「substrate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface finishing method of titanium comprises a process of forming an oxide film in the titanium substrate surface by the use of anode oxidation, and a process of the cathode polarization of the titanium substrate in which the oxide film is formed.例文帳に追加

本実施形態に係るチタンの表面処理方法は、陽極酸化により、チタン基板表面に酸化膜を形成する処理と、酸化膜が形成されたチタン基板をカソード分極する処理とを含む。 - 特許庁

Thus, the photosensitive resin can be removed without using oxygen plasma, so that the oxidation of the substrate due to oxygen plasma and the quantity of shaving of substrate accompanied therewith can be suppressed.例文帳に追加

これにより、酸素プラズマを用いずに感光性樹脂を除去することができるため、酸素プラズマによる基板酸化、それに伴う基板の削れ量を抑制することが可能である。 - 特許庁

To carry out the cleaning treatment of the surface of a substrate in the atmosphere without using a vacuum apparatus, and to remove natural oxidation films or organic substances on the substrate surface without depending on plasma cleaning.例文帳に追加

真空装置を用いることなく、大気中で基板表面の清浄化処理を行うことができ、またプラズマクリーニングによることなく、基板表面の自然酸化膜あるいは有機物を除去できるようにする。 - 特許庁

A silicon oxide film is coated by the thermal oxidation method to the whole of a front face of a chamber substrate having the manifold, the restrictor and the chamber of a silicon single crystal substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基板で形成されたマニホールド、リストリクタ、チャンバを有するチャンバ基板の表面全体に、熱酸化法により酸化シリコン膜を被覆することを特徴とする。 - 特許庁

After the above films 3 and 5 are removed, a quantum wire 7a separately insulated from the substrate 1 is formed of an oxide film 5A formed by an oxidation of the substrate 1.例文帳に追加

そして、上記窒化膜３,酸化膜５を除去した後、半導体基板１の酸化により形成された酸化膜５Aによって半導体基板１と分離絶縁された量子細線７aを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can suppress the oxidation of a region including metal on a substrate when a region including silicon on a substrate is selectively oxidized to be repaired; and to provide a device of manufacturing semiconductor.例文帳に追加

基板上のシリコンを含む領域を選択的に酸化させて修復する際に、基板上の金属を含む領域の酸化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma cleaning apparatus that prevents oxidation of a copper pad, a copper frame and the like formed on a substrate, and can efficiently and equally clean both sides of the substrate.例文帳に追加

基板に形成された銅パッドや銅フレーム等の酸化を防止しつつ、基板の両面を効率よく同等に洗浄できるプラズマ洗浄装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and device for processing a substrate capable of conducting a process using a processing solvent by suppressing or preventing an oxidation of a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板の酸化を抑制または防止しつつ、シリコン基板に対し処理液を用いた処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。 - 特許庁

After removing a natural oxidation film and washing the transparent conductive semiconductor substrate 70 with water, an alkari-containing organic solvent is brought into contact with the surface of the substrate, while applying ultrasonic waves.例文帳に追加

透明導電性半導体基板７０は、自然酸化膜を除去して水洗後、表面にアルカリ含有有機溶媒を超音波を印加しつつ接触させる。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with: a sapphire substrate 101; a primary GaN layer 103 formed on the sapphire substrate 101; and a primary oxidation layer 104 formed near to an upper part of a defect which resides in the primary GaN layer 103.例文帳に追加

半導体装置は、サファイア基板１０１と、サファイア基板１０１上に形成された第１のＧａＮ層１０３と、第１のＧａＮ層１０３に存在する欠陥の上部近傍に形成された第１の酸化層１０４とを備える。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor substrate with electric characteristics improved by preventing natural oxidation and its manufacturing method, and to provide a liquid crystal display panel and an electroluminescent display panel that have the substrate.例文帳に追加

自然酸化を防止して電気的な特性を向上させた薄膜トランジスタ基板とその製造方法、並びにこれを有する液晶表示パネル及び電界発光表示パネルを提供する。 - 特許庁

Droplets generated by mixing etchant including fluorine containing chlorine with gas are injected to the surface of the substrate W having a natural oxidation film formed on the surface by a two-fluid nozzle 80, to etch and clean the substrate surface.例文帳に追加

二流体ノズル８０により、塩酸を含むフッ酸からなるエッチング液と気体とを混合して生成される液滴を、表面に自然酸化膜が形成された基板Ｗの表面へ噴射し、基板表面をエッチングして洗浄する。 - 特許庁

To provide a method for forming an ohmic electrode on an n-type 4H-SiC substrate by preventing precipitation of Si and C from the substrate, and at the same time preventing oxidation of Ni.例文帳に追加

ｎ型４Ｈ−ＳｉＣ基板上に、基板からのＳｉ、Ｃの析出を防止すると同時に、Ｎｉの酸化を防止してオーミック電極を形成する方法を提供する。 - 特許庁

A carbon fiber reinforced SiC composite material comprises using a Si-SiC composite material or a SiC composite material as a substrate and at least forming an oxidation resistant layer comprising a phosphate on a surface layer portion of the substrate.例文帳に追加

基材としてＳｉ−ＳｉＣ系複合材料またはＳｉＣ系複合材料を用い、同基材の少なくとも表層部にリン酸塩からなる耐酸化性層を形成させた炭素繊維強化ＳｉＣ系複合材料により達成。 - 特許庁

The entire surface of a substrate with a resist pattern formed thereon is subjected to oxidation treatment (for example, irradiation with ultraviolet ray), a top layer of the resist pattern is removed, and the entire surface of the substrate is subjected to electroless plating.例文帳に追加

レジストパターンが形成された基板の表面全面を酸化処理（例えば紫外線照射）し、次いでレジストパターンの最上層を除去した後、基板の表面全面に無電解めっきを行う。 - 特許庁

In the formation method for the organic material membrane, the surface of the substrate constituted by the inorganic material is subjected to an oxidation treatment and is exposed to a silane coupling agent vapor under a vacuum atmosphere, and thereafter, the organic material membrane is formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

無機材料により構成される基材表面を、酸化処理してから、真空雰囲気下においてシランカップリング剤蒸気に晒し、その後、前記基材表面に有機材料膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

In the oxide film forming method, the oxide film is locally formed on a substrate surface layer by jetting a high-pressure solution comprising an oxidation source on a substrate surface.例文帳に追加

酸化源を含む高圧溶液を基板表面に噴出することにより、基板表面層に局所的に酸化膜を形成する酸化膜形成方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a package substrate with a fine circuit pattern by anodic oxidation, by which a finer circuit can be provided with using existing facility, and further the package substrate that will not cause delamination phenomenon to be produced.例文帳に追加

より微細な回路を既存の設備で実現することができるうえ、層間剥離現象の発生しないパッケージ基板を製作することができる、陽極酸化による微細回路パターン付きパッケージ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent an oxidation-reduction reaction between an electrode and an alignment layer caused by incident light, to improve resistance properties of a substrate and to suppress deterioration of the substrate.例文帳に追加

入射光による電極と配向膜との酸化還元反応を防止すると共に、基板の耐性を向上させると共に、基板の劣化を抑制する。 - 特許庁

The supply hole of a raw material gas is provided in a wall of the deposition container between an end downstream of the gas flow direction of the oxidation gas of the antenna array and an end, on the antenna array side, of the position where the substrate is mounted on the substrate stage.例文帳に追加

アンテナアレイの、酸化ガスのガス流方向の下流側の端部と、基板ステージ上に基板が載置される位置の、アンテナアレイ側の端部と、の間の成膜容器の壁に、原料ガスの供給孔が設けられている。 - 特許庁

The micro mass sensor includes a substrate 3, a metal electrode film 4 deposited on the substrate 3, and a sensitive film 2 deposited over the electrode film 4, wherein the sensitive film 2 is formed with micro carbon fibers made hydrophilic by subjecting the fiber surface to an oxidation treatment.例文帳に追加

基板３と、該基板３上に成膜された金属の電極膜４と、該電極膜４上に成膜された感応膜２と、を備え、該感応膜２が、繊維表面を酸化処理して親水化した微細炭素繊維で形成されている。 - 特許庁

The substrate is brought into contact with water molecules (for example, immersed in pure water) to introduce a hydroxy group into a carbon atom in a radical state, immediately after the substrate is subjected to the oxidation treatment (for example, oxygen gas low temperature plasma discharge).例文帳に追加

基板に酸化処理（例えば酸素ガス低温プラズマ放電処理）を行なった直後に、基板に水分子を接触させ（例えば純水に浸漬）、ラジカル状態のな炭素原子に水酸基を導入する。 - 特許庁

A light emitting layer 16 to which a light emitting material emitting light through an electrochemical oxidation reaction or reduction reaction is provided between the first substrate 11 and the second substrate 12.例文帳に追加

第１基板１１及び第２基板１２の間には、電気化学的な酸化反応、或いは、還元反応を経て発光する発光材料を注入する発光層１６が設けられている。 - 特許庁

In the colored clay mineral powder, a metal oxide obtained by absorbing a metal organic compound onto the surface of a substrate and heating the substrate to carry out pyrolysis and oxidation of the metal organic compound and making the resultant metal oxide exist in a state dispersed on the surface.例文帳に追加

基材の表面に金属有機化合物を吸着させた後に加熱することで、該金属有機化合物の熱分解および酸化により得られる金属酸化物を該表面に分散状態で存在させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an excellent substrate for an oxide superconductive wire material by preventing peeling resulting from the surface diffusion and surface oxidation of nickel included in a metal substrate.例文帳に追加

金属基板に含まれるニッケルの表面拡散および表面酸化が原因でおこる剥離を防止して良好な酸化物超電導線材用基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an excellent substrate for an oxide superconductive wire material by preventing peeling resulting from the surface diffusion and surface oxidation of nickel contained in a substrate.例文帳に追加

基体に含まれるニッケルの表面拡散および表面酸化が原因でおこる剥離を防止して良好な酸化物超電導線材用基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a biosensor using high active lipid modification enzyme, that excels in storage reliability; that allows oxidation current value to be low when substrate concentration is 0; and that may quantify a substrate with high precision.例文帳に追加

高活性の脂質修飾酵素を用いて、保存信頼性が高く、しかも基質濃度が０の場合の酸化電流値が低く、基質を高精度で定量することができるバイオセンサを提供することをも目的とする。 - 特許庁

A method for manufacturing a substrate for an oxide superconductive wire material has an oxidation treatment process for performing heat treatment of a metal substrate containing at least Cr in an ambient atmosphere including oxygen at 350°C or greater and 550°C or less.例文帳に追加

少なくともＣｒを含有する金属基板を３５０℃以上５５０℃以下におい酸素を含む雰囲気中で熱処理を行う酸化処理工程を有する酸化物超電導線材用基板の製造方法。 - 特許庁

The metal substrate with an isolation layer comprises: an insulating oxide film 20 formed by anodic oxidation on a metal substrate 10; and a spin-on-glass film 30 on the insulating oxide film 20.例文帳に追加

絶縁層付金属基板を、金属基板１０上に陽極酸化により形成された絶縁性酸化膜２０と、絶縁性酸化膜２０上にスピンオンガラス膜３０とを有するものとする。 - 特許庁

To provide a gas barrier film formed of a silicon nitride film having excellent gas barrier property, excellent unevenness coating property of a substrate, excellent suppression of damages of the substrate, and excellent oxidation resistance, and a film deposition method and a film deposition apparatus thereof.例文帳に追加

優れたガスバリア性、基板の凹凸の被覆性、基板の損傷抑制、および、耐酸化性にも優れる窒化ケイ素膜を成膜してなるガスバリアフィルム、ならびに、その成膜方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a layered film having superior heat resistance, oxidation resistance and adhesiveness to a substrate, even when the substrate has been heated to 700°C or higher and exposed to an oxidizing atmosphere.例文帳に追加

基材温度を７００℃以上に高めかつ酸化性雰囲気に曝したときにも基材との密着性に優れ、かつ耐熱性および耐酸化性にも優れた積層皮膜を提供する。 - 特許庁

The electronic cooling element 50 comprises an n-type silicon substrate 51, a natural oxidation film 52, a metal film 53, a power source for applying a voltage to the n-type silicon substrate 51 and the metal film 53, and a supply line.例文帳に追加

電子冷却素子５０は、Ｎ型シリコン基板５１、自然酸化膜５２、金属膜５３、Ｎ型シリコン基板５１と金属膜５３とに電圧を印加する電源、及び、電源線を備えている。 - 特許庁

In order to form the single crystal metal oxide thin film 6, the semiconductor substrate 2 is kept in a heated state, and then metal atoms and an oxidation gas are supplied to the oxide film 4 of the semiconductor substrate 2 in the film deposition apparatus.例文帳に追加

半導体基板２を加熱した状態で、成膜装置内で、金属原子および酸化ガスを半導体基板２の酸化膜４に供給する。 - 特許庁

A nitride film 1 is deposited on a substrate 10, and after removing the nitride film 1 of a lightly doped N-well region therefrom by photolithographing and etching, phosphorus 3 is so ion-implanted into the substrate 10 as to form an oxide film 4 by thermal oxidation.例文帳に追加

基板１０に窒化膜１を堆積し、写真製版とエッチングによりLightly−Ｎウエル領域の窒化膜１を除去した後、基板１０にリン３をイオン注入し、熱酸化により酸化膜４を形成する。 - 特許庁

The mask layer is then patterned on the side of the silicon substrate 2 previously applied with a thermal oxidation film 3 and through holes 52 are opened in the silicon substrate 2 with high concentration alkaline liquid of KOH, for example, (Fig. (C)).例文帳に追加

予め熱酸化膜３がついていたシリコン基板２側のマスク層をパターニングし、ＫＯＨ等の高濃度アルカリ液にてシリコン基板２に貫通穴５２を開口する（図１（Ｃ））。 - 特許庁

To solve the problem that, when a semiconductor package or electronic element is press-bonded to a substrate, such as the wiring board etc., under a high-temperature and high-pressure condition, the decomposition or dissociation of the resin forming the substrate occurs or the deterioration of a metallic material by oxidation occurs.例文帳に追加

半導体パッケージや電子素子を配線板等の基板に高温、高圧条件で圧接接合すると、基板を形成する樹脂の分解、解離が生じたり、金属材料の酸化による劣化が生じている。 - 特許庁

To solve problems of a conventional surface acoustic wave element that has had deteriorated adhesiveness between electrodes and a piezoelectric substrate and has caused a material Cu employed for the electrodes to be susceptible to oxidation when the Cu is employed for the electrodes formed on the piezoelectric substrate in order to improve the power resistance.例文帳に追加

耐電力性を向上させるため、圧電基板上に形成される電極においてＣｕを用いると、電極と圧電基板との密着性が悪く、またＣｕが酸化されやすいという問題に遭遇する。 - 特許庁

A silicon substrate 1 covered with the film 5a is subjected to a thermal oxidation treatment in an oxygen atmosphere at a temperature of 900 to 1100°C, whereby the interface 7 between a silicon thermal oxide film 6 and the substrate 1 is roughened.例文帳に追加

多結晶シリコン膜５で被覆されたシリコン基板１に、温度９００〜１１００℃、酸素雰囲気の下で熱酸化処理を施すことにより、シリコン熱酸化膜６とシリコン基板１との界面７を凹凸状にする。 - 特許庁

An insulating layer and a conductive layer are successively formed on the rear of a substrate 301, a plurality of pairs of facing grooves are formed on the substrate 301, and the insulating layer 305 is formed on the side of the groove through thermal oxidation.例文帳に追加

基板３０１の裏面に絶縁層及び導電層を順に形成した後、基板３０１に複数対の対向する溝を形成し、熱酸化により溝の側面に絶縁層３０５を形成する。 - 特許庁

Thereafter, a structure 60 obtained by retreating the Si substrate 50 and the Poly-Si 54 by wet etching is mounted on another Si substrate 62 and an SiO_2 film 64 is grown by thermal oxidation.例文帳に追加

次にＳｉ基板５０とＰｏｌｙ−Ｓｉ５４とをウェットエッチングにより後退させてできた構造体６０を別のＳｉ基板６２に乗せ、熱酸化処理を施すことによりＳｉＯ_２膜６４を成長させる。 - 特許庁

Oxidation of an Si substrate 5 is not carried out in a process, before a gate insulating film 3 is formed on the Si substrate 5; and when an oxide film is necessary, it is formed by a CVD method or a PVD method.例文帳に追加

Ｓｉ基板５上にゲート絶縁膜３を形成する前の工程でＳｉ基板５の酸化を行わず、酸化膜が必要な場合はＣＶＤ法又はＰＶＤ法により成膜する。 - 特許庁

Thus, a large-sized glass substrate 31 is cut along a cutting line 32 and even if the cut surface of the connection line 45 for anodic oxidation is exposed to an end surface of the glass substrate 31, static electricity is prevented from entering it.例文帳に追加

したがって、大型のガラス基板３１をカットライン３２に沿って切断し、陽極酸化用接続ライン４５の切断面がガラス基板３１の端面に露出しても、静電気の侵入を防止することができる。 - 特許庁

The method of manufacturing the optical waveguide substrate by which a quartz layer is formed on a silicone substrate is characterized in that a silicone substrate of which the front and back surfaces are mirror ground is used as the silicone substrate and a quartz layer is formed on the whole part of the silicone substrate by oxidizing the silicone substrate by a thermal oxidation method.例文帳に追加

シリコン基板上に石英膜を形成して光導波路基板を製造する方法であって、前記シリコン基板として基板の表面及び裏面が鏡面研磨されたシリコン基板を用い、該シリコン基板を熱酸化法により酸化することによって前記シリコン基板全体に石英膜を形成することを特徴とする光導波路基板の製造方法。 - 特許庁

This method for forming a metal oxide film with predetermined patterns on a substrate comprises: a first step of applying a liquid form matter containing a metal salt on the substrate and forming a metal salt film; a second step of providing predetermined patterns to the metal salt film; and a third step of subjecting the metal salt film to thermal oxidation treatment or predetermined plasma oxidation treatment to convert it into a metal oxide film.例文帳に追加

基材上に、所定パターンを有する金属酸化膜の形成方法等であって、基材に対して、金属塩を含有する液状物を塗布して金属塩膜を形成する第１工程と、金属塩膜に対して、所定パターンを設ける第２工程と、金属塩膜に対して、熱酸化処理または所定のプラズマ酸化処理を行い、金属酸化膜とする第３工程と、を含む。 - 特許庁

This method comprises repeating the following processes several times: a process for forming a silicon film by depositing either one of polysilicon, epitaxial silicon or amorphous silicon on a silicon substrate or on a silicon dioxide film formed on the silicon substrate by a thermal oxidation treatment; and a process for converting the above film into the silicon dioxide film by the thermal oxidation treatment.例文帳に追加

シリコン基板上に、あるいは熱酸化処理によりこのシリコン基板上に形成された二酸化シリコン膜上に、ポリシリコン、エピタキシャルシリコンあるいはアモルファスシリコンのいずれかを堆積しシリコン膜を形成する工程と、この膜を熱酸化処理し二酸化シリコン膜にせしめる工程とを複数回繰り返す。 - 特許庁