「substrate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a substrate of meter for vehicle which prevents the oxidation of a copper foil by an inexpensive constitution.例文帳に追加

安価な構成にて銅箔の酸化を防止する車両用計器の基板を提供する。 - 特許庁

Further, the SiO_2 layer 2 is formed in the surface of a silicon substrate 1 by using a thermal oxidation method.例文帳に追加

また、熱酸化法により、シリコン基板１の表面にＳｉＯ_２層２を形成する。 - 特許庁

An extremely thin oxide film 2 is formed by subjecting a surface of an Si substrate 1 to thermal oxidation (refer to Fig.(a) and (b)).例文帳に追加

Ｓｉ基板１の表面を熱酸化して極薄の酸化膜２を形成する（図(a) 及び(b) 参照）。 - 特許庁

An SiO2 film 12 is formed on the surface of an Si substrate 10 by performing a thermal oxidation treatment.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０の表面に、ＳｉＯ_2 膜１２が熱酸化処理によって形成されている。 - 特許庁

This oxidation equipment has such constitution that the target substrate 31 is made to adsorb oxidative seeds and nitric seeds mixedly in advance.例文帳に追加

ターゲット基板３１には、酸化種と窒化種を混合させて吸着させておく構成とする。 - 特許庁

To reduce defective parts of an oxidation film in the substrate electrode of a plasma processing unit.例文帳に追加

プラズマ処理装置の基板電極における酸化皮膜の欠陥部を低減する。 - 特許庁

Then LOCOS oxidation is performed on both front and rear surfaces of the substrate 10.例文帳に追加

次に、シリコン基板１０の表裏両面に対し、ＬＯＣＯＳ酸化を行う。 - 特許庁

To form at a high speed an anodic oxidation film as an insulating layer on one side of a metal substrate.例文帳に追加

金属基板の絶縁層として陽極酸化被膜を金属基板の片面に高速に製膜する。 - 特許庁

To provide a substrate cleaning method capable of preventing the oxidation of the surface of an active layer.例文帳に追加

活性層の表面の酸化を防止できる基板洗浄方法を提供する。 - 特許庁

The method includes a step of measuring the thickness of the thermal oxidation film formed on the substrate to be determined (d).例文帳に追加

次に、判定用基板上に形成された前記熱酸化膜の膜厚を測定する（ｄ）。 - 特許庁

To provide an application apparatus and an application method by which a coating solution is applied onto a substrate while preventing oxidation of the coating solution.例文帳に追加

塗布液の酸化を防止しながら基板に塗布を行う塗布装置および塗布方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a uniform oxide film on a substrate with strong oxidation power.例文帳に追加

強い酸化力で基板上に均一な酸化膜を形成することができる。 - 特許庁

To form an oxide film of a substrate while monitoring the stability of an oxidation process system.例文帳に追加

酸化プロセス系の安定性を監視しながら基板の酸化膜を形成させる。 - 特許庁

In this manufacturing method, A heat oxidation film serving as an etching mask is formed for an Si substrate having <100> crystal orientation.例文帳に追加

＜１００＞Ｓｉ基板に対して、エッチングマスクとなる熱酸化膜を形成する。 - 特許庁

The insulated substrate has a metal substrate 33 and an insulation layer 32 formed on the surface of the metal substrate, wherein the metal substrate is a valve metal substrate, the insulation layer is an anodic oxidation film of a valve metal, and a porosity of the anodic oxidation film is 30% or less.例文帳に追加

金属基板３３と、前記金属基板の表面に設けられる絶縁層３２とを有する絶縁基板であって、前記金属基板が、バルブ金属基板であり、前記絶縁層が、バルブ金属の陽極酸化皮膜であり、前記陽極酸化皮膜の空隙率が、３０％以下である絶縁基板。 - 特許庁

After impurities that accelerate thermal oxidation are selectively introduced onto a silicon substrate surface by ion implantation or the like, the silicon substrate onto which the impurities are introduced is subjected to oxidation (dilution oxidation), oxynitriding or reoxidation continuously to form a plurality of kinds of gate insulating films having different film thicknesses on a semiconductor chip.例文帳に追加

シリコン基板表面に選択的に、熱酸化を増速させる不純物をイオン注入等で導入した後、上記不純物を導入したシリコン基板の酸化（希釈酸化）、酸窒化あるいは再酸化を連続して行い、半導体チップ上で膜厚の異なる複数種のゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The thermal oxidation film 37 is buried in a space between a source electrode 61 and a drain electrode 62 which are separately formed on the surface of the substrate 31 by using the substrate 31; and one or more slits 38 having a dielectric constant smaller than that of the thermal oxidation film 37 are formed in the thermal oxidation film 37 to manufacture the semiconductor device.例文帳に追加

この基板を用いて、基板表面上に離れて設けられたソース電極６１とドレイン電極６２との間に熱酸化膜３７が埋め込まれ、この熱酸化膜３７中に、酸化膜よりも小さい誘電率を有する１以上のスリット３８が設けられた半導体装置を作製する。 - 特許庁

In the method for manufacturing an optical waveguide including a process of thermally oxidizing at least a silicon substrate to form a thermal oxidation film to be a lower clad film on the surface of the substrate, the process of forming the thermal oxidation film is a process of forming a thermal oxidation film containing aluminum.例文帳に追加

少なくともシリコン基板を熱酸化して下側クラッド膜となる熱酸化膜を基板表面に形成する工程を有する光導波路基板の製造方法において、前記熱酸化膜の形成は、アルミニウムを含有する熱酸化膜を形成する光導波路基板の製造方法。 - 特許庁

The exhaust gas purification catalyst has a substrate (10), an oxidation catalyst layer (20) arranged on the substrate, and an adsorption layer (30) arranged on the oxidation catalyst layer.例文帳に追加

本発明の排ガス浄化触媒は、基材（１０）、基材上に配置されている酸化触媒層（２０）、及び酸化触媒層上に配置されている吸着層（３０）を有する。 - 特許庁

In a process system of performing the oxidation treatment of a substrate or the like using the ozone gas, the ozone gas supplied for the oxidation treatment of the substrate is decomposed in the ozone decomposing device 10.例文帳に追加

そして、オゾンガスを用いて基板等の酸化処理を行うプロセスシステムにおいて、前記基板の酸化処理に供したオゾンガスをオゾン分解装置１０で分解処理する。 - 特許庁

To prevent oxidation of a base film and to provide a utilizing method of an epitaxial substrate to which the oxidation preventing effect is given, in the epitaxial substrate provided with the Al-containing group III nitride base film.例文帳に追加

Ａｌ含有III族窒化物下地膜を具えるエピタキシャル基板において、前記下地膜の酸化を防止するとともに、このようにして酸化防止効果が付与されたエピタキシャル基板の使用方法を提供する。 - 特許庁

A silicon oxide film 10 is formed on the rear surface and each end face of an n-type single crystal silicon substrate 1 by subjecting the rear surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 to thermal oxidation or ozone oxidation.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面を熱酸化またはオゾン酸化することにより、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面および各端面に酸化シリコン膜１０を形成する。 - 特許庁

The wiring board includes a metallic core substrate 1, an oxidation-resisting coating layer 2 formed over the entire surface of the core substrate 1, an insulating layer 3 formed on the oxidation-resisting coating layer 2, and a wiring layer 4.例文帳に追加

本発明の配線基板は、金属製のコア基板１と、このコア基板１の全面に形成された耐酸化性被覆層２と、耐酸化性被覆層２の上に形成された絶縁層３と、配線層４とを備える。 - 特許庁

The uppermost surface temperature of the substrate is measured based on a measured result of a film thickness of an oxide film formed on the substrate supplied to the oxidation process system using the oxidation treatment gas and the light irradiation.例文帳に追加

酸化処理ガスと光照射とを用いた酸化プロセス系に供されている基板に形成された酸化膜の膜厚の測定結果に基づき基板の表面温度を測定する。 - 特許庁

Part of the surface of the semiconductor substrate 10 is coated with an oxidation suppression film 12a, and the rest of the surface of the semiconductor substrate being exposed from the oxidation suppression film is heat- treated.例文帳に追加

半導体基板１０の表面を部分的に酸化抑制膜１２ａで覆い、該酸化抑制膜から露出した半導体基板表面に熱処理を施す。 - 特許庁

In the anodic oxidation substrate 10a in which an anodic oxidation film 12 is formed on an Al base material 11, an alkali-proof substrate protective film 13 is formed on a surface opposite to the side on which a laminated structure such as a photoelectric conversion layer or the like is formed.例文帳に追加

Ａｌ基材１１に陽極酸化膜１２が形成された陽極酸化基板１０ａにおいて、光電変換層等の積層構造が形成される側の反対側の面上に耐アルカリ性を有する基板保護層１３を備える。 - 特許庁

The method includes: a cleaning step of cleaning the cermet substrate 11; and a subsequent oxidation-resistant-film-forming step of forming an oxidation-resistant film 12 formed from a complex oxide containing titanium, on the surface of the cermet substrate 11.例文帳に追加

本方法は、サーメット基材１１を洗浄する洗浄工程と、その後、前記サーメット基材１１の表面に、チタンを含む複合酸化物によって構成される耐酸化膜１２を形成する耐酸化膜形成工程とを含む。 - 特許庁

To provide an anode oxidation heat dissipation substrate with high density/high integration characteristics while maintaining a high heat-dissipation characteristic by having an anode oxidation substrate, and provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

陽極酸化基板によって高放熱特性を維持し、高密度／高集積の特性を持つ陽極酸化放熱基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A substrate 12 is subjected to anodic oxidation treatment accompanied by spark discharge, i.e., microarc oxidation treatment to thereby form an oxide film 13 on one main face 12a of the substrate 12.例文帳に追加

基体１２に対して火花放電を伴うアノード酸化処理、即ちマイクロアーク酸化処理を行い、基体１２の一主面１２ａに酸化被膜１３を形成する。 - 特許庁

The wiring board 1 is employed under an oxidation atmosphere and comprises: an insulation substrate 2; an electrode 3 at least part of which is provided on the surface of the insulation substrate 2; and an oxidation-resistant coating layer 4 for covering an electrode 3a provided on the surface.例文帳に追加

酸化雰囲気下で用いられる配線基板１であって、絶縁基板２と、少なくとも一部が絶縁基板２の表面に設けられた電極３と、表面に設けられた電極３ａを覆う耐酸化性の被覆層４とを備える。 - 特許庁

The anodic-oxidation is performed on the silicon carbide substrate, by irradiating the substrate with light in a wavelength region having larger energy than the band gap of silicon carbide.例文帳に追加

炭化ケイ素基板に、炭化ケイ素のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有する波長領域の光を照射しつつ陽極酸化を行う。 - 特許庁

In the case of performing nitridation treatment or oxidation treatment to the substrate surface, a variable impedance value is adjusted to adjust susceptor potential, that is the potential of the substrate.例文帳に追加

基板表面を窒化処理又は酸化処理する際、可変インピーダンス値を調整してサセプタ電位、すなわち基板の電位を調整する。 - 特許庁

A silicon nitride film 5 exhibiting a high oxidation barrier characteristic is formed selectively on the surface of a silicon substrate 1 by subjecting the substrate 1 to a direct thermal nitriding process or the like.例文帳に追加

シリコン基板表面に選択的に酸化バリア性の高いシリコン窒化膜をシリコン基板の直接熱窒化等で形成する。 - 特許庁

An antenna array which generates plasma by using an oxidation gas and a substrate stage on which a substrate is mounted are arranged in a deposition container.例文帳に追加

成膜容器内には、酸化ガスを用いてプラズマを発生するアンテナアレイと、基板が載置される基板ステージとが配設されている。 - 特許庁

A CVD oxidation film 3 is formed on the surface of a substrate 1 without directly forming the thermal oxide film on the surface of the substrate 1.例文帳に追加

基板１表面上に直接、熱酸化膜を形成するのではなく、基板１表面上に、ＣＶＤ酸化膜３を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method wherein the oxidation of a metal layer can be prevented and treating stages are simple and to provide a substrate treatment system.例文帳に追加

金属層の酸化を防止することができ、かつ、処理工程が簡易な基板処理方法およびそのシステムを提供する。 - 特許庁

To eliminate reaction of oxidation by controlling flow of oxygen in the atmosphere, into a substrate processing chamber when the substrate is transferred.例文帳に追加

基板搬送時、基板処理室へ大気中の酸素が流入するのを抑制して、酸化反応を無くすことを可能とする。 - 特許庁

This method is applicable for measuring a surface temperature of a substrate surface not irradiated directly with the light, when the substrate is arranged in midair in the oxidation process system.例文帳に追加

前記酸化プロセス系内では基板を中空に配置させると、光が直接当たらない基板表面の表面温度測定に適用できる。 - 特許庁

The treated substrate surface is able to have a color the same as or different from that of the surface of the substrate and simultaneously prevent the occurrence of oxidation/tarnish.例文帳に追加

処理された基板表面は、基板の表面と同じ色または異なる色を有することができ、同時に酸化／変色の発生を避けることができる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for adequately oxidizing a substrate to be processed on one hand, and for restraining oxidation of the substrate on the other hand.例文帳に追加

一方で被処理基板を適度に酸化し、他方で被処理基板の酸化抑制を可能にする方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A method for determining an impurity pollution includes simultaneously treating of a substrate to be determined at pretreating time before thermal oxidation of a semiconductor substrate or a semiconductor material (a).例文帳に追加

判定用基板を半導体基板もしくは半導体材料の熱酸化前の前処理時に同時処理する（ａ）。 - 特許庁

In the photoelectric conversion device 1 which has a stacked structure of a lower electrode 20, a photoelectric conversion layer 30, and an upper electrode 50 on the anodic oxidation substrate 10 formed with an anodic oxidation film 12 on at least one face of a metal base 11 having Al as a main component, the anodic oxidation substrate 10 is formed by doping at least one kind of alkaline metal onto the anodic oxidation film 12.例文帳に追加

Ａｌを主成分とする金属基材１１の少なくとも一方の面側に陽極酸化膜１２が形成された陽極酸化基板１０上に、下部電極２０、光電変換層３０および上部電極５０の積層構造を有する光電変換素子１において、陽極酸化基板１０が、陽極酸化膜１２に少なくとも１種のアルカリ金属がドープされたものとする。 - 特許庁

Therefore, when the silicon oxidation film 6 of the peripheral area, the first gate material 5 and the gate oxidation film 4 are removed by wet etching, the etching solution is prevented from entering between the silicon oxidation film 10 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

したがって、周辺領域のシリコン窒化膜６、第１のゲート材５、ゲート酸化膜４をウェットエッチングにより除去する際、エッチング溶液がシリコン酸化膜１０と半導体基板１との間に入り込むことを防ぐことができる。 - 特許庁

The optical waveguide consists of a silicon substrate and a thermal oxidation film to be a lower clad film formed on the substrate, and the thermal oxidation film is formed by thermally oxidizing the silicon substrate and contains aluminum.例文帳に追加

およびシリコン基板と、該基板上に形成された下側クラッド膜となる熱酸化膜から成る光導波路基板であって、前記熱酸化膜が、シリコン基板を熱酸化させて形成したアルミニウムを含有する熱酸化膜から成る光導波路基板。 - 特許庁

The method for alcohol analysis comprises oxidizing an alcohol in a specimen by alcohol oxidase to form hydrogen peroxide, reducing the hydrogen peroxide by a peroxidase in the presence of a chromogenic substrate to color by oxidation, converting the chromogenic substrate from a reduction type to an oxidation type and reconverting the chromogenic substrate from the oxidation type to the reducing type by reduction type glutathione.例文帳に追加

検体中のアルコールをアルコールオキシダーゼにより酸化して過酸化水素を生成させ、酸化により発色する発色基質の存在下、前記過酸化水素をペルオキシダーゼにより還元して、前記発色基質を還元型から酸化型に変換し、還元型グルタチオンによって、前記発色基質を酸化型から還元型に再度変換する。 - 特許庁