「sputtering method」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a barium tantalate based target material capable of stably sputter-film depositing a dielectric layer film of high quality by increasing the density of a sputtering target material for forming a dielectric layer of a thin film EL (electro luminescence) element, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

薄膜ＥＬ素子の誘電体層形成用のスパッタリングターゲット材を高密度化し、高品質の誘電体層膜を安定してスパッタリング成膜できるタンタル酸バリウム系ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sintered body which has resistivity lower than that of such sintered body of zinc oxide and aluminum oxide as is obtained by the conventional technique and which however has a density equal to that of such sintered body and to provide a sputtering target composed of the sintered body.例文帳に追加

従来技術で得られた酸化亜鉛と酸化アルミニウムとの焼結体と同等の密度を維持しながら、より抵抗率の低い焼結体を製造する方法及びこの焼結体からなるスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

The reflectance is adjusted in accordance with the incidence angle of incident light 10a through the provision of the distribution of film density in the in-plane direction by a method for changing an incident angle of sputtering atoms and the like in the process for forming the film of the Mo layer 2.例文帳に追加

Ｍｏ層２の成膜工程で、スパッタ原子の入射角を変化させる等の方法で、面内方向に膜密度の分布を持たせることにより、入射光１０ａの入射角に応じて反射率を調整する。 - 特許庁

To provide a method and a system for manufacturing an optical thin film by sputtering by which stable film deposition rate capable of enabling long-term film deposition or long-term continuous film deposition of dichroic film, etc., can be obtained by means of film thickness control by time.例文帳に追加

時間による膜厚制御により、ダイクロ等の長時間成膜、或いは長期的な連続成膜を可能とする安定した成膜レートを得るスパッタリングによる光学薄膜の製造方法、及び製造装置を提供すること。 - 特許庁

The composite material is used as the target material to perform dry process vapor deposition such as a reactive sputtering method or the like to obtain a product such as a cutting tool, a slide part or the like coated with a hard thin film excellent in abrasion resistance or oxidation resistance.例文帳に追加

該複合材をターゲット材として、反応性スパッタ法等のドライプロセス蒸着を行い、表面に耐摩耗性又は耐酸化性の優れた硬質薄膜をコーティングした切削工具又は摺動部品等の製品を得る。 - 特許庁

Furthermore, a natural oxide film left on the diffusion layer is removed through a reverse sputtering method by the use of helium plasma before a silicifying process is carried out, by which the surface of a diffusion layer can be flattened, and a junction leakage current can be also restrained.例文帳に追加

さらに、シリサイド化工程の前に拡散層の上に残存する自然酸化膜をヘリウムプラズマによる逆スパッタによって除去することにより、拡散層の表面を平坦にでき、接合リークを抑制することができる。 - 特許庁

In addition, a three-layered thin film composed of a titanium oxide film formed by being coated on the surface of the DLC film, and the other DLC film formed by being coated by the sputtering method on the surface of the titanium oxide is formed.例文帳に追加

さらに、ＤＬＣ膜の表面にコーティングにより成膜された酸化チタン膜とこの酸化チタンに表面にスパッタリング法によってコーティングにより成膜された他のもう１層のＤＬＣ膜からなる３層の薄膜を形成する。 - 特許庁

An Ag film is formed by a magnetron sputtering method wherein the discharge voltage is kept at 200-350V and the magnetic field intensity on an Ag-target surface is kept at 700-1,200 oersted during Ag-film formation.例文帳に追加

【解決手段】 Ａｇ膜がマグネトロンスパッタリング法で成膜時の放電電圧が２００〜３５０Ｖに保持し、Ａｇターゲット表面の磁界の強さが、Ａｇ膜の成膜時に、７００〜１２００エルステッドに保持して、Ａｇ膜を成膜する。 - 特許庁

To improve uniformity in the image of an active matrix type display device using TFT by improving variations of characteristics among TFTs caused by unevenness in the damage which a semiconductor layer receives when a protective layer is formed by a sputtering method.例文帳に追加

スパッタ法などで保護層を形成する際の半導体層が受けるダメージの不均一性によるＴＦＴ間の特性ばらつきを改善し、このＴＦＴを用いるアクティブマトリクス型表示装置の画像の均一性を向上させる。 - 特許庁

A surface oxide film 3 on an Al electrode pad 2 is removed with an output of 500-100 W, five minutes of processing time and through the sputtering method, and then subjected to zincating processing to form an Zn film 5 on the Al electrode pad 2.例文帳に追加

Ａｌ電極パッド２上の表面酸化膜３を、出力５００Ｗ〜１０００Ｗ、処理時間５分で、スパッタリング法により除去した後、ジンケート工程により、Ａｌ電極パッド２上にＺｎ膜５を形成する。 - 特許庁

To provide an inexpensive magnetic recording medium having high performance, high reliability and high capacity by a manufacturing method and a apparatus by which no sputtering flake is stuck onto a flexible polymer substrate and hanging-down and damage are not generated when the substrate is conveyed.例文帳に追加

可撓性高分子支持体上にスパッタフレークが付着せず、支持体搬送時の垂れ下がりやキズの発生しない製造方法および製造装置により、安価な高性能高信頼性高容量磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminate by which an organic coating material layer can be formed continuously and stably on a thermoplastic support by vaporizing an organic matter consecutively, in a film forming velocity range of a chemical vapor deposition process or a sputtering process.例文帳に追加

化学蒸着法やスパタリング法の成膜速度領域で、有機物を連続的に気化させ、熱可塑性支持体上に連続的に有機被覆物層を安定して形成できる積層体の製造方法を提供することである。 - 特許庁

The method of depositing the transparent optical film includes the step of depositing an optical film that is transparent on a substrate 11 by a reactive sputtering process using a Mg-Si metal target 4 in an atmosphere into which a gas 7 of a fluorine-containing compound is introduced and in which the total pressure is adjusted to 8 Pa or more.例文帳に追加

フッ素を含む化合物のガス７を導入して全圧８Ｐａ以上とした雰囲気下で、Ｍｇ−Ｓｉメタルターゲット４を用いた反応性スパッタリング法により、基板１１上に透明な光学膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a high-density ITO sputtering target which is used for depositing a transparent conductive film for a liquid crystal display device or a high-resistance transparent conductive film or the like for a resistance film type touch panel device or the like, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

液晶ディスプレイ装置用透明導電膜あるいは抵抗膜式タッチパネル装置等の高抵抗透明導電膜等の形成に使用する高密度ＩＴＯスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A first electrode layer is formed by a sputtering method using gas containing hydrogen or H_2O, an electroluminescent layer is formed on the first electrode layer, and a second electrode layer is formed on the electroluminescent layer to fabricate a display device.例文帳に追加

水素、又はＨ_２Ｏを含むガスを用いたスパッタリング法により第１の電極層を形成し、第１の電極層上に電界発光層を形成し、電界発光層上に第２の電極層を形成し表示装置を作製する。 - 特許庁

To stably produce a tungsten target having high density and fine crystal structure, which have not been attained by the conventional pressure sintering method, at a low cost and capable of remarkably reducing particle defects in sputtering film deposition.例文帳に追加

従来の加圧焼結法では達成できなかった高密度、微細結晶組織を有するタングステンターゲットを安定かつ低コストで製造でき、スパッタリング成膜上のパーティクル欠陥を著しく減少できるスパッタリング用タングステンターゲットを得る。 - 特許庁

A contact layer 3a made of titanium, a first electrode film 3 made of platinum, a piezoelectric film 4 made of PZT and a second electrode film 6 made of platinum, are formed on an ALTiC substrate 1 in order by a sputtering method.例文帳に追加

アルチック基板１の上にチタンよりなる密着層３ａと、白金よりなる第１の電極膜３と、ＰＺＴよりなる圧電体膜４と、白金よりなる第２の電極膜６をスパッタ法により順番に形成する。 - 特許庁

A Pd membrane or a Pd alloy membrane is formed on a substrate by a sputtering method and subjected to heat treatment at 400-700°C in vacuum or in an inert gas atmosphere, and then peeled off from the substrate.例文帳に追加

スパッタリング法により基板上にＰｄ膜又はＰｄ合金膜を形成し、真空中又は不活性ガス雰囲気中にて４００〜７００℃の温度で加熱処理した後、Ｐｄ膜又はＰｄ合金膜を基板から剥離する。 - 特許庁

This glass is formed by coating the surface of a glass substrate with a colored oxide layer containing ≥60 wt.% metal oxide consisting of at least one kind of metals among metals Fe, Co, Ni and Cu by a sputtering method.例文帳に追加

ガラス基板表面に、スパッタリング法により成膜されたＦｅ、Ｃｏ、Ｃｕの金属のうちの少なくとも１種の金属よりなる金属酸化物を６０重量％以上含有する着色酸化物層が被覆されてなること。 - 特許庁

The method for manufacturing the sputtering target includes a step of hot-pressing, in vacuum or an inert gas atmosphere, mixed powder of the FePt alloy powder, Pt powder, and carbon black powder formed by thermal decomposition of acetylene gas.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、アセチレンガスの熱分解により生成されたカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 - 特許庁

The forming method of the solid oxide thin film has a process depositing lanthanum gallate on the anode 3 by RF magnetron sputtering; and a process heat-treating the anode 3 on which lanthanum gallate is deposited at temperature less than 1,200°C.例文帳に追加

固体酸化物薄膜の形成方法は、ＲＦマグネトロンスパッタリングにより、アノード電極３上にランタンガレートを堆積する工程と、前記ランタンガレートを堆積した前記アノード電極３を１２００℃未満で熱処理する工程とを備える。 - 特許庁

A TEOS(tetraethylorthosilicate) oxide film 2 is formed on an Si wafer 1, a Ti film 3 and a TiN film 4 of barrier metal are formed thereon, and then an Al/Cu alloy layer 5 is deposited thereon, e.g. by magnetron sputtering method.例文帳に追加

Ｓｉウェハ１上にＴＥＯＳ酸化膜２が形成された後、その上にＴｉ膜３およびＴｉＮ膜４からなるバリアメタルが形成され、さらにその上にたとえばマグネトロンスパッタ法によってＡｌ・Ｃｕ合金膜５が堆積される。 - 特許庁

To provide a sputtering method with less film cracks generated, which can extend an environmental test life when film-forming a film material having large film stress on a resin material, etc., having low heat resistance.例文帳に追加

耐熱温度の低い樹脂材料などに、膜応力が大きい膜材料を成膜するときに、膜クラックの発生が少なく、環境試験寿命を大幅に長くできるスパッタリング方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a porous coating device capable of preventing the increase of the contact resistance I on the surface of a porous body caused by reverse sputtering between the porous body and a tool for fixing the porous body, and to provide a method for producing a coated porous body.例文帳に追加

多孔体とこれを固定する治具との間の逆スパッタに起因する多孔体の表面の接触抵抗の上昇を防止することが可能な多孔体コーティング装置およびコーティング多孔体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device and a method for manufacturing an optical information recording medium by which a starting period of time is shortened, the period of time required for a pre-sputtering for preparation is minimized and a stably suficient vapor-deposited film is obtained.例文帳に追加

立ち上がり時間を短縮でき、準備のためのプレスパッタを最少時間で済ませることができ、安定して良好な蒸着膜を有する光情報記録媒体の製造装置及び製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method for producing the sputtering target for optical media includes a process wherein a material powder having a composition consisting of 45-90 mol% of TiO_2 and the remainder ZnO is burned in an inert atmosphere or in a vacuum.例文帳に追加

また、４５〜９０ｍｏｌ％のＴｉＯ_２と、残部のＺｎＯと、からなる組成を有する原料粉体を不活性雰囲気中または真空中で焼成する工程を備える光メディア用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

The FePt phase of L1_0 structure regularized right after forming the film is obtained by forming the film by a sputtering method while heating a substrate at a temperature of 200-300°C, and making the regularization advance for the FePt phase by the surface dispersion of atoms occurring on the surface during the film formation.例文帳に追加

基板を200〜300℃に加熱しながらスパッタ法により成膜し、成膜中に薄膜表面で起こる原子の表面拡散によりFePt相の規則化を進行させ、成膜直後に規則化されたL1_0構造のFePt相を得る。 - 特許庁

The vapor deposition part 3 is formed by a sputtering method, and the part where it is not formed is set to be one or more regions selected from an IH part B, an infrared heating part A, a liquid crystal display part D, and a light emitting element display part C.例文帳に追加

そして、蒸着膜３は、スパッタ法により形成し、また非形成部は、ＩＨ部Ｂ、赤外線加熱部Ａ、液晶表示部Ｄ、及び発光素子表示部Ｃの中から選択した一またはニ以上の領域とする。 - 特許庁

A fourth product is formed by forming a multi-layered film 6a by alternately forming BaS thin film and Al_2O_3 thin film on the surface of the lower ZnS layer 5 of the third product by a sputtering method in atmospheric gas containing oxygen.例文帳に追加

前記第３生成物の前記下部ＺｎＳ層５の表面に、酸素を含む雰囲気ガス中でスパッタ法によってＢａＳ薄膜とＡｌ_２Ｓ_３薄膜とを交互に形成して多層膜６ａを形成し、第４生成物を生成する。 - 特許庁

The method for producing the two-layer film includes a process for forming the first metal film containing nickel of 60-100 wt.% by a vacuum evaporation method, an ion plating method or a sputtering method under an atmosphere containing nitrogen gas on the polymer film; and a process for forming the second metal film having copper as the main component on the first metal film.例文帳に追加

高分子フィルム上に、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケルを６０重量％以上１００重量％以下含む第１の金属膜を形成する工程と、第１の金属膜上に、銅を主成分とする第２の金属膜を形成する工程とを備える２層フィルムの製造方法。 - 特許庁

To provide a method capable of easily producing a target material of noble metal or a noble metal alloy having a change of thickness capable of corresponding to its partial consumption at the time of sputtering and to produce a noble metal target material for sputtering produced by the method.例文帳に追加

本発明は、スパッタレートが高い消耗領域の厚みが他の領域の厚みよりも大きい厚み変化を有するスパッタリング用ターゲット材の製造方法であって、貴金属塩含有溶液に陰極と陽極とを対向状態で浸漬し、該陰極の前記消耗領域に略対応する位置の電流密度が、前記他の領域に略対応する位置の電流密度よりも高い状態で貴金属塩含有溶液を電解して貴金属又は貴金属合金を析出させるものである。 - 特許庁

In the method for simultaneously forming the contact holes on a gate electrode on the Si active layer and via an insulating SiO_2 film, oxide films that are left in the irregularities of the Si active layer are removed effectively, by subsequently performing sputter etching by Ar gas with a sputtering device and continuously performing sputtering deposition after performing reactive ion etching by a fluorine gas system and wet etching by a buffered hydrofluoric acid.例文帳に追加

Ｓｉ活性層上、及び絶縁ＳｉＯ_２膜を介してゲート電極上にコンタクト孔を同時に形成する方法において、フッ素ガス系による反応性イオンエッチング及びバッファードフッ酸によるウェットエッチングの後に、引き続いてスパッタ装置によりＡｒガスによるスパッタエッチング、及びスパッタ成膜を連続して行うことにより、Ｓｉ活性層の凹凸部に残留する酸化膜を効果的に除去する。 - 特許庁

To provide an indium zinc oxide(IZO) sputtering target capable of improving target density, uniformizing and refining crystal grain size, increasing deflective strength, stabilizing electric discharge at sputtering, and stably forming a transparent conductive film with superior reproducibility, with a view to carrying out improvement without losing the characteristics of an IZO transparent conductive film composed essentially of an indium zinc oxide, and its manufacturing method.例文帳に追加

インジウム及び亜鉛の酸化物を主成分とするＩＺＯ透明導電膜の持つ特性を失うことなく改良を図ることを目的とし、ターゲット密度の向上を図り、結晶粒径を均一微細化し、抗折強度を上げて、スパッタリングの放電を安定化させるとともに、透明導電膜を安定かつ再現性よく得ることのできるＩＺＯスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for purifying cobalt, nickel, and iron, which efficiently reduces impurities such as oxygen, phosphorus, and sulfur, contained in metals especially cobalt, nickel, and iron, prevents contamination with impurities during film formation by sputtering, prevents nodules from generating and particles from increasing, both of which initiate from the impurities, and improves workability and yield, and to manufacture a sputtering target of high purity metal.例文帳に追加

金属、特にコバルト、ニッケル、鉄等に含有されている酸素、燐、硫黄等の不純物を効率良く低減することができ、スパッタリング成膜中の不純物混入を防止し、かつ該不純物を起点とするノジュールの発生やパーティクルの増大を抑制することができ、さらに加工性を改善し歩留まりを向上させることができるコバルト、ニッケル、鉄の高純度化方法得、かつスパッタリング用高純度金属ターゲットを製造する。 - 特許庁

The method for forming the conductive film comprising a conductive compound with a composition containing a plurality of metal elements includes repeatedly performing the sputtering to a first target containing two or more metal elements among the plurality of metal elements and the sputtering to a second target containing one metal element among the plurality of metal elements by using a film-forming apparatus 10 capable of using a plurality of targets 1 to 4.例文帳に追加

複数の金属元素を含有する組成の導電性化合物からなる導電膜の成膜方法であって、複数のターゲット１〜４を使用可能な成膜装置１０を用いて、前記複数の金属元素のうち２種以上の金属元素を含有する第１のターゲットに対するスパッタリングと、前記複数の金属元素のうち１種の金属元素を含有する第２のターゲットに対するスパッタリングとを、繰り返し行う。 - 特許庁

In the antireflection film having a base material, a bar code layer arranged on the surface of the base material and the laminated body consisting of laminated thin layers formed on the surface of the bar code layer, the laminated body is formed by laminating a thin layer formed by a plasma CVD method and a thin layer formed by a sputtering method or a deposition method.例文帳に追加

基材と、基材上に位置するハードコート層と、ハードコート層上に位置し、複数の薄層が積層されてなる積層体と、を有する反射防止フィルムにおいて、当該積層体を、プラズマＣＶＤ法により形成される薄層と、スパッタリング法または蒸着法により形成される薄層とを積層することにより形成する。 - 特許庁

To provide a zinc oxide laminated thin film body capable of affording a zinc oxide thin film layer having sufficiently low resistance in the film thickness direction in a zinc oxide laminated thin film body in which a zinc oxide thin film is laminated on a substrate by a sputtering method, and a thicker zinc oxide thin film is laminated thereon by an electrodeposition method and to provide a production method therefor.例文帳に追加

基体上にスパッタ法による酸化亜鉛薄膜を積層し、その上により厚い電析法による酸化亜鉛薄膜を積層した酸化亜鉛積層薄膜体において、膜厚方向の抵抗が充分に低い酸化亜鉛薄膜層を得ることができる酸化亜鉛積層薄膜体、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An amorphous oxychalcogenide system thin film 102 is grown on a substrate 101 comprising a YSZ substrate, a MgO substrate, or the like, by the pulse laser deposition method and the sputtering method, and a single-crystal oxychalcogenide system thin film 103 is formed by crystallizing the amorphous oxychalcogenide system thin film 102 by the reactive solid-phase epitaxial growth method.例文帳に追加

ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the metal foil with the electric resistance layer includes a step of forming the electric resistance layer by vapor growth method while applying oxygen as an atmosphere gas, on the metal foil having a surface where the average roughness of ten points measured by an optical method is adjusted to 4.0 to 6.0 μm, using a sputtering target containing nickel, chromium, and silicon.例文帳に追加

光学的方法で測定した十点平均粗さが４．０〜６．０μｍに調整した表面を有する金属箔上に、ニッケル、クロム、シリコンを含むスパッタリングターゲットを用いて、雰囲気気体として酸素を付与しながら気相成長法により電気抵抗層を形成させる工程を含む電気抵抗層付き金属箔の製造方法である。 - 特許庁

In covering the surface of a unidirectional silicon steel sheet after the completion of finish annealing with a plurality of ceramic film layers, a very thin TiNO film, as the first layer, is formed by a hollow cathode method (HCD method) using an arc cut bias voltage as the bias voltage and then forming thereon a ceramic film by a magnetron-sputtering method.例文帳に追加

仕上げ焼鈍済みの一方向性珪素鋼板の表面に、複数層のセラミック被膜を被覆するに際し、少なくとも第１層については、バイアス電圧としてアークカットバイアス電圧を使用する中空陰極法（ＨＣＤ法）を用いてTiNOの極薄被膜を被成し、ついでその上にマグネトロン・スパッタ法を用いてセラミック被膜を被成する。 - 特許庁

A thin membrane electrolyte layer is formed by a magnetron sputtering method on an anode electrode support substrate wherein a designated thickness is formed by laminating a green tape formed by a tape casting method, the thin membrane electrolyte layer becomes a half cell by sintering, and a cathode electrode layer is formed by a silk screen printing method on this membrane electrolyte layer and it is sintered in order to form a battery cell.例文帳に追加

テープキャスティング法によって形成したグリーンテープをラミネートして所定厚さとした陽極支持基板上にマグネトロンスパッタリング法によって薄膜電解質層を形成し、焼結してハーフセルとし、次いで該薄膜電解質層上にシルクスクリーン印刷法などにより、陰極層を形成して焼結し、電池セルとする。 - 特許庁

To provide a sputter film deposition machine which minimizes the space required to be exhausted, realizes uniform simultaneous two-side film deposition, and performs multilayer film deposition consisting of a plurality of materials without opening a chamber, and to provide a sputtering film deposition method using the same.例文帳に追加

スパッタ成膜機及び当該成膜機を用いたスパッタリング成膜方法に関し、排気の必要な空間を最小限とし、均一な両面同時成膜を可能にすると共に、チャンバーを開くことなく複数材料の多層成膜を可能にする。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for forming a transparent conductive film having the excellent characteristics of electric resistivity by maintaining horizontal magnetic field intensity of ≥1,000 Gauss and making a sputtering voltage lower than the conventional saturation voltage.例文帳に追加

水平磁界強度を１０００Ｇａｕｓｓ以上に保持するとともに、スパッタ電圧を従来の飽和電圧よりも低下させて電気抵抗率の特性が優れた透明導電膜の製造方法及び製造装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

A material for a transparent electroconductive layer is formed of zinc oxide having excellent crystallinity even at the temperature close to the room temperature, and the uniform film deposition of large area is performed by the magnetron sputtering method, enabling the mass production of the transparent electroconductive film having excellent transparency.例文帳に追加

室温付近でも結晶性が優れる酸化亜鉛を透明導電層材料とし、マグネトロンスパッタ法により大面積に均一に製膜することで、透明性に優れた透明導電膜を大量生産することが可能となる。 - 特許庁

An oxide film that is formed on the thick-film electrode surface of the ceramics element is subjected to etching removal by a sputtering method in a rare gas atmosphere whose pressure has been reduced to 1×10^-3 to 3×10^-2 Torr, thus obtaining the ceramic element having superior solderability reliably.例文帳に追加

セラミックス素子の厚膜電極表面に形成された酸化膜を１×１０^^-3〜３×１０^-2Torrに減圧された希ガス雰囲気中で、スパッタ法によりエッチング除去して、はんだ濡れ性の良いセラミックス素子を信頼性良く得る。 - 特許庁