「sputtering method」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a W sputtering target capable of improving the film thickness in-plane uniformity of a W film deposited on a substrate and further capable of reducing particle generation, and its manufacturing method.例文帳に追加

基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board material which is capable of easily manufacturing a circuit pattern of a wiring pitch 100 μm or below through a sputtering method and also manufacturing a printed wiring board with high productivity.例文帳に追加

スパッタ法においても、容易に製造可能であり、配線ピッチ１００μｍ以下の回路パターンを作製可能であり、優れた生産性でプリント配線板の製造を可能とするプリント配線板材料を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target for forming a film containing Co, Ta and a rare-earth metal, which can enhance the density of the target to such a level that the target is hardly cracked and can be machined.例文帳に追加

割れ難く機械加工ができる程度まで密度を向上させることができるＣｏ、Ｔａおよび希土類金属を含有する膜を形成するためのスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an oxide sintered body capable of suppressing abnormal discharge generated in forming an oxide semiconductor thin film using a sputtering method and obtaining an oxide semiconductor thin film with stability and good reproducibility.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて酸化物半導体薄膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体薄膜を安定且つ再現性よく得ることができる酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered body with which an oxide semiconductor thin film can be stably obtained with good reproducibility by suppressing an abnormal discharge generated when the oxide semiconductor thin film is formed using a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて酸化物半導体薄膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体薄膜を安定かつ再現性よく得ることができる酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

The masking material 80 is used when the pattern is formed on the substrate 40 with the sputtering method, has openings 81 corresponding to the pattern, and makes portions having no opening formed therein to be formed so as to have uniform thickness.例文帳に追加

基板４０上にスパッタ法にてパターンを形成する際に用いるマスク材８０であって、該パターンに対応した開口８１を有するとともに、該開口が形成されていない部分の厚さが均一に形成されている。 - 特許庁

To provide a cleaning gas useful for removing unnecessary deposits accumulated on inner walls, parts or the like in a device for producing thin films, thick films, powders or whiskers by CVD, sputtering, sol-gel or vapor deposition method.例文帳に追加

ＣＶＤ法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて薄膜、厚膜、粉体、ウイスカを製造する装置において装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリーニングガスを提供する。 - 特許庁

After that, a TiN film 6 that becomes a gate electrode is formed by the reactive sputtering method using a mixed gas of N2, and a TiN film and an Sr2NbN3 film of a prescribed region are etched and removed by a mixed gas of Ar and Cl2 or the like using a resist mask.例文帳に追加

その後、Ar/N_2混合ガスを用いた反応性スパッタ法により、ゲート電極となるTiN膜６を形成し、レジストマスクを用いて、所定の領域のTiN膜、Sr_2NbN_3膜をAr/Cl_2混合ガス等を用いてエッチングして除去する。 - 特許庁

To provide a producing method, e.g. capable of producing a target material usable for production of a magnetic thin film having high soft magnetic properties by magnetron sputtering or the like as a metallic bulk material having high coercive force.例文帳に追加

高い軟磁気特性を持つ磁性薄膜をマグネトロンスパッタリングなどで作製するのに用いることのできるターゲット材などを、高保磁力を持つ金属バルク材として作製することのできる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a metal plate, its manufacturing method and an aligner by which film strength can sufficiently be secured by securing a desired film thickness when using a shadow mask, etc., for a nozzle, vapor depositing, sputtering, etc.例文帳に追加

ノズル、蒸着やスパッタ等におけるシャドーマスク等に用いた場合に、所望の膜厚を確保することで、膜の強度を十分に確保することができる金属板とその製造方法及び露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a Cr alloy target material with which production of particles can be reduced when a Cr alloy substrate film obtained by adding a specified element (s) and B to Cr is deposited by sputtering, and to provide its production method.例文帳に追加

Ｃｒに特定元素とＢが添加されたＣｒ合金下地膜をスパッタリングによって成膜する際に、パーティクルの発生を低減できるＣｒ合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for joining a sputtering target and a supporting board therefore capable of preventing the coarsening of the crystal grain size of the target, the reduction of the strength of the supporting board and the warpage of the joined target and supporting board.例文帳に追加

ターゲットの結晶粒度の粗大化、支持板の強度低下及び接合されたターゲットと支持板の反りを防ぐことができるスパッタリング用ターゲットとその支持板との接合方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

A first layer formed in a film on a collector by a sputtering method, and a second layer formed in a film further thereon by vacuum deposition or wet plating are structured to have the same composition containing Si or Sn.例文帳に追加

集電体上にスパッタ法により成膜される第１層と、さらにその上に、真空蒸着または湿式めっきにより成膜された第２層がＳｉまたはＳｎを含んだ同じ組成を持つ構造を有する。 - 特許庁

To provide a practical and formable sputtering target of a Cu-Ga alloy or a Cu-Ga-In alloy for a thin film solar battery high in reliability and to provide a method for producing it.例文帳に追加

実用的で成形可能な信頼性の高い薄膜太陽電池用のＣｕ−Ｇａ合金或いはＣｕ−Ｇａ−Ｉｎ合金のスパッタリングターゲットを提供すること及びその製造方法を提供すること - 特許庁

To improve drivability of a MOSFET by preventing a silicon oxide film from formed on the surface of a semiconductor substrate to form a gate insulating film, comprising only of a high dielectric material by a sputtering method.例文帳に追加

半導体基板表面にシリコン酸化膜が形成されることを防止しつつ、高誘電率材料のみからなるゲート絶縁膜をスパッタリング法により形成できるようにしてＭＯＳＦＥＴの駆動力を向上させる。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium more excellent in SNR characteristics, its manufacturing method, a sputtering target with which the magnetic recording medium can be easily manufactured, and a magnetic recording and reproducing device more excellent in SNR characteristics.例文帳に追加

ＳＮＲ特性がさらに優れた磁気記録媒体、その製造方法、この磁気記録媒体を容易に製造することができるスパッタリングターゲット、およびＳＮＲ特性のさらに優れた磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for depositing a mixed film of a metal and titanium oxide, by which the mixed film can be deposited more stably at a higher speed in comparison with a conventional RF sputtering using a target formed of a metal-titanium oxide sintered compact.例文帳に追加

従来の金属−チタン酸化物の焼結体ターゲットを用いたＲＦスパッタリングよりも、高速、且つ、安定して金属とチタン酸化物の混合膜を形成する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a new composite polymer having mixed structures in molecular level by taking in a plurality of kinds of polymers having different chemical structures as target materials with a process using a radio frequency sputtering method.例文帳に追加

異なる化学構造を持つ複数種類のポリマーをターゲット材料とすることで、高周波スパッタ法による一つのプロセスによって、分子レベルで構造が混合された新たな複合ポリマー材料を提供する。 - 特許庁

A method for removing a resist layer in a via hole in particular comprises plasma for removing an organic compound and the steps of cleaning a device using deionized water and carrying out argon sputtering for removing the organic compound.例文帳に追加

特にビアホール内のレジスト層を除去する方法は、有機化合物を除去するためのプラズマを有し、脱イオン水でデバイスを洗浄し、そして有機化合物を除去するためにアルゴンスパッタリングすることを有している。 - 特許庁

To provide an optical medium with an interference layer having a high refractive index and further sufficiently securing preservability of the optical medium, and a sputtering target to be used for producing the interference layer, and a method for producing the optical medium.例文帳に追加

高屈折率でありかつ光メディアの保存性を十分に確保できる干渉層を有する光メディア、この干渉層の製造に用いるスパッタリングターゲット、及び、光メディアの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provides a method for manufacturing a dielectric film, which reduces a leak current value while suppressing the reduction in a relative permittivity, suppresses the reduction in a deposition rate caused by the reduction in a sputtering rate, and also provides excellent planar uniformity.例文帳に追加

比誘電率の低下を軽減しつつリーク電流値を低減し、スパッタ率の低下による堆積速度の減少を抑制し、かつ、面内均一性に優れた誘電体膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step in which a metal layer formed on a support base material by vacuum sputtering or vacuum evaporation is transferred to the resin composition layer containing the resin component.例文帳に追加

上記課題は、樹脂成分を含有する樹脂組成物層に、支持基材上に真空スパッタリング法または真空蒸着法により形成した金属層を転写させることにより解決することが可能となる。 - 特許庁

To stably and continuously produce a transparent electrically conductive thin film on a transparent plastic substrate for a long time by reactive sputtering method using a metallic target.例文帳に追加

プラスチックフィルムからなる透明基材上に透明導電性薄膜を有する透明導電性フィルムを、金属ターゲットを使用した反応性スパッタ成膜により、高速で長時間安定して連続的に製造する。 - 特許庁

To enhance the productivity by improving the efficiency of using a target and prolonging the continuous operation time of an apparatus by providing a condition where nodules are hardly formed on the surface of the target, in a magnet swing type sputtering film deposition method.例文帳に追加

マグネット揺動型のスパッタリング成膜方法において、ターゲット表面にノジュールが形成されにくい条件を提案し、ターゲットの使用効率向上、装置の連続可能時間の向上により生産性を高める。 - 特許庁

To prevent a semiconductor device from deteriorating in manufacturing yield due to the fact that a large number of pinholes occur in a titanium film which is formed through a sputtering method so as to be used as a metal mask for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置製造用メタルマスクとしてスパッタ法で形成したチタン膜にピンホールが多数発生し、マスク材として有効に機能せずこれを用いた半導体装置の製造時の歩留が低くなるのを防止する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing vertical recording medium for improving distribution in a substrate surface by sputtering deposition without decline of productivity and cost increase and obtaining good magnetic characteristic and electromagnetic characteristic.例文帳に追加

生産性低下やコストアップを生じることなく、スパッタリング成膜による基板面内分布を改善し、もって良好な磁気特性、電磁気特性が得られ垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

In forming the magnetic film on the substrate made of the resin, the substrate made of the resin is deposited in a non-heating state by a sputtering method in a chamber where the gaseous pressure is regulated to 0.133 to 2.66 Pa.例文帳に追加

また、前記樹脂製の基板上に前記磁性膜を形成する際、ガス圧を０．１３３Ｐａ以上、２．６６Ｐａ以下としたチャンバー内でスパッタリング法により、樹脂製の基板を非加熱状態で成膜する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently manufacturing high-quality ceramic sintered compacts by lessening the warpage and density unevenness which occur during sintering of the ceramic sintered compacts used as sputtering targets.例文帳に追加

スパッタリングターゲットとして用いられるセラミックス焼結体の焼成時に発生する反りおよび密度むらを低減させることにより、効率よくかつ高品質なセラミックス焼結体を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A GeSbTe thin film 412 is formed as a chalcogen semiconductor on a glass substrate 411 by the DC sputtering method, a resist is coated, and the form of a wiring having two terminals is made from the GeSbTe by a lithographic dry etching.例文帳に追加

本発明は、ガラス基板４１１上にカルコゲン半導体としてＤＣスパッタ法でＧｅＳｂＴｅ薄膜４１２を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングでＧｅＳｂＴｅを２端子の配線形状とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor ceramic element having favorable heat resistance and a negative temperature characteristic of resistance with a small long-term resistance change by stabilizing a thin film formed for use in an electrode by a vapor deposition or sputtering method.例文帳に追加

蒸着やスパッタリング法で電極用として形成された薄膜を安定化させ、耐熱性がよく、長期にわたる抵抗変化が小さな負の抵抗温度特性を有する半導体セラミック素子を得る。 - 特許庁

The film P of nickel-phosphorus as a first layer is formed on the optical transfer face of a matrix by sputtering treatment as shown in the figure to grow an electroforming therefrom without using a method where the electroforming is directly grown from the matrix.例文帳に追加

母型から直接電鋳を成長させるのではなく、図６に示すように、スパッタリング処理で、母型の母光学転写面に第１の層としてのニッケル燐の被膜Ｐを形成し、ここから電鋳を成長させている。 - 特許庁

The transmissivity of the protection film formed on the organic compound layer is 70-100%, and the protection film prevents the damage which may generated on the organic layer when forming the positive electrode film by sputtering method.例文帳に追加

なお、有機化合物層上に形成された保護膜は、透過率が７０〜１００％であり、また、陽極をスパッタリング法により成膜する際に有機化合物層に与えられるダメージを防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a back plate, by which a back plate capable of effectively reducing generation of particles in sputtering and also preventing contamination due to alkali metal impurities, such as Na, can be easily obtained.例文帳に追加

スパッタリングの際のパーティクルの発生を効果的に低減し、かつ、Ｎａを始めとするアルカリ金属不純物による汚染防止を図ることができるバッキングプレートを簡便に得られるバッキングプレートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system capable of efficiently forming films having a uniform film thickness distribution without the need for preparing a fresh collimator every time the erosion form of a target changes, and to provide a film forming method.例文帳に追加

ターゲットのエロージョン形態が変わるたびに、新しいコリメータを用意することを必要とせずに、膜厚分布の均一な膜を効率よく形成することが可能なスパッタ装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

In the method for producing a circuit board, production process is simplified and manufacturing cost is reduced by forming a seed layer of a circuit on a base film through deposition, chemical plating or sputtering.例文帳に追加

かゝる本発明は、ベースフイルム上に回路のシード層を、蒸着、化学メッキ、又はスパッタによって形成する回路基板の製造方法にあり、これによって、工程の簡略化が図られ、コストダウンが達成される。 - 特許庁

To provide a method for producing an SrRuO_3 crystal film having low resistance equal to that of a bulk film by a sputtering process having excellent mass-productivity, and to provide a sputtered SrRuO_3 crystal film having low resistance equal to that of a bulk film.例文帳に追加

バルクに匹敵する低抵抗のＳｒＲｕＯ_３結晶膜を量産性に優れたスパッタ法で成膜する方法及びバルクに匹敵する低抵抗のスパッタＳｒＲｕＯ_３結晶膜を提供すること。 - 特許庁

To provide an ITO(indium tin oxide) sputtering target capable of reducing the amount of nodules occurring at the surface of a target even in the case of a film deposition method wherein electric discharge is performed at a low applied electric power liable to produce nodules.例文帳に追加

ノジュールの発生しやすい、低い印加電力で放電を行う成膜方法を用いた場合においてもターゲット表面に発生するノジュール量を低減できるＩＴＯスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A metal layer 12 composed of silver is deposited on a substrate 11 by a sputtering method and subsequently fine protrusions and recessions are formed on a surface of the metal layer 12 by applying an electric field 13 in the film thickness direction of the metal layer 12.例文帳に追加

基板１１上に銀からなる金属層１２をスパッタ法により成膜し、次に、金属層１２の膜厚方向に電界１３を印加して金属層１２の表面に微細な凹凸を形成する。 - 特許庁

To provide a method for supporting the design of magnetron sputtering, a device therefor and a program, capable of calculating and estimating an erosion distribution of a target and a film deposition distribution of a wafer in a short time only from a magnetic field structure enclosing plasma.例文帳に追加

プラズマを封じ込める磁場構造のみからターゲットのエロージョン分布とウェハの成膜分布を短時間で計算して予測可能とするマグネトロンスパッタの設計支援方法、装置及びプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a multilayer sputtering film effectively with good productivity by shortening a total processing time of a multilayer sputter film composed of several tens to several hundreds of layers.例文帳に追加

数十〜数百層からなる積層スパッタ膜の全体でのプロセス時間を短縮し、効率的に量産性よく積層スパッタ膜を製造することができる積層スパッタ膜の製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A ZnO piezoelectric thin film 2 is formed on a R plane sapphire substrate 1 by a sputtering method and the like, further, an inter-digital transducer 3 of a tilt charp type consisting of Al films is formed on the ZnO piezoelectric film 2.例文帳に追加

Ｒ面サファイア基板１上にＺｎＯ圧電薄膜２をスパッタリング法等によって形成し、さらにＺｎＯ圧電薄膜２上にＡｌ膜からなるチルトチャープ型のインターデジタルトランスデューサ３を形成する。 - 特許庁

The transmission factor of a protection body formed on the organic compound layer is 70 to 100%, and the protection body prevents damage applied to the organic compound layer when the positive electrode is deposited by a sputtering method.例文帳に追加

なお、有機化合物層上に形成された保護体は、透過率が７０〜１００％であり、また、陽極をスパッタリング法により成膜する際に有機化合物層に与えられるダメージを防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a W sputtering target capable of improving the in-plain uniformity in thickness of a W thin film formed on a substrate and capable of reducing the generation of particles, and a method of manufacturing the target.例文帳に追加

基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the capacitor, a first buffer layer 31, a second buffer layer 32 and a main electrode layer 33 are formed on both principal planes of a dielectric board 30 in order from a lower layer by a dry film layer formation method such as sputtering.例文帳に追加

整合用コンデンサは、誘電体基板３０の両主面に下層から第１緩衝層３１、第２緩衝層３２及び主電極層３３がスパッタリング等の乾式薄膜形成法によって形成されている。 - 特許庁

To provide an oxide sputtering target for forming a protective film of an optical recording medium, which can be manufactured through a simplified step without inducing any cracking or elution of In and can achieve high density, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

光記録媒体保護膜形成用として、割れやＩｎの溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度が得られる酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁