「sub- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The sub-layer 21 which is subjected to the tensile stress advantageously acts on the propagation of TM mode of the polarized light, and the sub-layer 22 which is subjected to a compressive stress advantageously acts on the propagation of TE mode of the polarized light.例文帳に追加

引っ張り応力を受けるサブレーヤ（２１）は偏光のＴＭモードの伝播に有利に働き、圧縮応力を受けるサブレーヤ（２２）は偏光のＴＥモードの伝播に有利に働く。 - 特許庁

A sub-mount 30 is disposed between an LD bar 10 and a heat sink 20, and each of the LD bar, heat sink and sub-mount is joined by a first adhesive layer 40 and a second adhesive layer 50 composed of a solder or a gold (Au)-tin (Sn) solder.例文帳に追加

ＬＤバー１０とヒートシンク２０との間にサブマウント３０を配設し、例えばロウまたは金（Ａｕ）−スズ（Ｓｎ）はんだよりなる第１接着層４０および第２接着層５０によりそれぞれを接合する。 - 特許庁

A plurality of optical fibers 11 is arranged in parallel and the sub-units 13 are coated with a first coating layer 12 altogether, and the plurality of sub-units 13 is arranged and formed into the optical fiber ribbon 10 with a second coating layer 14.例文帳に追加

複数本の光ファイバ１１を並列して第１被覆層１２によりサブユニット１３に一括被覆し、このサブユニット１３を複数本並べて第２被覆層１４により光ファイバテープ心線１０を形成する。 - 特許庁

A virtual sub-layer associated with a component of the software application is dynamically inserted in the virtual layer.例文帳に追加

ソフトウェアアプリケーションのコンポーネントに関連する仮想サブレイヤを仮想レイヤ内に動的に挿入する。 - 特許庁

The sub-collector layer 3, the collector layer 5 and the emitter contact mesa 8 are composed of In_xGa_1-xAs.例文帳に追加

サブコレクタ層３、コレクタ層５、ベース層６およびエミッタコンタクトメサ８は、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓから構成される。 - 特許庁

Since the carrier block layer 2 uses the wide gap semiconductor to the sub-collector layer 3, it forms a barrier to electrons.例文帳に追加

キャリアブロック層２はサブコレクタ層３に対するワイドギャップ半導体を用いているため、電子に対して障壁を形成している。 - 特許庁

Each sub-pixel has a pixel electrode arranged on the substrate, an organic layer arranged on the pixel electrode, and an opposite electrode arranged on the organic layer.例文帳に追加

各副画素は、基板上に配置された画素電極と、画素電極上に配置された有機層と、有機層上に配置された対向電極とを有する。 - 特許庁

A passivation layer 14 is formed on a sub-collector layer 12 where silicon of high concentration is doped in an indium phosphide material.例文帳に追加

リン化インジウム材料に高濃度のシリコンをドーピングしたサブコレクタ層１２上にパッシベーション層１４が形成される。 - 特許庁

A sub power plane 8 is provided in a power conductive layer 3 and includes a range of a projection image of a semiconductor device 6 projected onto the power conductive layer 3.例文帳に追加

副電源プレーン８は、電源導体層３に設けられ、半導体装置６を電源導体層３に投影したときの投影像の範囲を含む。 - 特許庁

Then, a barrier layer 27 is formed in a gap between the adjacent division electrodes 23 and 5, and a sub-electrode 28 is laminated on the barrier layer 27.例文帳に追加

そして、隣接する各分割電極２３、５の隙間には隔壁層２７が設けられており、隔壁層２７上にはサブ電極２８が積層されている。 - 特許庁

In the master unit, a frame of a layer 2 MAC sub-layer for synchronization between the units is generated by being synchronized with system timing.例文帳に追加

マスタ装置内では、システムタイミングに同期して装置間同期用のレイヤ２ ＭＡＣ副層のフレームを生成する。 - 特許庁

A ground line to which a grounding voltage GND to be used in a sub-column decoder 125a is supplied, is formed on a metal wiring layer 204 of a second layer (2M).例文帳に追加

第２層（２Ｍ）の金属配線層２０４にサブコラムデコーダ１２５ａで用いる接地電圧ＧＮＤが供給される接地線が形成される。 - 特許庁

Also, since the sub-collector layer 3 is in sufficiently high density, a roughly zero electric field is attained near a boundary with the carrier block layer 2.例文帳に追加

また、サブコレクタ層３は十分高濃度であるため、キャリアブロック層２との境界面近傍ではほぼ零電界となっている。 - 特許庁

Each sub picture element includes its light emitting layer 16 and a color filter 192 superposed on the light emitting layer 16.例文帳に追加

各サブ画素は、その発光層１６と、その発光層１６に重なっているカラーフィルタ１９２とを有する。 - 特許庁

Concerning the branch line communication path 9, the communication protocol of higher order than physical layer and medium access control sub layer is not standardized.例文帳に追加

支線通信路９は、物理層および媒体アクセス制御副層より上位の通信プロトコルが標準化されていない。 - 特許庁

To provide a method to code optimally a subtitle layer or sub-picture layer for a high resolution video.例文帳に追加

高解像度ビデオ用の字幕スーパー・レイヤまたはサブピクチャ・レイヤを最適に符号化する方法を提供する。 - 特許庁

Asynchronous transfer mode ATM adaptation layer AAL type 2 units 4-5, 4-6 apply AAL type 2 processing to voice-compressed common part sub-layer CPS packets (a, b, c, d or the like) to multiplex the result on an ATM cell.例文帳に追加

AALタイプ２装置4-5、4-6では、音声圧縮されたCPSパケットa, b, c, d等が、AALタイプ２処理されて、ATMセルに多重される。 - 特許庁

An adsorbing material layer 15 at a main chamber 6 side and an adsorbing material layer 18 at a sub-chamber 7 side communicate with each other through a communication passage.例文帳に追加

主室６側の吸着材層１５と副室７側の吸着材層１８は連通路で連通している。 - 特許庁

The top conductive layer has at least one bonding pad and a sub-layer of relatively stiff material.例文帳に追加

最上部導電層は少なくとも１個のボンディング・パッド及び比較的硬質の材料から成る副層を有する。 - 特許庁

The data processing unit 21 of an adaptive layer is provided as an application sub-layer for conducting TCP/IP communication.例文帳に追加

ＴＣＰ／ＩＰ通信等を行うアプリケーションサブレイヤであるアダプティブ層のデータ処理部２１を設ける。 - 特許庁

To prevent the degrading of the durability of a belt by making the cord material of a sub-belt layer larger than that of a main belt layer in heat shrinkage factor.例文帳に追加

副ベルト層のコード素材を、主ベルト層のそれより熱収縮率の大きいものとして、ベルトの耐久性の低下を防止する。 - 特許庁

The magnetic recording layer further includes a third sub-layer, which extends to connect each of the plurality of islands.例文帳に追加

磁気記録層はさらに第３のサブレイヤを含み、それは複数のアイランドの各々と接続するように延びている。 - 特許庁

To provide a communication control system that allows an AAL2 SAR(ATM Adaptation Layer type 2 Segmentation And Reassembly sub-layer) to inform an external circuit about a profile type of packet data.例文帳に追加

ＡＡＬ２ ＳＡＲがパケットデータのプロファイル種別を外部回路に通知することにより、外部回路を簡略化する。 - 特許庁

The CMOS image sensor includes a sub layer provided with a photodiode and various transistors, a planarization layer formed on the sub layer, and the microlenses for the color filter formed on the planarization layer at constant intervals.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは、フォトダイオードと各種のトランジスタが形成された下部素子層と、前記下部素子層上に形成される平坦化層と、前記平坦化層に一定の間隔を有して形成されるカラーフィルター用のマイクロレンズとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

By providing an AlAs layer 3 between a sub-collector layer 2 and an collector layer 4 of an HBT epitaxial wafer acting as a semiconductor device, the current amplification factor β does not decrease even if the dopant of exceeding 3×1018 cm-3 is doped into the sub-collector layer 2.例文帳に追加

半導体装置としてのＨＢＴエピタキシャルウェハのサブコレクタ層２とコレクタ層４との間にＡｌＡｓ層３を設けることにより、サブコレクタ層２に３×１０^18ｃｍ^-3を超えてドーパントをドーピングしても電流増幅率βが低下することがない。 - 特許庁

A sub-dielectric layer 8B is provided to prevent the main dielectric layer 8A from being exposed to a gap space, and a difference between electron affinity and work function of the sub-dielectric layer 8B and the electrode on the movable plate 3 is made larger than that in a constitution that the main dielectric layer 8A is exposed to the gap space.例文帳に追加

そして、主誘電体層８Ａがギャップ空間に露出することを防ぐ副誘電体層８Ｂを設け、副誘電体層８Ｂと可動板３側の電極との電子親和力と仕事関数との差を、主誘電体層８Ａがギャップ空間に露出する構成よりも大きくする。 - 特許庁

A hole injection layer and a luminescent layer are formed in each of the sub-pixels 515a, 515b and 515c by jetting droplets MO of a liquid substance such as a hole injection layer formation material or a luminescent layer formation material from a droplet jetting head to the center of each of the sub-pixels 515a, 515b and 515c.例文帳に追加

そして、正孔注入層形成材料や発光層形成材料などの液状物の液滴Ｍ０を液滴吐出ヘッドから各サブ画素５１５ａ、５１５ｂ、５１５ｃ中心位置に吐出して各サブ画素５１５ａ、５１５ｂ、５１５ｃに正孔注入層や発光層を形成する。 - 特許庁

The pattern length of a gate line GL formed in the upper layer of a diffusion layer RS of a wafer SI is grasped, and sub-field division is carried out by arranging connecting parts DP1 and DP3 in an NRS outside the region of the diffusion layer RS so that the number of sub-field connecting parts DP2 on the diffusion layer RS can be minimized.例文帳に追加

ウエーハＳＩの拡散層ＲＳの上層に形成されるゲートラインＧＬのパターン長さを把握し、例えば拡散層の領域外ＮＲＳに接続部ＤＰ１，ＤＰ３を配置し、拡散層ＲＳ上での接続数ＤＰ２を最小となるように配置したサブフィールド分割とする。 - 特許庁

The first sub-layer 30a and the second sub-layer 30b are provided to each surface of the first surface 21 and the second surface 22 of the main metal layer 20A, and have through holes 35a and 35b, which correspond to the through hole 25A of the main metal layer 20A and correspond to other parts of the conductive ball housing through hole 15.例文帳に追加

第１サブ層３０ａ，第２サブ層３０ｂは、メイン金属層２０Ａの第１面２１及び第２面２２の各面に対して設けられ、メイン金属層２０Ａの貫通孔２５Ａに対応し導電性ボール収容貫通孔１５の他の一部に該当する貫通孔３５ａ，３５ｂを有する。 - 特許庁

A hole injection layer 7, an α-NPD vapor deposited film 8, an n-doped electron transportation layer 11 and a p-doped hole transportation layer 12 which are patterned to the same size as a B sub-pixel, a DNA vapor deposited film 13, an electron injection layer 14 and an upper electrode 15 are formed on a lower electrode 5 in the B sub-pixel.例文帳に追加

Ｂサブ画素において、下部電極５の上に、正孔注入層７、α−ＮＰＤ蒸着膜８、Ｂサブ画素と同等のサイズにパターニングしたｎドープ電子輸送層１１及びｐドープ正孔輸送層１２、ＤＮＡ蒸着膜１３、電子注入層１４、上部電極１５を形成する。 - 特許庁

HBT 1 has a substrate 2 composed of a semi-insulating InP, a sub-collector layer 3 formed on the substrate 2, an insertion layer 4 formed on the sub-collector layer 3, a main mesa 10 formed on the insertion layer 4, and an emitter contact mesa 8 formed on the main mesa 10.例文帳に追加

ＨＢＴ１は、半絶縁性ＩｎＰから構成される基板２と、基板２上に形成されたサブコレクタ層３と、サブコレクタ層３上に形成された挿入層４と、挿入層４上に形成された主要部メサ１０と、主要部メサ１０上に形成されたエミッタコンタクトメサ８とを有する。 - 特許庁

Each of the sub modules 11, 12, and 13 has a transparent light-reception surface electrode layer 15, a semiconductor layer 16 and a backside electrode layer 17, in addition, separating lines 18, 19, and 20 are formed in each layer, and a strip photovoltaic cell C is formed by connecting the sub modules in series.例文帳に追加

サブモジュール１１、１２、１３の各々は、透明は受光面電極層１５、半導体層１６及び裏面電極層１７を有し、また、各々の層には分離線１８、１９、２０が形成されており、サブモジュールを直列に接続することによって帯状の光起電セルＣが形成される。 - 特許庁

The sub PS71 is made from the same material as the blue colored layer and is composed of a layer 82 smaller in surface area than the layer 81 and a resin layer 84 covering the layer 82.例文帳に追加

サブＰＳ７１は、青色の着色層と同一材料からなり、レイヤー８１より表面積が小さいレイヤー８２と、レイヤー８２を覆う樹脂層８４とから構成される。 - 特許庁

This transistor is successively equipped with at least one sub- collector layer SC, a collector layer C, a base layer B, and a metal layer 10 that is deposited onto the base layer.例文帳に追加

本トランジスタは１つ以上のサブコレクタ層ＳＣと、コレクタ層Ｃと、ベース層Ｂと、ベース層上に堆積した金属層１０とを連続して備えている。 - 特許庁

An HBT1 comprises a semi-insulating InP substrate 2, a buffer layer 30 formed on the substrate 2, a sub-collector layer 40 formed on the buffer layer 30, a collector layer 50, a base layer 60, an emitter layer 70, and an emitter contact layer 80 formed on the emitter layer 70.例文帳に追加

ＨＢＴ１は、半絶縁性ＩｎＰ基板２と、同基板２上に形成されたバッファ層３０と、バッファ層３０上に形成されたサブコレクタ層４０と、コレクタ層５０と、ベース層６０と、エミッタ層７０と、エミッタ層７０上に形成されたエミッタコンタクト層８０とを有する。 - 特許庁

A first sub input open stab 13 and a first sub output open stab 16 are disposed proximately within a second conductor layer while confronting side surfaces, and a second sub input open stab 14 and a second sub output open stab 17 are disposed proximately within a third conductor layer while confronting side surfaces.例文帳に追加

第２導体層に側面を対向させて近接配置された第１サブ入力オープンスタブ１３及び第１サブ出力オープンスタブ１６を配置し、第３導体層に側面を対向させて近接配置された第２サブ入力オープンスタブ１４及び第２サブ出力オープンスタブ１７を配置した。 - 特許庁

To provide a novel light polarizing product comprising a substrate, a light polarizing layer, an inorganic intermediate layer between the light polarizing layer and the substrate, an optional inorganic sub-layer between the substrate and the inorganic intermediate layer, and a protective layer over the light polarizing layer, and to provide a method of making the same.例文帳に追加

基板、偏光層、偏光層と基板の間の無機中間層、基板と無機中間層の間に必要に応じて設けられる無機下地層及び偏光層を覆う保護層を備える新規な偏光用品並びにその作成方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the hetero junction bipolar transistor comprises a step of sequentially laminating semiconductor layers to become a sub-collector layer 2, a collector layer 3, a base layer 4, an emitter layer 5, and an emitter cap layer 6 on a semi-insulating substrate 1, and a step of forming an electrode layer 10 an the emitter cap layer 6.例文帳に追加

半絶縁性基板１上に、サブコレクタ層２、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５、およびエミッタキャップ層６となる各半導体層を順次積層して形成する工程と、エミッタキャップ層６上に、電極層１０を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The receiving apparatus comprises at least a first module for forming a transport layer and a second module for forming an application layer, the application layer comprising a first sub-module 3 for decoding video, and a second sub-module 7 for displaying the video.例文帳に追加

受信装置は、トランスポート層を実行する第１のモジュールと、アプリケーション層を実行する第２のモジュールとを少なくとも具備し、アプリケーション層は、ビデオの復号化を実行する第１のサブモジュール３と、前記ビデオの表示を実行する第２のサブモジュール７とを有する。 - 特許庁

A resonator structure for resonating light emitted from a light-emitting layer between a light reflecting layer and a semi-transmission reflecting layer is formed on each of the sub-pixels 2r, 2g, and 2b and each of the first-third zones 3r, 3g, and 3b of the sub-pixel 2w.例文帳に追加

サブ画素２ｒ，２ｇ，２ｂの各々と、サブ画素２ｗの第１〜第３領域３ｒ，３ｇ，３ｂの各々には、発光層からの出射光を光反射層と半透過反射層との間で共振させる共振器構造が形成される。 - 特許庁

The organic EL display device comprises a sealing film CEF of an organic film which covers an organic luminous layer OLE comprising a first electrode formed on the main face of an insulating substrate SUB, an organic EL layer of multi-layer structure, and a second electrode and of which peripheral end part is sealed at the periphery of the insulating substrate SUB.例文帳に追加

絶縁基板ＳＵＢの主面に形成された第１の電極と多層構造の有機ＥＬ層と第２の電極とからなる有機発光層ＯＬＥを覆って周縁端部が絶縁基板ＳＵＢの周縁部に封着された有機フィルムの封止膜ＣＥＦを有する。 - 特許庁

When a sub-emitter layer 45 is formed to manufacture a semiconductor wafer 1 for manufacturing the InGaP-based HBT after forming an emitter layer 44 by an MOCVD method, the sub-emitter layer 45 is grown at 600°C or lower and/or at a V/III ratio of 20 or less.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法によりエミッタ層４４を形成後にサブエミッタ層４５を形成してＩｎＧａＰ系ＨＢＴ製造用の半導体ウェーハ１を製造する場合、サブエミッタ層４５を成長温度６００℃以下及び又はＶ／ＩＩＩ比２０以下の条件で成長させる。 - 特許庁

In certain embodiments, a process is executed from the virtual layer, a determination is made as to whether the process is launched before or after the insertion of the virtual sub-layer, and the inserted virtual sub-layer is selectively made visible or invisible to the process based on the determination.例文帳に追加

いくつかの実施形態において、仮想レイヤからプロセスを実行し、プロセスが仮想サブレイヤの挿入前または挿入後にプロセスが開始したか否かを決定し、この決定に基づいて挿入した仮想サブレイヤをプロセスに対して選択的に可視または不可視にする。 - 特許庁

This manufacturing method for a golf ball has a step of cooling a golf ball sub-assembly to reduce the volume of the golf ball sub-assembly and a step of applying a cover layer onto the golf ball sub-assembly reduced in volume.例文帳に追加

本発明は、ゴルフボールの製造方法に関し、該方法は、ゴルフボールサブアセンブリを冷却して該ゴルフボールサブアセンブリの体積を低減させる段階と、該体積を低減したゴルフボールサブアセンブリ上へカバー層を付与する段階とを備える。 - 特許庁

The voltage nonlinear resistor porcelain composition which constitutes a voltage nonlinear resistor layer 11 has a main component containing zinc oxide, a first sub-component containing oxide of rare earth metal, a second sub-component containing oxide of Ca, and a third sub-component containing oxide of Si.例文帳に追加

電圧非直線性抵抗体層１１を構成する電圧非直線性抵抗体磁器組成物は、酸化亜鉛を含む主成分と、希土類金属の酸化物を含む第１副成分と、Ｃａの酸化物を含む第２副成分と、Ｓｉの酸化物を含む第３副成分と、を有している。 - 特許庁