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substrate surfaceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 43285件
The light receiving surface electrode 12 is formed on the surface of the one side of the pyroelectric substrate 12a.例文帳に追加
受光面電極12bは、焦電体基板12aの一方側の表面上に形成されている。 - 特許庁
The solar cell 1a has a mounted surface to be mounted on a substrate on the opposite side from a light receiving surface.例文帳に追加
太陽電池セル1aは、受光面とは反対側に、基板に実装される実装面を有している。 - 特許庁
A plurality of surface metal films 23 of a wiring circuit 24 are formed on the surface 22 of an insulating substrate 21.例文帳に追加
絶縁基板21の表面22に配線回路24の複数の表面金属膜23を形成する。 - 特許庁
The hole part 125 of the rear-surface substrate 202 has, for example, the shape of a counterfored part 126 on a first surface (a) side.例文帳に追加
背面基板202の孔部125は、第1の面(a)側に、例えばザグリ部126の形状を持つ。 - 特許庁
A silicon substrate 10 includes a first main surface 10a and a second main surface 10b which are opposed to each other.例文帳に追加
シリコン基板10は、互いに対向する第1主面10a及び第2主面10bを含む。 - 特許庁
To provide a surface roughening device for a build-up substrate insulating layer, which enables uniform surface roughening.例文帳に追加
一様な表面粗化を可能とするビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置を提供する。 - 特許庁
The pedestal part 102 has an inclined surface S1 inclined relative to a substrate surface of the circuit board 103.例文帳に追加
台座部102は、回路基板103の基板面に対して斜めにされた傾斜面S1を有する。 - 特許庁
On a substrate top surface 11, a surface processing trace 11a as a linear processed part by scribing is provided.例文帳に追加
また、基板表面11にはケガキによる線状加工部である表面加工痕11aが設けられる。 - 特許庁
SODA LIME GLASS SUBSTRATE FOR SURFACE LIGHT SOURCE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SURFACE LIGHT SOURCE DEVICE AND BACK LIGHT ASSEMBLY例文帳に追加
面光源装置用ソーダライムガラス基板及びその製造方法、面光源装置、並びにバックライトアセンブリ - 特許庁
To aim at an effective application of an allocation part of an IC card connector occupying a large surface space on a substrate surface.例文帳に追加
基板面上で大きな表面スペースを占めるICカードコネクタの配置部分の有効活用を図る。 - 特許庁
TREATMENT LIQUID FOR SUBSTRATE SURFACE CONTAINING NICKEL, COPPER OR SILVER, PREPARATION METHOD FOR THE LIQUID, AND SURFACE TREATMENT METHOD例文帳に追加
ニッケル、銅又は銀を含む基体表面のための処理液、その調製方法及び表面処理方法 - 特許庁
The biotin 109 is modified in the surface of a metallic film 105 formed in the surface of a substrate 103.例文帳に追加
基板103の表面に形成された金属膜105の表面にビオチン109を修飾する。 - 特許庁
The b-surface superconducting layer 13 is formed on the other surface 11b1 of the tape-like substrate 11.例文帳に追加
b面超電導層13は、テープ状基板11の他方面11b1上に形成されている。 - 特許庁
The susceptor 2 exposes a surface thereof to the inside of the processing chamber 4 to mount a substrate 8 on the surface.例文帳に追加
サセプタ2は、処理室4の内部に表面が露出し、当該表面に基板8を搭載する。 - 特許庁
Both surfaces (the surface 3A and surface 1A) of the substrate on which the Si layer 3 is formed are simultaneously polished.例文帳に追加
Si層3が形成された基板の両面(表面3Aと表面1A)を同時に研磨する。 - 特許庁
SURFACE PURIFICATION METHOD, SURFACE SMOOTHNESS IMPROVEMENT METHOD, AND PURIFICATION DEVICE OF COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加
化合物半導体基板の表面清浄化方法、表面平滑度向上方法および清浄化装置 - 特許庁
The drift layer 3 creeps under the reduced surface layer 9 (between the silicon substrate 2 and the reduced surface layer 9).例文帳に追加
ドリフト層3は、リサーフ層9の下(シリコン基板2とリサーフ層9との間)へと潜り込んでいる。 - 特許庁
A GaN layer 2 is epitaxially grown on a sapphire substrate 1 having a surface C as a main surface (Fig.1a).例文帳に追加
C面を主面とするサファイア基板1上にGaN層2をエピタキシャル成長させる(図1a)。 - 特許庁
The integrated circuit die is positioned together with the first surface on the surface where the substrate is exposed.例文帳に追加
集積回路ダイは、基板の露出した表面上にその第1の表面をと共に位置決めされる。 - 特許庁
A through hole 2 penetrating from the main surface 1a to a rear surface 1b is formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加
半導体基板1には、主面1aから裏面1bまで貫通する貫通穴2を形成している。 - 特許庁
A rear-surface electrode 6 is formed on the rear surface of the substrate 1 so as to face the metal electrode 4.例文帳に追加
基板1の裏面には金属電極4に対向するように、裏面電極6が形成される。 - 特許庁
SURFACE-MOUNTED ANTENNA, SUBSTRATE ON WHICH THE SAME IS MOUNTED AND MOUNTING METHOD OF THE SURFACE-MOUNTED ANTENNA例文帳に追加
表面実装型アンテナ及びこれが実装された基板、並びに、表面実装型アンテナの実装方法 - 特許庁
An inner bottom surface 2b of the used substrate 2 is already subjected to surface roughening treatment.例文帳に追加
そして、基板2として、基板2の内底面2bに、面荒らし処理が施されているものを使用する。 - 特許庁
The fabrication method sets a lower metallic mold 6 on a surface opposite to the surface of a substrate 1S where a semiconductor chip 2 is mounted.例文帳に追加
基板1Sの半導体チップ2を搭載した面と反対側の面に下部金型6を設置する。 - 特許庁
SURFACE CONDITION INSPECTING METHOD, SURFACE CONDITION INSPECTING APPARATUS EMPLOYING IT, AND SUBSTRATE INSPECTING APPARATUS例文帳に追加
表面状態検査方法およびその方法を用いた表面状態検査装置ならびに基板検査装置 - 特許庁
The expansion surface 36 is a lyophilic surface having higher lyophilicity to the processing liquid than the substrate W.例文帳に追加
拡張面36は、処理液に対する親液性が基板Wよりも高い親液面とされている。 - 特許庁
The expansion surface 36 is a lyophobic surface having higher lyophobicity to the processing liquid than the substrate W.例文帳に追加
拡張面36は、処理液に対する疎液性が基板Wよりも高い疎液面とされている。 - 特許庁
To display a relation of inspection results as to a top surface, a reverse surface and bevels of a substrate by low processing load.例文帳に追加
軽い処理負荷で基板の表面、裏面、およびベベルの検査結果の関連性を表示する。 - 特許庁
To simultaneously solder surface mounting component and insertion mounting component on the same surface of a substrate.例文帳に追加
表面実装部品と挿入実装部品とを同時に基板の同一面上にはんだ実装する。 - 特許庁
A metal layer 7 is formed on the surface of the insulating substrate 3 opposite to the heating element mounting surface.例文帳に追加
絶縁基板3における発熱体搭載面とは反対側の面に金属層7を形成する。 - 特許庁
Various substrate supporting boards 16, 16', 16" are arranged on a front surface side wall 13, a back surface side wall 14, and a bottom surface side wall 15 of the vertical housing type cassette 10 to support a front surface side back surface part, a back surface side edge, and a downside edge of the substrate 50.例文帳に追加
縦収納型カセット10の正面側壁13、背面側壁14及び底面壁15には各基板支持基板16,16′,16″が配設され、基板50の正面側背面部、背面側周縁部及び下側周縁部が支持されている。 - 特許庁
A p^+-type semiconductor region 17 is formed in a semiconductor substrate 11 by introducing a p-type impurity into the substrate 11 from one main surface SA of the substrate 11.例文帳に追加
半導体基体11の一方の主面SAからP型不純物を導入し、P^+型半導体領域17を形成する。 - 特許庁
In the formulas, n_g is a refractive index of the substrate, n_0 is a refractive index of a material in contact with the other surface of the substrate, and t_g is the thickness of the substrate.例文帳に追加
なお、基板の屈折率をn_g、基板の他方の面に接する物質の屈折率をn_0、基板の厚みをt_gとし、θ_c=arcsin(n_0/n_g)とする。 - 特許庁
To provide a substrate cleaning equipment which can clean whole surface of a substrate such as a wafer or the like in uniformity and efficiency, and a cleaning method of the substrate.例文帳に追加
ウェーハなどの基板を全面均一に効率的に洗浄可能な基板洗浄装置及び基板の洗浄方法を提供する。 - 特許庁
To provide a chemical polishing solution for a glass substrate, which is used for polishing the surface of the glass substrate to reduce the thickness of the substrate and has a life longer than that of a conventional one.例文帳に追加
従来よりも寿命が長い、ガラス基板表面を薄板化研磨するためのガラス基板用化学研磨液を提供する。 - 特許庁
To provide a method and device for processing a substrate capable of thinning a silicon substrate while preventing a surface of the silicon substrate from being roughened.例文帳に追加
シリコン基板の面荒れを防止しつつ、シリコン基板を薄化させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。 - 特許庁
The substrate heating device 10 subjects a substrate to a thermal treatment through a manner wherein the substrate is set close to or placed on the surface of a heating plate 18.例文帳に追加
加熱プレート18の表面に基板を近接させて又は載置させて、基板の加熱処理を行う基板の加熱装置10に関する。 - 特許庁
The SOI substrate is a substrate in which an insulating layer 120 and a silicon layer 200 are laminated on a silicon substrate 100, of which the surface is the (111) plane.例文帳に追加
SOI基板は、表面が(111)面であるシリコン基板100上に絶縁層120及びシリコン層200を積層した基板である。 - 特許庁
To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method which can uniformly process both of a surface and a rear face of a substrate.例文帳に追加
基板の表裏両面を均一に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
Alternatively, the micro unevenness of the surface of the medium substrate is flattened by the irradiation of the medium substrate with the infrared radiation, after forming of the medium substrate.例文帳に追加
あるいは、媒体基板を成形した後に、赤外線を媒体基板に照射して、媒体基板表面の微小凹凸を平滑化する。 - 特許庁
A fracture surface 13 having irregular fine unevenness is formed on a substrate (fractured substrate) 11 by applying a tensile load to the substrate to be fractured.例文帳に追加
基材に引張荷重を加えて基材を破断させて、基材(破断基材)11に、不規則な微細凹凸を有する破断面13を形成する。 - 特許庁
A through hole 10 is formed in the substrate 1 from the uppper surface 1b on which the light emitting chip 2 of the substrate 1 is mounted to the undersurface 1c of the substrate.例文帳に追加
基板1の発光チップ2が搭載されている上面1bから基板の下面1cにかけて、基板1にスルーホール10を形成する。 - 特許庁
The substrate 12 includes a quartz glass substrate and the surface of the substrate is covered with an SiO_2 vapor deposition insulating film so as to expose the electrode 13.例文帳に追加
基板12は、石英ガラス基板から成り、電極13が露出するよう、表面がSiO_2蒸着絶縁膜により覆われている。 - 特許庁
The piezoelectric substrate 2 adopts a substrate for SAW device 6 with a structure of Li2B4O7/glass by forming a layer of Li2B4O7 onto the surface of a glass substrate 1.例文帳に追加
圧電基板2としてLi_2B_4O_7の層をガラス基板1の表面に形成し、Li_2B_4O_7/ガラス構造のSAWデバイス用基板6とする。 - 特許庁
Accordingly, the insulation film 21 is formed on the thin film forming surface 12 of the substrate and the substrate 1 is accommodate into a substrate cassette with a transfer mechanism.例文帳に追加
こうすることで基板1の薄膜形成面12に絶縁膜21が形成され、搬送機構によって基板用カセットに収容される。 - 特許庁
To provide a substrate treatment apparatus which is vertically compact and can treat a substrate surface in superior manner, and to provide a substrate treatment method.例文帳に追加
上下方向に小型で、しかも基板表面を良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁
To improve a flatness of a substrate (particularly, the flatness of a part to be photographed) when the substrate is photographed, and to photograph the upper surface of the substrate exactly.例文帳に追加
基板を撮影する際の基板の平坦度(特に撮像される部分の平坦度)を向上させて、正確に基板の上面を撮影する。 - 特許庁
To provide a temporary placing base which prevents the surface of a substrate from being scratched when placing a substrate on the temporary placing base or receiving the substrate from the temporary placing base.例文帳に追加
研磨装置の仮置台に基板を載せる、または仮置台より基板を受け取る際に、基板表面を傷つけない仮置台の提供。 - 特許庁
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