「surface diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a light diffusion film which prevents electrification, prevents the sticking of dust, etc., and diffuses light, a surface light source system, using the film and a liquid crystal display device.例文帳に追加

帯電を防止して粉塵等の付着を防ぎ、光を拡散する光拡散フィルムと、それを使用した面光源装置及び液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

Source/drain diffusion layers are formed on the surface of the semiconductor substrate 1 so that they contact with the ends of the source/drain extension layers 11 opposite to the ends whereat the source/drain extension layers 11 contact with the channel region.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層は、ソース／ドレインエクステンション層のチャネル領域と反対側の端部と接するように半導体基板の表面に形成される。 - 特許庁

To provide a measuring method capable of accurately and easily measuring the diffusion length of minority carriers which are few in number in semiconductor by an SPV (surface photovoltage) method even in the case of a P-type epitaxial wafer.例文帳に追加

Ｐ型エピタキシャルウエハにおいても、ＳＰＶ法により、正確かつ容易に少数キャリア拡散長の測定を行うことができる測定方法を提供する。 - 特許庁

At the time of the self-forming reaction for forming the diffusion barrier film, the surface of the Cu layer is exposed to an atmosphere which forms a gas-phase reaction product by reaction with Mn.例文帳に追加

拡散バリア膜を形成する自己形成反応の際に、Ｃｕ層表面を、Ｍｎと反応して気相反応生成物を形成する雰囲気に曝露する。 - 特許庁

To provide a carbon porous body having a large pore capacity and a large specific surface area, and suitable for the diffusion of an adsorbed substance to the inside, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

大きな孔容量と比表面積とを有し、吸着物質の内部への拡散に好適な炭素多孔体、および、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

After a diffusion layer 14 is formed on the surface side of the substrate 10 in the memory region 10, an interlayer insulating film layer (insulating film) 15 is formed to cover this.例文帳に追加

メモリ領域１０ａにおける基板１０の表面側に拡散層１４を形成した後、これらを覆う状態で層間絶縁膜層（絶縁膜）１５を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an absorbent article provided with a surface sheet that improves liquid diffusion and absorption, is full of a stereoscopic effect and has a high cushioning property.例文帳に追加

液の拡散性及び吸収性を高めるとともに、立体感に富み、高いクッション性を有する表面シートを備えた吸収性物品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a game machine provided with a decoration device for which a light source for irradiating the end face of a light diffusion plate to perform surface light emission with light and its substrate are covered with a good appearance.例文帳に追加

面発光させる光拡散板の端面に光を照射する光源やその基板が見栄え良く覆い隠された装飾装置を有する遊技機を提供する。 - 特許庁

Then, drawing with a material for the sealing material by a dispenser method on the lower surface of the upper side glass substrate 1 in the immediate inside the barrier 6 to diffusion of the sealing material forms a sealing material 3.例文帳に追加

そして、上側のガラス基板１の下面においてシール材拡散防止壁６のすぐ内側にシール材材料をディスペンサ法により描画し、シール材３を形成する。 - 特許庁

Then, the water draining part 68 is protruded and installed in the oxidation gas flow passage 42 from the surface of the diffusion layer 36 so as to have a gap between the gas flow passage wall face 61.例文帳に追加

そして、排水部６８は、ガス流路壁面６１と隙間を存するように拡散層３６の表面から酸化ガス流路４２内に突出して設けられる。 - 特許庁

To provide a surface light source device capable of reducing an unpleasant noise between a light diffusion plate and spacer pins and capable of being manufactured easily, and to provide a liquid crystal display device.例文帳に追加

光拡散板とスペーサピンとの間での不快音を低減可能であってより容易に製造可能な面光源装置及び液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

On a printed circuit board 10, a surface of the solder bump 14 made of tin is coated with a palladium film 16 slower in diffusion speed than gold constituting the gold stud bump 24.例文帳に追加

プリント配線板１０では、スズから成る半田バンプ１４の表面に、金スタッドバンプ２４を構成する金よりも拡散速度の遅いパラジューム膜１６が被覆されている。 - 特許庁

Moreover, nitriding is applied to the bellows part, and a nitrogen diffusion layer with thickness 3% or more and 20% or less of that of the bellows part is formed on the outer surface of the bellows part.例文帳に追加

また、この蛇腹部には窒化処理が施されていて、肉厚の３％以上２０％以下の厚さの窒素拡散層が外表面に形成されている。 - 特許庁

The light emitted by the light emitting diodes 10 is diffused by a diffusion plate 11 and radiated from transmission windows 9 to shine the parts near the horizon of the inside wall surface of a dome.例文帳に追加

発光ダイオード１０が射出する光は拡散板１１により拡散され透過窓９より放射され、ドーム内壁面の地平線付近を照らし出す。 - 特許庁

A drain electrode 51 is formed on the surface of the n^--type diffusion area 44D with a distance from the side walls 43 of the gate electrodes 42 by the width of a silicide block area 52.例文帳に追加

ｎ^−型拡散領域４４Ｄの表面に、ゲート電極４２のサイドウォール４３からシリサイドブロック領域５２分だけ離間してドレイン電極５１を形成した。 - 特許庁

On a side of a trench 5a dug from a surface of an epitaxial layer 4, a trench sidewall diffusion layer 6 made of polysilicon with N-type impurities introduced is deposited.例文帳に追加

エピタキシャル層４の表面から掘り下がったトレンチ５ａの側面には、Ｎ型の不純物が導入されたポリシリコンからなるトレンチ側壁拡散層６が被着されている。 - 特許庁

PMOS contact holes 20 are formed on the source/drain diffusion layer in a silicon substrate 11 of a PMOS transistor having a selective growth layer 15 formed on the surface.例文帳に追加

選択成長層１５が表面に形成されたＰＭＯＳトランジスタのシリコン基板１１内のソース／ドレイン拡散層上に、ＰＭＯＳ用コンタクトホール２０を形成する。 - 特許庁

In the terminal forming step, a gold layer 33, a nickel layer 32, and a copper layer 31 are stacked in sequence on the gold diffusion prevention layer to thereby form a surface connection terminal 30.例文帳に追加

端子形成工程では、金拡散防止層上に、金層３３、ニッケル層３２及び銅層３１をこの順序で積層し、面接続端子３０を形成する。 - 特許庁

After a gate pattern 200 is formed on a semiconductor substrate 100, a diffusion-preventing film 164 is formed over the entire surface of the semiconductor substrate 100 including the gate pattern 200.例文帳に追加

半導体基板１００上にゲートパターン２００を形成後、ゲートパターン２００を含む半導体基板１００の全面に拡散防止膜１６４を形成する。 - 特許庁

The plated film 2 may comprise the diffusion layer 5 of the above second metal and a nickel-based plated layer 6, and may have fine particles 4 of the fluorine compound exposed on the surface.例文帳に追加

メッキ皮膜２は、前記第２の金属の拡散層５とニッケル系メッキ層６とで構成してもよく、表面にフッ素化合物の微粒子４が露出していてもよい。 - 特許庁

A pair of first diffusion layers 5a, which are shallow surface layers of a semiconductor substrate, are formed in part of a region inwardly from lower both ends of the gate electrode 4.例文帳に追加

半導体基板の浅い表層であって、ゲート電極４の下部の両端部から内方にかけて一部の領域に一対の第１の拡散層５ａが形成されている。 - 特許庁

In the bag film 5, the injection tube 9 injecting the resin is arranged on the upper surface of the resin diffusion net 4 while being supported by an approximately sheet-shaped saddle 10 for the injection tube.例文帳に追加

バッグフィルム５内には樹脂を注入する注入管９を、樹脂拡散ネット４の上面に略平板状の注入管用サドル１０に支持させて配設する。 - 特許庁

Consequently, since free electrons are generated in the barrier layers, the electrons in the well layer excited by a laser beam are reduced in diffusion of the surface of a sample.例文帳に追加

これにより、障壁層において自由電子が発生するから、レーザ光によって励起された井戸層の電子が試料表面へ拡散してしまうのを低減できる。 - 特許庁

To provide an aromatic polycarbonate resin composition that has superior all light transmission rates, a light diffusion property, and moldability, has also high surface hardness, and has superior scratch resistance.例文帳に追加

全光線透過率、光拡散性に優れ、かつ成形性に優れると共に、表面硬度も高く、耐擦傷性に優れた芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a preprocessing method for selectively forming a diffusion layer on the surface of a substrate while preventing a smear or a spread on a pattern after application using an inkjet system.例文帳に追加

インクジェット方式を用いて、塗布後のパターンが滲む又は広がることなく基板の表面に選択的に拡散層を形成するための前処理方法を提供すること。 - 特許庁

The gas diffusion layer substrate after allowing the cerium-containing oxide to be contacted with the water-repellent layer paste coating surface is heated to dissolve and remove the surfactant contained in the water-repellent layer paste.例文帳に追加

撥水層ペーストの塗工面にセリウム含有物が接触されたガス拡散層基材を加熱して、撥水層ペーストに含まれる界面活性剤を分解除去する。 - 特許庁

To always stably and highly accurately detect toner density even in the case that the diffusion reflectance of an image carrier surface is low in the toner density detecting means of a color image forming device.例文帳に追加

カラー画像形成装置のトナー濃度検出手段において、像担持体地肌の拡散反射率が低い場合でもトナー濃度を常に安定して精度良く検出する。 - 特許庁

Ions are implanted with conductor layer patterns 114b as a mask to form an embedded type impurity diffusion layer 120 near the surface of the semiconductor substrate between the patterns 114b.例文帳に追加

導電層パターン１１４ｂをマスクとしてイオン打ち込みを行い、これらの間の半導体基板の表面近傍に埋め込み型不純物拡散領域１２０を形成する。 - 特許庁

In the annealing process, only the silicon atoms in the vicinity of the surface of a silicon substrate 12 are selectively excited by the RLSA plasma, and the depth-direction impurity diffusion is suppressed.例文帳に追加

アニール工程では、ＲＬＳＡプラズマにより、シリコン基板１２表面近傍のシリコン原子のみが選択的に励起され、深さ方向への不純物拡散は抑制される。 - 特許庁

A surface of a silicon oxide film 6 which is embedded inside a device isolation trench 4 is formed with a nitrogen introduction layer 7 having a small diffusion coefficient relative to an oxidation agent.例文帳に追加

素子分離溝４の内部に埋め込まれた酸化シリコン膜６の表面部分には、酸化剤に対する拡散係数が小さい窒素導入層７が形成されている。 - 特許庁

This allows diffusion of the phosphorus into the p-type silicon substrate and improvement in crystallinity of a semiconductor layer which is grown on a surface of the first semiconductor layer.例文帳に追加

そのため、ｐ型シリコン基板内にリンを拡散させるとともに、第１半導体層の表面に成長させる半導体層の結晶性を向上させることができる。 - 特許庁

To move water generated in an electrochemical reaction of hydrogen and oxygen, from a catalyst layer to a desired position on the surface of a gas diffusion layer in a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池において、水素と酸素との電気化学反応によって生成された生成水を、触媒層からガス拡散層の表面上の所望の位置に移動させる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a cell module capable of efficiently forming a catalyst layer and a gas diffusion layer on the inner surface of a hollow electrolyte membrane and enhancing productivity.例文帳に追加

中空状電解質膜の内面側に触媒層及びガス拡散層を効率よく形成することができ、生産性が高いセルモジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicone grease composition which sufficiently inhibits the diffusion of an oil component or an oily additive in the grease component from the coated surface, and a silicone oil compound composition.例文帳に追加

塗布面からのグリース成分中の油分または油状添加物の拡散が十分に抑制されたシリコーングリース組成物およびシリコーンオイルコンパウンド組成物を提供する。 - 特許庁

A source/drain diffusion layer 15 is formed on a surface side of the semiconductor substrate 1, and the second sidewall 13a is selectively removed by wet etching using an alkaline etching solution.例文帳に追加

半導体基板１の表面側にソース／ドレイン拡散層１５を形成し、アルカリエッチング溶液を用いたウェットエッチングにより、第２サイドウォール１３ａを選択的に除去する。 - 特許庁

The dielectric mask is removed, and the p-GaAs lower contact layer 109, a hydrogen diffusion preventing layer 111, and a p-GaAs upper contact layer 112 are formed on the entire surface.例文帳に追加

その誘電体マスクを除去し、全面にｐ−ＧａＡｓ下部コンタクト層１０９、水素拡散防止層１１１、ｐ−ＧａＡｓ上部コンタクト層１１２を形成する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the silicon epitaxial wafer, a silicon epitaxial layer 9 is vapor grown on the main surface of the diffusion wafer 7 and the silicon epitaxial wafer 10 is manufactured.例文帳に追加

拡散ウェーハ７の主表面上にシリコンエピタキシャル層９を気相成長してシリコンエピタキシャルウェーハ１０を製造するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法である。 - 特許庁

The surface-side part of the portion overlapping the diffusion area 4 of a drain electrode 7 constituting metallic wiring becomes a drain pad 17 serving as a bonding pad.例文帳に追加

金属配線たるドレイン電極７においてｎ^+形ドレイン拡散領域４に重複する部分のうち表面側の一部がボンディングパッドたるドレインパッド１７となる。 - 特許庁

In the second opening 5b, a second semiconductor layer 7 having an impurity diffusion coefficient smaller than that of the semiconductor substrate 1 is formed on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

第２開口５ｂの内部において、半導体基板１より小さい不純物拡散係数を有する第２半導体層７を半導体基板１の表面に形成する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR DECONTAMINATING SURFACE PERIPHERAL PORTION POLLUTED BY RADIOACTIVE ISOTOPE, WITHOUT REMELTING, RE-DIFFUSION AND REDEPOSITION BY USING NONTHERMAL LASER EXFOLIATION例文帳に追加

放射性同位元素に汚染された表面近傍部位を非熱的レーザー剥離を用いて再溶融無く、再拡散無く、且つ再汚染無く除染する方法とその装置 - 特許庁

Since the heat treatment temperature is so low as 1,500°C, roughness on a surface of a crystal is prevented; and since no outward diffusion occurs, so the device properties can be improved.例文帳に追加

加熱処理温度が１５００℃と低温であるため、結晶表面荒れが防止され、また外方拡散が起こらないため、デバイス特性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a laminated light-diffusing film and a method for manufacturing the film excellent in translucency, light diffusion, mechanical strength and prodoctivity although it has a smooth surface.例文帳に追加

表面が平滑でありながら、光透過性、光拡散性、機械的強度、および生産性に優れた積層光拡散性フィルム、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a coating composition used in screen printing or the like which provides a light diffusion graduation treatment on one surface of a light guide plate, and to provide a light guide plate printed therewith.例文帳に追加

導光板の片面に光拡散グラデーション処理を施すスクリーン印刷等に用いる塗料組成物、及びそれを印刷した導光板を提供すること。 - 特許庁

The signal charge storage part 7 having the stray diffusion area 22, which is formed on the surface of the substrate, by detaching it from the charge supply part 5 by a prescribed distance, is disposed.例文帳に追加

上記基板表面に上記電荷供給部５から所定距離だけ離間して形成された浮遊拡散領域２２を有する信号電荷蓄積部７を備える。 - 特許庁

Then, on the surface of cathode side gas diffusion layer 30c of the membrane electrode assembly 52, a metal porous body 40c is arranged, on the surface of anode side gas diffusion layer 30a, a metal porous body 40a is arranged, and furthermore, to these respective surfaces, the cathode side metal plate 60c and the anode side metal plate 60a are respectively made contacted (step S 120).例文帳に追加

そして、膜電極接合体５２のカソード側ガス拡散層３０ｃの表面に、金属多孔体４０ｃを配置するとともに、アノード側ガス拡散層３０ａの表面に、金属多孔体４０ａを配置し、さらに、これらの各表面に、それぞれカソード側金属板６０ｃ、および、アノード側金属板６０ａを当接させる（ステップＳ１２０）。 - 特許庁