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substrate layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 39497件
This antenna substrate is equipped with: a conductor layer; a first soft magnetic layer arranged on the conductor layer; a patch layer where a plurality of conductor patches are two-dimensionally arranged on the soft magnetic layer; and a dielectric layer located on the patch layer when the conductor layer side is set on a lower side and having a mounting surface for an antenna pattern.例文帳に追加
アンテナ基板が、導体層と、導体層上に配置される第1の軟磁性層と、軟磁性層上に複数の導体パッチが2次元的に配列されているパッチ層と、導体層側を下方としたときのパッチ層上に位置し、アンテナパターンの搭載面を有する誘電体層と、を備える。 - 特許庁
This semiconductor laser element 500 is composed by successively laminating a buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-contact layer 4, an n-crack prevention layer 5, an n-clad layer 6, a light emitting layer 7, a p-clad layer 8 and a p-first contact layer 9a on a sapphire substrate 1 whose thickness t1 is 500 μm.例文帳に追加
半導体レーザ素子500は、厚さt_1 が500μmのサファイア基板1上にバッファ層2、アンドープGaN層3、n−コンタクト層4、n−クラック防止層5、n−クラッド層6、発光層7、p−クラッド層8およびp−第1コンタクト層9aが順に積層されてなる。 - 特許庁
A terminal 3 on a wiring substrate 1 is brought into a four-layer structure comprising an bottom electrode layer 4 made of Cu, etc., an Ni layer 5 formed on the surface of the bottom electrode layer 4, a Cu layer 6 formed on the surface of the Ni layer 5, and an Sn layer 7 formed on the surface of the Cu layer 6.例文帳に追加
配線基板1上の端子部3が、Cu等の下地電極層4と、該下地電極層の表面に形成されたNi層5と、該Ni層5の表面に形成されたCu層6と、該Cu層6の表面に形成されたSn層7とからなる4層構造とされている。 - 特許庁
In a vertical magnetic recording medium provided with a magnetic layer 6 on a non-magnetic substrate 1, the magnetic layer 6 is constituted by multi-layer-laminating alternately a Co layer being a first magnetic layer 6a and a Pd layer being a second magnetic layer 6b, SiO_2 is added to the second magnetic layer 6b.例文帳に追加
非磁性の基板1上に磁性層6を備えている垂直磁気記録媒体において、磁性層6は、第1の磁性層6aであるCo層と第2の磁性層6bであるPd層とを交互に多層積層して構成され、第2の磁性層6bには、SiO_2を添加する。 - 特許庁
The III nitride semiconductor layer 2 has a multilayer structure laminating an n-type contact layer 21, a multiple quantum well (MQW) layer 22 as a light-emitting layer (active layer), an AlGaN final barrier layer 25, a p-type electron block layer 23, and a p-type contact layer 24 sequentially from the AlN substrate 1 side.例文帳に追加
III族窒化物半導体層2は、AlN基板1側から順に、n型コンタクト層21、発光層(活性層)としての多重量子井戸(MQW:Multiple Quantum Well)層22、AlGaNファイナルバリア層25、p型電子阻止層23、およびp型コンタクト層24を積層した積層構造を有している。 - 特許庁
On one surface of a semiconductor substrate 1; an interlayer dielectric 4A, an Al wiring layer 5, the interlayer dielectric 4B, a Cu wiring layer 9A, a dielectric layer 12A, a Cu grounding layer 13, the dielectric layer 12B, the Cu wiring layer 9B, the dielectric layer 12C, and the Cu wiring layer 9C are successively provided.例文帳に追加
半導体基板1の一面に層間絶縁膜4A、Al配線層5、層間絶縁膜4B、Cu配線層9A、誘電体層12A、Cu接地層13、誘電体層12B、Cu配線層9B、誘電体層12C、Cu配線層9Cが、順に設けられる。 - 特許庁
In the semiconductor laser, a clad layer 2, a guide layer 3, an MQW active layer 4, a guide layer 5, a first clad layer 6, an etching stopping layer 7, and a stripe-like second clad layer 8 are successively formed on an n-type GaAs substrate 1, and current blocking layers 9 are formed on both sides of the second clad layer 8.例文帳に追加
n−GaAs基板1上にクラッド層2、ガイド層3、MQW活性層4、ガイド層5、第一のクラッド層6、エッチングストップ層7、ストライプ状の第二クラッド層8を順次形成しており、第二のクラッド層8の両側に電流ブロック層9を有している。 - 特許庁
The liquid crystal display includes a first substrate; a second substrate facing the first substrate; a first alignment layer formed on the back side surface of the first substrate and is made by aligning a plurality of first one-dimensional nano-structures; a second alignment layer formed on the back side surface of the second substrate; and a liquid crystal layer formed in between the first substrate and the second substrate.例文帳に追加
本発明に係る液晶表示装置は、第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板の裏側表面に形成され、複数の第一一次元ナノ構造体が整列してなる第一配向層と、前記第二基板の裏側表面に形成される第二配向層と、前記第一基板と前記第二基板との間に形成される液晶層と、を含む。 - 特許庁
The substrate includes a layer 23, deposited by the deposition of an atomic layer, comes into contact with the second region 22 in the dielectric layer 1.例文帳に追加
基板は、さらに、誘電体層1の第2の領域22に接触している、原子層堆積により堆積された層23を含んでいる。 - 特許庁
The method of forming an electrically conductive layer on a semiconductor substrate and further forming a via structure includes a process of forming a molding dielectric layer on the electrically conductive layer.例文帳に追加
半導体基板上に導電層を形成してビア構造を形成する方法はモールディング絶縁膜を導電層上に形成する。 - 特許庁
To improve the adhesion of a releasing agent layer to a substrate while maintaining the good releasability of the releasing agent layer for an adhesive agent layer.例文帳に追加
粘着剤層に対する剥離剤層の剥離性を良好に維持したまま、剥離剤層の基材に対する密着性を良好にする。 - 特許庁
At least one of the plurality of pits originates in a layer disposed between the pit opening layer and a substrate on which the pit opening layer is formed.例文帳に追加
複数のピットのうちの少なくとも1つは、ピット開き層とピット開き層が形成された基板との間に配置された層で生じる。 - 特許庁
The method comprises steps of: providing a material layer on a substrate; and forming an antireflective hardmask layer over the material layer.例文帳に追加
本発明の方法は、基板上に材料層を設けるステップと、この材料層の上に反射防止ハードマスク層を形成するステップとを含む。 - 特許庁
The decorative sheet 2 is constituted by providing a printing layer 6 between a substrate layer 4 comprising PP or PET and a surface layer 5 comprising PET.例文帳に追加
化粧シート2は、PP又はPETからなる下地層4とPETからなる表面層5との間に印刷層6が設けられている。 - 特許庁
To provide a structure of a deep layer servo system magnetic recording medium wherein a servo layer and a spacer layer are difficult to be peeled from a non-magnetic substrate.例文帳に追加
深層サーボ方式の磁気記録媒体において、サーボ層及びスペーサ層が非磁性基板から剥離し難い構成を有するようにする。 - 特許庁
An oxygen getting layer 140 and an environmental barrier layer 160 are applied on the substrate 120 with the compliant layer 30 coated thereon.例文帳に追加
そのコンプライアント層30が被覆された基体120の上に、さらに、酸素獲得層140および環境障壁層160をコーティングする。 - 特許庁
The impact marking vest includes an attachment device 130, a coating layer 140, a backing layer 210, and a target surface 220 formed on a substrate layer 150.例文帳に追加
着弾マーキングベストは、取付具130、被覆層140、基材層210、及び基層150から形成されるターゲット面220を備える。 - 特許庁
A first light shielding layer 21 and a second light shielding layer 22 are deposited on an element substrate 10, and a resist mask is formed on the second light shielding layer 22.例文帳に追加
素子基板10に第1遮光層21、及び第2遮光層22を成膜して、第2遮光層22上にレジストマスクを形成する。 - 特許庁
An n-type buffer layer 2, an n^--type drift layer 3, and a p-type base layer 5 are laminated on an n^+-type 4H-SiC substrate 1 in this order.例文帳に追加
n^+型4H−SiC基板1の上に、n型バッファー層2と、n^-型ドリフト層3と、p型ベース層5とが、この順に積層されている。 - 特許庁
The bottom face of the silicon substrate 5 is connected to solder balls 40 for heat dissipation via an internal heat dissipation layer 2 and a lower layer heat dissipation layer 35.例文帳に追加
なお、シリコン基板5の下面は、内部放熱層2および下層放熱層35を介して放熱用半田ボール40に接続されている。 - 特許庁
A gate layer 14 of a polycrystalline silicon or the like is arranged near the surface of a substrate 12 and a hard mask layer 16 is formed on the gate layer 14.例文帳に追加
多結晶シリコンなどのゲート層14は、基板12の表面近くに配置され、ハードマスク層16がゲート層14の上に形成される。 - 特許庁
The camera protective cover 2A is constituted by forming a scratch preventing layer, a silica water-vapor transmission preventing layer and a water repellent layer on the surface of the resin substrate in this order.例文帳に追加
樹脂基板の表面に、傷付き防止層、シリカ透湿防止層及び撥水層がこの順で形成されてなるカメラ用保護カバー2A。 - 特許庁
The adhesion layer 2 is composed of two layers, and is configured such that a first layer 2a and a second layer 2b are stacked in this order from the side of the resin substrate 1.例文帳に追加
密着層2は、2層からなり、樹脂基板1側から、第1の層2a、第2の層2bをこの順で積層して構成される。 - 特許庁
An IGBT 1 is constituted by forming a support substrate 11, a buried silicon oxide layer 12, a silicon semiconductor layer 13, and an insulating layer 23 in order.例文帳に追加
IGBT1では、支持基板11と埋め込み酸化シリコン層12とシリコン半導体層13と絶縁層23とが順に形成されている。 - 特許庁
A first clad layer 15, an active layer 17, and a second clad layer 19 are mounted on the principal surface 13a of the semiconductor substrate 13.例文帳に追加
第1のクラッド層15、活性層17及び第2のクラッド層19が半導体基板13の主面13a上に設けられている。 - 特許庁
A lower DBR (distributed Bragg reflector) layer 1, a core layer 2, an upper DBR layer 3, and a dielectric multilayer film 6 are sequentially layered on an n-InP substrate 11.例文帳に追加
n−InP基板11上に下部DBR層1、コア層2、上部DBR層3、誘電体多層膜6が順次積層される。 - 特許庁
In the display plate composed by providing a metallic layer 5 on a substrate 1 made of a synthetic resin, a colored dot layer 6 is provided on the metallic layer 5.例文帳に追加
合成樹脂からなる基板1にメタリック層5を設けてなる表示板において、メタリック層5上に有色ドット層6を設けた。 - 特許庁
The light emitting element 100 has a p-electrode 103, a p-type layer 104, an active layer 105, and an n-type layer 106 on a ceramic substrate 101.例文帳に追加
発光素子100は、セラミック基板101上にp電極103、p型層104、活性層105、n型層106を有している。 - 特許庁
Next, on the second main surface MP2 of the light-emitting layer growth preparing layer 8 of the substrate 50, the layer part 24 is epitaxially grown.例文帳に追加
次に、該複合透光性基板50の発光層成長準備層8の第二主表面MP2に発光層部24をエピタキシャル成長する。 - 特許庁
A light-absorbing layer 12 is formed on a substrate 11, and an electron-emitting layer 13 is formed on the light-absorbing layer 12.例文帳に追加
基板11の上層に光吸収層12が形成され、光吸収層12の上層に電子放出層13が形成されている。 - 特許庁
To prevent a semiconductor substrate from being short-circuited to a silicide layer formed on an epitaxially-grown layer and the epitaxially-grown layer.例文帳に追加
エピタキシャル成長層上に形成したシリサイド層やエピタキシャル成長層と半導体基板とがショートを起こすのを防止することを可能にする。 - 特許庁
A first laminate 10 constituting the optical recording medium has a light absorption layer 2, a reflection layer 3 and a protective layer 4 on a substrate 1.例文帳に追加
光記録媒体を構成する第1積層体10は、基板1上に光吸収層2、反射層3及び保護層4を備える。 - 特許庁
This tilt magnetic recording medium is provided with a magnetic recording layer having the recording layer 34 and the soft substrate layer (SUL) 32 of L1_0 magnetic materials deposited in orientation (111).例文帳に追加
傾斜磁気記録媒体は、(111)配向で堆積されたL1_0磁性材料の記録層34と軟下地層(SUL)32を持つ磁気記録層を有する。 - 特許庁
A front surface electrode layer 2, a power generation layer 3, a back surface electrode layer 4, and a protective film 5 are laminated on a glass substrate 1 in this order.例文帳に追加
ガラス基板1上に、表面電極層2、発電層3、裏面電極層4および保護膜5が当該順に積層されている。 - 特許庁
An intermediate layer 11 having transparency, a positive electrode layer 12 having transparency, and an organic layer 13 are laminated in this order on a transparent substrate 10.例文帳に追加
透明基板10上に、透明性を有する中間層11、透明性を有する陽極層12、有機層13を順に積層する。 - 特許庁
A plurality of circuit blocks 5 are formed by sequentially laminating on a long-length substrate 1 a base insulating layer 2, a conductor layer 3, and a cover insulating layer 4.例文帳に追加
長尺基板1上にベース絶縁層2、導体層3およびカバー絶縁層4を順に積層し、複数の回路ブロック5を形成する。 - 特許庁
A conductive layer 12a is laminated on an insulating substrate 11, and a semiconductor layer 3a is laminated on the conductive layer 12a.例文帳に追加
絶縁性基板11上に導電性層12aを積層し(図1(a))、導電性層12a上に半導体層3aを積層する(図1(b))。 - 特許庁
An oxidation degree adjusting layer is provided between the substrate and a ferromagnetic layer and average oxygen concentration of the ferromagnetic layer in a layering direction is specified to be ≤5at%.例文帳に追加
基板と強磁性層との間に酸化度調整層を設け、強磁性層の積層方向の平均酸素濃度を5at%以下とする。 - 特許庁
A metal layer 2 and a first resist layer 3 are laminated in this order on one surface of a transparent substrate 1, and patterning of the first resist layer 3 is performed.例文帳に追加
透明基板1の一方側表面に金属層2と第1レジスト層3とをその順に積層し、第1レジスト層3をパターニングする。 - 特許庁
The layer 30 is formed by alternately printing a black ink layer 31 and a white ink layer 32 on the sheet substrate 60 in parallel with each other.例文帳に追加
第2記録層30は、黒インキ層31と白インキ層32とを交互平行にシート基材60の上に印刷して形成したものである。 - 特許庁
Mo layers (the first layer) 3 and Si layers (the second layer) 4 are laminated alternately on a surface of a substrate in the multi-layer film reflecting mirror 1.例文帳に追加
多層膜反射鏡1の基板2の表面には、Mo層(第1層)3とSi層(第2層)4とが交互に積層形成されている。 - 特許庁
The element is provided with a glass substrate 1 on which an anode 2, a CuPc film 3, hole transporting layer 4, light emitting layer 5, electron transporting layer 6, and a cathode 7 are laminated.例文帳に追加
ガラス基板1上に陽極2、CuPc膜3、正孔輸送層4、発光層5、電子輸送層6、陰極7が積層されている。 - 特許庁
A first cladding layer 15, an active layer 17, and a second cladding layer 19 are formed on the primary surface 13a of the semiconductor substrate 13.例文帳に追加
第1のクラッド層15、活性層17及び第2のクラッド層19が半導体基板13の主面13a上に設けられている。 - 特許庁
A substrate 1 holds a stack 2 of layers with a phase-change recording layer 5 between a first dielectric layer 4 and a second dielectric layer 6.例文帳に追加
基板1は、第一の誘電体の層4と第二の誘電体の層6との間に相変化記録層5をもつ層のスタック2を保持する。 - 特許庁
The LED chip 4 comprises a lower clad layer 12, an active layer 13, and an upper clad layer 14 formed sequentially on a semiconductor substrate 11.例文帳に追加
LEDチップ4は、半導体基板11の上に、下クラッド層12、活性層13、および上クラッド層14が順に形成されてなる。 - 特許庁
An insulating layer 12 is formed on a semiconductor substrate 11, and a groove 12a used for forming a wiring layer 15 is provided in the prescribed region of the insulating layer 12.例文帳に追加
絶縁層12は、半導体基板11上に形成され、所定領域に配線層15を形成するための溝12aを有する。 - 特許庁
The nitrogen gas G is blown to the alignment layer 13 gradually along the longitudinal direction of the alignment layer 13 on the glass substrate 12 to dry the alignment layer 13.例文帳に追加
この窒素ガスGをガラス基板12上の配向膜13における長手方向に沿って徐々に吹き付けて、この配向膜13を乾燥させる。 - 特許庁
On the non magnetic substrate 1, preferably a core forming layer 2 is formed, and a multilayer soft magnetic backing layer 3 including antiferromagnetic film is formed on the layer 2.例文帳に追加
非磁性基板1上に、好ましくは核付け層2を設け、この上に反強磁性膜を含む多層軟磁性裏打ち層3を成膜する。 - 特許庁
Also, the insulating separative layer 6 comprises an insulating film 6a and a conductive layer 6b, and separates in an insulating way its Si layer 12 from its Si substrate 1.例文帳に追加
また、絶縁分離層6は、絶縁膜6aおよび導電層6bからなり、Si層12とSi基板1との間を絶縁分離する。 - 特許庁
The lower electrode, constituted of a conductive layer and a conductive layer oxide film obtained by oxidizing the conductive layer, is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板上に、導電層と、前記導電層を酸化させた導電層酸化膜とより構成された下部電極を形成する。 - 特許庁
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