「substrate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor substrate 100, wherein a natural oxide layer 102 is naturally generated is put in a furnace or an RTO chamber (rapid thermal oxidation chamber) and a hot hydrogen gas is introduced into the chamber so that the natural oxide layer 102 is deoxidized.例文帳に追加

自然酸化物層が自然生成された半導体基板を、炉内またはＲＴＯ室（急速熱酸化室）に入れ、高温水素ガスを室内に導入して自然酸化物層を脱酸する。 - 特許庁

The rugged surface of the Ni layer 13 formed by peeling the Ni layer 13 from the disk 11 is washed after the resist 12 left there are removed and the rugged surface is subjected to oxidation treatment to form a first Ni substrate.例文帳に追加

このＮｉ層13を円板11から剥離がしたＮｉ層13の凹凸表面に残留するレジスト12を除去した後洗浄し、凹凸表面を酸化処理して酸化層14を形成したものを第一のＮｉ基板とする。 - 特許庁

The dielectric material 18 is formed by, after filling a gap of a structure with electrode material, which structure being made of an oxide substrate obtained by anode oxidation of metal, removing the structure and filling the gap with high-k dielectric constant material.例文帳に追加

誘電体１８は、金属の陽極酸化により得られた酸化物基材の構造体の空隙に電極材料を充填したのち、前記構造体を除去し、その空隙に高誘電率材料を充填することにより形成される。 - 特許庁

Thus, a metal oxide thin film can be deposited at high speed on the substrate since the oxidation of the metallic target is prevented by minimizing the movement of a reactive gas to the metallic target.例文帳に追加

これによれば、反応性ガスが金属ターゲットに移動するのを最小化して金属ターゲットの酸化を防止できるため、基板上に金属酸化物薄膜を高速で蒸着できる。 - 特許庁

A laminate for printed circuits (2) is constituted by forming a conductive layer (14) via an insulating layer (13) at the side wherein the anodic oxidation coatings (11) of the thin aluminum substrate (1) are formed.例文帳に追加

またプリント回路用積層板(2)は、前記アルミニウム基板(1)の薄い陽極酸化皮膜(11)が形成された側に、絶縁層(13)を介して導電層(14)が形成されてなる。 - 特許庁

To improve adhesion property of an ultraviolet-curable, oxidation-polymerizable intaglio printing ink composition to a substrate such as a plastic in which penetration of the ink composition cannot be expected.例文帳に追加

紫外線硬化酸化重合併用型凹版インキ組成物を、プラスチック等のインキ組成物の浸透が期待できない基材に対して、密着性を向上させる。 - 特許庁

To efficiently conduct a film-depositing work such as epitaxial growth or a work such as thermal diffusion or thermal oxidation for a semiconductor substrate having a large size while saving electric power.例文帳に追加

大面積半導体基板に対してエピタキシャル成長等の成膜作業や熱拡散、熱酸化等の作業を省電力で効率よく行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which, when a semiconductor substrate formed with a local wiring layer is heat treated in an atmosphere containing an oxygen, an oxidation of this local wiring layer can be prevented; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

局所配線層を形成した半導体基板を酸素を含む雰囲気中で熱処理した場合に、この局所配線層の酸化を防止できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The photoreceptor is produced by electrolytically treating the aluminum alloy substrate 1 in a sulfuric acid bath at ≤1.2 A/dm2 of current density and using the resulting anodic oxidation film as the UCL 2.例文帳に追加

このような感光体はアルミニウム合金基体を硫酸浴中で１．２Ａ／ｄｍ^2 以下の電流密度で電解処理して陽極酸化皮膜を形成し、これをＵＣＬとすることによって製造される。 - 特許庁

Then, a sidewall 5 made of amorphous silicon is formed on the side of the opening 4, and wet etching is made with the oxidation resistant film 3 and the sidewall 5 as a mask, thus forming a groove 6 on the silicon substrate 1.例文帳に追加

次に、開口４の側面上に非晶質シリコンからなるサイドウォール５を形成し、耐酸化性膜３およびサイドウォール５をマスクとしてウェットエッチングを行うことにより、シリコン基板１に溝６を形成する。 - 特許庁

Then, a silicone oxide film 10 is formed on the bit line diffusion layer 9 and a rounding oxidation processing is executed to the boundary of the STI region of the peripheral circuit part and the logic circuit part and the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

次に、ビット線拡散層９上にシリコン酸化膜１０を形成するとともに周辺回路部および論理回路部のＳＴＩ領域と半導体基板表面との界面に丸め酸化処理を施す。 - 特許庁

Due to the formation of the oxidation product 34, the leakage current 30 becomes difficult to flow along the crystal defect 32, and the leakage current 30 flowing between a compound semiconductor substrate 6 and a metal film 2 can be reduced.例文帳に追加

酸化物３４が形成されることによって、リーク電流３０が結晶欠陥３２に沿って流れにくくなり、化合物半導体基板６と金属膜２の間に流れるリーク電流３０を低下させることができる。 - 特許庁

To improve the oxidation resistance and abrasion resistance of a hard coat by applying at least two physical vapor deposition sources with different plasma densities to the surface of a substrate.例文帳に追加

基体表面にプラズマ密度の異なる少なくとも２種以上の物理蒸着源を併用することより、硬質皮膜の耐酸化性及び耐摩耗性を向上させることである。 - 特許庁

By forming many holes 22 on the main surface of a substrate 10 forming the thin film resistor by the method of anodic oxidation or the like, a rugged structure 20 is formed.例文帳に追加

薄膜抵抗体を形成する基板１０の主面上に、陽極酸化などの方法で孔２２を多数形成することで、凹凸構造２０を形成する。 - 特許庁

By this setup, a silicon dioxide film which is almost equal in characteristics to other silicon dioxide films formed through a conventional high-temperature thermal oxidation method can be easily formed on the surface of the processed silicon substrate 1.例文帳に追加

これにより、該被処理用シリコン基板１の表面に、通常の高温熱酸化法で形成した二酸化シリコン膜の特性と遜色のない二酸化シリコン膜が容易に形成できる。 - 特許庁

Then, thermal oxidation is applied to the silicon substrate 1 to thicken the silicon oxide film formed on the region RH to form a silicon oxide film 18, and a silicon oxide film 17 is formed on the region RM and the region RL.例文帳に追加

次に、シリコン基板１に熱酸化処理を施すことにより、領域ＲＨに形成されたシリコン酸化膜を厚膜化してシリコン酸化膜１８とすると共に、領域ＲＭ及び領域ＲＬにシリコン酸化膜１７を形成する。 - 特許庁

The surface of a base material (including the one obtained by previously forming a substrate film on a base material) is subjected to metal ion bombardment treatment, thereafter, the surface is subjected to oxidation treatment, and subsequently, an alumina film is formed thereon.例文帳に追加

基材（基材上に予め下地皮膜が形成されたものを含む）表面にメタルイオンボンバード処理を施した後、表面を酸化処理し、その後にアルミナ皮膜を形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method, a pat oxide film 2, an amorphous silicon or polycrystalline silicon film 17 and an oxidation preventing film 3 are deposited on a silicon substrate 1, and these films are patterned ((a) to (f)).例文帳に追加

シリコン基板１上に、パット酸化膜２、アモルファスシリコンまたは多結晶シリコン膜１７、酸化防止膜３を堆積し、パターニングする（（ａ）〜（ｆ））。 - 特許庁

On the surface of an n-type silicon carbide substrate or n-type silicon carbide region 1, a nickel film 2 and a nickel oxide film 3 are laminated in this order and then heat-treated in a state wherein they are not subjected to oxidation.例文帳に追加

ｎ型炭化珪素基板またはｎ型炭化珪素領域１の表面に、ニッケル膜２と、酸化ニッケル膜３と、をこの順に積層し、酸化しない状態で熱処理をおこなう。 - 特許庁

To provide a graphite fixture for brazing of a ceramic, which has a thermal expansion coefficient adjusted to match to that of a ceramic substrate or the like, enhanced hardness, improved wear resistance, and excellent oxidation resistance.例文帳に追加

熱膨張率をセラミック基板等と合わせるとともに、硬度を高め、耐摩耗性を向上させ、さらには耐酸化性に優れたセラミックろう付け用黒鉛治具を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing an SiC semiconductor element having good characteristics by removing carbon clusters which occur in a MOS interface during thermal oxidation of a silicon carbide semiconductor substrate and which reduce, for example, mobility of a silicon carbide MOSFET.例文帳に追加

炭化けい素半導体基板の熱酸化時にＭＯＳ界面に生じ、例えば炭化けい素ＭＯＳＦＥＴの移動度を低下させるカーボンクラスタを除去し、良好な特性のＳｉＣ半導体素子を作成する方法を提供する。 - 特許庁

The support for the planographic printing plate is constituted by treating a metal substrate, to which surface roughening treatment and anodic oxidation treatment are applied, with an aqueous solution containing an inorganic fluorine compound and a silicic acid compound.例文帳に追加

粗面化処理および陽極酸化処理を施された金属基体を、無機フッ素化合物とケイ酸化合物とを含有する水溶液で処理してなる平版印刷版用支持体。 - 特許庁

By the additon of water, the oxidation of sputtering particles is promoted, so that the metallic oxide thin film formed on the substrate W is made into the one small in absorption and having high quality.例文帳に追加

水分の添加によってスパッタリング粒子の酸化が促進されるため、基板Ｗに成膜される金属酸化物薄膜は吸収の少ない高品質なものとなる。 - 特許庁

The oxidation-resistant film 12 containing the perovskite-type composite oxide can be formed by applying the treatment liquid to the cermet substrate 11 and heating the applied liquid.例文帳に追加

本発明の処理液を、サーメット基材１１に塗布した後加熱することによって、ペロブスカイト型複合酸化物を含む耐酸化膜１２を形成させることができる。 - 特許庁

The oxidation-resistant film 12 containing the ilmenite-type composite oxide can be formed by applying the treatment liquid to the cermet substrate 11 and heating the applied liquid.例文帳に追加

本発明の処理液を、サーメット基材１１に塗布した後加熱することによって、イルメナイト型複合酸化物を含む耐酸化膜１２を形成させることができる。 - 特許庁

A multilayer stencil mask has a membrane layer 3, and the membrane layer 3 is held by a support layer consisting of an intermediate oxidation film layer 2 and a supporting substrate layer 1.例文帳に追加

本発明の多層型ステンシルマスクはメンブレン層３を有し、メンブレン層３は中間酸化膜層２と支持基板層１からなる支持層により保持されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-reliability semiconductor substrate without causing damage of a compound semiconductor layer or transition of a crystal by influence due to natural oxidation in etching a selection etching layer.例文帳に追加

選択エッチング層のエッチング時の自然酸化による影響で化合物半導体層の損傷、結晶の転移が発生せず、信頼性の高い半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon nitride film 7 serves as an oxidation preventive film which prevents the titanium oxide film 6 from becoming oxidized, when the surface of the substrate 1 is thermally oxidized in a next process.例文帳に追加

窒化シリコン膜７は、次の工程で基板１の表面を熱酸化する時に酸化チタン膜６が酸化されるのを防ぐ酸化防止膜として機能する。 - 特許庁

To provide: a high-temperature Pb-free Zn-based solder alloy capable of preventing oxidation and excellent in wettability and bondability; a method for manufacturing the same; and a mount substrate bonded with the Pb-free Zn-based solder alloy.例文帳に追加

酸化を防ぐことができ、濡れ性や接合性に優れた高温用のＰｂフリーＺｎ系はんだ合金及びその製造方法と、そのＰｂフリーＺｎ系はんだ合金によって接合された実装基板を提供する。 - 特許庁

To provide a stable, sufficiently sensitive and inexpensive biosensor for measuring a substrate concentration by using an oxidation-reduction enzyme having a NAD(P) as a coenzyme.例文帳に追加

ＮＡＤ（Ｐ）を補酵素とする酸化還元酵素を用いて基質濃度を測定するバイオセンサであって、安定かつ十分な感度が得られ、なおかつ安価なバイオセンサを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a printed circuit substrate capable of attaining oxidation prevention of a through-hole 10, a land 10a, and a pad 12 and improvement in the wettability at soldering, at low cost.例文帳に追加

スルーホール１０およびランド１０ａならびにパッド１２の酸化防止とはんだ付け時の濡れ性向上を低コストで実現できるプリント回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an EUV mask blank in which initial EUV light reflectance is high and decrease of EUV light reflectance due to oxidation of a Ru protective layer is inhibited, and to provide a substrate with a function membrane that is used for production of the EUV mask blank.例文帳に追加

初期のＥＵＶ光線反射率が高く、かつ、Ｒｕ保護層の酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下が抑制されたＥＵＶマスクブランク、および該ＥＵＶマスクブランクの製造に使用される機能膜付基板の提供。 - 特許庁

The substrate is provided which has a graphene film and a metal oxide film, for example, an SiO_2 film laminated in order on an insulating layer and obtained by subjecting a metal carbide film, for example, an SiC film on the insulating layer to oxidation treatment.例文帳に追加

絶縁層上の金属炭化物膜、例えばＳｉＣ膜を酸化処理することによって得られる、絶縁層上にグラフェン膜と金属酸化物膜、例えばＳｉＯ_２膜が順次積層されてなる基板。 - 特許庁

To solve the problem that when an SOI substrate is used and a trench element isolation structure is applied, an oxide film at a trench corner part becomes thin during oxidation of a trench sidewall to generate a crystal defect reaching a semiconductor layer in an element region owing to stress concentration.例文帳に追加

SOI基板を用いてトレンチ素子分離構造を適用した場合、トレンチ側壁の酸化時にトレンチコーナー部の酸化膜が薄膜化し、応力集中により素子領域の半導体層に達する結晶欠陥が発生する。 - 特許庁

In this light-emitting device 1, an n clad layer 3, an active layer 4 and a first p-clad layer 5 are laminated on a substrate 2, and a second p-clad layer 6 lower in oxidation nature and lower in conductivity than the first p-clad layer 5 is further laminated.例文帳に追加

発光装置１は、基板２上に、ｎクラッド層３、活性層４、第１ｐクラッド層５を積層し、第１ｐクラッド層５より酸化性が低く、かつ導電性が低い第２ｐクラッド層６を積層する。 - 特許庁

An alignment regulation film 2 is formed on a non-metallic substrate 1 which undergoes texturing on a surface and the surface of the alignment regulation film 2 is subjected to oxidation or nitridation, and a non-magnetic undercoat film 3 and a magnetic film 4 are formed thereon.例文帳に追加

表面にテクスチャ加工を施した非金属基板１上に配向調整膜２を形成し、この配向調整膜２の表面を酸化処理または窒化処理し、その上に非磁性下地膜３および磁性膜４を形成する。 - 特許庁

The high-breakdown-voltage insulating film IH1 is formed through thermal oxidation from inside to outside of a principal surface of the silicon substrate 1, and the intermediate-breakdown-voltage insulating film IM1 is formed so as to be thinner than the high-breakdown-voltage insulating film IH1.例文帳に追加

高耐圧絶縁膜ＩＨ１は、熱酸化法によって、シリコン基板１の主面より内側から外側に至るようにして形成し、中耐圧絶縁膜ＩＭ１は高耐圧絶縁膜ＩＨ１より薄くなるようにして形成する。 - 特許庁

The TMR element 10 is constructed on a substrate 1 in such a manner that a conductive layer 2, a lower magnetic layer 3, an oxidation control layer 4, an insulating layer 5, an upper magnetic layer 6, and an electrode pattern 7b, are laminated in this order.例文帳に追加

ＴＭＲ素子１０は、基板１上に導電層２、下部磁性層３、酸化抑制層４、絶縁層５、上部磁性層６、電極パターン７ｂが順に積層された構造をしている。 - 特許庁

The high field layer 6 is formed whose surface side of a polycrystalline silicon 3 formed on the n-type silicon substrate 1 is made to have a porosity by a anode oxidation treatment and thereafter is made to be oxidized by a dilute nitric acid.例文帳に追加

強電界ドリフト層６は、ｎ形シリコン基板１上に形成された多結晶シリコン３の表面側を陽極酸化処理により多孔質化した後、希硝酸によって酸化することにより形成されている。 - 特許庁

To provide a rolled material for continuous casting which has excellent thermal fatigue resistance for continuous casting or a build-up welding material to a rolled substrate, and has sufficient oxidation and wear resistances.例文帳に追加

従来の連続鋳造用ロール材あるいはロール基体に被覆する肉盛材以上に耐熱疲労特性に優れ、かつ、十分な対酸化性、耐摩耗性を有する連続鋳造用ロール材を提供する。 - 特許庁

To provide an aluminum-graphite-silicon carbide composite suitable for a substrate of an LED package, which has remarkably improved strength characteristics while maintaining excellent characteristics in a thermal expansion coefficient, a thermal conductivity, oxidation resistance and plating property.例文帳に追加

熱膨張係数、熱伝導率、耐酸化性、めっき性などの点で優れた特性を維持しながら強度特性を顕著に改善された、ＬＥＤパッケージの基板として好適なアルミニウム−黒鉛−炭化珪素質複合体を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate or an electronic component which is prevented from oxidation of a solder film surface formed on a connection part thereof and can be connected without requiring any flux.例文帳に追加

基板あるいは電子部品の接続部に形成されたはんだ膜表面の酸化を防止し、フラックスレスで接続できる基板あるいは電子部品を提供する。 - 特許庁

The surface of a base material (including the one obtained by previously forming a substrate film on a base material) is subjected to gas ion bombardment treatment, thereafter, the surface is subjected to oxidation treatment, and subsequently, an alumna film is formed thereon.例文帳に追加

基材（基材上に予め下地皮膜が形成されたものを含む）表面にガスイオンボンバード処理を施した後、表面を酸化処理し、その後にアルミナ皮膜を形成する。 - 特許庁

To provide a device for forming an insulation film in which the reduction of light through a light transmitting window is suppressed, the size of a substrate being treated can be increased and an oxidation rate can be enhanced.例文帳に追加

光透過窓による光の減少を低減し、処理基板を大型化できると共に、酸化速度を向上できる絶縁膜の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide an anodic oxidation process for efficiently anodizing only a predetermined range of outer surface in the axis direction of a columnar or tubular substrate to be treated, by forming a reaction chamber containing only the portion, and provide an apparatus.例文帳に追加

柱状や筒状の被処理体の外周面軸方向所定範囲のみを内包する反応チャンバーを形成し能率的に陽極酸化処理する陽極酸化処理方法および装置の提供。 - 特許庁