「sputtering method」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a high-purity ruthenium sputtering target capable of preventing generation of cracks when increasing the size of an ingot by a melting method, suppressing generation of particles when performing film deposition for an electrode for capacitor of a semi-conductor memory, a magnetic head, a magnetic disk or the like, and reducing the film thickness distribution, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

熔解法によってインゴットを大型化する際にクラックを発生させず、半導体メモリーのキャパシタ用電極、磁気ヘッドや磁気ディスクなどの製膜時にパーティクルの発生を抑えることができ、膜厚分布を小さくしうる高純度ルテニウムスパッタリングターゲットとその製造方法の提供。 - 特許庁

The method of manufacturing the Ge-Sb-Te sputtering target material comprises steps of: preparing a powder fabricated by rapidly cooling a raw material containing Ge, Sb and Te by an atomization method using gaseous nitrogen atomization; subjecting the powder to cold or warm compaction; and sintering the resultant green compact.例文帳に追加

Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅを含む原料について窒素ガスを噴霧するアトマイズ方法により急冷した粉末を作製し、該粉末を冷間もしくは温間にて加圧成形した成形体を焼結することを特徴とするＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅスパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁

In the insulation film according to a CVD method, the pixel electrode 14 and common electrode 12 are short-circuited, while in the insulation film according to the sputtering method, hydrogen does not generate and the insulation film can be formed while keeping the substrate at a temperature less than 100°C, and hence metal does not diffuse and the short circuit does not occur.例文帳に追加

ＣＶＤ法による絶縁膜の場合は画素電極１４と共通電極１２の間が短絡してしまうが、スパッタリング法の場合、水素の発生が無く、また、基板を１００℃未満の温度にして絶縁膜を形成できるので、金属の拡散が無く、短絡が生じない。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light-emitting device which has excellent light-emitting property and in which a buffer layer is formed on a substrate by a reactive sputtering method and a group III nitride semiconductor with good crystallinity can be formed thereon, and provide a method for manufacturing thereof and a lamp.例文帳に追加

基板上に、反応性スパッタ法を用いてバッファ層を形成し、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることができ、優れた発光特性を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。 - 特許庁

The film deposition method by a sputtering process using a target composed of a material having a specific resistance of ≥1×10^3 Ω cm and applying negative voltage to the target is characterized in that the method is implemented while feeding electrons to the surface of the target with the use of an electron gun.例文帳に追加

比抵抗１×１０^３Ω・ｃｍ以上の材料からなるターゲットを用い、該ターゲットに負電圧を印加して行なうスパッタリング法による成膜方法であって、電子銃を用いて該ターゲット表面に電子を供給しつつ行なうことを特徴とする成膜方法。 - 特許庁

The n-electrode 140 and the p-electrode 110 are connected, and a protective film 130 comprising a ZnO film is formed on the side walls of the layer 104, a light emitting layer 106, a p-type layer 107, and the layer 108 by the sputtering method.例文帳に追加

ｎ電極１４０とｐ電極１１０とを接続し、ｎ型コンタクト層１０４、発光層１０６、ｐ型層１０７、ｐ型コンタクト層１０８の側壁上に、ZnO 膜より成る保護膜１３０がスパッタリングによ形成されている。 - 特許庁

A separator 10 disposed so as to be brought into contact with a cell body 5 formed by sandwiching a solid high polymer element film 3 between a pair of electrodes 2, 4 is structured so that a Pt plated film 12 formed by a sputtering method is formed on the surface of a metal base material 13.例文帳に追加

固体高分子膜３を一対の電極２、４で挟みこんだセル本体５と接して配置されるセパレータ１０は、金属基材１３の表面に、スパッタ法により形成されたＰｔメッキ膜１２が形成されている。 - 特許庁

To manufacture an information recording medium which is little in warp and distortion by suppressing the temperature rise of substrates during deposition by sputtering relating to a method of manufacturing the information recording medium and a substrate holder structure as well as a deposition apparatus.例文帳に追加

情報記録媒体の製造方法及び基板ホルダ構造並びに成膜装置に関し、スパッタリングによる成膜時の基板の温度上昇を抑制し、反りや歪みの少ない情報記録媒体を製造できるようにする。 - 特許庁

The deposition chamber 13 comprises a deposition chamber 13a where an SiO_2 film is deposited on the substrate by sputtering and an ITO film deposition chamber 13b where an ITO film is deposited on the substrate by an ion plating method.例文帳に追加

成膜室１３は、パッタ法によって基板に酸化膜であるＳｉＯ_2膜を成膜するＳｉＯ_2膜成膜部１３ａとイオンプレーティング法によって基板にＩＴＯ膜を成膜するＩＴＯ膜成膜部１３ｂとから構成される。 - 特許庁

Then, the platinum thin film 104 having a thickness of about 150-200 nm is deposited on the silicon oxide layer 102 through a transition layer 103 by an ECR sputtering method in which a platinum target is used and oxygen gas is introduced.例文帳に追加

次に、白金ターゲットを用い、加えて酸素ガスを導入したＥＣＲスパッタ法により、酸化シリコン層１０２の上に、遷移層１０３を介して膜厚１５０〜２００ｎｍ程度の白金薄膜１０４が形成された状態とする。 - 特許庁

The transparent conductive thin film layer is produced by using high power impulse magnetron sputtering method.例文帳に追加

透明プラスチックフィルムからなる基材上に、透明導電性薄膜層を積層した透明導電性フィルムであって、透明導電性薄膜層がハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング法を用いて作製されたことを特徴とする透明導電性フィルム。 - 特許庁

To provide a fine and stable target used when a ternary system sulfide phosphor thin film, such as a thioaluminate system or a thiogallate system is formed by a sputtering method, and capable of forming a high intensity phosphor thin film.例文帳に追加

チオアルミネート系やチオガレート系などの三元系硫化物蛍光体薄膜をスパッタリング法により形成する際に用いられ、高輝度の蛍光体薄膜の形成が可能であり、緻密であり、安定性が高いターゲットを提供する。 - 特許庁

The method for producing the sputtering target includes a step of pressure-sintering a mixed powder of an alloy powder which includes one or more of Ga, In, and Se, and Cu, and a pure Se powder, in a vacuum or an inert gas atmosphere.例文帳に追加

このスパッタリングターゲットの製造方法は、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｅのうち１種または２種以上とＣｕとからなる合金粉と、純Ｓｅ粉との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中で加圧焼結する工程を有している。 - 特許庁

To improve the surface layer of a base material surface by implanting solid ions into the base material surface by a simple method by utilizing the sputtering effect, and to facilitate the coating of the base material surface by a carbon film containing a desired tertiary element.例文帳に追加

スパッタリング効果を利用して簡便な方法で固体イオンを基材の表面に注入して基材表面の表層改質を図り、また所望の第三元素を含んだ炭素膜による基材表面のコーティングを容易にする。 - 特許庁

To provide a film forming method which can deposit sputter particles inside a hole or a groove when a thin film is formed on a substrate with the hole or the groove at a high aspect ratio by sputtering, and can attempt to enhance the film forming ability.例文帳に追加

高アスペクト比の孔や溝が形成された基板にスパッタにより薄膜を成膜するに際し、前記孔や溝の内部にスパッタ粒子を堆積させることができ、成膜性の向上を図ることが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

There is provided a method of producing a direct-current sputtering target material for use in formation of a boron-doped titanium oxide-based transparent thin film by blending titanium oxide powders and boron elemental powders or titanium boride powders to sinter.例文帳に追加

酸化チタン粉末にホウ素単体粉末またはホウ化チタン粉末を混合して焼結し、ホウ素のドープされた酸化チタン透明薄膜形成に際して使用する直流スパッタ用ターゲット材を製造するターゲット材製造方法である。 - 特許庁

To provide a sputtering method and system with which occurrence of arc discharge on a target can be suppressed over a long period of time, and also, an extremely thin film can be secured at a high film deposition rate with high in-plane uniformity.例文帳に追加

本発明は、ターゲット上でのアーク放電の発生を長期的に抑制でき、かつ、速い成膜速度にて非常に薄い膜を高い面内均一性で確保できるスパッタリング方法及び装置を提供するものである。 - 特許庁

The Ag alloy film is produced by a method comprising the step of forming first and second films by sputtering and the step of simultaneously etching the first and second films under conditions which allow the second film to have a higher reflectivity and a lower resistance than the first film.例文帳に追加

スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。 - 特許庁

This film-forming method in a parallel-plate sputtering apparatus includes forming a film on a substrate 12 while rotating the substrate 12 which is held in parallel to a target 11 around an axis which is parallel to the surface having the target 11 mounted thereon, by a predetermined angle.例文帳に追加

平行平板型スパッタ装置において、ターゲット１１と平行に保持された基板１２を、ターゲット１１の取付面に平行な軸を中心に所定の角度だけ回転させながら、基板１２への成膜を行う。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium, capable of dealing with a higher recording density, having a higher coercive force, and having a lower noise, a method for manufacturing the same, a sputtering target which is used for the manufacture, and a magnetic recording/reproducing apparatus.例文帳に追加

より高記録密度に対応できる磁気記録媒体で、より高保持力を有してより低ノイズである磁気記録媒体、その製造方法、製造に用いるスパッタリング用ターゲットおよび磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁

To stably and securely deposit a thin film without generating substrate cracks as for a sputtering method and a device for a thin film deposition on a large glass substrate used for a plasma display panel or the like.例文帳に追加

本発明は、プラズマディスプレイパネル等に使用する大型のガラス基板に対して薄膜を形成するためのスパッタリング方法及び装置に関し、基板割れを生じることなく、安定且つ確実に薄膜形成することを目的としている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ceramic electronic component which can reduce stress in an electrode when the electrode is formed by sputtering to hardly have variation in characteristic due to the stress and also has little deterioration in the tensile strength of a lead terminal.例文帳に追加

スパッタリングにより電極を形成した場合の電極中のストレスを低減でき、該ストレスによる特性の変化が生じ難く、かつリード端子の引っ張り強度の劣化が生じ難いセラミック電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method to produce magnetic head, there are formed a first soft magnetic layer, conductor wire/coil, a second soft magnetic film and dielectric film with each prescript shapes in order, by sputtering and ion- milling processing, on an insulated substrate.例文帳に追加

本発明の磁気ヘッド製造方法では、絶縁体基板の上に、スパッタリングとイオンミリング処理により、それぞれ所定の形状の、第１の軟磁性層、導体線、導体コイル、第２の軟磁性膜及び誘電体膜を順次形成する。 - 特許庁

The EL electrodes 17a, 17b and the light emitting layer 14 are directly formed by a film forming method such as sputtering on the surface of the substrate 8b having the liquid crystal layer 2, namely, on one same surface.例文帳に追加

ＥＬ電極１７ａ，１７ｂ及び発光体層１４は、それぞれ、液晶層２を構成する基板８ｂの表面上、すなわち同一表面上にスパッタリング法等といった成膜法によって直接に形成される。 - 特許庁

A function film 4 composed of at least one type selected from a silicon nitride film, a silicon oxide film, and an oxynitride film is formed on at least one part of the interdigital electrode 1b by an ECR sputtering method.例文帳に追加

耐候性を向上させるための、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜および酸化窒化シリコン膜の少なくとも１種類からなる機能膜４を、くし形電極部１ｂ上の少なくとも一部に、ＥＣＲスパッタ法により成膜する。 - 特許庁

To provide a high-strength Cu-Ga-based sputtering target material for use in manufacturing a light-absorbing thin layer of a solar cell, which can be highly densified by preventing the powder from being melted in a molding process at high temperature, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高温成形時の溶融を抑制することで高密度化を達成できる、太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための高強度Ｃｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In manufacturing the organic electroluminescent element in which on a substrate, at least a lower part electrode, an organic thin film, and an upper part transparent electrode are provided, and the upper part transparent electrode is film-formed on the organic thin film by an electron cyclotron resonance sputtering method.例文帳に追加

基板上に、少なくとも下部電極、有機薄膜、上部透明電極を設けた有機電界発光素子を製造する際、有機薄膜上に電子サイクロトン共鳴スパッタ法によって上部透明電極を成膜する。 - 特許庁

Further, a method for manufacturing this sputtering target includes a step of hot-pressing, in vacuum or an inert gas atmosphere, mixed powder of: AgPt alloy powder; FePt alloy powder; Pt powder; and graphite powder or carbon black powder.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＡｇＰｔ合金粉と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetic disk which is capable of easily manufacturing protective films having excellent durability and corrosion resistance with extremely thin films and improving the yield in manufacturing and a sputtering device used for the same.例文帳に追加

極薄膜で耐久性及び耐腐食性に優れた保護膜を容易に製造することができ、製造する際の歩留まりを向上させることができる磁気ディスクの製造方法及びそれに使用するスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a sputter target by which a wiring film of low resistance preventing the occurrence of hillocks, etching residues, and electrochemical reaction with ITO or the like is deposited with excellent reproducibility, and generation of dust during the sputtering is suppressed.例文帳に追加

ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, the method for manufacturing the vertical magnetic recording medium characterized by adding Ar gas and oxygen gas to a target containing the SiC in a step of depositing the magnetic layer by the reactive sputtering on the soft magnetic layer is provided.例文帳に追加

また、軟磁性層上に反応性スパッタリングにより磁性層を成膜するステップにおいて、SiCを含有するターゲットに、Arガスと酸素ガスとを添加することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the film deposition method for depositing a tungsten film on a substrate S by sputtering a target T containing tungsten by using a rare gas, the film deposited tungsten film contains a nickel oxide by using the target T containing nickel.例文帳に追加

タングステンを含有するターゲットＴを希ガスによりスパッタしてタングステン膜を基板Ｓに形成する成膜方法において、ターゲットＴとしてニッケルを含有するものを用いることで、成膜されたタングステン膜はニッケル酸化物を含有する。 - 特許庁

This indium tin oxide thin film is formed on a transparent insulating substrate by a sputtering method by continuously or step by step lowering the temperature of the substrate put inside a chamber with increase in the thickness of the thin film.例文帳に追加

透明絶縁基板上に、スパッタリング法により酸化インジウム錫薄膜を形成する方法であって、チャンバ内に配置された前記基板の温度を、前記薄膜の膜厚が増大するにつれて、連続的又は段階的に低下させる。 - 特許庁

A substrate, formed by PZT in thin film excellent in piezoelectric characteristic, can be provided even on the material substrate such as silicon substrate, on which PZT thin film of satisfactory piezoelectric characteristics is hard to be formed by direct sputtering method.例文帳に追加

本発明によると、シリコン基板などに直接スパッタリングなどの方法では圧電特性の良いＰＺＴ薄膜を形成し難い材料基板の上に、圧電特性の良いＰＺＴを薄膜状態で設置した基板を提供できる。 - 特許庁

To simultaneously overcome such a problem as film damage by oxygen negative ion irradiation specific to the time of oxide sputtering and such a problem as relaxation of strain in film formation and removal of strain in a method for forming an epitaxial strain lattice film of oxide.例文帳に追加

酸化物のエピタキシャル歪格子膜の成膜方法に関し、酸化物のスパッタ時特有の酸素負イオン照射による膜の損傷という問題と、成膜時に歪が緩和して歪まなくなるという問題を同時に克服する。 - 特許庁

To provide a deposition method of an amorphous oxide semiconductor in which the amorphousness or the planarity of a film can be enhanced even when an amorphous oxide semiconductor consisting of InGaZnO, InWO, or the like, is formed by sputtering.例文帳に追加

スパッタ法を用いてＩｎＧａＺｎＯ、ＩｎＷＯなどからなるアモルファス酸化物半導体を形成する場合でも、アモルファス性や膜の平坦性を向上させることができるアモルファス酸化物半導体の成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a carrying apparatus carrying electronic parts such as a crystal element, a ceramic element and a semiconductor device when treatment such as vapor deposition and sputtering is performed thereto, and to provide a method for producing the carrying apparatus.例文帳に追加

本発明は、水晶素子、セラミック素子、半導体素子等の電子部品に対して、たとえば、蒸着またはスパッタ等の処理を行う際にこれらを搬送する搬送装置および搬送装置の作製方法に関するものである。 - 特許庁

To continuously manufacture a transparent conductive film having a transparent conductive thin film on a transparent substrate made of a plastic film at a high speed and stably for a long period by a reactive sputtering film deposition method using a metal target.例文帳に追加

プラスチックフィルムからなる透明基材上に透明導電性薄膜を有する透明導電性フィルムを、金属ターゲットを使用した反応性スパッタ成膜により、高速で長時間安定して連続的に製造する。 - 特許庁

To stabilize the film quality of a transparent electrically conductive film over a long time when a transparent electrically conductive laminate having the transparent electrically conductive film on a transparent high molecule substrate is manufactured by a reactive sputtering film forming method using a metal target.例文帳に追加

金属ターゲットを使用した反応性スパッタ成膜により、透明な高分子基板上に透明導電膜を有する透明導電積層体を製造するにあたり、透明導電膜の長時間にわたる膜質安定化をはかる。 - 特許庁

A film formation of a carbon layer is conducted by a magnetron sputtering method using mixed gas of argon and carbon dioxide at an arbitrary ratio to enable to form a transparent carbon layer having transparency, a low refractive index and moreover conductivity.例文帳に追加

カーボン層の製膜をアルゴンと二酸化炭素を任意の割合で混合したガスを使用したマグネトロンスパッタ法で実施することで、透明・低屈折率であり且つ導電性の透明カーボン層を形成することが可能となる。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a metal film depositing step (S1) of depositing a metal film on a semiconductor element having a gate insulating film and a gate electrode by sputtering through a collimating plate having a plurality of through-holes formed therein.例文帳に追加

複数の貫通孔が形成されているコリメート板を介してスパッタを行うことにより、ゲート絶縁膜及びゲート電極を有する半導体素子上に金属膜を形成する金属膜形成工程（ステップＳ１）を備える。 - 特許庁

Optical waveguides 2a, 2b are formed on a sapphire substrate 1 by depositing C-axis-oriented LiNbO_3 thin film 11 by an ECR sputtering method on the sapphire substrate 1, then etching the LiNbO_3 thin film 11.例文帳に追加

サファイア基板１の上に、ＥＣＲスパッタ法によりＣ軸配向のＬｉＮｂＯ_3薄膜１１を成膜し、その後このＬｉＮｂＯ_3薄膜１１をエッチングすることにより、サファイア基板１の上に光導波路２ａ，２ｂを形成する。 - 特許庁

After a seed layer 17, made of copper and having a width of about 10 nm, is formed by a sputtering method, an electroless copper plating is performed on the layer 17 to form a continuously reinforced seed layer 17A.例文帳に追加

バリア層１６の上にスパッタリング法によって、銅からなり１０ｎｍ程度の厚さを有するシード層１７を形成した後、シード層１７の上に銅の無電解めっきを行なって、連続状に補強されたシード層１７Ａを形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing simply and at a low cost a strontium-ruthenium oxide sintered body having a prescribed composition as a sputtering target by using a ruthenium raw material that is cheaper than ruthenium oxide and without using an oxygen pressure furnace.例文帳に追加

酸化ルテニウムより安価なルテニウム原料を用い、酸素加圧炉を用いることなく、スパッタリングターゲットとして所定の組成を有するストロンチウム・ルテニウム酸化物焼結体を、簡単且つ低コストで製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputter target manufacturing method by which a wiring film of low resistance preventing the occurrence of hillocks, etching residues, and electrochemical reaction with ITO or the like is deposited with excellent reproducibility, and generation of dust during the sputtering is suppressed.例文帳に追加

ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁