「substrate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A shading layer 12 made of a shading film 12a and an oxidation preventing film 12b formed by sputtering is formed on the second surface 11b of the substrate 11.例文帳に追加

基板１１の第２面１１ｂには、スパッタ法で遮光膜１２ａ及び酸化防止膜１２ｂからなる遮光層１２が形成されている。 - 特許庁

The first substrate 51 is formed by thermal decomposition an oxidation reaction of a film-forming material containing chlorine on a piece of glass at 60°C or higher.例文帳に追加

第１の下地膜は、６００℃以上のガラス上において、塩素を含む被膜形成原料の熱分解酸化反応により成膜する。 - 特許庁

A thermal oxidation film 113 is formed on a wall surface of the n-type semiconductor substrate 105 defining the through-hole 105c.例文帳に追加

貫通孔１０５ｃを画成するｎ型半導体基板１０５の壁面上には、熱酸化膜１１３が形成されている。 - 特許庁

A pattern of a masking layer for local oxidation of silicon 12 is formed on this substrate 11, and an element-isolation insulating film 13 is formed by selectively oxidizing the pattern.例文帳に追加

この基板１１上に選択酸化用のマスク層１２のパターンを形成し、選択的に酸化して素子分離絶縁膜１３を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for preventing the oxidation of a trench side wall, and for forming a thermal oxide film on a substrate.例文帳に追加

トレンチ側壁の酸化を防止しつつ基板上に熱酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the SOI wafer 10, a BOX layer 2 formed by thermal oxidation is formed on the upper side of a supporting substrate 1.例文帳に追加

ＳＯＩウェーハ１０において、支持基板１の上部に熱酸化によるＢＯＸ層２が形成されている。 - 特許庁

A surface-modified film 15 (SiO_2 heat-oxidized film) is formed on the surface of the Si substrate 12 by heat oxidation etc.例文帳に追加

Ｓｉからなる基板１２の表面に熱酸化等により表面改質膜１５（ＳｉＯ_２熱酸化膜）が形成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an aluminum substrate for a printed circuit, in which an excellent oxidation film is formed and adhesion to a resin sheet is improved.例文帳に追加

良好な酸化皮膜を形成できて、樹脂板との接着性を向上できるプリント回路用アルミニウム基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which prevents a defect in contact between a bump electrode and a substrate by suppressing oxidation of the bump electrode.例文帳に追加

バンプ電極の酸化を抑制し、バンプ電極と基板との密着不良を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A thermally oxidized SiO_2 film 22 is formed on the front and rear of the (110) Si single crystal substrate 21 using a thermal oxidation method.例文帳に追加

次に、熱酸化法を用いて、（１１０）Ｓｉ単結晶基板２１の表裏に熱酸化ＳｉＯ_2膜２２を形成する。 - 特許庁

To provide a method which can accurately determine the presence or absence of a carbon pollution of a thermal oxidation film formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に形成された熱酸化膜の炭素汚染の有無を精度良く判定できる方法を提供する。 - 特許庁

Then, as a result of the comparison, the presence or absence of the impurity pollution of the thermal oxidation film formed on the semiconductor substrate or the semiconductor material is determined (g), (h).例文帳に追加

次に、比較の結果、半導体基板もしくは半導体材料上に形成された熱酸化膜の不純物汚染の有無を判定する（ｇ）、（ｈ）。 - 特許庁

Oxidation is performed on the exposed surface of the substrate 101 to make round the surfaces of element regions.例文帳に追加

半導体基板１０１の露出している表面に酸化を行って素子領域の表面に丸みを付ける。 - 特許庁

The base body 31 is provided with a silicon oxide film formed by thermal oxidation treatment on the surface of a silicon substrate with the penetration holes 32 formed.例文帳に追加

基体部３１は、貫通孔３２を形成したシリコン基板の表面に、熱酸化処理によりシリコン酸化膜を形成して作製する。 - 特許庁

The oxidation method for oxidizing the organic substrate by molecular oxygen is provided.例文帳に追加

本発明は、また、上記の酸化触媒の存在下、有機基質を分子状酸素で酸化する酸化方法を提供する。 - 特許庁

In the 2nd step, an under coating layer of the anode oxidation coatings is formed by anode oxidizing the surface of the conductive substrate.例文帳に追加

第２工程で、導電性基体の表面に陽極酸化処理により陽極酸化皮膜の下引き層を形成する。 - 特許庁

An oxidation degree adjusting layer is provided between the substrate and a ferromagnetic layer and average oxygen concentration of the ferromagnetic layer in a layering direction is specified to be ≤5at%.例文帳に追加

基板と強磁性層との間に酸化度調整層を設け、強磁性層の積層方向の平均酸素濃度を５at％以下とする。 - 特許庁

An SiO2 film 3 of 100 Å or more thickness is formed on an Si substrate 2 by thermal oxidation, and a ZnO film 4 is c-axis-orientated thereon.例文帳に追加

Ｓｉ基板２の上に熱酸化によりＳｉＯ_2膜３を１００Å以上の厚みに形成し、その上にＺｎＯ膜４をｃ軸配向させる。 - 特許庁

A thermal oxidation film is formed as an underlying insulating film 103 on a substrate 100 and irregularities 105a-105d on the surface are smoothed.例文帳に追加

基板１００上に、下地絶縁膜１０３として熱酸化膜を形成し、表面の凹凸１０５ａ〜１０５ｄを平滑化する。 - 特許庁

In the 2nd area 52, a thermal oxidation film 8 has constant thickness, so that a height difference is generated at the remaining part of the substrate 1.例文帳に追加

第２の領域５２においては、熱酸化膜８が一定の厚みをもつため、半導体基板１の残存する部分に高低差ができる。 - 特許庁

The oxidation-resistant film 12 comprises a composite oxide having different compositions in an interface 12a with the cermet substrate 11 and in an outermost surface 12b from each other.例文帳に追加

耐酸化膜１２は、サーメット基材１１との界面１２ａと、最表面１２ｂとで異なった組成を有する複合酸化物によって構成される。 - 特許庁

In a unit pixel of a CMOS image sensor, a thermal oxidation film 160 is formed on an upper surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサの単位画素において、半導体基板の上面に、熱酸化膜１６０が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of minimizing the property deterioration caused by the oxidation of a metal film, and a substrate processing apparatus.例文帳に追加

金属膜の酸化に起因する特性劣化を最小限に抑えることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel cell which prevents unusual oxidation of a metal substrate and cracking and peeling of an electrolyte layer, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

金属基材の異常酸化が抑制されかつ電解質層のひび、剥がれ等が抑制された、燃料電池およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The portion of the through-hole 9 located in the supporting substrate layer 1 is formed so that the sectional area increases as the through-hole recedes from the intermediate oxidation film layer 2.例文帳に追加

支持基板層１に位置する貫通孔９の部分は、中間酸化膜層２から離れるにつれ断面積が大きく形成されている。 - 特許庁

To perform treatment at a low temperature and low costs and to form a treatment film to be thick and uniform in the case of performing nitridation treatment or oxidation treatment to a substrate surface.例文帳に追加

基板表面を窒化処理又は酸化処理する際、処理を低温で安価に行なえ、処理膜を厚く均一に形成できるようにする。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device forms a LOCOS (local oxidation of silicon) film extended from the element forming region to the element isolation region on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板表面に素子形成領域から素子分割領域に亘って延在するＬＯＣＯＳ膜を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an array substrate for a liquid crystal device capable of preventing a defect due to a leak at a gate oxidation film and enhancing yield.例文帳に追加

ゲート酸化膜でのリークによる不良を防止でき、歩留まりを向上できる液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for anodic oxidation surface treatment of an aluminum substrate whereby deposition of metallic copper can be reduced.例文帳に追加

金属銅の付着を低減できるアルミニウム基板の陽極酸化表面処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To form a hard film on a substrate employing physical vapor deposition, which shows an oxidation resistance at ≥1,000°C and a good wear resistance.例文帳に追加

物理蒸着法を用いて、基材上に、耐酸化性を１０００℃以上有するとともに、耐摩耗性が良好な硬質皮膜を形成すること。 - 特許庁

The thermal oxidation process is carried out under an atmosphere in which a substrate surface temperature is ≥850°C, and water concentration is ≥7% and ≤20%.例文帳に追加

熱酸化工程は、基板表面温度を８５０℃以上とし、水分濃度が７％以上で２０％以下の雰囲気下で行う。 - 特許庁

Each structure subjected to thermal oxidation and made of silicon is substituted for silicon oxide, thereby forming respective optical elements on the substrate surface in a lump.例文帳に追加

そして熱酸化し、シリコンからなる各構造体を酸化シリコンに置き換えることにより、各光学素子を基板面上に一括形成する。 - 特許庁

When a diaphragm 3 is abutted against the electrode 13 and driven, an oxide film 21 is formed, at first, on the entire surface of a diaphragm substrate 2 by thermal oxidation.例文帳に追加

振動板３を電極１３に当接させて駆動させる場合には、まず、熱酸化法によって振動基板２の全面に酸化膜２１を形成する。 - 特許庁

A glass substrate after an abrasion process is treated with functional water having a plus oxidation-reduction potential(ORP) for a fixed time in the final cleaning process.例文帳に追加

研磨工程を経た後のガラス基板を、最終洗浄工程において、ＯＲＰプラスの機能水で所定時間処理するようにした。 - 特許庁

To provide an application apparatus and an application method for applying a coating solution to a substrate at an increased apparatus efficiency while preventing oxidation of the coating solution.例文帳に追加

塗布液の酸化を防止しながら装置効率を上げて基板に塗布を行う塗布装置および塗布方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming an insulating oxide film with superior electric characteristics, wherein oxidation is prevented from advancing into a substrate during the period of deposition of the oxide film.例文帳に追加

酸化膜堆積中に基板内部への酸化が進行せず、かつ良好な電気特性を有する酸化絶縁膜の形成方法を得ることにある。 - 特許庁

At the time of growing the oxide thin film on the surface of a substrate by jetting at least a material gas and an oxidation gas to the substrate, together with heating the substrate arranged in a reaction chamber, the initial oxidation film is deposited on the surface of the substrate before the substrate is risen up to a temperature at which the temperature rise is occurred by catalysis.例文帳に追加

成膜室内に配置された基板を加熱しつつ、該基板に向けて少なくとも原料ガスと酸化ガスとを噴出させて基板表面に酸化物薄膜を成長させるにあたり、原料ガス及び／または酸化ガスにより基板が触媒作用で温度上昇を起こす温度まで上昇する前に、基板の表面に初期酸化膜を成膜する。 - 特許庁

Thus, part of the surface of the semiconductor substrate 1 adjacent to the trench 9 is exposed, and thereafter when the trench 9 is buried by a silicon oxidation film 10, the silicon oxidation film 10 is formed even on a part exposing the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

このため、トレンチ９に隣接する半導体基板１表面が一部露出し、この後トレンチ９をシリコン酸化膜１０により埋め込む際、この半導体基板１表面が露出する部分上にもシリコン酸化膜１０が形成される。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a silicon oxide film 2 formed on a single crystalline silicon substrate 1 in a predetermined region, and the gate insulating film 3 as the thermal oxidation film formed by thermally oxidizing the surface of the silicon substrate 1 in a region adjacent to the silicon oxidation film.例文帳に追加

半導体装置は、単結晶シリコン基板１上の所定の領域に形成されたシリコン酸化膜２、それと隣接する領域に単結晶シリコン基板１の表面を熱酸化して形成した熱酸化膜であるゲート絶縁膜３を備える。 - 特許庁

Then, the polishing stop film 20 is interposed between the semiconductor substrate 11 and an oxidation prevention film 14 at the peripheral region of the semiconductor substrate 11, thus preventing the oxidation prevention film 14 from being peeled due to stress, or the like when forming a ferroelectric film 16.例文帳に追加

そして、この研磨停止膜２０は、半導体基板１１の周縁領域において、当該半導体基板１１と酸化防止膜１４との間に介在し、強誘電体膜１６を形成した際のストレスなどによる酸化防止膜１４の膜剥がれを防止する。 - 特許庁

This optical element molding die includes the substrate having a surface with a standard electrode potential getting negative in an oxidation reaction, a protection layer with the standard electrode potential getting positive, provided on the substrate, and an aluminum anodic oxidation layer provided on the protection layer.例文帳に追加

酸化反応における標準電極電位が負である表面を持つ基板と、前記基板の上に設けられた前記標準電極電位が正となる保護層と、前記保護層の上に設けられたアルミニウム陽極酸化層と、を有することを特徴とする光学素子成形用金型。 - 特許庁

An oxidation pad layer 102 and a mask layer 104 are formed on the silicon substrate 100, a mask 104a is formed on the mask layer in the pattern of a photoresist formed thereon, and an oxidation pad layer 102a and the substrate 100 are etched, to form a trench.例文帳に追加

シリコン基板１００上に酸化パッド層１０２とマスク層１０４を形成し、その上に形成されたフォトレジストのパターンでマスク層にマスク１０４ａを形成し、酸化パッド層１０２ａ及び基板１００をエッチングし、トレンチを形成する。 - 特許庁

To provide an anodic oxidation system to perform electrochemical oxidation of a substrate to be treated, and an oxide layer manufacturing method in which a series of treatments are performed with a simple configuration considering carriage of the substrate.例文帳に追加

被処理基板に電気化学的に酸化を施す陽極酸化システムおよび酸化層の製造方法において被処理基板の搬送をも考えてより単純な装置構成で一連の処理を行うことが可能な陽極酸化システムおよび酸化層の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The oxidation-resistant coating member is formed of an oxidation-resistant coated film on the surface of a heat-resistant alloy substrate, wherein an α-Al_2O_3 layer in which each content of Co and Ni is one atom% or less, respectively is formed on the surface of the heat-resistant alloy substrate.例文帳に追加

耐熱合金基材の表面に、耐酸化皮膜を形成した耐酸化コーティング部材において、耐酸化皮膜表面に、ＣｏおよびＮｉの各含有量がそれぞれ１原子％以下であるα−Ａｌ_２Ｏ_３層を形成したことを特徴とする耐酸化コーティング部材である。 - 特許庁

A field oxide film 23 is formed on an N-type silicon substrate 21 by a selective oxidation method and thereafter, gate oxide films 24 are respectively formed by lamination on a transistor formation region on the above substrate 21 excluding said oxide film 23 by a thermal oxidation.例文帳に追加

Ｎ型のシリコン基板（２１）上に、選択酸化法によりフィールド酸化膜（２３）を形成した後、該酸化膜（２３）を除く前記基板（２１）のトランジスタ形成領域上に熱酸化によりゲート酸化膜（２４）を夫々積層形成する。 - 特許庁