「substrate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

An element which decreases the oxidation speed of the surface layer portion of the semiconductor substrate is obliquely injected into the surface layer portion of the semiconductor substrate on condition that a region which comes into contact with the device isolation insulating film which is part of the surface of the active region is in the shadow of the projection portion of the device isolation insulating film.例文帳に追加

活性領域の表面のうち、素子分離絶縁膜に接する一部の領域が、素子分離絶縁膜の突出部の陰になる条件で、半導体基板の表層部に、半導体基板の表層部の酸化速度を低下させる元素を斜め方向から注入する。 - 特許庁

The element isolating structure for isolating the photodiodes from each other, such as an STI structure 7b, is formed by a method not using the thermal oxidation of a substrate, and a second conductive type channel stopper layer 6 is formed so as to have contact with and surround the element isolating structure 7b in the first conductive type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

フォトダイオード間を素子分離する素子分離構造、例えばＳＴＩ構造７ｂを基板の熱酸化によらない方法で形成し、素子分離構造７ｂに接してこれを取り囲む第１導電型の半導体基板１中に第２導電型のチャネルストッパ層６を形成する。 - 特許庁

The method of subjecting the organic chlorine compounds in the soil and/or underground water to the decomposition treatment by supplying a proliferation substrate of the microorganisms to the soil and/or underground water and utilizing the effect of the microorganisms comprises supplying the proliferation substrate as a treating agent of ≤+100 mV in oxidation reduction potential of a silver/silver chloride electrode potential.例文帳に追加

微生物の増殖基質を土壌及び／又は地下水に供給し、微生物の作用を利用して土壌及び／又は地下水中の有機塩素化合物を分解処理する方法において、増殖基質を銀／塩化銀電極電位の酸化還元電位が＋１００ｍＶ以下の処理剤として供給する。 - 特許庁

After a device isolation groove is formed in a device isolation region on a semiconductor substrate 1, thermal oxidation treatment is then applied to the semiconductor substrate 1 to form a liner oxide film on an inner wall surface of the device isolation groove, and a silicon oxide film is continuously embedded within the device isolation groove to form a separated portion SGI.例文帳に追加

半導体基板１の素子分離領域に素子分離溝を形成した後、半導体基板１に熱酸化処理を施して素子分離溝の内壁面にライナー酸化膜を形成し、続いて素子分離溝の内部に酸化シリコン膜を埋め込むことにより分離部ＳＧＩを形成する。 - 特許庁

To provide a substrate plating apparatus which prevents detachment or oxidation of a black film formed on the surface even when an anode is formed of copper-containing phosphor, and fills a space between a surface of a substrate to be plated and the anode with the plating solution not leaving any air therebetween.例文帳に追加

アノードを含リン銅で構成しても、この表面に生成されるブラックフィルムの脱落や酸化を防止し、しかも基板の被めっき面とアノードとの間を空気が存在しない状態でめっき液で満たすことができるようにした基板のめっき装置を提供する。 - 特許庁

An oxidation film (b) is provided on a silicon substrate (a), upon which cells (g, i, l, n and p) are constituted and then the silicon substrate (a) and the cells' upper metal current collector (p) are connected electrically so that a lower metal current collector (g) may be served also as electrodes of the capacitors (a, b and g).例文帳に追加

シリコン基板ａ上に酸化膜ｂを設け、その上に電池（ｇ，ｉ，ｌ，ｎ，ｐ）を構成し、シリコン基板ａと電池の上部金属集電体ｐを電気的に導通させ、下部金属集電体ｇがコンデンサ（ａ，ｂ，ｇ）の電極も兼ねる構造とする。 - 特許庁

Regions being the states of a plurality of kinds of the oxidation number are formed mutually identifiably by optical or magnetic characteristic difference by controlling the number of oxidation on a substrate surface using a minute electrode to which a plurality of kinds of bias voltages can be applied.例文帳に追加

複数種のバイアス電圧を印加可能な微小電極を用いて、基板表面の酸化数を制御することにより、複数種の酸化数状態の領域を、それぞれ一領域以上、光学又は磁気の特性差によって識別可能に形成することを特徴とする、磁気、光又は光磁気的に読取り可能に、記録媒体へ記録する方法及びその記録を消去乃至書換え方法、さらに、その記録媒体。 - 特許庁

A surface of the at least one blind via is passivated by an oxidation material, and a seed material 228 containing copper is formed on the surface of the oxidation material of the at least one blind via so as to confine the seed material inside the at least one blind via and expose the first surface of the substrate.例文帳に追加

酸化材料によって前記少なくとも１つのブラインドビアの表面をパッシベーションし、少なくとも一つのブラインドビアの酸化材料の表面に銅を含むシード材料２２８を、シード材料を前記少なくとも一つのブラインドビアの内部に閉じ込め、かつ、基板の前記第１の表面を露出させるように形成する。 - 特許庁

In the method for fabricating semiconductor device utilizing a crystalline silicon film obtained by crystallizing an amorphous silicon film formed on a substrate using a catalytic element, planarity on the surface of the crystalline silicon film is enhanced while decreasing the number of oxidation defects by thermally oxidizing the silicon film in a mixture gas of an oxidation species and a nonoxidation species.例文帳に追加

基板上に形成されたアモルファスシリコン膜を触媒元素により結晶化させて得られる結晶性シリコン膜を利用する半導体装置の作製方法において、該シリコン膜を酸化種と非酸化種の混合ガス中で熱酸化することによって、結晶性シリコン膜表面の平坦性を向上するとともに酸化欠陥数を低減する。 - 特許庁

A first cavity 102 is formed from one surface, to join a second cavity forming surface of a silicon base body 100 forming a second cavity 104 communicating with the first cavity from an opposite side surface, to a thermal oxidation vibrating plate surface of a vibrating plate base body 110 composed of a separate silicon support substrate 108 and a thermal oxidation film vibrating plate 106 formed on the surface.例文帳に追加

片面から第一の空洞１０２を形成し、反対側の面から前記第一の空洞と連通する第二の空洞１０４を形成したシリコン基体１００の前記第二の空洞形成面と、別のシリコン支持基板１０８とその表面に形成した熱酸化膜振動板１０６からなる振動板基体１１０の熱酸化振動板面を接合する。 - 特許庁

The device arranges the lean NOx catalyst 3 which carries a catalyst layer purifying nitrogen oxide in exhaust gas on a metal honey comb (metal substrate) under an excess oxygen atmosphere along the direction of an exhaust gas flow to an exhaust passage 2 of the internal combustion engine, and a reaction catalyst (oxidation catalyst) 4 which performs the oxidation reaction of at least hydrocarbon (HC) in exhaust gas.例文帳に追加

内燃機関１の排気通路２に排気ガス流れ方向に沿って、排気ガス中の窒素酸化物を酸素過剰雰囲気下で浄化する触媒層をメタルハニカム（金属基体）に担持したリーンＮＯｘ触媒３と、排気ガス中の少なくとも炭化水素（ＨＣ）の酸化反応を行わせる反応触媒（酸化触媒）４とを配置する。 - 特許庁

In an internal combustion pyrognetic oxidation (ISSG) method, an oxygen having an added hydrogen of about 0.5-33% is introduced directly into a chamber of about 900-1100°C and about 1000-2000 Pa, by using a rapid thermal oxidation apparatus to generate moisture on a heated semiconductor substrate 1 with the introduced oxygen and hydrogen.例文帳に追加

急速熱酸化装置を用いて、温度が約９００℃〜約１１００℃で、圧力が約１０００Ｐａ〜約２０００Ｐａのチャンバ内に、０．５％〜３３％程度の水素を添加した酸素を直接に導入し、加熱した半導体基板１１上で、導入された水素と酸素とから水蒸気を発生させる内燃方式のパイロジェニック酸化（ＩＳＳＧ）法により、フローティングゲート電極１４Ｂの上面及び側面を酸化する。 - 特許庁

The flexible dye sensitized solar cell comprises: a semiconductor layer modified by a sensitizer provided on metal foil; an electrolyte layer containing a substance for indicating at least reversible electrochemical oxidation-reduction characteristics; and a counter electrode for fixing a metal mesh covered with a substance having catalysis to a transparent substrate to a substance for indicating the reversible electrochemical oxidation-reduction characteristics.例文帳に追加

金属箔上に設けられた増感剤により修飾された半導体層と、少なくとも可逆な電気化学的酸化還元特性を示す物質を含有した電解質層、および前記可逆な電気化学的酸化還元特性を示す物質に対して触媒作用を有する物質により被覆された金属メッシュを透明基板に固定した対向電極からなることを特徴とするフレキシブル色素増感太陽電池。 - 特許庁

In this printing method using an oxidation polymerization-type printing ink and a printing plate material where a hydrophilic layer and an image forming layer enabling on-printer development are provided on a substrate, the oxidation polymerization-type printing ink does not form a skim after being left still for 24-hour in the environment at a 25°C/55% RH (relative humidity).例文帳に追加

基材上に親水性層及び機上現像可能な画像形成層を有する印刷版材料と酸化重合タイプの印刷インキを用いる印刷方法において、該酸化重合タイプのインキが、２５℃・５５％ＲＨ（相対湿度）の環境下で２４時間静置後、皮張りしないことを特徴とする印刷方法。 - 特許庁

At the time of processing a semiconductor substrate 1 in an atmosphere containing dinitrogen oxide 3 while irradiating it with UV-rays 6 and 7, the intensity and irradiation time of the UV-ray 7 having a wavelength range principally generating oxidation seed radicals and the UV-ray 6 having a wavelength range generating oxidation seed radicals and nitriding seed radicals simultaneously are controlled arbitrarily to form an insulation film 2 having a desired nitrogen concentration profile.例文帳に追加

半導体基板１を紫外光６，７を照射しながら一酸化二窒素３を含む雰囲気で処理する際に、主として酸化種ラジカルが発生する波長範囲の紫外光７と、酸化種ラジカルと窒化種ラジカルが同時に発生する波長範囲の紫外光６の強度と照射時間を、それぞれ任意に制御することによって所望の窒素濃度プロファイルを有する絶縁膜２を形成する。 - 特許庁

The second thin film 13 is anisotropically etched through the etching masks 15b for the formation of fine patterns 13a, and after a selective oxidation process is carried out using the fine patterns 13a as an oxidation mask, the fine patterns 13a are selectively removed, the first thin film 12a is eliminated, and then a quantum fine wire 17 is epitaxially grown on a part where the semiconductor substrate 11 is exposed.例文帳に追加

エッチングマスク１５bを介して第２薄膜１３を異方性エッチングすることにより形成された微細パターン１３aを酸化用マスクとして選択酸化した後、微細パターン１３aを選択的に除去すると共に、第１薄膜１２aを除去して、半導体基板１１が露出した部分に量子細線１７をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

In this extremely fine magnetic recording medium and its manufacturing method, non-oxidized regions enclosed by oxidized regions and oxidized regions enclosed by non-oxidized regions are arranged as an array by applying oxidation processing to the surface of a substrate which consists of magnetic material whose magnetic property is changed by oxidation by using an atomic force microscope under a wet atmosphere, and 1-bit information is made recordable in each region.例文帳に追加

酸化により磁気特性の変化する磁性材料からなる表面に対して、湿潤雰囲気下で原子間力顕微鏡を用いて酸化処理を施すことにより、酸化領域に囲まれた未酸化領域又は未酸化領域に囲まれた酸化領域をアレイ状に配し、前記各領域に１ｂｉｔの情報を記録可能とした、極微細な磁気記録媒体およびその製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming an n-type semiconductor region 2 partially on a p-type semiconductor substrate 1, a step for forming an anti-oxidation layer 3 by lowering n-type carrier concentration above the n-type semiconductor region, and a step for forming a base region B, an emitter region E and a collector region C above the anti-oxidation layer 3.例文帳に追加

本発明は、ｐ型半導体基板１上部に部分的にｎ型半導体領域２を形成する工程と、前記ｎ型半導体領域上部のｎ型キャリア濃度を下げて酸化防止層３を形成する工程と、前記酸化防止層３上にベース領域Ｂとエミッタ領域Ｅとコレクタ領域Ｃを形成する工程を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In the electrochromic element having a layered film wherein a first conductive film, an oxidation coloring layer, an electrolyte layer, a reduction coloring layer and a second conductive film are layered in this order or in the reverse order on a substrate, any one, or two or more layers of the oxidation coloring layer, the electrolyte layer and the reduction coloring layer are film-deposited by a dual magnetron sputtering method in an atmosphere containing hydrogen.例文帳に追加

基板上に、第１の導電膜、酸化発色層、電解層、還元発色層、及び第２の導電膜がこの順或いは逆順で積層されてなる積層膜を有するエレクトロクロミック素子において、該酸化発色層、電解層及び還元発色層のうちのいずれか１層又は２層以上が、水素を含有する雰囲気において、デュアルマグネトロンスパッタ法により成膜される。 - 特許庁

A VCSEL contains, on a substrate, an n-type lower DBR106, an active region, and a p-type upper DBR 110, a first selective oxidation layer 106A composed of an n-type AlAs being formed in the lower DBR 106, a second selective oxidation layer 110A composed of a p-type AlAs being formed in the upper DBR 110.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬは、基板上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性領域、ｐ型の上部ＤＢＲ１１０を含み、下部ＤＢＲ１０６内にｎ型のＡｌＡｓからなる第１の選択酸化層１０６Ａが形成され、上部ＤＢＲ１１０内にｐ型のＡｌＡｓからなる第２の選択酸化層１１０Ａが形成されている。 - 特許庁

The wall oxide film forming method of the flash memory element comprises a stage of offering a semiconductor substrate in which the trench has been formed, and a stage of forming the wall oxide film in the inner wall of the above-mentioned trench by performing the oxidation process by ISSG oxidation system in an atmosphere of H_2 and O_2.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法は、トレンチの形成された半導体基板を提供する段階と、Ｈ_２とＯ_２の雰囲気でＩＳＳＧ酸化方式によって酸化工程を行って前記トレンチの内側壁にウォール酸化膜を形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。 - 特許庁

A catalyst element for accelerating oxidation is added to a semiconductor thin film containing silicon, heat treatment is made in oxidation atmosphere, and also the operation between oxygen radical and oxygen ion is utilized, thus forming an oxide film with improved quality on the semiconductor thin film containing silicon in a low-temperature process where the substrate temperature is at 600°C or less.例文帳に追加

シリコンを含む半導体薄膜に酸化を助長する触媒元素を添加し、酸化雰囲気中で熱処理することにより、また、酸素ラジカルおよび酸素イオンとの作用を利用することにより、基板温度が６００℃以下の低温プロセスにおいて、シリコンを含む半導体薄膜上に良質な酸化膜を形成する。 - 特許庁

A substrate on the surface of which a Co film is formed as a seed layer is prepared, and when a Cu film is deposited on the Co film of the substrate by electrolytic plating using a plating solution mainly composed of a copper sulfate solution, before immersing the substrate surface into the plating solution, a negative voltage is applied to the substrate so that the surface potential of Co becomes lower than the oxidation potential of Co.例文帳に追加

表面にシード層としてＣｏ膜が形成された基板を準備し、Ｃｏ膜の上に硫酸銅溶液を主体とするメッキ液を用いて、電解メッキにより基板のＣｏ膜上にＣｕ膜を成膜するにあたり、基板表面をメッキ液に浸漬する前に、基板に対して、Ｃｏの表面電位がＣｏの酸化電位より低くなるような負の電圧を印加する。 - 特許庁

In the solid electrolytic capacitor 100, a positive electrode 1 includes a substrate 1a made of a porous sintered compact of niobium particles and a positive electrode lead 1b partially buried to the substrate 1a, and a dielectric layer 2 made of a niobium oxide including magnesium formed by anodic oxidation to cover the periphery of the substrate 1a is formed on the substrate 1a.例文帳に追加

この固体電解コンデンサ１００では、陽極１は、ニオブ粒子の多孔質焼結体からなる基体１ａと、基体１ａに一部が埋め込まれた陽極リード１ｂとから構成され、基体１ａ上には、基体１ａの周囲を覆うように陽極酸化により形成されたマグネシウムを含む酸化ニオブからなる誘電体層２が形成されている。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for controlling the pH of an aqueous solution capable of simply and precisely controlling the pH and oxidation and reduction potential(ORP) of washing water in order to obtain higher washing effect in washing water of wet washing in a process of manufacturing for a semiconductor substrate, a liquid crystal substrate, a magnetic substrate or a superconductive substrate.例文帳に追加

半導体基体、液晶基体、磁性基体または超伝導基体製造プロセスにおけるウェット洗浄の洗浄水においてより高い洗浄効果を得るために、洗浄水のｐＨと酸化還元電位（ＯＲＰ）をより簡便かつ精密に制御できる水溶液のｐＨ制御の方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

This method of forming the oxidized coating on a metal titanium substrate comprises applying titanic acid or organic titanium compound on the surface of the metal titanium substrate to form the oxidized coating thereon, firing the metal titanium substrate having the oxidized coating to reduce the thickness of the oxidized coating, then subjecting the oxidized coating to anodic oxidation in an electrolyte-containing solution, thereby forming the oxidized coating again on the surface of the metal titanium substrate.例文帳に追加

金属チタン基体表面にチタン酸あるいは有機チタン化合物を塗布して酸化被膜を形成し、酸化被膜を有する金属チタン基体を焼成して、該酸化被膜の厚さを減少せしめ、その後電解質含有溶液中で陽極酸化することにより該金属チタン基体表面に酸化被膜を再形成することを特徴とする金属チタン基体上への酸化被膜の形成方法。 - 特許庁

To provide a method which can clean the heat treatment tube of a semiconductor substrate heat treatment device, which is used in the heat treatment process such as the oxidation and diffusion process, etc., of a semiconductor substrate, reducing the quantity of metallic contamination efficiently without raising its cost, and a metal contamination getter substrate and a regenerative metal contamination getter substrate used in that cleaning method.例文帳に追加

半導体基板の酸化、拡散工程等の熱処理工程で用いられる半導体基板熱処理装置の熱処理チューブをコストアップすることなく効率よく金属汚染量を減少させ清浄できる方法及びその清浄化方法に用いられる金属汚染ゲッター基板及び再生金属汚染ゲッター基板を提供する。 - 特許庁

A variant of a parent Termamyl-like α-amylase is provided, which variant has α-amylase activity and exhibits an alteration in at least one of the following properties relative to the parent α-amylase: substrate specificity, substrate binding, substrate cleavage pattern, thermal stability, pH/activity profile, pH/stability profile, stability against oxidation, Ca^2+ dependency and specific activity.例文帳に追加

本発明は、親のテルマミル様α−アミラーゼの変異体であって、α−アミラーゼ活性を有し、且つ前記親のα−アミラーゼと比較すると次の性質：基質特異性、基質結合、基質開裂パターン、熱安定性、ｐＨ／活性プロフィール、ｐＨ／安定性プロフィール、酸化に対する安定性、Ca^2+依存性および比活性のうちの少なくとも１つの性質に変更を示す変異体に関する。 - 特許庁

In such a way, the inert gas is jetted toward the area overlapped with the cover portion 21 in a plane view, but not jetted from the jet ports 214 not overlapped with the substrate 9 on the upper surface 91 of the substrate 9, thereby reducing the amount of used inert gas for inhibiting the oxidation of a fluid material applied onto the substrate 9, water adsorption and the like.例文帳に追加

このように、基板９の上面９１において、カバー部２１と平面視にて重なっている領域に向けて不活性ガスが噴出され、基板９とは重なっていない噴出口２１４からは不活性ガスが噴出されないため、基板９上に塗布された流動性材料の酸化や水分の吸着等を抑制するための不活性ガスの使用量を低減することができる。 - 特許庁

In the phenolic resin substrate obtained by forming through-holes 2 in the substrate main body 1 prepared by impregnating a substrate with a phenolic resin composition and curing the phenolic resin composition with heating under pressure, and filling a copper paste 3 in the through-holes 3, the phenolic resin composition contains an antioxidant which can prevent the oxidation of the copper paste 3.例文帳に追加

基材にフェノール樹脂組成物を含浸させ、加熱加圧して硬化させて得られる基板本体（１）にスルーホール（２）を形成して、このスルーホール（２）内に銅ペースト（３）を充填するフェノール樹脂基板であって、上記フェノール樹脂組成物が、上記銅ペースト（３）の酸化を防止させる酸化防止剤を含有している。 - 特許庁

In the process A, a film-forming material is supplied (202) to allow inorganic starting gas to attach to the substrate being unreacted during the heating of the substrate up to a film-forming temperature, and an oxygen radical is supplied to the substrate for performing (203) RPO (remote plasma oxidation) treatment to form the first film layer thereon.例文帳に追加

第１薄膜層形成工程Ａは、基板温度を成膜温度まで昇温させる基板昇温加熱の途中で、有機原料ガスを基板上に未反応のまま付着させる成膜原料供給を行なった後（２０２）、酸素ラジカルを基板上に供給して第１の薄膜層を形成するＲＰＯ（リモートプラズマ酸化）処理を行なう（２０３）。 - 特許庁

To enable restraining generation of crystal defects on a semiconductor substrate which is to be caused by execution of an oxide film forming process of the substrate and realize improvement of yield, in a case containing the oxide film forming process for forming a thick oxide film by using thermal oxidation with which film a trench part formed on the semiconductor substrate is filled in a manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程中に、半導体基板上に形成された溝部を埋めた状態の厚い酸化膜を熱酸化によって形成する酸化膜形成工程を含む場合であっても、その酸化膜形成工程の実行に伴う半導体基板での結晶欠陥の発生を抑制できて歩留まりの向上を実現すること。 - 特許庁

When a silicon oxide film 74 is formed on a substrate 71 by using a thermal oxidation method, the surface of the substrate 71 is supplied with oxygen from both end sides in the widthwise direction of the substrate 71, the film 74 is formed because each silicon nitride film 11 is formed in a band shape having a narrow width, and the film thickness Da of the film 74 is made thinner than the film thickness Db.例文帳に追加

熱酸化法を用いて基板７１上に酸化シリコン膜７４を形成するとき、各窒化シリコン膜１１は幅の狭い帯状であるため、その幅方向両端側から基板７１の表面へ酸素が供給されて膜７４が形成され、膜７４の膜厚Ｄａは膜厚Ｄｂに比べて薄くなる。 - 特許庁

This method for forming the oxide coating film on a metallic titanium substrate features that the metallic titanium substrate is subjected to heat-treatment under the presence of oxygen so as to form the oxide coating film, is further fired unde vacuum pressure and, thereafter, is subjected to anodic-oxidation in a solution including electrolyte and, thereby, the oxide coating film is reformed on the surface of the metallic titanium substrate.例文帳に追加

金属チタン基体を酸素存在下で加熱処理して酸化被膜を形成し、さらに真空中で焼成し、その後電解質含有溶液中で陽極酸化することにより該金属チタン基体表面に酸化被膜を再形成することを特徴とする金属チタン基体上への酸化被膜の形成方法。 - 特許庁

The machining method for silicon substrate comprises a step for forming a protective film, through thermal oxidation, on a silicon substrate produced from silicon single crystal by Czochralski method, a step for removing the protective film partially, and a step for etching silicon exposed after removal of the protective film wherein the concentration of interstitial oxygen contained in the silicon substrate is set not higher than 14×1017 atoms/cm3.例文帳に追加

チョクラルスキー法で製造したシリコン単結晶から作られたシリコン基板上に、熱酸化法により保護膜を形成する工程と、保護膜を部分的に除去する工程と、除去後に表出するシリコンをエッチングする工程を有するシリコン基板加工において、前記シリコン基板中に含まれる格子間酸素濃度を１４×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下とすることにより実現する。 - 特許庁

A VCSEL (vertical cavity surface emitting semiconductor laser) 10 containing a mesa of a selective oxidation type has; a substrate 100; a first mesa 20 which is formed on the substrate 100, and contains at least one mesa that emits laser beams; and has a second mesa 30 which is formed on the substrate 100, and contains at least one mesa that suppresses the emission of the laser beams.例文帳に追加

本発明に係る選択酸化型のメサを含むＶＣＳＥＬ（面発光型半導体レーザ）１０は、基板１００と、前記基板１００上に形成され、レーザ光を出射する少なくとも１つのメサを含む第１のメサ２０と、前記基板１００上に形成され、レーザ光の出射を抑制する少なくとも１つのメサを含む第２のメサ３０とを有する。 - 特許庁

A substrate, which contains an amino acid oxidized or reduced electrochemically and is characterized in that the current accompanying by oxidation or reduction disappears by phosphorization, is brought into contact with protein kinase for adding the phosphoric acid group of a phosphoric acid group donor to the amino acid in the substrate and electrochemical measurement is subsequently performed in the state that the substrate is collected on the surface of an electrode.例文帳に追加

電気化学的に酸化又は還元されるとともに、前記酸化又は還元に伴う電流がリン酸化によって消失するアミノ酸を含む基質と、前記基質中の前記アミノ酸にリン酸基供与体のリン酸基を付加するプロテインキナーゼとを接触させた後、前記基質を電極の表面に集めた状態で電気化学測定を行う。 - 特許庁

Two layers containing an oxygen detection agent composition formed by mixing at least oxidation-reduction pigment and reducer on a substrate are provided, further a first oxygen indicator layer and a second oxygen indicator layer are provided sequentially from the substrate side, and the first oxygen indicator layer on the substrate side contains a stratified silicate selected from a smectite group.例文帳に追加

基材上に、少なくとも酸化還元色素及び還元剤を混合してなる酸素検知剤組成物を含む層を２層設け、さらに、基材側より第一酸素インジケーター層、第二酸素インジケーター層を順に設け、かつ、基材側の第一酸素インジケーター層にスメクタイト族から選ばれた層状ケイ酸塩を含むことを特徴とするものである。 - 特許庁

A vacuum pump 14 controls a supply flow rate of a gas containing ozone, based on an ozone concentration or ozone partial pressure of the gas after supplied to the substrate, measured by an ozone densitometer 13, when forming the oxide film on a surface of the substrate by supplying the gas containing the ozone from an ozone supply device 11 to the substrate in an oxidation treatment chamber 12.例文帳に追加

オゾン供給装置１１からオゾンを含んだガスを酸化処理チャンバ１２内の基板に供給して前記基板の表面に酸化膜を形成させるにあたり真空ポンプ１４はオゾン濃度計１３によって測定された前記基板に供された後のガスのオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき前記オゾンを含んだガスの供給流量を制御する。 - 特許庁

Alternatively, a silicon oxide of having a thickness becoming a gap is formed by thermal oxidation on a silicon wafer where impurities are implanted heavily to the diaphragm substrate 1 on the side being bonded to the electrode substrate 2 and then it is patterned into a desired shape before being bonded to the electrode substrate 2.例文帳に追加

第２実施例）振動板基板１に半導体基板の電極基板２の接合面側に高濃度の不純物が注入されたシリコンウエハを用いて、このシリコンウエハに熱酸化によってギャップとなる厚さのシリコン酸化膜を形勢した後、接合面側のシリコン酸化膜を所望の形状にパターニングして電極基板２と接合した。 - 特許庁

An oxidation metallic layer 8 is previously formed on a joining surface of the graphite sheet 3 forming the composite component 4 with the ceramic substrate 1, these are baked in a state where the layer 8 abuts on the ceramic substrate 1 in an unsintered or sintered state, thereby integrating the ceramic substrate 1 with the graphite sheet 3.例文帳に追加

特に複合部品４を形成するグラファイトシート３のセラミクス基板１との接合面に予め酸化金属層８を形成し、この酸化金属層８を未焼結状態或いは焼結状態にあるセラミクス基板１に当接させた状態でこれらを焼成しセラミクス基板１とグラファイトシート３を一体化する。 - 特許庁

The rear surface treatment method is carried out by: preparing the semiconductor device in which an integrated circuit having a plurality of electrodes is provided on the front surface of the semiconductor substrate; electrically connecting the plurality of electrodes to an anode; and electropolishing the rear surface of the semiconductor substrate by performing anodic oxidation with an electrolytic solution placed in contact with the rear surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

裏面処理方法は、半導体基板の表面に複数の電極を有する集積回路が設けられた半導体装置を準備し、複数の電極と陽極とを電気的に接続して、半導体基板の裏面に電解液を接触させた状態で陽極酸化を実施することにより裏面を電解研磨するものである。 - 特許庁

The two or more types of process chambers are used to deposit the one or more silicon-containing layers and the one or more metal-containing layers in the same substrate processing system without breaking the vacuum, taking the substrate out of the substrate processing system to prevent surface contamination, oxidation, etc., such that additional cleaning or surface treatment steps can be eliminated.例文帳に追加

２つ以上のタイプの処理チャンバは、真空を破ることなく、基板処理システムから基板を取り出して、同一の基板処理システムで１つ又は複数のシリコン含有層及び１つ又は複数の金属含有層を蒸着するために使用され、表面汚染、酸化などを防ぎ、別の洗浄や表面処理ステップを排除することができる。 - 特許庁

A heat shield oxidation resistant coating 14 for an organic matrix composite substrate 12 has a constitution provided with a bond coat 24 containing nanoparticles dispersed in a polyimide matrix, and a heat shield layer 22 containing a silsesquioxane or an inorganic polymer.例文帳に追加

有機マトリックス複合材基材１２用の遮熱酸化防止コーティング１４を、ポリイミドマトリックス中に分散したナノ粒子を含むボンドコート２４と、シルセスキオキサン又は無機ポリマーを含有する遮熱層２２とを備える構造とする。 - 特許庁

Since the substrate 21 can be made relatively thick, the oxidation film 23 can be made relatively thick and hence can carry a relatively large amount of the catalyst.例文帳に追加

この場合、アルミニウム基板２１の厚さは比較的厚くすることができるため、多孔質の陽極酸化膜２３の厚さを比較的厚くすることができ、この比較的厚めの多孔質の陽極酸化膜２３に比較的多めの触媒を担持させることができる。 - 特許庁