「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(71ページ目) - Weblio英語例文検索

The vertical orientation liquid crystal display panel 2 includes: a TFT substrate 20 provided with a pixel electrode 25 and an orientation layer 26; an opposite substrate 30 provided with an opposite electrode 34, an orientation layer 35 and a CF layer 32; and a liquid crystal layer 40 sandwiched between the TFT substrate 20 and an opposite substrate 30.例文帳に追加

垂直配向型の液晶表示パネル２は、画素電極２５および配向膜２６を備えたＴＦＴ基板２０と、対向電極３４、配向膜３５およびＣＦ層３２を備えた対向基板３０と、ＴＦＴ基板２０と対向基板３０との間に挟持された液晶層４０とを備えている。 - 特許庁

The chip resistor comprises a chip substrate having a rectangular shape, when viewed planarly; a resistor layer provided on the surface of the chips substrate; and a protective layer that covers the resistor layer and the surface of the chip substrate, wherein roughness regions which are formed with recessed portions are provided on the surface of the substrate coated with the protective layer.例文帳に追加

平面視矩形状としたチップ基板と、このチップ基板の表面に設けた抵抗体層と、この抵抗体層とともにチップ基板の表面を被覆する保護層とを有するチップ抵抗器において、保護層で被覆されるチップ基板の表面に、凹部が形成された凹凸領域を設ける。 - 特許庁

The support substrate 16 is composed by forming a substrate electrode 20 on the surface of a ceramic substrate 161 made of AlN on the side of the semiconductor layer 11 and a back surface electrode layer 21 on the surface on the opposite side, and connecting the substrate electrode layer 20 to the back surface electrode layer 21 with conductive paste 165 filled in a via 164.例文帳に追加

支持基板１６は、ＡｌＮからなるセラミック基板１６１の半導体層１１側の面に基板電極層２０、その反対側の面に裏面電極層２１が形成され、ビア１６４に充填された導電性ペースト１６５によって基板電極層２０と裏面電極層２１が接続された構造である。 - 特許庁

The display panel includes a first substrate for which a substrate body 11 is a glass substrate, a second substrate provided opposed to it, a display medium layer provided between the substrates, and a sealant 40 provided so as to surround the display medium layer between the first substrate and the second substrate join both substrates and seal the display medium layer.例文帳に追加

表示パネルは、基板本体１１がガラス基板である第１基板と、それに対向して設けられた第２基板と、それらの基板間に設けられた表示媒体層と、第１基板と第２基板との間に表示媒体層を周回するように設けられ両基板を接着すると共に表示媒体層を封止するシール４０と、を備える。 - 特許庁

The device comprises a substrate, an electrode layer formed on the substrate, an organic light-emitting structure layer formed on the electrode layer, a transparent conductive layer formed at an upper part of the structure layer, a distribution black reflective layer formed on an upper part of the conductive layer and a light dispersion layer formed on the upper part of the reflective layer.例文帳に追加

有機発光ディスプレイ装置は、基板と、前記基板上に形成された電極層と、前記電極層上に形成された有機発光構造層と、前記有機発光構造層の上方に形成された透明導電層と、前記透明導電層の上方に形成された分布ブラッグ反射層と、前記分布ブラッグ反射層の上方に形成された光散乱層とを備えている。 - 特許庁

The MRAM includes: a substrate; a lower wiring layer formed on the upper part of the substrate; an upper wiring layer formed on the upper part of the lower wiring layer; a magnetic shield layer arranged at a first height between the lower wiring layer and the upper wiring layer and having a plurality of holes formed on the layer; and an MRAM element part arranged between the lower wiring layer and the upper wiring layer.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、基板と、その基板の上方に形成された下部配線層と、その下部配線層の上方に形成された上部配線層と、下部配線層と上部配線層との間の第１高さに配置され、複数の孔が形成された磁気シールド層と、前記下部配線層と上部配線層との間に配置された磁気ランダムアクセスメモリ素子部とを備える。 - 特許庁

The shield material includes: a transparent substrate 10; a first adhesive layer 12 formed on the transparent substrate 10; a resin layer 14 formed on the first adhesive layer 12; a patterned metal layer 16a formed on the resin layer 14; and an antireflective layer 20 formed on the pattern 16a on the metal layer and the resin layer 14 via a third adhesive layer 12b.例文帳に追加

透明基材１０と、透明基材１０上に形成された第１の粘着層１２と、第１の粘着層１２上に形成された樹脂層１４と、樹脂層１４上にパターン化されて形成された金属層１６ａと、金属層のパターン１６ａ及び樹脂層１４の上に、第３の粘着層１２ｂを介して形成された反射防止層２０とを含む。 - 特許庁

A reverse-side electrode 300 has a laminated structure of a Ti silicide layer 301, a Ti layer 302, a Ni layer 303, a Ag layer 304, and a Au layer 305 which are laminated in order from a Si substrate 101 side, or a laminated structure of a Ti silicide layer 301, a Ni layer 303, a Ag layer 304, and a Au layer 305 which are laminated in order from a Si substrate 101 side.例文帳に追加

裏面電極３００は、Ｓｉ基板１０１側から順にＴｉシリサイド層３０１とＴｉ層３０２とＮｉ層３０３とＡｇ層３０４とＡｕ層３０５とが積層された積層構造、又はＳｉ基板１０１側から順にＴｉシリサイド層３０１とＮｉ層３０３とＡｇ層３０４とＡｕ層３０５とが積層された積層構造を有する。 - 特許庁

The silicon epitaxial wafer includes at least a strained SiGe layer on a silicon substrate, a Si-protecting layer on the strained SiGe layer, and an epitaxial Si layer on the Si-protecting layer, wherein a heavily-doped Si layer is provided, at least in between the silicon substrate and the strained SiGe layer, or in between the Si protection layer and the epitaxial Si layer.例文帳に追加

少なくとも、シリコン基板上に、歪みＳｉＧｅ層と、該歪みＳｉＧｅ上にＳｉ保護層と、該Ｓｉ保護層上にエピタキシャルＳｉ層とを具備するシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、前記シリコン基板と前記歪みＳｉＧｅ層との間、及び前記Ｓｉ保護層と前記エピタキシャルＳｉ層との間の少なくとも一方の間に高濃度Ｓｉ層を具備することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。 - 特許庁

The adhesion of the rubber substrate and the polyester substrate is performed by providing an adhesive layer on a surface of the polyester substrate by applying the adhesive composition to the polyester substrate followed by thermally curing, and then placing the rubber substrate on the adhesive layer surface followed by light irradiation.例文帳に追加

ポリエステル基材に接着剤組成物を塗布して熱硬化させることでポリエステル基材表面に接着剤層を設けた後、接着剤層表面にゴム基材を載置して光照射することでゴム基材とポリエステル基材の接着を行なう。 - 特許庁

The method also includes bonding the support substrate and the active layer substrate without heating the support substrate and the active layer substrate, and the SOI semiconductor substrate is more easily manufactured at a higher speed.例文帳に追加

このようなＳＯＩ半導体基板製造方法は、その支持基板とその活性層基板とを加熱することなく、その支持基板とその活性層基板とを接合することができ、その結果、ＳＯＩ半導体基板をより容易に、かつ、より高速に作製することができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a process of bonding the layer 12 to be transferred arranged on a first substrate (transfer origin substrate 10) and a second substrate (first transfer destination substrate 20) and a process of peeling the layer 12 to be transferred from the first substrate 10.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、第１基板（転写元基板１０）上に配置された被転写層１２と第２基板（第１転写先基板２０）とを接着する工程と、被転写層１２を第１基板１０から剥離する工程とを含む。 - 特許庁

A non-magnetic second substrate 47 adheres onto the one surface 46a of the first substrate 46 by a second adhesive layer 49 so as to sandwich a magnetic material layer 200 in a clearance with the first substrate 46, and the second substrate 47 is a translucent substrate.例文帳に追加

第１基板４６の一方面４６ａ側には、第２接着層４９によって、第１基板４６との間に磁性材料層２００を間に挟むように非磁性の第２基板４７が接着され、かかる第２基板４７は透光性基板である。 - 特許庁

A metal minute particle dispersed solution is applied to the substrate 2 and is dried up, the first conductive layer 3 is completely covered with the highly transparent adhesive layer 7 after forming the network-shaped first conductive layer 3 on the substrate 2, and the substrate 2 is exfoliated by transcribing after pasting the substrate 2 and a transcribed substrate 8.例文帳に追加

金属微粒子分散溶液を基材２上に塗布し乾燥させ、網目状の第一導電性層３を基材２上に形成させた後、第一導電性層３を透明性の高い粘着層７で完全に覆い、前記基材２と被転写基板８とを貼り合せた後、転写して基材２を剥離する。 - 特許庁

A metal fine particle dispersed solution is coated on the substrate 2 and dried, after the net-like first conductive layer 3 is formed on the substrate 2, the first conductive layer 3 is completely covered by the high transparent adhesion layer 7, and after the substrate 2 and a substrate to be transcribed 8 are bonded, a thermal transfer is carried out to peel the substrate 2.例文帳に追加

金属微粒子分散溶液を基材２上に塗布し乾燥させ、網目状の第一導電性層３を基材２上に形成させた後、第一導電性層３を透明性の高い接着層７で完全に覆い、前記基材２と被転写基板８とを貼り合せた後、熱転写して基材２を剥離する。 - 特許庁

A laminated substrate 30 with a projection part where the outer-periphery end of a first substrate 10 projects from the outer-periphery end of a substrate 20 is created by gluing the first substrate 10 with a porous layer inside and a single-crystal Si layer and an insulation layer on it to the second substrate while the center positions are shifted each other.例文帳に追加

多孔質層を内部に有し、その上に単結晶Ｓｉ層及び絶縁層を有する第１の基板１０と、第２の基板とを中心位置をずらして密着させて、第１の基板１０の外周端が第２の基板２０の外周端より突出した突出部を有する貼り合わせ基板３０を作成する。 - 特許庁

The second sealing layer 32 is filled between the first substrate 11 and the second substrate 21 ranging from the side periphery of the first sealing layer 31 to the protruded peripheral edge A, and it is provided only between the first substrate 11 and the second substrate 21.例文帳に追加

第２封止層３２は、第１封止層３１の側周から、凸条周縁Ａにわたって第１基板１１と第２基板２１との間に充填され、第１基板１１と第２基板２１との間にのみ設けられている。 - 特許庁

To provide: a method for manufacturing the compound semiconductor substrate, by which a compound semiconductor substrate in which a compound semiconductor layer is grown on a metal layer can be manufactured easily at a low cost; the compound semiconductor substrate manufactured by the same; and an element using the substrate.例文帳に追加

金属層上に化合物半導体層が成長した半導体基板を簡便かつ安価で製造することができる方法、並びにそれによって製造された化合物半導体基板及び素子を提供する。 - 特許庁

A substrate treatment apparatus 1 comprises a liquid nozzle 16 for horizontally transporting a substrate 2 and simultaneously forming a liquid layer X of a developer solution on the upper face of the substrate and removal means for removing the liquid layer X formed on the substrate 2.例文帳に追加

基板処理装置１は、基板２を水平搬送しながらその上面に現像液の液層Ｘを形成するための液ノズル１６と、基板２上に形成された液層Ｘを除去するための除去手段とを備える。 - 特許庁

The single crystal SiC substrate 1 is stripped by the muddy layer 2 thus forming a deposition substrate 6 where a single crystal SiC layer 1a composed of a part of the single crystal SiC substrate 1 is provided on the base substrate 3.例文帳に追加

これにより、泥弱層２で単結晶ＳｉＣ基板１を剥離させ、単結晶ＳｉＣ基板１の一部によって構成される単結晶ＳｉＣ層１ａをベース基板３上に備えた堆積用基板６を形成する。 - 特許庁

After the removing process, a layer 12 is deposited on the remaining part 9 of the donor substrate, to restore at least partially the thickness of the initial donor substrate 1, and to recycle the donor substrate, having the deposited layer 12 as the initial donor substrate 1.例文帳に追加

取外し工程後に、初期ドナー基板１の厚さを少なくとも部分的に回復するためにドナー基板の残余部９上に層１２を堆積し、初期ドナー基板１として堆積層１２を有するドナー基板を再使用する。 - 特許庁

The substrate processing equipment is provided with the etching equipment in which a semiconductor substrate is held by a maintenance portion and a semiconductor layer of the substrate is etched with chemical, and a film thickness measuring apparatus for measuring film thickness of the semiconductor layer of the substrate.例文帳に追加

半導体基板が保持部に保持され、化学薬液によってこの半導体基板の半導体層をエッチングするエッチング装置と、この半導体基板の半導体層の膜厚を測定する膜厚測定装置と、を備える。 - 特許庁

This substrate used for the adhesive tape having an adhesive layer on the substrate is provided by laminating an adhesive-applied layer, a thermoplastic elastomer layer and a resin layer in this order, wherein, the thermoplastic elastomer layer consists of a resin layer containing ≥70 mass % hydrogenated styrene-butadiene copolymer and the thickness of the layer is ≥30 % based on the thickness of the substrate.例文帳に追加

基材上に粘着剤層を有してなる粘着テープに使用される基材であって、粘着剤被塗布層と、熱可塑性エラストマー層と、樹脂層とがこの順に積層され、前記熱可塑性エラストマー層が、水素添加したスチレン−ブタジエン共重合体を７０質量％以上含む樹脂組成物からなり、層厚が基材肉厚に対して３０％以上である粘着テープ用基材。 - 特許庁

An image display device includes: a first substrate made of a bendable transparent substrate; a resin film layer bonded on the first substrate and having a thin film transistor formed on an upper layer; a barrier layer made of an inorganic film covering the surface of the resin film; and a thin film layer formed on the upper layer and a lower layer of the resin film via the barrier layer.例文帳に追加

湾曲可能な透明基板からなる第１基板と、前記第１基板に接着され、その上層に薄膜トランジスタが形成される樹脂フィルム層とを備える画像表示装置であって、前記樹脂フィルムの表面を被う無機膜からなるバリア層を備え、前記バリア層を介して、前記樹脂フィルムの上層及び下層に薄膜層が形成される画像表示装置である。 - 特許庁

A dispersion preventing layer 13, preventing dispersion of material composing a photothermal conversion layer 12, is provided between the photothermal conversion layer 12 and a transfer layer 14 in the substrate for transferring 1 provided with a support substrate 11, the photothermal conversion layer 12 formed on the supporting substrate 11, and a transfer layer 14 comprising an organic material formed on the photothermal conversion layer 12.例文帳に追加

支持基板１１と、支持基板１１上に形成された光熱変換層１２と、光熱変換層１２上に形成された有機材料で構成された転写層１４とを備えた転写用基板１において、光熱変換層１２と転写層１４との間に、光熱変換層１２を構成する材料の拡散を防止する拡散防止層１３を設けた。 - 特許庁

The group III-V nitride semiconductor laser element comprises a substrate, a light emitting layer provided on the substrate, a clad layer provided on the light emitting layer, and a buried layer provided on the substrate in contact with the opposite side faces of the light emitting layer or the clad layer wherein the buried layer contains phosphorus atoms or arsenic atoms by an atomic fraction of ≤20%.例文帳に追加

基板と、前記基板上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられたクラッド層と、前記基板上であってかつ前記発光層またはクラッド層の両側面に接して設けられた埋め込み層とを有し、前記埋め込み層がリン原子またはヒ素原子を２０％以下の原子分率で含むＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子とする。 - 特許庁

The transistor comprises a semiconductor substrate of first conductivity type, a collector layer of first conductivity type that is formed on the semiconductor substrate and is lower in impurity concentration than the semiconductor substrate, a base layer of second conductivity type that is formed on the collector layer, and emitter layer of first conductivity type that is formed on the base layer, and a conductivity film covering the sides of the collector layer and the base layer.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板と、半導体基板の上に形成され、半導体基板より不純物濃度が低い第１導電型のコレクタ層と、コレクタ層の上に形成される第２導電型のベース層と、ベース層の上に形成される第１導電型のエミッタ層と、コレクタ層及びベース層の側面を覆う導電性膜とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A single crystal wafer comprises an insulating layer formed on a substrate having a window that exposes a part of the substrate, a selective crystal growth layer formed on the part of the substrate exposed by the window, and a single crystal layer formed on the crystal growth layer located on the insulating layer and crystallized using the crystal growth layer as a crystalline seed layer.例文帳に追加

基板上に形成され、前記基板の一部が露出されるウィンドウを有する絶縁層と、前記ウィンドウに露出された前記基板の部分に形成される選択的結晶成長層と、前記絶縁層上で前記結晶成長層上に形成され、前記結晶成長層を結晶化シード層として用いて結晶化された単結晶層とを備える単結晶ウェーハである。 - 特許庁

The solar cell is provided which includes: a substrate; a first^++ type polycrystalline silicon layer equipped on the substrate; a first type silicon nano-wire layer including a first type silicon nano-wire grown from the first^++ type polycrystalline silicon layer; an intrinsic layer provided on the substrate having the first type silicon nano-wire layer; and a second type doping layer equipped on the intrinsic layer.例文帳に追加

基板と、前記基板上に具備された第１^＋＋型多結晶シリコン層と、前記第１^＋＋型多結晶シリコン層から成長した第１型シリコンナノワイヤを含む第１型シリコンナノワイヤ層と、前記第１型シリコンナノワイヤ層が具備された基板上に具備された真性層と、前記真性層上に具備された第２型ドーピング層と、を含む太陽電池が提供される。 - 特許庁

The semiconductor substrate includes a substrate, a first semiconductor layer formed on the substrate, a metallic material layer formed on the first semiconductor layer in a prescribed pattern, a second semiconductor layer formed on the first semiconductor layer and metallic material layer, and a cavity formed on the first semiconductor layer under the metallic material layer.例文帳に追加

本発明の半導体基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に所定のパターン形状で形成された金属性材料層と、前記第１の半導体層上及び前記金属性材料層上に形成された第２の半導体層と、前記金属性材料層より下層部分の前記第１の半導体層に形成された空洞と、を有する。 - 特許庁

The electroluminescent element includes a substrate; an anode formed on the substrate; an organic electroluminescent layer formed on the substrate and formed by a multilayered structure including a positive hole injecting layer and a positive hole transport layer; a cathode formed on the electroluminescent layer; and an interface deterioration preventing layer formed between the anode and the electroluminescent layer.例文帳に追加

有機電界発光素子は、基板と、該基板上に形成された陽極と、該陽極上に形成され、正孔注入層及び正孔輸送層を含む多層構造からなる有機電界発光層と、該有機電界発光層上に形成された陰極と、陽極と有機電界発光層との間に形成された界面劣化防止層とを備えてなる。 - 特許庁

A suspension circuit substrate 1 includes a metal support substrate 12; a first insulating layer 11 disposed on the metal supporting substrate 12 and constituted of an insulating material; a conductive layer 10 disposed on the first insulating layer 11 and constituting a wiring; and a second insulating layer 13, disposed on the first insulating layer 11 and conductor layer 10 and constituted of an insulating material.例文帳に追加

サスペンション回路基板１は、金属支持基板１２と、金属支持基板１２上に配置され、絶縁材料からなる第一絶縁層１１と、第一絶縁層１１上に配置され、配線を構成する導体層１０と、第一絶縁層１１および導体層１０上に配置され、絶縁材料からなる第二絶縁層１３と、を備えている。 - 特許庁

In the ink jet printing transfer medium comprising a substrate, an image protective layer provided on the substrate and an ink receiving layer provided on the image protective layer, the ink receiving layer contains a thermoplastic resin, and the image protective layer and the ink receiving layer are separated from the substrate.例文帳に追加

支持体と、前記支持体上に設けた画像保護層と、前記画像保護層上に設けたインク受容層と、を備えるインクジェット印刷転写媒体であって、前記インク受容層は熱可塑性樹脂を含み、前記支持体から前記画像保護層及び前記インク受容層が剥離されるインクジェット印刷転写媒体により、上記の課題は解決される。 - 特許庁

In the laminated piezoelectric element in which the piezoelectric substrate layer 1 containing a Pb constituent and a conductive layer 2 containing a Pd constituent are alternately laminated each, the thickness of the reaction layer R of Pb and Pd on the interface between the piezoelectric substrate layer 1 and the conductive layer 2 should be 3% or smaller of the maximum thickness of the piezoelectric substrate layer 1.例文帳に追加

それぞれ、Ｐｂ成分を含む圧電体層１と、Ｐｄ成分を含む導体層２とを交互に積層してなる積層型圧電素子において、前記圧電体層１と前記導体層２との界面における前記ＰｂおよびＰｄとの反応層Ｒの厚みが、前記圧電体層１の最大厚みの３％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The multilayer film reflecting mirror comprises a substrate 1, a reflecting layer 2 comprising a multilayer film formed on the substrate 1, and a release film 3 between the reflecting layer 2 and the substrate to release the reflecting layer 2, wherein a stress layer 4 having a relatively compressive stress with respect to the reflecting layer 2 is formed between the reflecting layer 2 and the release film 3.例文帳に追加

基材１と、基材１上に形成された多層膜からなる反射層２と、反射層２と基材１の間に設けられた、反射層２を剥離するための剥離膜３とを有する多層膜反射鏡であって、反射層２と剥離膜３との間に、反射層２に対して相対的に圧縮応力を持つ応力層４が設けられている。 - 特許庁

In the oxygen sensor having a core rod as a substrate part and a functional layer including the solid electrolyte layer or dense layer overlying the surface of the core rod and baked after the functional layer is laid on the core rod, the sintering of the substrate part and the functional layer is successively advanced toward the surface side of the functional layer from the substrate part.例文帳に追加

基体部としての芯ロッドと、当該芯ロッドの表面上に積層された固体電解質層や緻密層を含む機能層と、を有し、芯ロッド上に機能層を積層した後に焼成する酸素センサにおいて、焼成時に、当該基体部および機能層の焼結が、基体部側から機能層の表面側に向けて順次進行するように構成した。 - 特許庁

The electrostatic chucking device comprises a substrate 1; and an electrostatic chucking part 36 which has an insulating layer 2 provided on this substrate 1, an electrode layer 3 provided on this insulating layer 2, and a dielectric layer 4 provided so as to coat this electrostatic layer 3, for chucking and holding a glass substrate 10 for forming an electronic source mounted in this dielectric layer 4.例文帳に追加

基材１と、この基材１上に設けられた絶縁層２、この絶縁層２上に設けられた電極層３、この電極層３を被覆するように設けられた誘電体層４を有しこの誘電体層４に載置された電子源形成用のガラス基板１０を吸着保持する静電吸着部３６とを備える。 - 特許庁

This magnetic recording medium, which has at least an underlaid layer and a magnetic layer laminated successively on a substrate, is provided with a pre-coated layer, which has the lower layer coating Ni and P and the upper layer consisting of a Cr alloy laminated successively on the substrate, between the underlaid layer and the substrate.例文帳に追加

基板上に少なくとも、下地層及び磁性層を順次積層してなる磁気記録媒体において、前記下地層と前記基板との間にプリコート層を介在させ、前記プリコート層がＮｉとＰとを含む下層と、Ｃｒ合金からなる上層とを順次積層することにより構成されることを特徴とする磁気記録媒体。 - 特許庁

In the image recording body having at least one information carrier layer 3 selected from identification information and bibliographic information on a substrate 1, a beads holding layer 2 having beads and/or reflective layer 7 is provided on the substrate side of the information carrier layer 3 at least and a protecting layer 4 is provided on the opposite side of the information carrier layer 3 on the substrate.例文帳に追加

基材１上に少なくとも、識別情報及び書誌情報から選ばれる少なくとも１つの情報担持層３を有する画像記録体において、少なくとも情報担持層３の基材側にビーズを有するビーズ保有層２及び／又は反射性層７を有し、情報担持層３の基材と反対側に保護層４を有する。 - 特許庁

The optical device 10A is provided with a clad layer 14 formed on a substrate 12, a core layer 16 formed in the clad layer 14, and a heater electrode layer 18 formed on the surface of the clad layer 14 to face the core layer 16.例文帳に追加

光デバイス１０Ａは、基板１２に形成されたクラッド層１４と、該クラッド層１４内に形成されたコア層１６と、該コア層１６に対向してクラッド層１４の表面に形成されたヒータ電極層１８とを備える。 - 特許庁

The color filter (1) includes: a transparent electrode layer 13 covering the substrate 3, the red layer 5, the green layer 7, the blue layer 9, and the spacer 11; and an insulating black matrix layer 15 formed in a prescribed position on the transparent electrode layer 13.例文帳に追加

カラーフィルタ１は、基板３、赤色層５、緑色層７、青色層９、スペーサー１１を覆う透明電極層１３を有し、透明電極層１３上の所定の箇所に絶縁性のブラックマトリクス層１５を有する。 - 特許庁

An n-type contact layer 11, an n-type clad layer 12, an active layer 13, and a p-type first clad layer 14A are formed on a substrate 10, and then an etch stopper layer 19 is formed on the p-type first clad layer 14A.例文帳に追加

基板１０の上にｎ型コンタクト層１１、ｎ型クラッド層１２、活性層１３およびｐ型第１クラッド層１４Ａを形成したのち、このｐ型第１クラッド層１４Ａ上にエッチングストップ層１９を形成する。 - 特許庁

Then, the insulating layer is patterned to provide an opening 112 which is exposed as a part of the substrate on the insulating layer 108, and a patterned conductor layer 114 is so formed as to fill the opening on the insulating layer, forming a hemispherical Si particle layer on the conductor layer.例文帳に追加

次に、絶縁層をパターンニングして基板の一部を露出する開口を絶縁層に設け、開口を満たすように絶縁層上にパターンニングした導体層を形成し、導体層上に半球状Ｓｉ粒子層を形成する。 - 特許庁

The variable wavelength element section has an n-InP lower clad layer 18, a variable wavelength layer 20, an i-InP layer 22, an active layer 24, a p-InP spacer layer 26, a p-diffraction grating 28, and a p-InP buried layer 30 on the substrate.例文帳に追加

波長可変素子部は、基板上に、ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１８、波長可変層２０、ｉ−ＩｎＰ層２２、活性層２４、ｐ−ＩｎＰスペーサ層２６、ｐ−回折格子２８、及びｐ−ＩｎＰ埋め込み層３０を備える。 - 特許庁

The substrate (1) for a solar cell comprises a metallic layer (10) and a composite oxide layer (12) provided on the metallic layer (10), and also comprises a gas barrier layer (11) disposed between the metallic layer (10) and the composite oxide layer (12).例文帳に追加

本発明の太陽電池用基板(1)は、金属層(10)と、金属層(10)上に設けられた複合酸化物層(12)とを含む太陽電池用基板であって、金属層(10)と複合酸化物層(12)との間に配置されたガスバリア層(11)を含む。 - 特許庁