「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(72ページ目) - Weblio英語例文検索

On a substrate 10, a lower clad layer 21, an active layer 22, an upper clad layer 23 and a contact layer 24 are formed in this order, and the upper part of the upper clad layer 23 and the contact layer 24 serve as a ridge waveguide 25.例文帳に追加

基板１０上に、下部クラッド層２１、活性層２２、上部クラッド層２３およびコンタクト層２４がこの順に形成されており、上部クラッド層２３の上部およびコンタクト層２４が帯状のリッジ導波路２５となっている。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element 10 includes: a lower electrode layer 11; a semiconductor substrate 12; a lower clad layer 13; an active layer 16; a cap layer 17; a level difference confinement layer 19; current constriction structures 21A and 21B; and an upper electrode layer 23.例文帳に追加

半導体発光素子１０は、下部電極層１１、半導体基板１２、下部クラッド層１３、活性層１６、キャップ層１７、段差閉じ込め層１９、電流狭窄構造２１Ａ，２１Ｂ、および上部電極層２３を含む。 - 特許庁

An epitaxy structure (200) established on the surface of a substrate (100) includes, from bottom to top, a bottom cladding layer (210), a bottom waveguide layer (220), a light-emitting layer (230), an upper waveguide layer (240), an upper cladding layer (250), and an electrode contact layer (260).例文帳に追加

基板(100)表面に構築されたエピタキシー構造体(200)は、下部クラッド層(210)、下部導光層(220)、発光層(230)、上部導光層(240)、上部クラッド層(250)および電極接触層(260)を含み、これらの層は下から上に積み上げられる。 - 特許庁

A buffer layer (GaN) 12, a channel layer (GaN) 13, a carrier supply layer (n-AlGaN) 14 and a Schottky layer (AlGaN) 15 are sequentially laminated on a sapphire substrate 11, and a cap layer (GaN) 16 is laminated on the Schottky layer 15.例文帳に追加

サファイア基板１１上に、バッファ層（ＧａＮ）１２、チャネル層（ＧａＮ）１３、キャリア供給層（ｎ−ＡｌＧａＮ）１４、ショットキ層（ＡｌＧａＮ）１５を順次積層し、そのショットキ層１５の上に、キャップ層（ＧａＮ）１６を積層する。 - 特許庁

On a nonmagnetic substrate 1, a soft magnetic backing layer 2, an undercoat layer 3, a first magnetic recording layer 5, a nonmagnetic separation layer 6, a second magnetic recording layer 7, a protection film 8 and a liquid lubricant layer 9 are laminated in this order.例文帳に追加

非磁性基体１上に、軟磁性裏打ち層２と下地層３と第１の磁気記録層５と非磁性分離層６と第２の磁気記録層７と保護膜８と液体潤滑材層９とを順次積層して構成されている。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor light-emitting element has a structure in which an n-type contact layer 11, an ESD layer 12, an n-type cladding layer 13, a light-emitting layer 14, a p-type cladding layer 15, and a p-type contact layer 16 are stacked on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

III 族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板１０上に、ｎ型コンタクト層１１、ＥＳＤ層１２、ｎ型クラッド層１３、発光層１４、ｐ型クラッド層１５、ｐ型コンタクト層１６が積層された構造である。 - 特許庁

The charge trap memory device includes a tunnel insulating layer provided on a substrate, a charge trap layer provided on the tunnel insulating layer, and a blocking insulating layer provided on the charge trap layer, wherein the blocking insulating layer is composed of a substance containing a lanthanide element.例文帳に追加

基板上に形成されたトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜上に形成された電荷トラップ層と、電荷トラップ層上にランタン族元素を含む物質からなるブロッキング絶縁膜と、を備える電荷トラップ型メモリ素子である。 - 特許庁

In the laminate for heat sealing, a sealant layer of an ethylene-methyl methacrylate copolymer is laminated on a substrate layer of polyethylene terephthalate, a resin coating layer of a polyester is laminated on the sealant layer, and the resin coating layer is arranged to be the innermost layer in packaging.例文帳に追加

ポリエチレンテレフタレートからなる基材層に、エチレン・メチルメタクリレート共重合体からなるシーラント層を積層し、さらに、該シーラント層上にポリエステルからなる樹脂コーティング層を積層し、該樹脂コーティング層を包装時の最内層とする。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor layer 2 has an n-type contact layer 21, a quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron block layer 23, and a p-type contact layer 24 formed sequentially from the GaN single crystal substrate 1 side.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に積層されたｎ型コンタクト層２１、量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を有している。 - 特許庁

The method for the production of organic plate particles comprises the use of an organic layer transfer sheet at least having a mat layer and an organic layer on a substrate, the thermal transfer of the organic layer to a transfer object, the peeling of the organic layer and the crushing of the peeled layer.例文帳に追加

基材上に少なくともマット層、有機層を設けた有機層転写シートを被転写体に対して、有機層を熱転写した後、有機層を剥がしとり粉砕する有機板状粒子の製造方法である。 - 特許庁

A light-emitting device includes: an n-type layer; a p-type layer; an active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer; and a substrate having a first surface for receiving the active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer.例文帳に追加

発光素子は、N型層と、P型層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層を受け入れる第1面を有する基板と、を含む。 - 特許庁

The invented solar cell is composed of a substrate 1, an FTO layer 2, a shield TiO2 layer 3, a sensitized TiO2 layer 4 with a fluoride layer, a hole transport material (HTM) 5, a second fluoride layer 6 and an Au layer 7.例文帳に追加

本発明の太陽電池は、基板１、ＦＴＯ層２，遮蔽ＴｉＯ２層３、フッ素化物層を備え増感されたＴｉＯ２層４、ホール輸送材料（ＨＴＭ）５，第２のフッ素化物層６，及びＡｕ層７とから構成されている。 - 特許庁

The organic electroluminescent element is constituted in such a way that a transparent electrode layer, an organic material layer including an organic light-emitting material layer, a non-transparent electrode layer, an insulating layer, a metal layer, and a resin film are laminated in this order on the surface of a transparent substrate.例文帳に追加

透明基板の表面に、透明電極層、有機発光材料層を含む有機材料層、不透明電極層、絶縁層、金属層、そして樹脂フイルムがこの順に積層された構成の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

The laser part 2 and the light deflection part 3 are configured by successively laminating an n-type clad layer, an n-type guide layer, a multiple quantum well layer, a p-type guide layer, a p-type clad layer and a p-type contact layer on an n-GaAs substrate.例文帳に追加

またレーザ部２及び光偏向部３は、ｎ−ＧａＡｓ基板上に、ｎ型クラッド層、ｎ型ガイド層、多重量子井戸層、ｐ型ガイド層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層が順次積層されて構成されている。 - 特許庁

In the liquid crystal display device which has at least a liquid crystal layer and an alignment layer in a plastic substrate, the resistance ratio of the alignment film layer to the liquid crystal layer (alignment film layer/liquid crystal layer) is ≤10.例文帳に追加

プラスチック基板内に少なくとも液晶層と配向層を有する液晶表示素子において、配向膜層と液晶層の抵抗比（配向膜層／液晶層）が１０以上であることを特徴とする液晶表示素子。 - 特許庁

This wiring structure in the semiconductor device consists of a lower layer conductive region 18 formed on a semiconductor substrate 10, an upper layer wiring layer 32 formed on an insulation layer 22B for covering the lower layer conductor region 18, and a connection hole 28 that electrically connects the lower layer conductive layer to the upper layer wiring layer.例文帳に追加

半導体装置における配線構造は、半導体基板１０に形成された下層導体領域１８と、下層導体領域１８を被覆する絶縁層２２Ｂ上に形成された上層配線層３２と、下層導体層と上層配線層とを電気的に接続する接続孔２８とから成る。 - 特許庁

An N-type GaAs buffer layer, an N-type InGaP clad layer, an InGaAsP barrier layer, an InGaAs active layer, an InGaAsP barrier layer, a P-type InGaP clad layer, a P-type InGaAsP etching stop layer, a P-type InGaP clad layer, and a P-type GaAs contact layer are successively laminated on an N-type GaAs substrate.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板11上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層12、ｎ型ＩｎＧａＰクラッド層13、ＩｎＧａＡｓＰバリア層14、ＩｎＧａＡｓ活性層15、ＩｎＧａＡｓＰバリア層16、ｐ型ＩｎＧａＰクラッド層17、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰエッチングストップ層18、ｐ型ＩｎＧａＰクラッド層19、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層20を順次積層する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a semiconductor layer formed on a substrate, an insulating layer, the semiconductor layer while is so patterned as to expose a part of the semiconductor layer, a barrier layer formed over parts of the exposed insulating layer and semiconductor layer, and a conductive layer formed on the barrier layer.例文帳に追加

半導体デバイスは、基板上に形成された半導体層と、半導体層上に形成され、半導体層の一部を露出させるようにパターニングされた絶縁層と、絶縁層および半導体層の露出部分上に形成されたバリア層と、バリア層上に形成された導電層とを含んでいる。 - 特許庁

The heat dissipation structure includes a substrate, a surface layer formed on both surfaces or one surface of the substrate and comprising Al or an Al alloy layer, and an aluminum carbide whisker layer growing outward from the surface layer, wherein a melting point of the surface layer is lower than the melting point of the substrate.例文帳に追加

基板と、該基板の両面又は片面に形成されたＡl又はＡl合金層からなる表面層と、及び該表面層から外側に向かって成長している炭化アルミニウムウィスカー層とを有し、表面層の融点が基板の融点よりも低いことを特徴とする放熱構造により、上記課題が解決される。 - 特許庁

This optical information card is similar to a reading type optical information card prepared by forming recording pits on a transparent substrate, sequentially laminating a reflective layer and a protective layer, or to a recording type optical information card prepared by laminating a recording layer, a reflective layer and a protective layer on the transparent substrate, formed by sticking a substrate.例文帳に追加

透明基板の上に記録ピットを形成し、反射層、保護層を順次積層して作成した読み取り型光情報カードまたは、透明基板の上に記録層、反射層、保護層を積層して作成した記録型光情報カードと、同様の光情報カードまたは基板を張り合わせる光情報カードとする。 - 特許庁

This method includes the step of forming a concave/convex pattern in the surface of a 2P resin layer formed on a flat substrate, the step of forming a recording layer on the concave/convex pattern, and the step of peeling the flat substrate from the 2P resin layer after the 2P resin layer and the recording layer are bonded to the support substrate of an optical recording medium.例文帳に追加

平坦基板上に塗布された２Ｐ樹脂層の表面に凹凸パターンを形成し、前記凹凸パターン上に記録層を形成し、前記２Ｐ樹脂層及び前記記録層を光記録媒体の支持基板上に接着した後に、前記平坦基板を前記２Ｐ樹脂層から剥離する光記録媒体の製造方法。 - 特許庁

The wiring structure of the semiconductor device comprises a semiconductor substrate, a conductive doping layer which is formed in a part on the semiconductor substrate, and is doped into the polarity opposite to that of the semiconductor substrate, a conductive layer formed on the doping layer, and an insulating doping layer formed in the lower part of the doping layer.例文帳に追加

半導体基板と、前記半導体基板上の一部に形成され、前記半導体基板と反対極性にドーピングされた導電性ドーピング層と、前記ドーピング層上に形成された導電層と、前記ドーピング層の下部に形成された絶縁性ドーピング層と、を含む半導体素子の配線構造体。 - 特許庁

The array substrate 20 includes: an array substrate body 21; a color filter layer 22 which is provided on the array substrate body 21 and made of a plurality of coloring layers 24 corresponding to each pixel and a light shielding layer 23 provided between these coloring layers 24; and a switching element layer provided on an upper layer of the color filter layer 22.例文帳に追加

アレイ基板２０は、アレイ基板本体２１と、アレイ基板本体２１上に設けられ、各画素に対応する複数の着色層２４、及びこれらの着色層２４の間に位置する遮光層２３からなるカラーフィルタ層２２と、カラーフィルタ層２２の上層に設けられたスイッチング素子層と、を備えている。 - 特許庁

An SOI substrate 1 equipped with an insulating layer 1b on an Si substrate 1a and an Si layer 1c on the insulating layer is equipped with SiGe layers 2 and 3 on the Si layer of the SOI substrate, and the SiGe layer partially has a slanting composition area 2 whose Ge composition ratio is gradually increased toward the surface.例文帳に追加

Ｓｉ基板１ａ上に絶縁層１ｂ及び該絶縁層上にＳｉ層１ｃを備えたＳＯＩ基板１と、該ＳＯＩ基板における前記Ｓｉ層上のＳｉＧｅ層２，３とを備え、該ＳｉＧｅ層は、少なくとも一部にＧｅ組成比を表面に向けて漸次増加させた傾斜組成領域２を有する。 - 特許庁

The element main body unit 60 comprises an n-type GaAs single crystal substrate 1 (shown simply as a substrate hereinafter) as a substrate for growth, an n-type GaAs buffer layer 2 formed on a first main surface, a light emitting layer unit 24 formed on the buffer layer 2, and a current diffusion layer 20 formed on the light emitting layer unit.例文帳に追加

この素子本体部６０は、成長用基板としてのｎ型ＧａＡｓ単結晶基板（以下、単に基板という）１と、その第一主表面上に形成されるｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、このバッファ層２上に形成される発光層部２４と、この発光層部上に形成される電流拡散層２０とを含む。 - 特許庁

By the use of a second substrate 201 as a transfer object, a first thin film device layer 103 is transferred via an adhesive layer 204 on a second thin film device layer 203 formed on the second substrate 201 so that the first thin film device layer 103 and the second thin film device layer 203 may be formed on the second substrate 201.例文帳に追加

第二基板２０１を転写体として、第二基板２０１上に形成された第二薄膜デバイス層２０３上に接着層２０４を介して第一薄膜デバイス層１０３を転写して、第二基板２０１上に第一薄膜デバイス層１０３と第二薄膜デバイス層２０３を形成する。 - 特許庁

The interposer comprises a substrate 10; a first conductive layer 17 that becomes a signal line 21 provided on the substrate 10; and a second conductive layer 14 that becomes shielded wiring, is provided on the substrate 10, and is provided on the first conductive layer 17 so that the first conductive layer 17 is surrounded while holding an insulating layer 19 in-between.例文帳に追加

インターポーザは、基板１０と、基板１０上に設けられた信号線２１となる第１導電層１７と、基板１０上に設けられ、第１導電層１７の上に、間に絶縁層１９を夾んで第１導電層１７を囲うように設けられ、シールド配線となる第２導電層１４とを含む。 - 特許庁

In a wiring substrate 4, consisting of an insulation substrate 1 and a wiring layer 2 that is deposited and formed on the surface of the insulation substrate 1, a copper-plated layer 6, a nickel-plated layer 7 that is made of essentially an amorphous alloy of nickel-phosphorous, and a gold-plated layer 8 are successively deposited on the surface of the wiring layer 2.例文帳に追加

絶縁基体１と、該絶縁基体１の表面に被着形成された配線層２とから成る配線基板４であって、前記配線層２の表面に銅めっき層６と、ニッケル−リンの実質的にアモルファス合金から成るニッケルめっき層７と、金めっき層８とを順次被着させた。 - 特許庁

The substrate for an electroluminescent element comprises a transparent substrate 1, a color conversion layer 2 formed on the transparent substrate, a coating layer 3 for flattening applied on the color conversion layer, and a gas barrier layer 4 made of an evaporation film formed on the coating layer 3 for flattening.例文帳に追加

透明基材１と、前記透明基材上に形成された色変換層２と、前記色変換層上に形成された平坦化用コート層３と、前記平坦化用コート層上に形成された蒸着膜からなるガスバリア層４とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子用基板を提供する。 - 特許庁

The CMOSN-type substrate diode for temperature sensor (50) is provided with an n-type substrate (51), a p-type well layer (52) formed in the n-type substrate, an n-type high concentration layer (53) formed in the p-type layer and a p^+-diffusion layer (57) formed near a surface of the n-type high concentration layer.例文帳に追加

温度センサ用ＣＭＯＳＮ型基板ダイオード（５０）は、Ｎ型基板（５１）と、このＮ型基板内に形成されたＰｗｅｌｌ層（５２）と、このＰｗｅｌｌ層内に形成されたＮ型高濃度層（５３）と、このＮ型高濃度層の表面近傍に形成されたｐ^＋拡散層（５７）とを有する。 - 特許庁

The optical film comprises a substrate containing triacetyl cellulose and is characterized in that: one surface of the substrate is subjected to a pretreatment by reactive ion etching using plasma; a first functional layer is formed on the one surface of the substrate; and the first functional layer is one of a hard coat layer, an antistatic layer and an IR absorbing layer.例文帳に追加

トリアセチルセルロースを有する基材からなり、基材の一方の面に、プラズマを利用した反応性イオンエッチングによる前処理が施され、基材の一方の面上に第１の機能層が形成され、第１の機能層はハードコート層、帯電防止層及び赤外線吸収層のいずれかであることを特徴とする光学フィルム。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step to form a sacrifice layer on a substrate, a step to form the thin film fuel cell layer on the sacrifice layer and to connect it to the substrate, and a step to remove the sacrifice layer and to form a gap to become a reaction gas pathway between the thin film fuel cell layer and the substrate.例文帳に追加

本発明によれば、燃料電池の製造方法は、基板上に犠牲層を形成するステップ、犠牲層上に薄膜燃料電池層を形成させ基板に接続するステップ、犠牲層を除去し薄膜燃料電池層と基板との間に反応ガス経路となる間隙を形成させるステップからなる。 - 特許庁

The organic EL display device 20 has a glass substrate 21 as a transparent substrate, a transparent electrode layer 22 formed on the transparent substrate 21, an organic EL light emission layer 23 formed on the transparent electrode layer 22 and an organic EL element consisting of a metallic electrode layer 24 formed on the organic EL light emission layer 23.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置２０は、透明基板としてのガラス基板２１と、透明基板２１上に形成された透明電極層２２、透明電極層２２上に形成された有機ＥＬ発光層２３及び有機ＥＬ発光層２３上に形成された金属電極層２４よりなる有機ＥＬ素子とを備えている。 - 特許庁

A contact section for connecting a semiconductor substrate 24 and a wiring layer 44, comprising a high-concentration impurity layer formed on the surface of the semiconductor substrate 24 via an insulating layer 42, comprises a silicon-based conductive film 48 that penetrates the wiring layer 44 and the insulating layer 42 and makes contact with the semiconductor substrate 24.例文帳に追加

半導体基板２４と、半導体基板２４表面に絶縁層４２を介して形成された高濃度不純物層からなる配線層４４と、を接続するコンタクト部を、配線層４４および絶縁層４２を貫通して半導体基板２４に接するシリコン系導電性膜４８で構成した。 - 特許庁

A magnetic recording layer formed on a substrate 1 is a perpendicular magnetization layer 21 on which recording is carried out by magnetization in a direction perpendicular to the substrate 1, and a lining layer 22 is provided in the substrate 1 side of the perpendicular magnetization layer 21 so as to set the direction of the magnetization on the perpendicular magnetization layer 2 more in a perpendicular direction.例文帳に追加

基板１上に形成された磁気記録層は、基板１に垂直な方向での磁化により記録が行われる垂直磁化層２１であり、垂直磁化層２１における磁化の方向がより垂直な方向に向くようにする裏打ち層２２が垂直磁化層２１の基板側１に設けられている。 - 特許庁

The electrostatographic article includes a substrate, a charge generator layer overcoated on the substrate (which layer is sensitive to blue light), and a charge transport layer overcoated on the charge generator layer (which charge transport layer is transparent to the blue light).例文帳に追加

支持体、支持体上にオーバーコートされた電荷発生層（その層は青色の光に感受性である）、及び電荷発生層上にオーバーコートされた電荷輸送層（その電荷輸送層は青色の光に対し透過性である）を含むことを特徴とする静電写真物品。 - 特許庁

This magnetic disk device is provided with: a magnetic recording medium including a data recording layer including a magnetic recording layer formed on one surface of a substrate, and a shield layer including a soft magnetic layer and including no magnetic recording layer formed on another surface of the substrate; and a magnetic head.例文帳に追加

基板の一方の面に形成された磁気記録層を含むデータ記録層および基板の他方の面に形成された軟磁性層を含み磁気記録層を含まないシールド層を有する磁気記録媒体と、磁気ヘッドとを有することを特徴とする磁気ディスク装置。 - 特許庁

The diode, having an n-type semiconductor layer provided on a surface of a p-type semiconductor substrate and also having the current path formed in the horizontal direction of the substrate, has an anode electrode structure formed by laminating a molybdenum silicide layer, a Ti layer, and an Al layer on a surface of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体基板表面にｎ型半導体層を設け、基板の水平方向に電流経路が形成されるダイオードにおいて、ｎ型半導体層表面に、モリブデンシリサイド層、Ｔｉ層およびＡｌ層を積層したアノード電極構造とする。 - 特許庁

An optical conversion device of one embodiment includes a first conductivity-type substrate (p-type single crystalline silicon substrate 100); a first intermediate layer (i-type semiconductor layer 110 or a dielectric layer 160); and a second conductivity-type semiconductor layer (n-type semiconductor layer 120).例文帳に追加

本発明の一態様の光電変換装置は、第１導電型基板（ｐ型単結晶シリコン基板１００）、第１の中間層（ｉ型半導体層１１０または絶縁層１６０）、及び第２導電型半導体層（ｎ型半導体層１２０）を備える。 - 特許庁

Two layers are delaminated by heating the substrate 4 constituted of a GaN layer 3 and a holding layer 2 from the holding layer 2 side to raise the temperature of the substrate 4 and irradiating with laser beam 5 having a wave length transmitting the holding layer 2 and absorbed by the GaN layer 3.例文帳に追加

ＧａＮ層３と保持層２とで構成される基板４を保持層２から加熱して基板４温度を上昇させ、保持層２を透過し、ＧａＮ層３に吸収される波長のレーザ光５をこの保持層２側から照射して二つの層を剥離させる。 - 特許庁

A CMOS image sensor includes: a silicon substrate; a silicon germanium epitaxial layer formed over the substrate; an undoped silicon epitaxial layer formed over the silicon germanium epitaxial layer; and a photodiode region formed in a predetermined depth from a top surface of the undoped silicon epitaxial layer to a part of the silicon germanium epitaxial layer.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサは、シリコン基板と、この基板上のシリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、この層上のアンドープのシリコンエピタキシャル層と、この層の表面からシリコンゲルマニウムエピタキシャル層の一部に至るまでの所定の深さに形成されたフォトダイオード領域とを備える。 - 特許庁

A semiconductor substrate includes a porous layer 12 formed on a substrate 11, a semiconductor layer 13 formed on the porous layer 12, and a strain inductive region 14 which generates strain in the semiconductor layer 13 by applying a stress to the semiconductor layer 13.例文帳に追加

半導体基体は、基板１１上に形成された多孔質層１２と、多孔質層１２上に形成された半導体層１３と、半導体層１３に応力を加えて半導体層１３に歪みを生じさせる歪み誘起領域１４と、を備える。 - 特許庁

The image forming paper consists of a substrate having at least a paper layer, a porous film layer formed on the substrate, and a forming layer formed on the porous film layer, and the density of the paper layer is ≥1.0 g/cm^3.例文帳に追加

少なくとも紙層を有する基材と、前記基材の上に形成された多孔フィルム層と、前記多孔フィルム層の上に形成された受容層とからなる受像紙において、前記紙層の密度が１．０ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする。 - 特許庁

Then second mesa junction B extending the boundary between the first Al-containing compound semiconductor layer 20 and substrate 2 or to the surface of the substrate 2 are formed from the contact layer 4 toward the lower layers, and the semiconductor layer 20 is converted into an insulating layer 20a by oxidizing the layer 20.例文帳に追加

コンタクト層４から下層に向かって、第１の含Ａｌ化合物半導体層２０と基板２の界面または基板２の表層に至る第２のメサＢを形成し、第１の含Ａｌ化合物半導体層２０を酸化させて絶縁層２０ａに転化する。 - 特許庁

This magneto-optical recording medium is provided with a transparent substrate 14, a magnetic reproducing layer 18' laminated on the transparent substrate 14, a magnetic control layer 20' laminated on the magnetic reproducing layer 18' and a magnetic recording layer 22 laminated on the magnetic control layer 20'.例文帳に追加

光磁気記録媒体は透明基板１４と、透明基板１４上に積層された磁性再生層１８′と、磁性再生層１８′上に積層された磁性制御層２０′と、磁性制御層２０′上に積層された磁性記録層２２とを含んでいる。 - 特許庁