「sputtering method」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an indium target which has a high film formation rate with low initial discharge voltage, and furthermore, which has a stable film formation rate and stable discharge voltage from a start to completion of sputtering, and a method for producing the same.例文帳に追加

成膜レートが大きく且つ初期放電電圧が小さく、さらに、スパッタ開始から終了までの成膜レート及び放電電圧が安定なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the target material used for a sputtering method, the edge parts thereof are made into an inclination of 5 to 85 degrees, and at least two pieces of the target materials are joined by hot isostatic press (HIP) to obtain the large target material.例文帳に追加

スパッタリング法に使用されるターゲット材において、該ターゲット材の端部を５度〜８５度の傾斜角とし、熱間等方加圧焼結（ＨＩＰ）により、少なくとも２枚を接合してなる大型ターゲット材。 - 特許庁

To provide a sputtering target which can be produced at a low cost and in which abrasive grains or the like are effectively removed, further, the generation of particles is prevented, and initial stability is remarkably improved, and to provide its production method.例文帳に追加

研磨粒などを有効に除去すると共にパーティクルの発生を防止し、初期安定性を著しく向上させ、且つ低コストで製造できるスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which has abrasive particles effectively removed therefrom, does not form particles, thereby has improved initial stability and can be inexpensively manufactured, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

研磨粒などを有効に除去すると共にパーティクルの発生を防止し、初期安定性を著しく向上させ、且つ低コストで製造できるスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The ITO target including calcium manufactured by the method can reduce a number of times nodules and arcs are generated during sputtering, thereby growing a film which is able to be used for a long period of time.例文帳に追加

本発明のＩＴＯターゲットの製造方法を用いて製造されたカルシウムが含まれたＩＴＯターゲットは、スパッタリングノジュールおよびアークの発生が減少して長期間の成膜が可能とある。 - 特許庁

In this method for depositing a magnetic material film, magnetron sputtering is performed by using a magnetic material target in which the maximum magnetic permeability in the thickness direction is double or above the maximum magnetic permeability in the direction vertical to the thickness direction.例文帳に追加

厚さ方向の最大透磁率が厚さ方向と垂直な方向の最大透磁率の２倍以上である磁性材ターゲットを用いてマグネトロンスパッタリングする磁性材膜の成膜方法。 - 特許庁

Therein, the antireflection layer 12 is formed according to a sputtering method, the low refractive index layer is formed at an Ar introduction pressure of 2 to 5 Pa and the high refractive index layer is formed at an Ar introduction pressure of 5 to 10 Pa.例文帳に追加

なお、反射防止層１２は、スパッタリング法により形成され、低屈折率層は、アルゴンの導入圧が２〜５Ｐａで形成され、高屈折率層は、アルゴンの導入圧が５〜１０Ｐａで形成される。 - 特許庁

The protection body formed on the organic compound layer has 70 to 100% transmission factor, preventing damage applied to the organic compound layer when the positive electrode is deposited by a sputtering method.例文帳に追加

なお、有機化合物層上に形成された保護体は、透過率が７０〜１００％であり、また、陽極をスパッタリング法により成膜する際に有機化合物層に与えられるダメージを防ぐことができる。 - 特許庁

The surface of the main body of an electrochemical measuring electrode 3 is modified by a polymeric thin film 4 manufactured by a high frequency sputtering method using an organic solid material as a target.例文帳に追加

電気化学測定用の電極３本体の表面に、有機固体材料をターゲットとして高周波スパッタ法により作製された高分子薄膜４が修飾されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a piezoelectric element part of a liquid jet head, in which only an upper electrode film of a part exposed in a contact hole is etched in a reverse sputtering treatment for forming a lead electrode.例文帳に追加

リード電極の形成における逆スパッタ処理においてコンタクトホールに露出している部分の上電極膜だけがエッチングされる液体噴射ヘッドの圧電素子部分の形成方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the sputtering target is characterized by manufacturing a sintered compact two times or more thicker than the target, and cutting the sintered compact in a perpendicular direction to the thickness into several targets.例文帳に追加

ターゲットの２倍以上の厚さを有する焼結体を作製し、該焼結体を厚さに直交する方向に切断して複数枚のターゲットとすることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

In the case of manufacturing a thick film circuit substrate for T-type attenuator, an SiO_2 film is formed first in the thickness of about 0.001μm to about 1.0 μm on a aluminum nitride (AlN) substrate with the sputtering method by controlling the film forming time (S1).例文帳に追加

Ｔ型アッテネータ用厚膜回路基板を製造する場合、まず窒化アルミニウム（AlN）基板にスパッタ法により成膜時間を制御して略0.001μm乃至略1.0μmのSiO_２膜を形成する（Ｓ１）。 - 特許庁

To form an X-ray absorber thin film of high stress uniformity with a sputtering method and to reduce pattern distortion by enhancing the stress uniformity in substrate surface of an X-ray exposure mask.例文帳に追加

スパッタリング法で応力均一性の高いＸ線吸収体薄膜を形成することができ、Ｘ線露光用マスクの基板面内応力均一性を高めてパターン歪みを低減できる。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a film of an optomagnetic recording medium, which inhibits a Tb content in the film formed on the optomagnetic recording medium from varying according to a measured position, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

成膜して得られた光磁気記録媒体膜のＴｂ組成が測定位置によりばらつくことの少ない光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering method has a sub-process area 23 set at a position in the vicinity of a main process area 22 set according to a region to have the circuit corrected and the sub-process area 23 is sputtered before the main process area 22.例文帳に追加

回路修正を行う範囲に対応して設定されるメイン加工エリア２２の近傍位置にサブ加工エリア２３を設定し、メイン加工エリア２２に先立ってサブ加工エリア２３を事前にスパッタする。 - 特許庁

The protection film formed on the organic compound layer has 70 to 100% transmission factor, preventing damage applied to the organic compound layer when the positive electrode is deposited by a sputtering method.例文帳に追加

なお、有機化合物層上に形成された保護膜は、透過率が７０〜１００％であり、また、陽極をスパッタリング法により成膜する際に有機化合物層に与えられるダメージを防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a flat thin film which does not have a domain structure and is excellent in etching characteristics even in the case an ITO thin film is formed at the substrate temp. not lower than the crystallization temp. by a sputtering method.例文帳に追加

ＩＴＯ薄膜を結晶化温度以上の基板温度でスパッタリング法により形成した場合においても、ドメイン構造を有さず平坦で、エッチング特性に優れた薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a thermal head capable of forming a heat generating resistor layer while reconciling the suppression of variation in resistance and the expansion in the degree of freedom in the selectivity of materials by using sputtering.例文帳に追加

スパッタリングを使用して抵抗ばらつきの抑制と材料選択性の自由度の拡大とを両立しながら発熱抵抗体層を形成することが可能なサーマルヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing optical thin film in which an ion beam 116 is applied to a target 115 and an optical thin film made of multilayer film is formed on a body 119 to be treated by sputtering has the following process.例文帳に追加

イオンビーム１１６をターゲット１１５に照射し、スパッタリングによって被処理物１１９に多層膜による光学薄膜を成膜する光学薄膜の製造方法を、つぎのように構成する。 - 特許庁

As for the method for manufacturing an oxide optical crystal thin film, reactive sputtering which uses the metal target containing only a metal component in the oxide and the reactive gas consisting of oxygen is adopted.例文帳に追加

酸化物の光学結晶薄膜を製造する方法として、酸化物中の金属成分のみを含有する金属ターゲット及び酸素から成る反応性ガスを用いた反応性スパッタリングを採用した。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-purity molybdenum-tungsten alloy powder suitable for a raw powder to be used when producing a sputtering target for forming a film of a liquid crystal and a semiconductor.例文帳に追加

液晶、半導体成膜用等のスパッタリングターゲットを作製する際に用いられる原料粉末として好適な、高純度モリブデン−タングステン合金粉末の製造方法を提供すること - 特許庁

To provide a method for adding a new means of increasing degree of vacuum to a film deposition chamber for sputtering, CVD and vapor deposition and to improve the throughput of the system.例文帳に追加

本願発明は、スパッタ成膜、ＣＶＤ成膜，蒸着成膜チャンバーに新たな真空度を高める手段を追加する方法を提供し、装置のスループットを向上させることを課題とする。 - 特許庁

By a sputtering method, a lower-electrode formation film 15A, whose film thickness is about 20 nm and which is composed of platinum, is deposited over the whole face including the bottom face and the wall surface of openings 14a in an upper interlayer insulating film 14.例文帳に追加

スパッタ法により、上部層間絶縁膜１４の開口部１４ａの底面及び壁面を含む全面に、膜厚が約２０ｎｍの白金からなる下部電極形成膜１５Ａを堆積する。 - 特許庁

Fe is deposited through a sputtering method on an Si substrate 1 heated up to a temperature of 1,000°C, Si contained in the Si substrate is made to react with Fe to form an α-FeSi2 layer 17 on the Si substrate 1.例文帳に追加

１１００℃に加熱したｎ型のＳｉ基板１上に、スパッタ法によりＦｅを堆積し、Ｓｉ基板１のＳｉとＦｅとを反応させて、Ｓｉ基板上にα−ＦｅＳｉ_2層１７を形成する。 - 特許庁

To provide a combinatorial method for forming a film, which precisely controls various film-forming conditions in a sputtering process, and efficiently produces a coating film in different film-forming conditions, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

スパッタ法などにおける様々な成膜条件を精確に制御し、成膜条件の異なるコーティング膜を効率的に製造することができるコンビナトリアル成膜方法とその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a gas discharge display device and a plasma address liquid crystal display device in which the deterioration of display quality due to the sputtering of cathode layer is prevented and suppressed, and to provide a manufacturing method for the same.例文帳に追加

陰極層のスパッタリングに起因する表示品位の低下が防止・抑制された気体放電表示装置およびプラズマアドレス液晶表示装置ならびにその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a diamond-like carbon film which is lowered in a coefficient of friction and is raised in hardness by a method of small surface roughness and little in lowering of a deposition rate by sputtering.例文帳に追加

表面粗さが小さく、自己スパッタによる成膜レートの低下が少ない方法で、摩擦係数を低下させ、且つ硬度を上昇させたダイヤモンド状炭素被膜を形成することができるダイヤモンド状炭素被膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

As to the method for forming a laminated film in which metallic oxide thin films and metallic thin films are deposited on a substrate in a laminated manner by a sputtering method, the concentration of oxygen in an atmospheric gas at the time of depositing the metallic oxide thin films is controlled to 5 to 15 vol%.例文帳に追加

スパッタリング法により、基板上に金属酸化物薄膜と金属薄膜とを積層形成する積層膜の形成方法において、金属酸化物薄膜を形成する際の雰囲気ガス中の酸素濃度を５〜１５ｖｏｌ％とする。 - 特許庁

A method for manufacturing the platinum film comprises the steps of forming a seed film in the groove by sputtering metal platinum as a target material, and then decomposing vapor of an organic platinum compound, such as dimethyl platinum cyclooctadiene or the like on the sheet film, through organic metal chemical vapor deposition method.例文帳に追加

この白金膜は金属白金をターゲット材にしてスパッタリングにより溝にシード膜を形成した後、シード膜上に有機金属化学蒸着法によりジメチル白金シクロオクタジエン等の有機白金化合物の蒸気の分解により製造する。 - 特許庁

The method comprises depositing a film of the phosphor emitting light by the irradiation with electrons on a substrate, and the deposition of the film of the phosphor is performed while applying a bias power to the substrate by a sputtering method.例文帳に追加

電子を照射することにより発光する蛍光体を基板上に成膜する方法であって、前記蛍光体の成膜をスパッタリング法により前記基板にバイアス電力を印加しつつ行うことを特徴とする蛍光体の成膜方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a plasma display panel, the method for stably manufacturing the high quality plasma display panel, because a protective film which has sputtering resistance and is excellent on secondary electron emission characteristics, is stably manufactured.例文帳に追加

耐スパッタ性を有した２次電子放出特性に優れた保護膜を安定して生産することが可能となり、高品質のプラズマディスプレイパネルを安定して生産することが可能なプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a production method of a transparent insulation film which is thin and has excellent voltage resistance property, and to provide the transparent insulation film produced by the same, and a sputtering target which is used in the production method of the transparent insulation film.例文帳に追加

薄膜で耐圧特性の優れる透明絶縁膜の製造方法、及び該透明絶縁膜の製造方法により製造される透明絶縁膜を提供し、また前記透明絶縁膜の製造方法に用いられるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic thin film capable of performing a regulation at a low temperature rather than a Pt-Fe duality system alloy film, even if any special treatment isn't carried out in physical vapor growth methods for forming general film such as a sputtering method and a deposition method or the like.例文帳に追加

一般的な成膜方法であるスパッタリング法や蒸着法等の物理的気相成長法において、特殊な処理をしなくても、Ｐｔ−Ｆｅ二元系合金膜よりも低温で規則化することができる磁性薄膜を提供すること。 - 特許庁

In the manufacturing method of the barrier laminate having at least one layer of an organic layer and at least one layer of an inorganic layer on a plastic film support, the organic layer is film-formed by a sputtering method while applying a bias to the support.例文帳に追加

プラスチックフィルム支持体上に、少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層とを有するバリア性積層体を製造する方法において、支持体にバイアスを印加しながら前記有機層をスパッタリング法によって成膜する。 - 特許庁

A sputtering method is used as a nucleus sticking method when forming a detecting electrode composed of platinum on an outer wall of a base body via the nucleus sticking process for sticking a nucleus of platinum to the outer wall of the base body and a growth process for growing the stuck nucleus.例文帳に追加

基体の外壁に白金の核を付着させる核付け工程と、付着した核を成長させる成長工程とを経て、基体の外壁に白金からなる検出電極を形成する際、核付け工程としてスパッタ法を用いる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium with stable product quality by organizing a production apparatus to conduct stable surface working and a manufacturing method to install the surface working in-line immediately before a sputtering step.例文帳に追加

安定した表面加工を行う生産装置と、それをスパッタ工程の直前にインラインで構成する製造方法の構築により、安定した製品品質の垂直磁気記録媒体が生産できる製造方法、及び装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the organic EL element comprises a process 1 of vapor-depositing a material containing alkali metal or alkali earth metal on the surface of a sputter target for a cathode electrode material, and a process 2 of forming a cathode electrode film by a sputtering method.例文帳に追加

カソード電極材用スパッタターゲット表面に、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属元素を含む材料を蒸着する工程１と、カソード電極をスパッタ成膜する工程２を有する有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a step of forming the intermediate electrode 40, (a) a first metal film 41 is formed above the ferroelectric film 30 by sputtering method, and (b) a second metal film 46 is formed above the first metal film 41 by vacuum deposition method.例文帳に追加

中間電極４０の形成工程で、（ａ）強誘電体膜３０の上方に、スパッタ法によって第１の金属膜４１を形成し、（ｂ）第１の金属膜４１の上方に、蒸着法によって第２の金属膜４６を形成する。 - 特許庁

To provide a means for efficiently implementing the maintenance method of a vacuum film deposition apparatus, in particular, the method of a system vent when executing maintenance of an in-line type sputtering apparatus under a necessary and sufficient condition, and to provide an optimal vacuum film deposition apparatus.例文帳に追加

真空成膜装置のメンテナンス方法、とりわけ、インライン式スパッタ装置をメンテナンスする場合のシステムベントの方法を必要かつ充分な条件で効率的に行うための手段を提供し、最適な真空成膜装置を提供すること。 - 特許庁

In the manufacturing method of the magnetic recording medium wherein the magnetic layer having at least a granular structure is deposited on at least one surface of a support, the magnetic layer is deposited by a DC pulse sputtering method.例文帳に追加

支持体の少なくとも一方の面に、少なくともグラニュラ構造を有する磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、上記磁性層は、ＤＣパルススパッタ法により形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

When niobium metal is used as a target and a niobium oxide thin film is deposited on the surface of a base material by a sputtering method, the amount of a reactive gas to be introduced is controlled by a plasma emission monitoring (PEM) method, and the strength of plasma generated from the niobium metal is controlled.例文帳に追加

ニオブメタルをターゲットとして、スパッタリング法により基材表面に酸化ニオブ薄膜を成膜する際に、プラズマエミッションモニタリング（ＰＥＭ）法により反応性ガスの導入量を調整し、前記ニオブメタルから発生するプラズマの強度を制御する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for optical media which includes relatively inexpensive aluminum as a principle component, in which no rare earth metal is used, and which is excellent in surface smoothness, a method of manufacturing the same, and an optical medium and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

比較的価格の安いアルミを主成分としかつ希土類金属を使用しない、表面平滑性に優れた光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、及び、光メディア及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus capable of producing an electrolyte thin film free from damage to the surface due to energy in plasma, to provide a method for producing a solid electrolyte thin film using the apparatus, and to provide a method for producing a thin film solid lithium ion secondary battery.例文帳に追加

プラズマ中のエネルギによる表面のダメージがない薄膜電解質を製造できるマグネトロンスパッタ装置、この装置を用いて固体電解質薄膜を製造する方法、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To reduce with superior reproducibility in-plane uniformity of a TaN film to be used as a barrier layer of a semiconductor element by a method wherein the peak intensity in a specified direction measured by an X rays diffraction method is specified on the surface of a sputtering target composed of high pure TaN.例文帳に追加

Ｃｕ配線のバリア層などとして用いられるＴａＮ膜において、膜厚の面内均一性を例えば5%以下とすることが望まれており、そのようなＴａＮ膜を再現性よく得ることを可能にしたスパッタターゲットが求められている。 - 特許庁

To provide a pulsed direct-current sputtering film deposition method which can perform film deposition securing high film performance in terms of film thickness, film quality or the like on the inner wall faces of a contact hole, a through-hole, a wiring groove or the like, and to provide a film deposition apparatus for the method.例文帳に追加

コンタクトホールやスルーホール、配線溝等の内壁面に対して、膜厚や膜質などの点で高い膜性能を確保した成膜を行い得るパルス状直流スパッタ成膜方法及びこの方法のための成膜装置を提供する。 - 特許庁