「surface diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

A PMOSFET is equipped with a compressive strain Si-Ge channel layer 19 which is sandwiched in between P+ drain/source diffusion layers 18 is formed on the surface of the Si substrate 10.例文帳に追加

ＰＭＯＳＦＥＴはＳｉ基板１０の表面にトランジスタのソース又はドレインであるｐ^+ 拡散層１８に挟まれて圧縮歪みＳｉ−Ｇｅチャネル層１９が形成されている。 - 特許庁

To provide a backlight device with which high luminance and high uniformity are retained while suppressing occurrence of periodical uneven luminance on a light emitting surface of a diffusion plate, and a liquid crystal display device equipped therewith.例文帳に追加

拡散板の発光面での周期的な輝度ムラを抑制させつつ、高い輝度・高い均斉度を確保できるバックライト装置、およびそれを備えた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

This invention can provide a direct back light device capable of obtaining the desired uniformity ratio of brightness on the light outgoing surface 31 of the light diffusion plate 30 by the light control means 40.例文帳に追加

上記の発明は、制光手段４０により光拡散板３０の光出射面３１においての所望の輝度均斉度を得ることができる直下式バックライト装置を提供できる。 - 特許庁

An annular peripheral rim electrode 215 is formed at the peripheral rim on the p-AlGaAs current diffusion layer 210 while the inside of the same constitutes a light emission surface w.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０上の周縁部にはリング状の周縁電極部２１５が形成されており、その内側が光出射面ｗを構成する。 - 特許庁

As the LED array 24 emits light and the light is guided inside the shelf body 10 and diffused upward from a light diffusion part 14 on the surface 12 of the shelf body 10.例文帳に追加

ＬＥＤアレイ２４が発光することにより、この光が棚本体１０の内部に導かれ、棚本体１０の表面１２にある光拡散部１４から上方に拡散される。 - 特許庁

In the Fresnel lens sheet, the surface roughness and retardation of an optical diffusion substrate composing the Fresnel lens sheet, and the thickness of the Fresnel lens sheet (a ratio with a lenticular lens sheet) lie in prescribed specified ranges.例文帳に追加

フレネルレンズシートを構成する光拡散基板の表面粗さ，リタデーション，フレネルレンズシートの厚さ（レンチキュラーレンズシートとの比）が、規定された特定範囲にあるフレネルレンズシートを採用する。 - 特許庁

In a gas diffusion membrane 10, a recess 13 is installed from the front surface toward the rear face of a hydrophobic porous membrane 12 formed of a hydrophobic binder resin and a conductive material.例文帳に追加

ガス拡散膜１０において、疎水性バインダー樹脂及び導電性材料から形成された疎水性多孔質膜１２の表面から裏面に向かって凹部１３を設ける。 - 特許庁

In at least one electrode of a positive electrode and a negative electrode, an insulating layer is formed in a projecting part existing on the surface of a gas diffusion layer facing a polymer electrolyte membrane.例文帳に追加

正負極のうち少なくとも一方の電極において、高分子電解質膜に対向する側のガス拡散層の表面に存在する突起部に絶縁層を形成する。 - 特許庁

On a side of a trench 5b dug from a surface of the epitaxial layer 4, a trench sidewall diffusion layer 9 made of polysilicon with P-type impurities introduced is deposited.例文帳に追加

また、エピタキシャル層４の表面から掘り下がったトレンチ５ｂの側面には、Ｐ型の不純物が導入されたポリシリコンからなるトレンチ側壁拡散層９が被着されている。 - 特許庁

If the heat-treating is processed in an oxygen-element gas containing ambience, then the diffusion of O atoms is caused from the substrate surface side as well, thereby enhancing the coalescence and annihilation of dislocations.例文帳に追加

酸素元素ガス含有雰囲気下で加熱した場合には、Ｏ原子の拡散が基板表面側からも生じるので、転位の合体消失をより促進させることができる。 - 特許庁

To prevent useless reaction between a silicon wafer and impurities and useless diffusion of impurities in the silicon wafer when the silicon wafer, which has the surface not covered with a covering film and is ion-implanted impurities, is subjected to annealing.例文帳に追加

表面がカバー膜で被覆されておらず不純物がイオン注入されたシリコンウェハをアニール処理するとき、シリコンウェハの無用な反応と不純物の無用な拡散とを防止する。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film having a thickness of several nm and exhibiting barrier properties for oxygen diffusion, along the inner wall surface of a trench in silicon in STI process.例文帳に追加

ＳＴＩプロセスにおけるシリコンのトレンチの内壁面に沿って、酸素の拡散に対するバリア性を有する数ｎｍ程度の厚みの薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

An n diffusion region 70 is provided within the upper surface of the n^- semiconductor layer 2 at least between the p impurity region 3 and the n^+ impurity region 12, of the n^- semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｎ^-半導体層２のうち少なくとｐ不純物領域３とｎ^+不純物領域１２との間のｎ^-半導体層２の上面内にはｎ拡散領域７０が設けられている。 - 特許庁

A plurality of diffusion openings 14 for mixing gas before a substrate 1 in the adjacent first gas introduction path 3a on a bottom surface side are formed in the blockaded guide board 13a.例文帳に追加

閉塞されたガイド板１３ａには隣接する底面側の第１ガス導入経路３ａへガスを基板１の手前にて混入させる複数の拡散孔１４が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device is dipped in a solution, containing hydrogen peroxide so that a silicon oxide film 16 with a uniform thickness of less than 10 Å is formed on the surface of the base diffusion layer 6.例文帳に追加

その後、これを過酸化水素を含有する溶液に浸漬することにより、ベース拡散層６の表面に均一な１０Å以下の膜厚のシリコン酸化膜１６を形成する。 - 特許庁

An antireflection film (not shown) is provided on the entire surface of the substrate and first and second anode electrodes 20 and 22 are bonded, respectively, to the first and second diffusion areas 16 and 18.例文帳に追加

基板全面に反射防止膜（図示せず）を設け、第１および第２のそれぞれの拡散領域１６，１８に接合するように第１および第２のアノード電極２０，２２を設けた。 - 特許庁

An impurity region 17 is formed in the semiconductor substrate 11 under the element isolation region 12, and a diffusion layer 18 is formed in a surface region in the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

素子分離領域１２下の半導体基板１１内には不純物領域１７が形成され、半導体基板１１の表面領域には拡散層１８が形成されている。 - 特許庁

To provide a high output vertical cavity surface emitting laser element which makes current diffusion to a longitudinal direction easy by using tunnel junction, and to provide a laser pumping part for the laser element.例文帳に追加

トンネル接合を利用して横方向への電流拡散を容易にした高出力垂直外部共振器面発光レーザー素子、及び該レーザー素子用のレーザーポンピング部を提供する。 - 特許庁

A metal layer 14 for Schottky barrier is formed on the surface of the epitaxial layer 3 and a P type diffusion layer 7 is formed under the end 20 of the metal layer 14 for Schottky barrier.例文帳に追加

エピタキシャル層３表面にはショットキーバリア用金属層１４が形成され、ショットキーバリア用金属層１４の端部２０の下方にはＰ型の拡散層７が形成されている。 - 特許庁

A metal layer 14 for Schottky barrier is formed on the surface of the epitaxial layer 3 and a P type diffusion layer 9 is formed under the end 20 of the metal layer 14 for Schottky barrier.例文帳に追加

エピタキシャル層３表面にはショットキーバリア用金属層１４が形成され、ショットキーバリア用金属層１４の端部２０の下方にはＰ型の拡散層９が形成されている。 - 特許庁

After forming side walls 109 on the side walls of the gate electrode 105a, a source drain diffusion layer 111 is formed on the surface side of the semiconductor substrate 101 by the ion implantation.例文帳に追加

ゲート電極１０５ａの側壁にサイドウォール１０９を形成した後、イオン注入によって半導体基板１０１の表面側にソース・ドレイン拡散層１１１を形成する。 - 特許庁

To control external diffusion from a semiconductor layer of impurity implanted and surface oxidation of semiconductor layer, when the impurity implanted to the semiconductor layer is activated.例文帳に追加

半導体層に注入された不純物を活性化する際に、注入された不純物の半導体層からの外方拡散と半導体層の表面酸化とを抑止できるようにする。 - 特許庁

Next, the surface of the poly-crystalline silicon thin film is re-crystallized in the sequentially solidifying process using a mask capable of controlling the energy of the laser beam as the slit comprises a diffusion shell.例文帳に追加

次いで、スリットが半透過膜からなってレーザービームのエネルギーを調節することができるマスクを利用した順次的凝固工程で多結晶シリコン薄膜の表面を再結晶化する。 - 特許庁

The gas diffusion layer for the fuel cell includes a porous material layer, and a conductive carbon layer existing on the surface of or inside the porous material layer or a conductive carbon particles.例文帳に追加

多孔質材料層と、前記多孔質材料層の表面上または中に存在する導電性炭素層または導電性炭素粒子を含む燃料電池用ガス拡散層である。 - 特許庁

To form a diffusion layer of oxygen and carbon on the surface of a titanium-based material without forming a layer of titanium oxide, by a single operation, without using a plasma vacuum furnace.例文帳に追加

プラズマ真空炉を使用することなく、単一の操作により、チタン系材料の表面に、チタン酸化物の層を形成することなく、酸素及び炭素の拡散層を形成する。 - 特許庁

The heat treatment temperature is limited to 300°C or less, so that significant diffusion of hydrogen atoms in the silicon crystal is not generated, and no surface roughness of the SOI layer is also produced.例文帳に追加

熱処理温度は３００℃以下に制限されているから、シリコン結晶中での水素原子の拡散が顕著に生じることがなく、ＳＯＩ層の表面荒れが生じることがない。 - 特許庁

The LDD diffusion layer 107, which specifies the distance L between PN junctions, is formed on the surface layer of the semiconductor substrate 101 by ion implantation employing the gate electrode pattern 105 as a mask.例文帳に追加

ゲート電極パターン１０５をマスクにしたイオン注入によって、半導体基板１０１の表面層にＰＮ接合間距離Ｌを規定するＬＤＤ拡散層１０７を形成する。 - 特許庁

The boundary between the first and second ferromagnetic films 13 and 15 and another layer is a surface (111), and the diffusion of iron atoms or cobalt atoms or the like from the intermediate firm 14 is inhibited.例文帳に追加

第１および第２の強磁性膜１３，１５における他の層との界面は（１１１）面となっており、中間膜１４からの鉄原子やコバルト原子などの拡散が抑制される。 - 特許庁

This semiconductor comprises a semiconductor substrate 11, a heterogeneous conductor material used for electrodes 14a and 14b connected to each of 11 and an impurity diffusion layer 13 formed on the surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１と、半導体基板１１の表面に形成された不純物拡散層１３の各々に接続された電極１４ａと１４ｂに異種導体材料を用いる。 - 特許庁

A method is also provided for the formation of shallow junctions in a semiconductor substrate by diffusion of dopant from an implanted layer contained within a dielectric layer into the semiconductor surface.例文帳に追加

ドーパントを、誘電体層の中に含まれる注入層から半導体表面に拡散させることにより、浅い接合部を半導体基板に形成する方法が提供される。 - 特許庁

A heavily doped diffusion layer 42 is formed to the surface layer of a terminal-section base region 40 by an ion implantation using an end on the cell-section side of the oxide film 10 as a mask and a heat treatment.例文帳に追加

酸化膜１０のセル部側の端部をマスクとするイオン注入および熱処理により終端部ベース領域４０の表面層に高濃度不純物拡散層４２を形成する。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 22 is formed in the surface 11b of the n-type substrate 11, which corresponds to a detector 31 between the p-type well region 15 and the reading gate 21.例文帳に追加

また、Ｐ型ウェル領域１５および読み出し用ゲート２１の相互間の検出部３１に対応する、Ｎ型基板１１の表面部１１ｂにはＰ型拡散層２２が形成されている。 - 特許庁

As a result, a quantity of heat in the vicinity of a center can be carried to a peripheral part most spaced array from a center, and can be evenly diffused throughout the whole surface of the thermal diffusion plate 1.例文帳に追加

このため、中心付近の熱量を、中心から最も離れた周辺部まで輸送することができ、熱を熱拡散板１の全面にわたって均等に拡散することができる。 - 特許庁

It is also provided with a peripheral electrode 5 which is formed on the entire peripheral area of the surface of the semiconductor substrate in a manner to enclose the diffusion layer and the functional electrode, and which is at the same potential as the rear electrode.例文帳に追加

拡散層及び機能電極を包囲するように、半導体基板の表面周辺全域に形成された、裏面電極と同電位の周辺電極５を有する。 - 特許庁

A diffusion layer 3, an element isolation insulating film 6, a silicon oxide film 7 are formed, then a polycrystalline silicon film to be a floating gate electrode 15 is deposited, and then the surface thereof is planarized by a CMP method.例文帳に追加

拡散層３、素子分離絶縁膜６、酸化シリコン膜７を形成後、フローティングゲート電極１５となる多結晶シリコン膜を堆積し、ＣＭＰにより表面を平坦にする。 - 特許庁

In such a case, the mode field diameter D1 of the inner end surface 4 of the side opposite to the light receiving element 3 of the single mode fiber constituting the short fiber 2 is preferably enlarged by thermal diffusion.例文帳に追加

短尺ファイバ２を構成する単一モードファイバの受光素子３と対向する側の内端面４のモードフィールド径Ｄ_1を熱拡散によって拡大することが好適である。 - 特許庁

To obtain a three-dimensional structural body functioning as a template which allows formation of a functional material such as a ceramic thin film wherein diffusion of substances and a reaction interface are sufficiently secured on the surface.例文帳に追加

表面において、物質拡散・反応界面の確保が十分できたセラミックス薄膜などの機能性材料を形成することが可能なテンプレートとなる三次元構造体を得る。 - 特許庁

A light diffusion plate 32a is disposed between the upside of a substrate W held in a heat treating furnace 10 and a light irradiating light source 20 so that diffused lights irradiate the substrate surface.例文帳に追加

熱処理炉１０内に保持された基板Ｗの上面と光照射用光源２０との間に光拡散板３２ａを配設し、拡散光が基板面に照射されるようにした。 - 特許庁

The light deflection element and light diffusion element are constituted by arranging many fine rugged shapes having 10 to 1,500 μm surface roughness Ra and ≤400 μm Rz.例文帳に追加

光偏向要素および光拡散要素は、表面粗さがRa１０μｍ以上１５００以下、Rz４００μｍ以下の範囲に入る多数の微細な凹凸形状が配置されて構成されている。 - 特許庁

A thin film such as a monomolecular film 4 is formed on the surface of a porous insulating film 2, and, thereon, a diffusion preventing film 8 and a conductive film 9 for wiring are formed successively.例文帳に追加

多孔質絶縁膜２の表面に単分子膜４等の薄膜を均一に形成したのち、薄膜を介して拡散防止膜８及び配線用導電膜９を順次成膜する。 - 特許庁

To provide a support member interlaid between a surface light source device and a diffusion plate for improving luminance uniformity of an image; to provide a backlight assembly having it; and to provide a display device having it.例文帳に追加

面光源装置と拡散板との間に介在し、画像の輝度均一性を向上させるサポート部材、これを有するバックライトアセンブリ、及びこれを有する表示装置を提供する。 - 特許庁

A natural ground 3 directly under the every ground improvement 1 is constrained in the arch to prevent the diffusion of the stress inside of the ground by load applied to every ground improvement body 1 on the ground surface.例文帳に追加

また、各地盤改良体１の直下の原地盤３をアーチ内に拘束して、地表で各地盤改良体１に加わる荷重による地盤内応力が拡散しないようにする。 - 特許庁

When the object O to be captured is irradiated with light, the balance in the intensity of the diffusion reflected light to regular reflected light is affected by smoothness (roughness) on the surface of the object O to be captured.例文帳に追加

被撮像物Ｏに光を照射したとき、その拡散反射光と正反射光の強度のバランスは、被撮像物Ｏの表面の滑らかさ（粗さ）によって影響を受ける。 - 特許庁

The gas diffusion member is composed of a substrate 10 having a plurality of through holes with a surface reforming treated and the morphology of the substrate 10 is either a wreath-cut metal or an expanded metal.例文帳に追加

ガス拡散部材は、表面改質処理された複数の貫通孔が設けられた基材１０からなり、基材１０の形態が、ラスカットメタルまたはエキスパンドメタルのいずれかの形態である。 - 特許庁

Plasma conditions (diffusion distance or pressure) and a mask shape (opening width) are set so as to avoid a region of the amount of hydrogen plasma, where etching markedly increase in the surface unevenness on the surface and generation of polymer occur at the same time; and thereby, shapes which differ in etching depths within the same surface can be readily processed, while suppressing surface unevenness.例文帳に追加

表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような水素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。 - 特許庁