「substrate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In the plasma oxidation treatment method for subjecting a substrate to a plasma oxidation treatment, inert gas used for generating plasma is so selected as to enable the wavelength of plasma emission light to be in a prescribed range.例文帳に追加

プラズマを用いて基板の酸化処理を行うプラズマ酸化処理方法において、プラズマ発光波長が所望の範囲となるように、プラズマ生成に使用される不活性ガスを選択する。 - 特許庁

To provide an Au fine particle catalyst of a particle diameter of 3 nm or less that is active to an oxidation-reduction reaction and inactive to a methanol oxidation reaction as an oxygen electrode catalyst for a direct methanol fuel cell and that is carried by a carbon substrate.例文帳に追加

直接メタノール型燃料電池の酸素極触媒として、酸素還元反応には活性で、メタノール酸化反応には不活性であり、カーボン基体に担持された粒径が３ｎｍ以下のＡｕ微粒子触媒を提供する。 - 特許庁

The flatness of the surface of the silicon substrate can be improved by forming the sacrificial oxide film on the surface through isotropic oxidation, and peeling the oxide film formed through the isotropic oxidation from the surface.例文帳に追加

シリコン基板表面を等方性酸化により犠牲酸化膜を形成し、等方性酸化によって形成された酸化膜を剥離することによって、平坦度の高い表面が得られる。 - 特許庁

After formation of a stopper film 4 consisting of a diamond-form carbon film on a semiconductor substrate 1, oxidation preventing films 3 and 5 and an oxidation preventing film sidewall 7a to cover the stopper film 4 are made.例文帳に追加

半導体基板１上にダイヤモンド状炭素膜からなるストッパー膜４を形成した後、ストッパー膜４を覆う酸化防止膜３、５および酸化防止膜サイドウォール７ａを形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate film, wherein when a nitrogen is implanted in a silicon substrate for suppressing an oxidation speed, the thickness of oxide film formed by the oxidation process can be made smaller with good controllability.例文帳に追加

本発明は、窒素をシリコン基板中に注入して酸化速度を抑制する際に、酸化処理によって形成される酸化膜厚を制御性良く薄くできるゲート膜形成方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for oxidation treatment of a silicon based material capable of carrying out anisotropic oxidation of a silicon based treated material such as a silicon substrate at a temperature lower than 1000°C.例文帳に追加

シリコン基板のようなシリコン系被処理物を１０００℃より低い温度で異方性の酸化を実行し得るシリコン系被処理物の酸化処理方法を提供する。 - 特許庁

After that, the substrate is fitted to a resistance heating furnace and is heated at 800-1000°C, thus forming a silicon oxide film 14 by the wet oxidation method or the dry oxidation method (d).例文帳に追加

その後、基板を抵抗加熱炉に装着して８００〜１０００℃の温度に加熱してウェット酸化法又はドライ酸化法にてシリコン酸化膜１４を形成する（ｄ）。 - 特許庁

In the semiconductor storage device according to an embodiment, an oxidation film is formed on a substrate surface between mutually-adjacent selection transistors, and a cross section in a direction vertical to the predetermined direction below the oxidation film has a convex shape.例文帳に追加

実施形態の半導体記憶装置は、互いに隣接する選択トランジスタ間の基板表面に酸化膜が形成され、その下の所定方向に垂直方向の断面が凸型形状になっている。 - 特許庁

Liquid material in which metal particles to become transparent metal oxide are dispersed is used to form first patterns isolated from each other on the glass substrate and to form the electrode regions in a non-oxidation firing step and a first oxidation firing step.例文帳に追加

透明な金属酸化物となる金属微粒子を分散させた液体材料を用いて、ガラス基板に互いに離間した第１パターンを形成し、非酸化焼成工程と第１酸化焼成工程とにより電極領域を形成する。 - 特許庁

In the method for oxidation treatment of the silicon based treated material 10, the silicon based treated material 10 is exposed to a plasma containing oxygen radicals, and the anisotropic oxidation is carried out by applying a DC voltage 5 to the above-mentioned substrate.例文帳に追加

シリコン系被処理物１０を酸素ラジカルを含むプラズマに曝すと共に、前記基板に直流電圧５を印加することにより異方性の酸化を行うことを特徴とするシリコン系被処理物１０の酸化処理方法。 - 特許庁

An oxide film forming process for forming a trench part LOCOS oxide film 6 is formed on a trench part 5 formed in a semiconductor substrate 1 is constituted of a first wet oxidation process of (f) and a second wet oxidation process of (g).例文帳に追加

半導体基板１に形成された溝部５に溝部ＬＯＣＯＳ酸化膜６を形成するための酸化膜形成工程は、図１（ｆ）の第１のウエット酸化工程、図１（ｇ）の第２のウエット酸化工程によって構成される。 - 特許庁

To provide a method for easily producing an oxidation-resistant carbon material having a coating film on the surface, which hardly causes cracks or defects even when the film thickness increases, and hardly exfoliates; thereby oxidation resistance of the graphite substrate is sufficiently improved.例文帳に追加

膜厚が厚くなっても亀裂や欠陥を生じ難く剥離し難い被膜を表面に有し、黒鉛基材の耐酸化性が十分に向上された耐酸化性炭素材料を簡便に製造する方法を提供する。 - 特許庁

In addition, since the anodic-oxidation can be performed at a room temperature unlike the case of thermal oxidation, the oxide film can be formed easily and, at the same time, the quality of the inner part of the silicon carbide substrate not forming the oxide film can be maintained.例文帳に追加

また、熱酸化法と異なり室温で処理可能であるため、酸化膜を簡易に形成できるとともに、炭化ケイ素基板において酸化膜を形成しない内層部分の品質を保持することができる。 - 特許庁

To provide a fine substrate treatment means/method and a glass substrate having heat dissipation property even if an element generating heat is formed in the heat treatment of the glass substrate (film deposition, crystal growth, oxidation, and the like carried out especially near the point of the strain of the glass substrate or a temperature more than the same).例文帳に追加

ガラス基板の熱処理（成膜、結晶成長、酸化等で、特にガラス基板の歪み点付近もしくはそれ以上の温度でおこなわれる場合）工程において、良好な基板処理手段・方法を提供する。 - 特許庁

This cleaning method includes a process 10 for oxidizing the semiconductor substrate, a process 11 for performing the oxidation-reduction of the oxidized semiconductor substrate, a process 12 for oxidizing the semiconductor substrate which is subjected to oxidation-reduction, a process 13 for reducing the oxidized semiconductor substrate, a process 14 for rinsing the reduced semiconductor substrate, and a process 15 for oxidizing the rinsed semiconductor substrate again.例文帳に追加

半導体基板を酸化する工程１０と、酸化した半導体基板を酸化還元する工程１１と、酸化還元した半導体基板を酸化する工程１２と、酸化した半導体基板を還元する工程１３と、還元した半導体基板をリンスする工程１４と、リンスした半導体基板を再度酸化する工程１５とを含む。 - 特許庁

The enzyme electrode is constituted by fixing an oxidation and reduction enzyme in or on the polydialkylsiloxane film provided on a substrate electrode.例文帳に追加

基板電極上に設けたポリジアルキルシロキサン膜中あるいは膜上に酸化還元酵素を固定化して成る酵素電極。 - 特許庁

In this method, at least an organic coating film formed on an inorganic substrate is eliminated by oxidation in supercritical water.例文帳に追加

少なくとも、無機基板上に形成された有機被膜を超臨界水中で酸化除去する方法を提供する。 - 特許庁

An insulating film (40) which contains silicon oxide or silicon oxynitride is formed on a semiconductor substrate by thermal oxidation.例文帳に追加

半導体基板上に、熱酸化により酸化シリコンまたは酸窒化シリコンを含む絶縁膜(40)を形成する。 - 特許庁

Gate oxidation is carried out using radical oxygen when forming a gate insulation film 7 on the silicon substrate having the off angle.例文帳に追加

オフ角を有するシリコン基板にゲート絶縁膜７を形成する際にゲート酸化をラジカル酸素により行う。 - 特許庁

A first isolation layer 112 is formed on the substrate, after an oxidation liner layer 110 has been formed in the trench to partially embed the trench.例文帳に追加

トレンチ内に酸化ライナー層１１０を形成した後基板上に第１のアイソレーション層１１２を形成しトレンチを部分的に埋め込む。 - 特許庁

In this magnetoresistive element, a molecule whose oxidation reduction is possible with electronic spin is arranged on a substrate.例文帳に追加

本発明にかかる磁気抵抗素子は、酸化還元が可能で電子スピンを有する分子が、基板上に配置されている。 - 特許庁

A catalyst layer (5) which keeps the low-temperature oxidation catalyst fixed to a substrate wall surface (4) with a binding component is formed inside the ventilation flue (3).例文帳に追加

低温酸化触媒を粘結成分で基材壁面(４)へ固定した触媒層(５)を、通風路(３)の内面に形成する。 - 特許庁

For reducing gate capacitance, at least one oxidation region can be formed at the substrate under the mesh-type gate electrode.例文帳に追加

ゲートキャパシタンスを減少させるために、メッシュ型のゲート電極の下部の基板に少なくとも一つの酸化領域を形成できる。 - 特許庁

Then, a p-type ion is implanted into the silicon substrate 1 with the oxidation resistant film 3 as a mask to form a p-type ion implantation region 5.例文帳に追加

次に、耐酸化性膜３をマスクとしてシリコン基板１にＰ型イオンを注入することによりＰ型イオン注入領域５を形成する。 - 特許庁

A third oxide film 17 is formed on sidewalls of a first polysilicon layer 14 and a bottom face of an exposed substrate 10 by an oxidation treatment.例文帳に追加

酸化処理により、第１ポリシリコン層１４の側壁及び露出した基板１０の底面に第３酸化膜１７を形成する。 - 特許庁

The anodization to form the aluminum oxide is performed through treatment at low temperature unlike thermal oxidation, and the use of a glass substrate is made possible.例文帳に追加

酸化アルミニウムを形成するための陽極酸化処理は、熱酸化と異なり低温処理であるため、ガラス基板の使用が可能である。 - 特許庁

To provide a method of growing a thin oxynitride film on a substrate by adding a high concentration nitrogen to an oxynitrid film using a water-vapor thermal-oxidation process.例文帳に追加

水蒸気熱酸化を利用して酸窒化膜へ高濃度の窒素を加え、基板上へ酸窒化物薄膜を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide forming method which safely forms a contamination-free homogeneous film on a wafer substrate using vapor oxidation by a high speed heating device.例文帳に追加

高速過熱装置で蒸気酸化を用いて汚染のない均質な膜をウエハ基板上に安全に形成する酸化物形成方法を提供する。 - 特許庁

Next, an oxide film 24 is formed by performing thermal oxidation processing on the upper surface of a semiconductor substrate and wall surface of the gate wrench 21.例文帳に追加

次に，半導体基板の上面およびゲートトレンチ２１の壁面に熱酸化処理により酸化膜２４を形成する。 - 特許庁

A formaldehyde oxidation/reduction enzyme is fixed on the surface of a substrate in the filter for eliminating formaldehyde.例文帳に追加

本発明のホルムアルデヒド除去フィルタは、ホルムアルデヒド酸化還元酵素を担体表面に固定化している。 - 特許庁

To provide suitable conditions when a monocrystal semiconductor layer of a composite substrate is reduced in thickness by sacrificial oxidation.例文帳に追加

複合基板の単結晶半導体層を犠牲酸化によって薄膜化する際の好適な条件を提供することを目的とする。 - 特許庁

To recover/remove metal ions contained in a processing solution by the use of an oxidation-reduction reaction so as to prevent them from affecting a substrate adversely.例文帳に追加

酸化還元反応を利用することにより、処理液中の金属イオンを回収・除去して基板への悪影響を防止することができる。 - 特許庁

A lower capacitor electrode 15, capacitor insulating film 10 and upper capacitor electrode 8 are formed on an element isolation film (thermal oxidation film 2) of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の素子分離膜（熱酸化膜２）上に下部容量電極１５、容量絶縁膜１０及び上部容量電極８を形成する。 - 特許庁

The substrate electrode 11 of a plasma processing unit comprises a parent material 22 of aluminum, and an oxidation film 23 formed thereon.例文帳に追加

プラズマ処理装置の基板電極１１は、アルミニウムからなる母材２２と、この母材２２の表面に形成された酸化皮膜２３とを備える。 - 特許庁

The insulation part 2 is constituted of a porous silicon layer formed by making one part of the base substrate 1 porous with anodic oxidation treatment.例文帳に追加

ここで、断熱部２は、ベース基板１の一部を陽極酸化処理により多孔質化することで形成された多孔質シリコン層により構成されている。 - 特許庁

The support film 14 is a SiO_2 thin film formed by thermal oxidation on an upper portion of an n-type substrate 10a (Si monocrystal).例文帳に追加

支持膜１４は、ｎ基板１０ａ（Ｓｉ単結晶）の上方に熱酸化により形成されたＳｉＯ_2薄膜である。 - 特許庁

To provide a method of oxidation for rounding to prevent degradation of oxide film breakdown voltage and a reverse narrow channel effect and planarization of a substrate.例文帳に追加

酸化膜耐圧の劣化や逆狭チャネル効果を抑えた丸め酸化と基板の平坦化の方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Next, plasma oxidation is carried out (step S18) and many protrusions of about 5 nm in height are selectively formed only in the substrate region of the air bearing surface.例文帳に追加

次に、プラズマ酸化を行い（ステップＳ１８）、エアベアリング面の基体領域にのみ、高さが５ｎｍ程度の多数の凸部を選択的に形成する。 - 特許庁

An amorphous Si film 4 is formed on a first SiO2 film 3 formed by thermal oxidation on a p-type Si substrate 1.例文帳に追加

ｐ型Ｓｉ基板１上の、熱酸化によって形成された第１のＳｉＯ_２膜３上に、非晶質Ｓｉ膜４を形成する。 - 特許庁

The photoreceptor has UCL 2 comprising an anodic oxidation film having ≥4×1010/cm2 cell density on an aluminum alloy substrate 1.例文帳に追加

アルミニウム合金基体上にセル密度が４×１０^10個／ｃｍ^2 以上である陽極酸化皮膜からなるＵＣＬを備えた感光体とする。 - 特許庁

Thereafter, the surface of the Si substrate is thermally oxidized by RTO method as oxidation of a base to form a silicon oxide film (step S2).例文帳に追加

その後、下地酸化として、Ｓｉ基板の表面をＲＴＯ法により熱酸化することにより、シリコン酸化膜を形成する（ステップＳ２）。 - 特許庁

The field oxidized film 5 is formed on the surface of the silicon substrate 4 exposed in the opening 6 by selective oxidation.例文帳に追加

この開口６から露出するシリコン基板４の表面に、選択酸化によりフィールド酸化膜５が形成される。 - 特許庁

The catalyst for nitrogen oxide removal is a catalyst produced by forming a catalyst layer (2) on the surface of the oxidation resistant and corrosion resistant metal substrate (1).例文帳に追加

（２）前記耐酸化性耐腐食性金属基板の表面に触媒層を形成した脱硝用触媒。 - 特許庁

The low-temperature oxidation catalyst and the binding component are heated to 250°C or more when being fixed to the substrate wall surface (4).例文帳に追加

低温酸化触媒と粘結成分は、基材壁面(４)へ固定する際に２５０℃以上に加熱しておく。 - 特許庁

Consequently, the ratio of the carbon atom having a π-bond in a molecular layer on the surface of the substrate decreases to less than that for the state of only oxidation treatment.例文帳に追加

その結果、基板表面の分子層のπ結合を有する炭素原子の割合はを酸化処理のみの状態よりも減少する。 - 特許庁