「sub- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A narrow gap layer 39 is formed between a narrow upper sub-magnetic pole 35 and a lower sub-magnetic pole 36 at the front end of the magnetic head.例文帳に追加

磁気ヘッドの先端では、狭小の上部副磁極３５と下部磁極層３６との間に狭小のギャップ層３９が形成される。 - 特許庁

A boron added layer 42A resulting from adding boron (B) to a collector layer 42 is formed to part of the collector layer 42 in the thin film semiconductor epitaxial substrate 1 formed with the sub collector layer 41 and the collector layer 42 so as to thereby prevent the current amplification factor from being decreased even when the sub collector layer 41 is doped with a high concentration.例文帳に追加

サブコレクタ層４１及びコレクタ層４２が形成されている薄膜半導体エピタキシャル基板１において、コレクタ層４２の一部にホウ素（Ｂ）が添加されているＢ添加層４２Ａを形成し、これによりサブコレクタ層４１を高濃度にドーピングした場合であっても電流増幅率を低下させることがないようにした。 - 特許庁

Instead of the single undercoat layer 14, a multi-layer undercoat layer containing a single non-porous anodized aluminum layer and one or more layers of additional layers as sub-layers may be formed.例文帳に追加

単層の下地層１４に代え、一層の非孔質陽極酸化アルミニウム層及び一層又は複数層の付随層を副層として含む多層型の下地層を形成してもよい。 - 特許庁

Concerning the branch line communication path 9, the communication protocol of higher order than physical layer and medium access control sub layer is not standardized.例文帳に追加

支線通信路９は、物理層および媒体アクセス制御副層より上位の通信プロトコルが標準化されていない。 - 特許庁

Also, since the sub-collector layer 3 is in sufficiently high density, a roughly zero electric field is attained near a boundary with the carrier block layer 2.例文帳に追加

また、サブコレクタ層３は十分高濃度であるため、キャリアブロック層２との境界面近傍ではほぼ零電界となっている。 - 特許庁

Asynchronous transfer mode ATM adaptation layer AAL type 2 units 4-5, 4-6 apply AAL type 2 processing to voice-compressed common part sub-layer CPS packets (a, b, c, d or the like) to multiplex the result on an ATM cell.例文帳に追加

AALタイプ２装置4-5、4-6では、音声圧縮されたCPSパケットa, b, c, d等が、AALタイプ２処理されて、ATMセルに多重される。 - 特許庁

Since the carrier block layer 2 uses the wide gap semiconductor to the sub-collector layer 3, it forms a barrier to electrons.例文帳に追加

キャリアブロック層２はサブコレクタ層３に対するワイドギャップ半導体を用いているため、電子に対して障壁を形成している。 - 特許庁

To provide a communication control system that allows an AAL2 SAR(ATM Adaptation Layer type 2 Segmentation And Reassembly sub-layer) to inform an external circuit about a profile type of packet data.例文帳に追加

ＡＡＬ２ ＳＡＲがパケットデータのプロファイル種別を外部回路に通知することにより、外部回路を簡略化する。 - 特許庁

To provide a novel light polarizing product comprising a substrate, a light polarizing layer, an inorganic intermediate layer between the light polarizing layer and the substrate, an optional inorganic sub-layer between the substrate and the inorganic intermediate layer, and a protective layer over the light polarizing layer, and to provide a method of making the same.例文帳に追加

基板、偏光層、偏光層と基板の間の無機中間層、基板と無機中間層の間に必要に応じて設けられる無機下地層及び偏光層を覆う保護層を備える新規な偏光用品並びにその作成方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the hetero junction bipolar transistor comprises a step of sequentially laminating semiconductor layers to become a sub-collector layer 2, a collector layer 3, a base layer 4, an emitter layer 5, and an emitter cap layer 6 on a semi-insulating substrate 1, and a step of forming an electrode layer 10 an the emitter cap layer 6.例文帳に追加

半絶縁性基板１上に、サブコレクタ層２、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５、およびエミッタキャップ層６となる各半導体層を順次積層して形成する工程と、エミッタキャップ層６上に、電極層１０を形成する工程とを有する。 - 特許庁

An undoped SiGe spacer layer 7, an inclined SiGe base layer 8 where boron is doped and an Si cap layer 9 where boron is doped are sequentially installed on an Si epitaxial layer where an Si sub-collector layer 3a is installed.例文帳に追加

Ｓｉサブコレクタ層３ａが設けられたＳＩエピタキシャル層４の上に、アンドープのＳｉＧｅスペーサ層７，ボロンがドープされた傾斜ＳｉＧｅベース層８，ボロンがドープされたＳｉキャップ層９が順次設けられている。 - 特許庁

The first layer 51 of the sub-mount 5 has a predetermined thickness and electrically connected to a substrate.例文帳に追加

サブマウント５の第１層５１は、所定厚みを有し基板上に電気的に接続されている。 - 特許庁

The substrate including the sub-stack of layers is subjected to heat treatment to obtain a crystallized dielectric layer.例文帳に追加

前記層のサブスタックを含む基板に熱処理を施し、結晶化した誘電体層を得る。 - 特許庁

The overlay network 10 is managed as a zeroth level sub-overlay network in the highest hierarchical layer.例文帳に追加

オーバーレイネットワーク１０は、最上位層の第０レベルのサブオーバーレイネットワークとして管理される。 - 特許庁

A metallic layer 15 made of nickel (Ni) is formed onto a lower face (rear side) of the sub mount 10.例文帳に追加

また、サブマウント１０の下面（裏側）には、ニッケル(Ni)より成る金属層１５が形成されている。 - 特許庁

The sub-mount 3 further has an Au film 6 formed between the substrate 4 and the solder layer 8.例文帳に追加

サブマウント３は、基板４とはんだ層８との間に形成されたＡｕ膜６をさらに備える。 - 特許庁

The laser chip 4 is fixed to the upper part front surface of the sub-mount 2 via a solder layer 17.例文帳に追加

レーザチップ４はサブマウント２の上部表面上にはんだ層１７を介して固定される。 - 特許庁

In mounting an optical semiconductor chip 1 in a sub-mount 20, an Au plated layer 11 formed on ridge portions 8a, 8b of the optical semiconductor chip 1 and a plated layer 22 formed on sub-mount electrodes 21a, 21b of the sub-mount 20 are overlapped.例文帳に追加

光半導体チップ１をサブマウント２０に実装するには、光半導体チップ１のリッジ部８ａ、８ｂ上に形成されたＡｕメッキ層１１と、サブマウント２０のサブマウント電極２１ａ、２１ｂ上に形成された半田層２２とを重ね合わせる。 - 特許庁

By providing an AlAs layer 3 between a sub-collector layer 2 and an collector layer 4 of an HBT epitaxial wafer acting as a semiconductor device, the current amplification factor β does not decrease even if the dopant of exceeding 3×1018 cm-3 is doped into the sub-collector layer 2.例文帳に追加

半導体装置としてのＨＢＴエピタキシャルウェハのサブコレクタ層２とコレクタ層４との間にＡｌＡｓ層３を設けることにより、サブコレクタ層２に３×１０^18ｃｍ^-3を超えてドーパントをドーピングしても電流増幅率βが低下することがない。 - 特許庁

The CMOS image sensor includes a sub layer provided with a photodiode and various transistors, a planarization layer formed on the sub layer, and the microlenses for the color filter formed on the planarization layer at constant intervals.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは、フォトダイオードと各種のトランジスタが形成された下部素子層と、前記下部素子層上に形成される平坦化層と、前記平坦化層に一定の間隔を有して形成されるカラーフィルター用のマイクロレンズとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The pixel electrode includes a first sub electrode receiving a first pixel voltage from the thin film transistor layer and a second sub electrode electrically separated from the first sub electrode and receiving a second pixel voltage.例文帳に追加

画素電極は、薄膜トランジスタ層から第１画素電圧の印加を受ける第１サブ電極と、第１サブ電極と電気的に分離され第２画素電圧の印加を受ける第２サブ電極とを含む。 - 特許庁

Even when a tensile stress is applied from a sub mount to the active layer 13 after mount of the sub mount, stimulated polarization light is stabilized in the TE mode.例文帳に追加

サブマウントに実装されたのち、サブマウントから活性層１３に引っ張り応力が加わったとしても、発光偏光はＴＥモードで安定する。 - 特許庁

Accordingly, when the semiconductor laser element 1 is mounted to the sub-mount 20, a gap 16 exists between the semiconductor layer 11 and sub-mount 20.例文帳に追加

これにより、半導体レーザ素子１がサブマウント２０に搭載される際には、半導体層１１とサブマウント２０との間には空間１６が存在する。 - 特許庁

Since a color compensating layer 50S, composed of a color layer with a color same as that of a blue layer 50B, is arranged on a portion of a white sub-pixel 10W, an additional light absorption layer different from the color layer included in a color filter layer 50 is not required.例文帳に追加

青色層５０Ｂと同一色の色層からなる色補正層５０Ｓが白色サブ画素１０Ｗの一部に設けられているので、カラーフィルタ層５０に含まれる色層とは異なる光吸収層を別途設けなくても済むことになる。 - 特許庁

To prevent the degrading of the durability of a belt by making the cord material of a sub-belt layer larger than that of a main belt layer in heat shrinkage factor.例文帳に追加

副ベルト層のコード素材を、主ベルト層のそれより熱収縮率の大きいものとして、ベルトの耐久性の低下を防止する。 - 特許庁

The inkjet recording medium for proofreading is prepared by applying a sub-layer comprising a water-absorbing inorganic pigment, a latex and boric acid or its salt, and a top layer comprising a sub-micron pigment and polyvinyl alcohol on a substrate.例文帳に追加

支持体上に吸水性無機顔料、ラテックス、ホウ酸またはその塩からなる下層と、サブミクロン顔料、ポリビニルアルコールからなる上層を塗工されてなる校正用インクジェット記録媒体。 - 特許庁

The mesa hetero-jumction bipolar transistor consists of a first conductivity sub-collector layer 3, a first conductivity collector contact layer and a collector layer, a second conductivity base layer 7, an emitter layer whose band gap is larger than the base layer 7, and a first conductivity emitter contact layer 9 on a semi-insulating substrate.例文帳に追加

半絶縁性基板上に第１導電型サブコレクタ層３と、第１導電型コレクタコンタクト層およびコレクタ層と、第２導電型たベース層７と、該ベース層７よりもバンドギャップの大きいエミッタ層と、第１導電型エミッタコンタクト層９とで、メサ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成している。 - 特許庁

The laminated metal sheet for the can lid has an organic resin layer formed by superposing a main layer comprising a polyester resin and a sub-layer comprising a resin with a glass transition point (Tg) of 5°C or below one upon another in a laminar state directly or through an adhesive layer.例文帳に追加

ポリエステル系樹脂からなる主層と、ガラス転位点（Ｔｇ）が５℃以下の樹脂からなる副層とが直接又は接着層を介して層状に重ねられた有機樹脂層を有する。 - 特許庁

These low permittivity thin films include residual carbon, and useful to gap filling layer in the sub-micron element, the premetal dielectric layer, the interlayer dielectric layer, and the shallow trench separating layer.例文帳に追加

これらの低誘電率薄膜は、残留炭素を含んでおり、サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層および浅いトレンチ分離誘電体層のために有用である。 - 特許庁

The organic light emitting layer 43 placed on the first electrode 41 includes a first organic light emitting layer 431 disposed on the first sub pixel region 411 and second sub pixel region 413, a second organic light emitting layer 433 disposed on the second sub pixel region 413, and a third organic light emitting layer 437 disposed on the second sub pixel region 413 and a third pixel region 415.例文帳に追加

有機発光層４３は、第１の電極４１上に配置され、第１のサブ画素領域４１１及び第２のサブ画素領域４１３の上に配置された第１の有機発光層４３１と、第２のサブ画素領域４１３上に配置された第２の有機発光層４３３と、第２のサブ画素領域４１３及び第３のサブ画素領域４１５の上に配置された第３の有機発光層４３７と、を有する。 - 特許庁

A hole injection layer and a luminescent layer are formed in each of the sub-pixels 515a, 515b and 515c by jetting droplets MO of a liquid substance such as a hole injection layer formation material or a luminescent layer formation material from a droplet jetting head to the center of each of the sub-pixels 515a, 515b and 515c.例文帳に追加

そして、正孔注入層形成材料や発光層形成材料などの液状物の液滴Ｍ０を液滴吐出ヘッドから各サブ画素５１５ａ、５１５ｂ、５１５ｃ中心位置に吐出して各サブ画素５１５ａ、５１５ｂ、５１５ｃに正孔注入層や発光層を形成する。 - 特許庁

HBT 1 has a substrate 2 composed of a semi-insulating InP, a sub-collector layer 3 formed on the substrate 2, an insertion layer 4 formed on the sub-collector layer 3, a main mesa 10 formed on the insertion layer 4, and an emitter contact mesa 8 formed on the main mesa 10.例文帳に追加

ＨＢＴ１は、半絶縁性ＩｎＰから構成される基板２と、基板２上に形成されたサブコレクタ層３と、サブコレクタ層３上に形成された挿入層４と、挿入層４上に形成された主要部メサ１０と、主要部メサ１０上に形成されたエミッタコンタクトメサ８とを有する。 - 特許庁

A sub-dielectric layer 8B is provided to prevent the main dielectric layer 8A from being exposed to a gap space, and a difference between electron affinity and work function of the sub-dielectric layer 8B and the electrode on the movable plate 3 is made larger than that in a constitution that the main dielectric layer 8A is exposed to the gap space.例文帳に追加

そして、主誘電体層８Ａがギャップ空間に露出することを防ぐ副誘電体層８Ｂを設け、副誘電体層８Ｂと可動板３側の電極との電子親和力と仕事関数との差を、主誘電体層８Ａがギャップ空間に露出する構成よりも大きくする。 - 特許庁

The pattern length of a gate line GL formed in the upper layer of a diffusion layer RS of a wafer SI is grasped, and sub-field division is carried out by arranging connecting parts DP1 and DP3 in an NRS outside the region of the diffusion layer RS so that the number of sub-field connecting parts DP2 on the diffusion layer RS can be minimized.例文帳に追加

ウエーハＳＩの拡散層ＲＳの上層に形成されるゲートラインＧＬのパターン長さを把握し、例えば拡散層の領域外ＮＲＳに接続部ＤＰ１，ＤＰ３を配置し、拡散層ＲＳ上での接続数ＤＰ２を最小となるように配置したサブフィールド分割とする。 - 特許庁

Each of the sub modules 11, 12, and 13 has a transparent light-reception surface electrode layer 15, a semiconductor layer 16 and a backside electrode layer 17, in addition, separating lines 18, 19, and 20 are formed in each layer, and a strip photovoltaic cell C is formed by connecting the sub modules in series.例文帳に追加

サブモジュール１１、１２、１３の各々は、透明は受光面電極層１５、半導体層１６及び裏面電極層１７を有し、また、各々の層には分離線１８、１９、２０が形成されており、サブモジュールを直列に接続することによって帯状の光起電セルＣが形成される。 - 特許庁

A coating of the catalyst or a NOx adsorbing layer is applied onto the surface of each of the partition wall and the sub partition wall.例文帳に追加

隔壁と副隔壁の表面には触媒またはＮＯｘ吸着層がコーティングされる。 - 特許庁

There is a top level layer comprising a set 54 of 8×8 sub-regions which encompasses the entire scene area 50.例文帳に追加

全体のシーンエリア50を包含する1組の8×8の小領域54を含む最上位レイヤが存在する。 - 特許庁

A main ground plane 11 is provided in the ground conductive layer 4 at an interval from the sub ground plane 12.例文帳に追加

主グラウンドプレーン１１は、グラウンド導体層４に副グラウンドプレーン１２と間隔を空けて設けられている。 - 特許庁

The second getter area 9a_2 is formed on an adjustment sub-layer 10 of the getter material activation temperature.例文帳に追加

第二ゲッタ領域９ａ_２は、ゲッタ材料活性化温度の調整副層１０上に形成される。 - 特許庁

A main power plane 7 is provided in the power conductive layer 3 at an interval from the sub power plane 8.例文帳に追加

主電源プレーン７は、電源導体層３に副電源プレーン８と間隔を空けて設けられている。 - 特許庁

The display sub-panels 24 are brought into close contact with each other with a contact layer 28 having a fluid between them.例文帳に追加

表示サブパネル２４は、流動体を有する密着層２８を介して互いに密着されている。 - 特許庁

Sub-bit lines SBL00 to SBLn3 and the like are formed of a first metal (first metal wiring layer).例文帳に追加

サブビット線ＳＢＬ００〜ＳＢＬｎ３等は、第１メタル（第１金属配線層）で形成されている。 - 特許庁

To provide a sub-mount having an electrode layer with superior wettability during soldernig, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

半田接合時の濡れ性に優れた電極層を有するサブマウント及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The sub-mount 3 has a substrate 4 and a solder layer 8 formed on the main surface 4f of the substrate 4.例文帳に追加

サブマウント３は、基板４と、基板４の主表面４ｆ上に形成されたはんだ層８とを備える。 - 特許庁

The upper magnetic pole layer 28 is connected to the upper sub- magnetic pole 34 at a position retreating from the floating surface.例文帳に追加

上部磁極層２８は、浮上面から後退した位置で上部副磁極３４に接続される。 - 特許庁