「substrate surface」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a silicon substrate having a thickness thinner than before when manufacturing a semiconductor device having a structure which covers the side surface of the silicon substrate with a sealing film and covers the lower surface of the substrate with a lower layer protection film.例文帳に追加

シリコン基板の側面を封止膜で覆い、下面を下層保護膜で覆った構造の半導体装置の製造に際し、シリコン基板の厚さをより一層薄くする。 - 特許庁

To provide a device and a method of cleaning a substrate capable of sufficiently removing fine particles on the surface of a substrate and improving the cleaning power of the surface of the substrate.例文帳に追加

基板表面の微細なパーティクルを十分に除去し、基板表面の洗浄力を向上させることが可能な基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供する。 - 特許庁

After cleaning the surface of the silicon substrate 1, the silicon substrate 1 is dipped in an HF aqueous solution of a 0.5 vol% concentration to remove impurities and natural oxide films from the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の表面を洗浄した後、濃度０．５体積％のＨＦ水溶液に５分間浸漬し、シリコン基板１上の不純物及び自然酸化膜を除去する。 - 特許庁

Also, the plane of the supporting mechanism wherein it is contacted with the substrate is so formed in the shape of its section vertical to the surface of the substrate as to be tilted to the surface of the substrate.例文帳に追加

また、支持機構は、基板表面に対して垂直な面で切った断面形状において、基板と接する面が、基板表面に対して斜めの方向に形成されたものとする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element capable of preventing the occurrence of cracking and getting chipped of a processed surface of a substrate as in conventional substrate surface processing and substrate cutting, and capable of ensuring preferable processing accuracy.例文帳に追加

従来の基板表面加工、基板切断において、基板加工面の割れや欠けの発生を防ぎ、好適な加工精度となる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of terminals 71a and 71b projected on a substrate fitting surface 41a are inserted into the terminal insertion holes 75 from one surface of the substrate to fit the electronic component 51 to the substrate 73.例文帳に追加

基板取付け面５１ａに突設された複数の端子７１ａ、７１ｂを、基板７３の一方の面から端子挿入穴７５に挿通して、電子部品５１を基板７３に取り付ける。 - 特許庁

To provide substrate treating apparatus capable of surely removing contaminant from the peripheral region of the surface of a substrate, without affecting a device formation region on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の表面の周縁領域から汚染を確実に除去することができる基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

The photoelectric conversion device includes a glass substrate 2 and a transparent conductive film 3 which covers at least a part of a principal surface of the glass substrate 2 and has an uneven shape on a surface on the opposite side from the substrate side.例文帳に追加

ガラス基板２と、ガラス基板２の主表面の少なくとも一部を覆い、基板側とは反対側の表面に凹凸形状を有する透明導電膜３とを備えている。 - 特許庁

To provide a glass substrate conveyor that has a relatively simple machine structure to contribute to reduction in facility cost, and has reduced friction against a rear surface of a glass substrate not to damage the rear surface of the substrate.例文帳に追加

機械構造が比較的簡単で設備費用の低減に寄与し、またガラス基板裏面との摩擦を軽減し基板裏面に傷が発生しないガラス基板搬送コンベアを提供する。 - 特許庁

The wiring board 40 has a substrate main surface 41 and a substrate rear surface 42 and is formed by laminating a plurality of resin insulating layers 43-46 and a plurality of conductor layers 51, without including a core substrate.例文帳に追加

配線基板４０は、基板主面４１及び基板裏面４２を有し、コア基板を含まずに複数の樹脂絶縁層４３〜４６及び複数の導体層５１を積層してなる。 - 特許庁

To provide a method for surface treatment of glass substrate, modifying the surface of glass substrate so as to prevent the corrosion of glass substrate and to improve impact strength as final purposes.例文帳に追加

ガラス基板の腐食の防止及び耐衝撃強度の向上を最終的目的として、ガラス基板の表面を改質するためのガラス基板の表面処理方法を提供する。 - 特許庁

The beam L introduced into the substrate 1 repeats total reflection on a surface of the substrate 1 (a main surface and an end face) to be brought substantially into a confined condition within the substrate 1.例文帳に追加

透明基板１内に導入されたレーザー光Ｌは、透明基板１の表面（主表面及び端面）で全反射を繰り返し、基板１内にほぼ閉じ込められた状態となる。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for cleaning a substrate capable of improving detergency of the surface of the substrate by sufficiently removing fine particles on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板表面の微細なパーティクルを十分に除去し、基板表面の洗浄力を向上させることが可能な基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供する。 - 特許庁

The impurity-region layer is formed on the substrate 1, and has a first surface present on the side of the substrate 1, and has a second surface present on the opposite side to the substrate 1.例文帳に追加

不純物領域層は、基板１上に形成され、基板１側の表面である第１の面と、当該第１の面と反対側の表面である第２の面とを有する。 - 特許庁

A transparent substrate 15 having a transparent electrode layer 14 formed on its top surface in advance is prepared as shown Fig. 1 (c) and the transparent substrate 15 is stuck on the reverse surface side of the bored substrate 10.例文帳に追加

図１（ｃ）に示すように、表面に予め透明電極層１４が形成された透明基板１５を用意し、その透明基板１５を孔開き基板１０の裏面側に貼り付ける。 - 特許庁

To prevent products generated accompanying the treatment of a substrate from sticking to the front surface of the substrate after the treatment of the substrate surface is performed by supplying treatment liquid including hydrofluoric acid.例文帳に追加

フッ酸を含む処理液を基板の表面へ供給して基板の表面の処理を行わさせた後において、基板の処理に伴う生成物の基板の表面への付着を抑制する。 - 特許庁

Additionally, a laser light source 101 emits a laser beam L1 to the position of a substrate surface 3a, away from the image-taking position of the substrate recognition camera 9, in a direction perpendicular to the substrate surface 3a.例文帳に追加

また、レーザ光源１０１は、基板認識用カメラ９の撮像位置から離れた基板表面３ａの位置に、基板表面３ａに対して垂直にレーザ光Ｌ１を出射する。 - 特許庁

A surface of a silicon substrate 110 is partially exposed, and at least a step-like structure is formed on the silicon substrate 110 by etching the surface of the silicon substrate 110.例文帳に追加

シリコン基体１１０の表面を、部分的に露出させ、および少なくとも階段状構造をシリコン基体１１０上に、シリコン基体１１０の表面をエッチングすることによって形成する。 - 特許庁

A surface 16C2 of the first portion 16C farther from the substrate 1 is located closer to the substrate 1 than a surface 16C3 of the second portion 16D farther from the substrate 1.例文帳に追加

第１の部分１６Ｃにおける基板１から遠い面１６Ｃ２は、第２の部分１６Ｄにおける基板１から遠い面１６Ｄ３よりも基板１に近い位置に配置されている。 - 特許庁

The surface 16Ca farther from the substrate 1 in the first portion 16C is located closer to the substrate 1 than the surface 16Da farther from the substrate 1 in the second portion 16D.例文帳に追加

第１の部分１６Ｃにおける基板１から遠い面１６Ｃａは、第２の部分１６Ｄにおける基板１から遠い面１６Ｄａよりも基板１に近い位置に配置されている。 - 特許庁

A distance d1 from the lower surface of the wiring substrate 12 to the lower surface of the wiring substrate 22 is larger than the sum of thicknesses of the wiring substrate 12, the semiconductor chip 14, and the conductor plate 30.例文帳に追加

配線基板１２の下面から配線基板２２の下面までの距離ｄ１は、配線基板１２の厚みと半導体チップ１４の厚みと導体板３０の厚みとの和よりも大きい。 - 特許庁

The chip 120 is installed on the upper surface 111 of the substrate 110, and the substrate identification code 130 is baked on the lower surface 112 of the substrate 110 by using a laser engraving method.例文帳に追加

基板１１０の上表面１１１にチップ１２０が設置され、基板識別コード１３０はレーザ刻印方式を用いて基板１１０の下表面１１２に焼成される。 - 特許庁

The power supply comprises a substrate 1, filmlike interconnect lines 21a and 21b arranged on the surface of the substrate 1, and planar contact plates 11a and 11b arranged on the surface of the substrate 1.例文帳に追加

電源装置は、基板１と、基板１の表面に配置された膜状の配線２１ａ，２１ｂと、基板１の表面に配置された板状のコンタクトプレート１１ａ，１１ｂとを備える。 - 特許庁

To provide a surface treatment method for a substrate, which imparts the substrate high resistance to an alkaline liquid, and to provide the substrate treated with the surface treatment method.例文帳に追加

アルカリ性を示す液体に対する高い耐性を付与し得る基材の表面処理方法、また、かかる基材の表面処理方法により処理が施された基材を提供すること。 - 特許庁

A surface 16C1 of the first portion 16C closer to the substrate 1 is located farther from the substrate 1 than a surface 16D1 of the second portion 16D closer to the substrate 1.例文帳に追加

第１の部分１６Ｃにおける基板１に近い面１６Ｃ１は、第２の部分１６Ｄにおける基板１に近い面１６Ｄ１よりも基板１から遠い位置に配置されている。 - 特許庁

This substrate is equipped with a ceramic substrate 2, glaze layer 3 formed on at least one surface of the substrate, and circuit pattern 21 arranged inside the layer 3 with the part of the pattern exposed over the surface of the layer 3.例文帳に追加

本基板は、セラミック基板2とその少なくとも一面側に形成されたグレーズ層3と、層3の内部に配設され且つ層3の表面に一部が露出された配線パターン21とを備える。 - 特許庁

In the manufacturing method of a crystal substrate 11, a plurality of crystal substrates 11 is closely fixed so that the main surface of the crystal substrate 11 and the main surface of the other crystal substrate 11 are fitted.例文帳に追加

水晶基板１１の製造方法は、まず、水晶基板１１の主面と他の水晶基板１１の主面とが合わさるように、複数の水晶基板１１を密着固定する。 - 特許庁

To provide a substrate surface cleaning apparatus which is not influenced by size enlargement of a substrate, which can shorten the cycle time of substrate surface cleaning and in which further footprint of the apparatus can be made smaller.例文帳に追加

基板の大型化の影響を受けることなく、基板表面清掃のタクトタイムを短くし、また、装置のフットプリントを小さくすることが可能な、基板表面清掃装置を提供する。 - 特許庁

A rear-side pattern 5 of the insulating substrate 2 is joined onto a main surface of the heatsink 1 via a solder layer 7 on the rear side of the substrate, whereby the insulating substrate 2 is fixed to the surface of the heatsink 1.例文帳に追加

絶縁基板２の裏面パターン５は、基板下ハンダ層７を介してヒートシンク１の主面に接合され、それによって絶縁基板２がヒートシンク１上に固定されている。 - 特許庁

The sealing material 8 made to adhere to the peripheral edge part of the TFT substrate 3 is further made to adhere to a surface of the substrate 2 for connection made to adhere to a rear surface of the TFT substrate 3.例文帳に追加

ＴＦＴ基板３の周縁部に被着された封止材８は、ＴＦＴ基板３の背面に接着された接続用基板２の表面にさらに被着されている。 - 特許庁

The joint substrate 1 includes joint substrate wiring 1b on one main surface opposite to the IDT 2a, an external terminal 5 on the other main surface, and a through-hole 1a on a joint substrate edge, respectively.例文帳に追加

接合基板１は、ＩＤＴ２ａと対向する一方主面に接合基板配線１ｂ、他方主面に外部端子５、接合基板端部にスルーホール１ａをそれぞれ備える。 - 特許庁

A ZnO thin film, having a 'positive surface' or a ZnO thin film, whose surface is piezoelectrically positive, is formed on a substrate 2 such as a C-plane sapphire substrate, a z-plane quartz substrate or the like.例文帳に追加

Ｃ面サファイア基板、ｚ面水晶基板等の基板２の上に＋面を有するＺｎＯ薄膜、すなわち表面が圧電性の＋面となったＺｎＯ薄膜３を形成した。 - 特許庁

The reflection type screen 1 has a sheet-like substrate 10, a diffusion layer 40 disposed on one surface of the substrate 10 and a reflective layer 30 disposed on the substrate surface on the side opposite to the diffusion layer 40.例文帳に追加

反射型スクリーン１は、シート状の基材１０と、基材１０の片面に設けた拡散層４０と、拡散層４０の反対側の基材面に設けた反射層３０とを有する。 - 特許庁

The present invention forms solder balls 6 on the back surface of an interposer substrate 1 and mounts a semiconductor chip 3 on the front surface of the interposer substrate 1 so as to avoid the diagonals 7 of the interposer substrate 1.例文帳に追加

インターポーザ基板１の対角線７を避けるように、インターポーザ基板１の裏面にはんだボール６を配置するとともに、インターポーザ基板１の表面に半導体チップ３を実装する。 - 特許庁

To reduce a noise to a surface acoustic wave when a composite substrate including a piezoelectric substrate and a support substrate joined together with a resin adhesion layer is used as a surface acoustic wave device.例文帳に追加

圧電基板と支持基板とを樹脂製の接着層で接合した複合基板において、弾性表面波デバイスとして利用したときに弾性表面波に対するノイズを低減する。 - 特許庁

To provide a substrate for a surface-mounted element with which a surface-mounted element can be surely connected with an electrode formed on the substrate without an increase in cost, wherein the substrate has high adhesion strength.例文帳に追加

表面実装素子を基板に形成した電極に、コストアップせず、確実に接続でき、また接続強度の高い、表面実装素子用基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

The jointing substrate 1 is provided with a jointing substrate wiring 1b on one main surface facing the IDT 2a, an external terminal 5 on the other main surface and a through hole 1a on a jointing substrate end part, respectively.例文帳に追加

接合基板１は、ＩＤＴ２ａと対向する一方主面に接合基板配線１ｂ、他方主面に外部端子５、接合基板端部にスルーホール１ａをそれぞれ備える。 - 特許庁

Thus, since wiring is located on the package surface of the resin package IC 4, increase in substrate wiring 6 on the surface of the multilayer substrate 2 or increase in the number of layers of the multilayer substrate 2 is suppressed.例文帳に追加

この構成は、配線を樹脂パッケージＩＣ４のパッケージ表面に配置するので、多層基板２の表面の基板配線６の増加や多層基板２の層数の増加が抑制される。 - 特許庁

When the substrate 10 is pulled up from the impregnated solution 12, the same solution as the dipped solution 12 is supplied to the surface of the substrate so that the solution film is formed on the entire surface of the substrate.例文帳に追加

基板１０を浸漬した液１２から引上げる際に、浸漬した液１２と同一の液をその液膜が基板表面全体に形成されるように基板表面に供給する。 - 特許庁

The semiconductor substrate quality evaluating method includes processes of etching a semiconductor substrate surface and of detecting a bright point on the etched substrate surface using a foreign substance inspection device.例文帳に追加

半導体基板表面をエッチングする工程と、異物検査装置により前記エッチングした基板表面における輝点を検出する工程とを含む半導体基板の品質評価方法。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device and an imaging system in which a substrate bias can be supplied from a top surface of a semiconductor substrate to a semiconductor region on the reverse surface side of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面から半導体基板の裏面側の半導体領域へ基板バイアスを供給することができる光電変換装置及び撮像システムを提供する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted previously in the major surface of an Si substrate 10, and the Si substrate 10 and the supporting substrate 20 are stuck in the temperature range of 100-400 °C after surface activation processing.例文帳に追加

予めＳｉ基板１０の主面に水素イオン注入し、表面活性化処理の後にＳｉ基板１０と支持基板２０を１００〜４００℃の温度範囲で貼り合わせる。 - 特許庁

The circuit substrate 1 onto which a semiconductor chip is flip-chip bonded has an electrode pad 3 formed on the surface of the substrate body 2 and a solder resist layer 4 covering the surface of the substrate body 2.例文帳に追加

半導体チップがフリップチップ実装される回路基板１は、基板本体２の表面に形成される電極パッド３と、基板本体２の表面を覆うソルダレジスト層４と、を備える。 - 特許庁

A substrate surface is treated with plasma ions, a conductive polymer solution is applied to the substrate surface subjected to the plasma ion treatment to form a conductive polymer thick film on the substrate.例文帳に追加

基板表面をプラズマイオンで処理し、前記プラズマイオン処理された基板面上に導電性高分子溶液を塗布し、前記基板上に導電性高分子厚膜を形成する。 - 特許庁

By connecting the package surface wiring 8 to substrate wiring 6 on the multilayer substrate 2, a plurality of points of the substrate wiring 6 are electrically connected through package surface wiring 8.例文帳に追加

パッケージ表面配線８を多層基板２上の基板配線６に接続することにより、基板配線６の複数点間をパッケージ表面配線８を介して電気的に接続する。 - 特許庁