「substrate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for forming an oxide film comprises a step for cleaning the surface of a silicon substrate 1, a step for annealing the silicon substrate 1 at a temperature higher than a temperature of thermal oxidation for forming a tunnel oxide film 3 in an atmosphere of Ar gas, and a step for forming the tunnel oxide film 3 through the thermal oxidation method.例文帳に追加

本発明に係る酸化膜の形成方法は、シリコン基板１表面を洗浄する工程と、上記シリコン基板１に、Ａｒガス雰囲気下でトンネル酸化膜３を形成する際の熱酸化温度以上の温度でアニールを施す工程と、上記シリコン基板１上に熱酸化法によりトンネル酸化膜３を形成する工程と、を具備するものである。 - 特許庁

Furthermore, element to delay the oxidation of silicon is introduced into the semiconductor substrate 2 on both sides of the gate electrode 22, and after this introduction, the thermal oxidation is performed to form a silicon oxide film 26a on the semiconductor substrate 2, and to form a silicon oxide film 26b which is thicker than the silicon oxide film 26a on the sidewall of the electrode 22, at the same time.例文帳に追加

さらに、ゲート電極２２の両側の半導体基板２内にシリコンの酸化を遅らせる元素を導入し、この導入後、熱酸化を行い、半導体基板２の上部にシリコン酸化膜２６ａを形成し、同時にゲート電極２２の側壁上にシリコン酸化膜２６ａより膜厚が厚いシリコン酸化膜２６ｂを形成する。 - 特許庁

The wet oxidation treatment for the carbon particles is carried out by adding an oxidizing agent to water in which the carbon particles are suspended, and the carbon particles treated by the wet oxidation treatment are added to a cyanide containing silver plating solution for electroplating a substrate to form a coating of the composite material, which contains the carbon particles in a silver layer, on the substrate.例文帳に追加

炭素粒子を水中に懸濁させた後に酸化剤を添加して炭素粒子の湿式酸化処理を行い、この湿式酸化処理を行った炭素粒子をシアン系銀めっき液に添加して電気めっきを行うことにより、銀層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材上に形成する。 - 特許庁

To provide a plastic substrate for microchips having a saturated cyclic polyolefin resin in which the fluorescence of the substrate is suppressed that increases by applying oxidation treatment to the plastic substrate for microchips made of a norbornene resin having the saturated cyclic polyolefin resin.例文帳に追加

飽和環状ポリオレフィン系樹脂を有する製ノルボルネン樹脂のマイクロチップ用プラスチック基板に酸化処理を加えることによって増大する基板の蛍光を抑制した飽和環状ポリオレフィン系樹脂を有するマイクロチップ用プラスチック基板を提供する。 - 特許庁

To prevent oxidation of a substrate due to dissolved oxygen in rinse liquid by suppressing increase in concentration of dissolved oxygen in rinse liquid after discharging rinse liquid from a nozzle toward the substrate, and to suppress adhesion of contaminant to the substrate.例文帳に追加

ノズルから基板に向けてリンス液を吐出した後にリンス液中の溶存酸素濃度が上昇することを抑制することで、リンス液中の溶存酸素による基板の酸化を防止するとともに、基板への汚染物質の付着を抑制する。 - 特許庁

To solve the conventional problem that the continuation of electrolysis is no more possible or electric efficiency is remarkably degraded due to peeling of a silicon substrate from a diamond layer and the corrosion of the substrate starts from this portion during electrode oxidation treatment by a diamond electrode using the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板を用いたダイヤモンド電極による電極酸化処理中に、ダイヤモンド層と基板が剥離し、その部分から基板が腐食することにより、電解が継続できなくなる、又は、電気効率が著しく悪くなるという従来の問題を解決するためのものである。 - 特許庁

Further, the antenna array is arranged in a space upper-stream in a gas flow direction of the oxidation gas supplied toward the substrate stage from a supply hole formed in a sidewall of the deposition container, than a position where the substrate is mounted on the substrate stage.例文帳に追加

また、アンテナアレイは、基板ステージ上に基板が載置される位置よりも、成膜容器の側壁に形成された供給孔から基板ステージに向けて供給される酸化ガスのガス流方向の上流側の空間に配設されている。 - 特許庁

To obtain a substrate heater for semiconductor-manufacturing equipment, that can stably supply heat to a semiconductor substrate by avoiding the oxidation of a surface that directly makes contact with at least the semiconductor substrate or a susceptor within a heating plate surface, even if oxygen is used as the reaction gas.例文帳に追加

例え反応ガスとして酸素を使用しても、加熱板表面の内の、少なくとも半導体基板またはサセプタと直接接触する面の酸化を極力回避して、半導体基板に安定した熱供給を行えるようにした半導体製造装置用基板ヒータを提供する。 - 特許庁

To provide a treatment method which can remove fine particles and metal impurities on the surface of a semiconductor substrate without causing corrosion or oxidation of the semiconductor substrate and a metal wiring, and can simultaneously remove carbon defect on the surface of the substrate without removing a metal corrosion inhibitor-Cu coating film.例文帳に追加

半導体基板や金属配線の腐食や酸化を起こすことなく、基板表面の微細粒子や金属不純物を除去し得、金属腐食防止剤-Cu皮膜の除去せずに基板表面のカーボン・ディフェクトをも同時に除去し得る処理方法。 - 特許庁

Immediately after a semiconductor substrate 17 having surface polished with polishing liquid is taken out from a rotary surface plate 11, aqueous solution 22 containing oxidizing agent and having oxidation-reduction potential of 10 mV or above is sprayed to the surface of the substrate 17 or the substrate 17 is immersed into the aqueous solution 22.例文帳に追加

研磨液を用いて基板表面を研磨した半導体基板１７を回転定盤１１から取外した直後に酸化剤を含有し酸化還元電位が１０ｍＶ以上である水溶液２２を基板１７の表面に噴霧するか、又は水溶液２２に基板１７を浸漬する。 - 特許庁

The method of treating the surface of the substrate is used for detecting foreign materials on the surface of the semiconductor substrate, and comprises steps of isotropically oxidizing the surface 11a of the substrate so as to reduce the scattered light, and isotropically etch-removing an oxide film 12 formed by oxidation.例文帳に追加

半導体基板表面の異物検出に用いるための基板の表面処理方法であって、散乱光を減少させるために、基板表面１１ａを等方的に酸化させる工程と、酸化によって形成された酸化膜１２を等方的にエッチング除去する工程とによって表面処理する。 - 特許庁

In a capacitor including a SOI substrate 1, a high-concentration impurity layer 2 formed on the substrate 1, a thermal oxidation film 4 formed on the layer 2, and a polysilicon electrode 5 formed on the film 4 after the polysilicon electrode 5 is formed, the substrate is subjected to a heat treatment at high temperatures over 1150°C in an atmosphere of N2.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１に高不純物濃度層２を形成し、その表面に熱酸化膜４を形成し、この熱酸化膜４上にポリシリコン電極５を形成した構成のキャパシタにおいて、ポリシリコン電極５を形成した後に、Ｎ_2雰囲気中で１１５０℃以上の高温熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a method for treating the surface of a substrate, useful in the case of manufacturing a semiconductor element for imparting a clean substrate surface, by selectively removing a spontaneous oxidation film, without impairing a needing thermal oxide film by exceeding an allowing range and without bringing about a microscopic roughness on the surface of the substrate after treatment.例文帳に追加

必要とする熱酸化膜を許容範囲を超えて損なうことなく、処理後の基板表面にマイクロラフネスを生じることなく自然酸化膜を選択的に除去し、清浄な基板面を与える半導体素子の製造の際に有用な基板表面の処理方法の提供。 - 特許庁

After introducing nitrogen ions 4 into the surface of a p-type SiC substrate 1, the nitrogen atoms present in an impurity-doped layer 6 are made to diffuse toward the rear surface of the SiC substrate 1, by increasing the number of the interstitial silicon atoms of the SiC substrate 1 by its thermal oxidation, so as to form an n-type impurity diffusion layer 7.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣ基板１の表面に窒素イオン４を導入した後、熱酸化によってＳｉＣ基板１の格子間シリコン原子の数を増加させることにより、不純物ドーピング層６の窒素をＳｉＣ基板１の裏面に向かって拡散させて、ｎ型不純物拡散層７を形成する。 - 特許庁

In the pretreatment process, RPH (Remote Plasma Hydrogenation) treatment for supplying hydrogen radical onto a substrate is performed (202), RPN (Remote Plasma Nitriding) treatment for supplying nitrogen radical onto the substrate is performed (203), and then RPO (Remote Plasma Oxidation) treatment for supplying oxygen radical onto the substrate is performed (204) in the middle of substrate temperature increment for increasing a substrate temperature to a depositing one.例文帳に追加

前処理工程は、基板温度を成膜温度まで昇温させる基板昇温の途中で、水素ラジカルを基板上に供給するＲＰＨ（リモートプラズマ水素化）処理を行い（２０２）、その後、窒素ラジカルを基板上に供給するＲＰＮ（リモートプラズマ窒化）処理を行い（２０３）、その後、酸素ラジカルを基板上に供給するＲＰＯ（リモートプラズマ酸化）処理を行う（２０４）。 - 特許庁

METHOD OF PREPARING SILICON DIOXIDE LAYER BY HIGH-TEMPERATURE OXIDATION ON SUBSTRATE HAVING GERMANIUM OR SILICON-GERMANIUM ALLOY ON AT LEAST ITS SURFACE例文帳に追加

少なくともその表面にゲルマニウムまたはケイ素−ゲルマニウム合金を持つ基板上において、高温酸化により二酸化ケイ素層を調製する方法 - 特許庁

Plenty of oxygen ions (active oxygen) are generated on the surface of the substrate 100 in parallel with the reduction and HC and CO in waste gas are efficiently oxidation-removed with the oxygen ions.例文帳に追加

それと同時に、基板 100表面上に多量の酸素イオン（活性酸素）が生成し、この酸素イオンによって排ガス中のHC及びCOが効率よく酸化浄化される。 - 特許庁

The polysilazane film 4d is transformed to a silicon dioxide film by keeping the semiconductor substrate 2 to which the polysilazane film 4d is applied at steam oxidation temperature and steam-oxygenizing it.例文帳に追加

次に、ポリシラザン膜４ｄを塗布した半導体基板２を水蒸気酸化温度に保持し、水蒸気酸化を行うことでポリシラザン膜４ｄについてシリコン酸化膜に転換する。 - 特許庁

To prolong the service life of a substrate treating device in which electrodes are arranged in a buffer chamber as a plasma generating source by preventing the oxidation of the electrodes.例文帳に追加

バッファ室内にプラズマ発生源として電極を配置する基板処理装置において、その電極の酸化を防止し、長寿命にすることにある。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device performing anisotropic oxidation or anisotropic nitriding by which a silicon oxide film or a silicon nitride film is formed on a semiconductor substrate, thicker horizontally rather than vertically.例文帳に追加

半導体基板の垂直方向より水平方向により厚くシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜が形成される異方性酸化又は異方性窒化を行う半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This insulating substrate can be manufactured by immersing the Al-Zn alloy plated steel sheet as above in an aqueous solution of pH 5.0-10.0 containing alkali salt of weak acid to undergo continuous anodic oxidation.例文帳に追加

製造方法は上記のようなＡｌ−Ｚｎ系合金めっき鋼板を弱酸のアルカリ塩を含むｐＨ５.０〜１０.０の水溶液中に浸漬して、連続的に陽極酸化する。 - 特許庁

Then, this intermediate layer contains a hydrogen oxidation catalyst, a proton reduction catalyst, a polymer electrolyte and an electron conductor, and has a structure in which a hydrogen gas passage is formed in the thickness direction of the sheet-like substrate.例文帳に追加

そして、この中間層は、水素酸化触媒、プロトン還元触媒、高分子電解質および電子伝導体を含み、シート状基材の厚み方向に向かって水素ガス流路が形成されてなる構成を有する。 - 特許庁

Then the substrate having the pattern of recesses and projections is subjected to anodic oxidation in oxalic acid to obtain a metal oxide thin film 105 having a periodical nanohole structure 104.例文帳に追加

次に、その凹凸パターンを有する基板をシュウ酸中で陽極酸化することにより、基板は周期的ナノホール構造１０４を有する金属酸化物薄膜１０５となる。 - 特許庁

Nitrogen is introduced to the surface of the thermal oxidation film located in the peripheral circuit region, and the region of a semiconductor substrate 1 exposed to the memory cell region by performing plasma nitriding treatment.例文帳に追加

プラズマ窒化処理を施すことにより、周辺回路領域に位置する熱酸化膜とメモリセル領域に露出した半導体基板１の領域の表面に窒素が導入される。 - 特許庁

A phosphorus-doped polysilicon film is used for an emitter electrode, so emitter resistance based upon a natural oxidation film on the interface between the emitter electrode and a silicon substrate is reducible.例文帳に追加

エミッタ電極に燐ドープポリシリコン膜を用いるので、エミッタ電極とシリコン基板の界面の自然酸化膜に起因するエミッタ抵抗を低減することができる。 - 特許庁

To provide film formation treating equipment which can make effective ozone having oxidation effect come into contact effectively with a film formation region of a substrate, and realize miniaturization and cost reduction of equipment.例文帳に追加

酸化作用を有する有効なオゾンを効率よく基板の成膜領域に触れさせることができ、装置の小型化と低コスト化をはかることができる成膜処理装置を提供する。 - 特許庁

In the SIMOX substrate after pouring oxygen ion inside a silicon wafer 11, an embedded silicon oxidation layer 12 is formed by heat-treatment, and a SOI layer 13 is formed on the surface.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ基板は、シリコンウェーハ１１内部に酸素イオンを注入した後、熱処理して埋込みシリコン酸化層１２が形成され、その表面にＳＯＩ層１３が形成される。 - 特許庁

(2) Methane gas is mass-produced by using not only formate, etc., but also hydrogen gas as a substrate for a methane-producing bacterium generated together with carbon monoxide gas in partial oxidation in the process (1).例文帳に追加

２）１において蟻酸塩等だけでなく部分酸化処理する際に一酸化炭素ガスと同時に発生する水素ガスをメタン生成菌の基質として活用しメタンガスを大量生産する。 - 特許庁

In the drying method for ink, printing is performed on a substrate by oxidation-polymerization type ink and thereafter electron beams are irradiated in the atmosphere of 5,000 ppm-30% oxygen density.例文帳に追加

基材上に酸化重合型インキにより印刷したのち、酸素濃度５０００ｐｐｍ以上３０％以下の雰囲気中で電子線を照射することを特徴とするインキの乾燥方法。 - 特許庁

In wash-treatment sections 5a-5d, ozone water is supplied onto the surface of the substrate W being held and rotated by a spin chuck 21 from a nozzle 50 for oxidation treatment.例文帳に追加

洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて、スピンチャック２１に保持された状態で回転する基板Ｗ表面に酸化処理用ノズル５０からオゾン水が供給される。 - 特許庁

After a trench isolation 3 is formed on a silicon substrate 1, oxidation is carried out in a mixed gas atmosphere of hydrogen and oxygen, and further, the oxide film thereof is removed through wet etching.例文帳に追加

シリコン基板１にトレンチ分離３を形成後、水素と酸素の混合ガス雰囲気の酸化を行い、さらにその酸化膜をウェットエッチで除去するようにしたものである。 - 特許庁

On the surface of a silicon substrate 100, a silicon oxide film 110 is formed by thermal oxidation process and silver is implanted in the silicon oxide film 110 by negative ion implantation.例文帳に追加

シリコン基板１００の表面に、熱酸化工程により、シリコン酸化膜１１０を形成し、このシリコン酸化膜１１０中に、負イオン注入法によって銀を注入する。 - 特許庁

The contact mechanism is provided with feed nozzles 6 and 7 of bringing at least one kind of reactant selected from a reaction liquid comprising ferrous ions, an oxidizer and an oxidation medium comprising oxygen into contact with the substrate.例文帳に追加

接触機構は、基体を、第一鉄イオンを含む反応液、酸化剤、及び酸素を含んだ酸化媒体の内の少なくとも一種の反応物質を前記基体に接触させる供給ノズル６，７を備えている。 - 特許庁

To suppress increase of a film thickness due to oxidation incident to nitriding when an oxide film formed on the surface of a silicon substrate is subjected to plasma nitriding and converted into an oxynitride film.例文帳に追加

シリコン基板表面に形成された酸化膜をプラズマ窒化処理により窒化し、酸窒化膜に変換する際に、窒化処理に伴って生じる酸化による膜厚増大を抑制する。 - 特許庁

Although the solubility of ozone is unavoidably low, due to the high temperature of the water vapor blown to the substrate W, the oxidation reaction itself is active simply because the temperature is high.例文帳に追加

基板Ｗに吹き付けられる水蒸気の温度が高いため、オゾンの溶解度が低くなるのは避けられないものの、高温であるが故に酸化反応自体は活性なものとなる。 - 特許庁

A nonporous anode oxidation film (MAO) 5 is formed by anodizing the surface of a wiring metal film formed on a substrate, and then the wiring metal film is patterned to form a gate electrode 4.例文帳に追加

基板上に形成された配線金属膜の表面を陽極酸化することにより無孔質陽極酸化膜(ＭＡＯ)５を形成した後、配線金属膜をパターニングしてゲート電極４を形成する。 - 特許庁

In the surface emitting semiconductor element where a current constricting part is formed by lateral oxidation, a mesa part 100 is formed so that it becomes reversely tapered against a substrate 1.例文帳に追加

横方向参加により電流狭窄部が形成された面発光型半導体素子において、基板１に対して逆テーパ形状になるようにメサ部１００を形成する。 - 特許庁

In wash-treatment sections 5a-5d, high-density ozone water is supplied onto the surface of a substrate W being held and rotated by a spin chuck 21 from a nozzle 50 for oxidation treatment.例文帳に追加

洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて、スピンチャック２１に保持された状態で回転する基板Ｗ表面に酸化処理用ノズル５０から高濃度オゾン水が供給される。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-receiving element equipped with a mesa-structure protruding from a semiconductor substrate, which can prevent time deterioration of a light-absorbing layer because of oxidation and the like.例文帳に追加

半導体基板から突出するメサ構造を備える半導体受光素子において、酸化等に起因する光吸収層の経時劣化を抑制することが可能な半導体受光素子を提供する。 - 特許庁

By this composition, the inner diffusion of corrosive ions such as oxygen ions is restrained even at a high temperature of ≥1,100°C and the oxidation of the carbon-based substrate is suppressed.例文帳に追加

このような構成により、１１００℃以上の高温下においても酸素イオンなどの腐食種イオンの内方拡散を抑制し、炭素系基体の酸化を抑制できる。 - 特許庁

The catalyst composition is placed on a carbon substrate 21 and is exposed in an oxidizing atmosphere to remove the carbon 3 and the nano-structural carbon 2 by oxidation.例文帳に追加

前記触媒組成物を炭素基板２１上に配置した後、酸化雰囲気に曝露し、触媒金属粒子１の表面を被覆している炭素３と、ナノ構造炭素２とを酸化して除去する。 - 特許庁

A deep groove 70 formed in the STI groove 60 is so deep as to reach the silicon substrate 1, and a thermal oxidation film 9 is formed on the concave inner surface of the deep groove 70.例文帳に追加

また、ＳＴＩ溝６０内に形成された深い溝７０はシリコン基板１に到達するまでの深さで形成され、その凹部内面には熱酸化膜９が形成されている。 - 特許庁

For the semiconductor device, an interface oxidation layer 102, a gate insulating film 104, and a gate electrode 107 are prepared in order on the superior surface of its semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体装置では、半導体基板１０１の上面上に、界面酸化層１０２、ゲート絶縁膜１０４及びゲート電極１０７が順に設けられている。 - 特許庁

To prevent warping of a substrate or occurrence of a missing part in a semiconductor film by not performing sacrifice oxidation when the semiconductor film becoming an active layer is made thin.例文帳に追加

本発明は、能動層となる半導体膜を薄膜化する際に犠牲酸化を行なわないようにし、基板の反りや半導体膜への欠損部の発生を防止することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing popping of a layer altered by ion implantation when removing a resist film by ashing, and suppressing oxidation and a hollow of a semiconductor substrate.例文帳に追加

レジスト膜をアッシングにより除去する際に、イオン注入による変質層のポッピングを防止できるとともに、半導体基板の酸化や掘れを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁