a direct current of high output.例文帳に追加

高出力の直流スパッタリングを行っても割れが発生することがなくパーティクル発生の少ないスパッタリング用アルミニウム含有シリコン合金ターゲットを提供する。 - 特許庁

Nickel and silicon are simultaneously sputtered and deposited and they are heat-treated to fix an NiSi_2 thin film on a surface of a base material, and a sulfide thin film is fixed on this surface.例文帳に追加

ニッケルとシリコンを同時にスパッタ堆積し、これを熱処理することでＮｉＳｉ_２薄膜を基材表面に固定化し、この表面に硫化物薄膜を固定化させる。 - 特許庁

The invention relates to irradiation of a gas such as an inert gas to a part where the foreign matter generated by peeling of a sputtered film possibly fills the beam passing hole.例文帳に追加

本発明は、スパッタ膜の剥離等によって発生する異物がビーム通過穴を塞ぐ可能性のある箇所に不活性ガスなどのガスを照射することに関する。 - 特許庁

The exposed master disk is developed with the spinner, and the master disk prepared by removing the exposed latent image part 25 is sputtered with Ni to impart conductivity throughout the surface.例文帳に追加

露光を終えた原盤をスピナーにより現像し、露光された潜像部分２５が除去されて作製された原盤をＮｉでスパッタして表面全体に導電性を持たせる。 - 特許庁

When the plasma is introduced into the processing chamber 102, Si atoms are sputtered from an Si electrode 114 by impact of ions in the plasma and discharged into the plasma.例文帳に追加

処理室１０２側にプラズマが引き出されると、プラズマ中にイオンの衝撃によりＳｉ電極１１４よりスパッタリングされてＳｉ原子がプラズマ中に放出される。 - 特許庁

A metal nitride produced by reaction of the sputtered metal boride with the nitrogen is insulating, paler in color than the metal boride, and optically approximately transparent.例文帳に追加

スパッタされた金属ホウ化物と窒素が反応して生成される金属窒化物は、絶縁性で、しかも金属ホウ化物よりも色が薄く、光学的に透明に近い。 - 特許庁

Further, since not only the targets 15 but also a magnetic field forming apparatus 25 relatively moves to the targets 15 upon the sputtering, the wide region of each target 15 is sputtered.例文帳に追加

また、スパッタリングのときには、ターゲット１５だけではなく、磁界形成装置２５もターゲット１５に対して相対的に移動するので、ターゲット１５の広い領域がスパッタリングされる。 - 特許庁

Hereby, an AC electric field is generated between the electrodes, and it becomes easy for sputtered ionic active seeds to reach the interior of the recess of the semiconductor wafer W, and biased to meandering.例文帳に追加

これにより、電極間に交番電界が生じ、スパッタされたイオン性活性種が蛇行するように偏向され、半導体ウェハＷの凹部内へ到達し易くなる。 - 特許庁

The sputtered film of an inorganic oxide is arranged on one face of a base material film, and an extruded resin layer constituted of resin composition containing polyolefin system resin and annular polyolefin system resin is arranged on the face of the sputtered film of the non-organic oxide.例文帳に追加

基材フィルムの一方の面に、無機酸化物の蒸着膜を設け、更に、該無機酸化物の蒸着膜の面に、ポリオレフィン系樹脂と環状ポリオレフィン系樹脂とを含む樹脂組成物による押し出し樹脂層を設けることを特徴とする太陽電池モジュ−ル用裏面保護シ−トおよびそれを使用した太陽電池モジュ−ルに関するものである。 - 特許庁

The magnetron sputtering apparatus having a target to be sputtered, a substrate arranged so as to face the target, on which the sputtered material from the target is deposited, and a magnetic field generating means for generating the magnetic field on the surface of the target, comprises the target composed of magnetic materials, arranging the magnetic field generating means so as to surround the target, and forming an unbalanced magnetic field.例文帳に追加

スパッタリングされるためのターゲットと、ターゲットからスパッタリングされた物質を付着すべく対向配置された基板と、ターゲットの表面に磁場を発生するための磁界発生手段とを有するマグネトロンスパッタ装置において、ターゲットを磁性体で構成し、且つ磁界発生手段をターゲットを取り囲むように設け、アンバランス磁場を形成することである。 - 特許庁

By this constitution, even if an ion particle 118 collides against the surface of the support 10, particularly an end surface 74, at film deposition treatment and resultingly particles 124 and 126 of a film 90 are sputtered from the end surface 74, the sputtered particles 124 and 126 do not redeposit on the surface of the object 20 to be treated.例文帳に追加

この構成によれば、成膜処理時に、イオン粒子１１８が支持具１０の表面、特に先端面７４、に衝突することによって当該先端面７４から被膜９０の粒子１２４および１２６が叩き出されたとしても、この叩き出された粒子１２４および１２６が被処理物２０の表面に再付着することはない。 - 特許庁

Also, a ZrB target is sputtered with an Ar gas, and a common second metal cap layer 37 principally containing ZrBx (x=0.5-4.0) is laminated on a hard mask 32 and a second wiring 34.例文帳に追加

また、ＺｒＢターゲットをＡｒガスでスパッタし、ハードマスク３２と、第２配線３４と、にＺｒＢｘ（ｘ＝０．５〜４．０）を主成分にした共通する第２メタルキャップ層３７を積層した。 - 特許庁

The half width of a peak of a crystal face (111) obtained by X-ray diffraction of a face to be sputtered is made to 0.3 or less and the variation of the half width is made to 30% or less.例文帳に追加

スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１１）のピークの半値幅を０．３以下、またはそれと半値幅のバラツキを３０％以下とする。 - 特許庁

Then, ionized sputtered particles are allowed to take a flight toward the base body without being scattered with ambipolar diffusion by a magnetic field formed by a magnetic field generating means and deposited on the base body.例文帳に追加

そして、磁場発生手段によって形成される磁場により両極性拡散でイオン化したスパッタ粒子を散乱させることなく基体方向に飛翔させ基体に堆積させる。 - 特許庁

A method and apparatus are provided for achieving an uniform figure of step shape coverage of one or more materials on a substrate 110, using a sputtered ionized material.例文帳に追加

本発明はスパッタされたイオン化材料を用いて、基板１１０上に一つ以上の材料の均一な形態を有する段差形状被覆を達成する方法と装置を供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtered film, which improves the product yield by reducing dust and controlling an abnormal discharge, when forming the film on a substrate in a dry-system film-forming apparatus.例文帳に追加

ドライ系成膜装置における基板の成膜時にダストの低減、異常放電の抑制をすることで製品歩留まりを向上させたスパッタ膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The film may, for example, be a sputtered film formed by a sputtering method using a mask or may be a knitted film formed by knitting wires.例文帳に追加

グラニュラー磁性薄膜は、例えば、マスクを用いたスパッタ法により形成されたスパッタ膜であっても良いし、線で編みかけを行うことにより形成された編みかけ膜であっても良い。 - 特許庁

Then, a dust trap plate 6 is disposed on the periphery of the wafer 2, the sputtered particles are adhered to the outer peripheral surface of the plate 6 to obtain a foreign matter preventing effect without flying the particles onto the wafer 2.例文帳に追加

そこで、ウエハ２の周辺に塵埃トラップ板６を配置し、スパッタアウトされた粒子をトラップ板６の外周面に付着させウエハ２上へ飛来させず異物防止効果が得られる。 - 特許庁

To anneal a sputtered magnetic alloy film at a relatively low temperature in order to convert the film into an ordered phase alloy film having an L_10 structure which is used for a recording layer of a magnetic recording medium.例文帳に追加

磁気記録媒体の記録層にＬ_10構造の規則相合金膜を適用するにあたって、スパッタ成膜した磁性合金膜の比較的低いアニール温度での規則化を可能にする。 - 特許庁

When a tunnel barrier layer is laminated on a substrate 11, the target T mainly comprising magnesium oxide is sputtered under the horizontal magnetic field of 2,000 (Oe) to 3,000 (Oe) on the surface.例文帳に追加

そして、基板１１にトンネルバリア層を積層するとき、表面における水平磁場が２０００（Ｏｅ）〜３０００（Ｏｅ）の下で酸化マグネシウムを主成分とするターゲットＴをスパッタさせる。 - 特許庁

A ZnO target 28 which is the raw material of the thin film is sputtered using a magnetron sputtering device to form the flow of the raw material (raw material flow) from a cathode 23 to an anode 24 in a plasma.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置を用いて、薄膜の原料であるZnOターゲット２８をスパッタし、プラズマ中に陰極２３から陽極２４に向かう原料の流れ（原料流）を形成する。 - 特許庁

Among sputtering particles to pass through the particle passage 130, only neutral particles can go straight on, thus a sputtered film is formed on the surface of the organic thin film in an object for film formation.例文帳に追加

粒子通路１３０を通過しようとするスパッタリング粒子の中で、中性粒子だけが直進でき、それにより、成膜対象物の有機薄膜表面にスパッタ膜が形成される。 - 特許庁

The apparatus is also equipped with a holder for the working piece and at least one treatment kit constituent member, capable of re-using, which is laid out to accumulate the material sputtered from the target.例文帳に追加

この装置は又、加工片用のホルダーと、ターゲットからスパッタされた材料を蓄積するために配置される少なくとも１つの再使用可能な処理キット構成部品とを備える。 - 特許庁

Titanium is then sputtered on the precisely processed surface to form a film, and platinum is electroplated so as to have a thickness of 10 μm by using it as a backing, and a platinum plated layer 2 having a titanium backing is formed.例文帳に追加

次に、精密加工した図の２に示す面に、チタンをスパッターで膜成形し、それを下地として白金を10μｍの厚さに電気メッキし、チタン下地の白金メッキ層２を形成した。 - 特許庁

To surely prevent that light transmittance is lowered because the constituting material of a cathode electrode is sputtered to be adhered on a thin glass sheet at the time of discharge in a plasma channel.例文帳に追加

プラズマチャンネル内での放電時に、カソード電極の構成材料がスパッタリングされ、薄板ガラス上に付着することによって、光透過率が低下することを、確実に防止する。 - 特許庁

In the tungsten sputtering target, a crystal orientation ratio (110)/(200) of crystal surfaces (110) and (200) found by X-ray diffraction of a surface to be sputtered is 0.1 to 6.5.例文帳に追加

Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１０）及び（２００）の結晶方位比率（１１０）／（２００）が０．１〜６．５であることを特徴とする。 - 特許庁

Since the sputtered particles can efficiently arrive even at the bottom face 502 of the narrow hole 500, the deposition of the film at the bottom face 502 of the hole 500 is promoted, and a bottom coverage ratio improves.例文帳に追加

狭いホール５００の底面５０２まで効率よくスパッタ粒子が到達できるので、ホール５００の底面５０２での膜堆積が促進され、ボトムカバレッジ率が向上する。 - 特許庁

The ionized particles of rare gas such as argon are collided against a target material 4 of titanium or the like having suitable mechanical properties and excellent corrosion resistance and the target particles 3 are sputtered from the surface.例文帳に追加

イオン化されたアルゴン等の希ガス粒子が、チタン等の適度な機械的性質と耐食性に優れたターゲット材４に衝突し、ターゲット粒子３が表面からスパッタされる。 - 特許庁

A wafer W on which a lower conductor film of a metal oxide is formed is sputtered in the sputtering system 1 to form a ferroelectric film on the lower conductor film.例文帳に追加

そして，金属酸化物からなる下部導電体膜の形成されたウェハＷが，前記装置１においてスパッタ処理され，下部導電体膜上に強誘電体膜が形成される。 - 特許庁

As a result, the oxidation of the copper which can occurrence of when the sputtered copper particles are recrystallized on the semiconductor wafer W is reduced and prevented by the gaseous hydrogen introduced into the chamber.例文帳に追加

これにより、スパッタリングされた銅粒子を半導体ウェハＷ上で再結晶化する際に生じ得る銅の酸化が、導入した水素ガスにより還元され防止される。 - 特許庁

To provide a working machine serviceable also as a mine treating machine equipped with an illumination light, capable of protecting the illumination light against the sputtered objects at the time of mine treatment.例文帳に追加

地雷処理機械としても使用可能な作業機械であって照明用ライトを備えたものにおいて、地雷処理時の飛散物から照明用ライトを保護することができるようにする。 - 特許庁

According to the method for manufacturing the semiconductor device, after forming the Cu layer 4 on an insulating film 2 for filling wiring grooves 1 in the insulating film 2 by electroplating, the surface of the Cu layer 4 is sputtered by using rare gas ions.例文帳に追加

絶縁膜２上に、絶縁膜２に形成された配線溝１を埋め込むＣｕ層４を電気めっきで形成したのち、Ｃｕ層４の表面を稀ガスイオンを用いてスパッタする。 - 特許庁

A target 2, which is placed inside the sputtering chamber 1 equipped with an exhaust system 11, is sputtered using a sputtering power source 3 so that sputtering particles emitted therefrom reach a substrate 50 to form a film.例文帳に追加

排気系１１を備えたスパッタチャンバー１内に設けられたターゲット２をスパッタ電源３によってスパッタし、放出されたスパッタ粒子を基板５０に到達させて成膜する。 - 特許庁