「surface flash」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing silica particles comprises: hydrolyzing/condensing alkoxy silane to obtain a dispersion liquid containing a silica particle precursor; subjecting the dispersion liquid to flash drying or spray drying to obtain dried silica particles; burning the dried silica particles to obtain dried silica particles; surface treating the burned silica particles with a silane coupling agent; and pulverizing and classifying the obtained surface-treated silica particles.例文帳に追加

アルコキシシランを加水分解・縮合させて、シリカ粒子前駆体を含有する分散液を得て、前記分散液を気流乾燥または噴霧乾燥して、乾燥シリカ粒子を得て、前記乾燥シリカ粒子を焼成して、焼成シリカ粒子を得て、前記焼成シリカ粒子をシランカップリング剤で表面処理して、得られた表面処理シリカ粒子を解砕および分級するシリカ粒子の製造方法。 - 特許庁

A lead frame having a nickel plating film 6, a palladium plating film 7 and a gold flash plating film 8 formed on the entire surface of a lead frame basic material 5 of copper alloy is further provided with a nickel alloy plating film between the nickel plating film 6 and the palladium plating film 7, thus obtaining a four-layer structure plated lead frame for semiconductor.例文帳に追加

銅合金から成るリードフレーム基材５上の全面にニッケルめっき膜６、パラジウムめっき膜７、金フラッシュめっき膜８を形成するリードフレームにおいて、ニッケルめっき膜６とパラジウムめっき膜７の中間にニッケル合金めっき膜９を形成し、４層構造めっきの半導体用リードフレーム１とする。 - 特許庁

The disclosed method includes, in a flash memory device comprising a stack gate electrode, a step of performing a radical oxidization process on the entire resulting surface including the stack gate electrode to form a sidewall oxide film on sidewalls of the stack gate electrode, and to maintain the profile of the stack gate electrode before the radical oxidization process.例文帳に追加

スタックゲート電極が備えられたフラッシュメモリ素子において、前記スタックゲート電極の含まれた結果物の全面にラジカル酸化工程を行い、前記スタックゲート電極の側壁に側壁酸化膜を形成すると共に前記ラジカル酸化工程前の前記スタックゲート電極のプロファイルを維持させる段階を含む。 - 特許庁

To provide an abrasive cleaning composition that can abrasively clean a precision-worked surface of a substrate with efficiency and that reuses an abrasive media solution composition by simply removing metal oxide particles, removed flash particles or the like from an abrasive media solution composition utilizing the specific gravity differential after abrasive cleaning and recycling the resulting abrasive media solution composition.例文帳に追加

精密加工した基材の表面を、効率的に研磨洗浄でき、研磨洗浄後に研磨メディア溶液組成物から比重の差を利用して、簡単に金属酸化物の粒子や除かれたバリの粒子などを除去し、研磨メディア溶液組成物を再循環して使う研磨洗浄組成物を提供する。 - 特許庁

An electric contact member used for the push switch is produced by forming a nickel-plating layer 3 on a surface of a sheet-like substrate 2 made of stainless steel, forming a ≤0.5 μm-thick copper-plating layer 4 on the nickel-plating layer 3 through flash plating, and forming a silver-plating layer 5 on the copper-plating layer 4.例文帳に追加

プッシュスイッチの電気接点部材としてステンレス鋼からなる薄板状の基板２表面に、ニッケルメッキ層３を形成し、ニッケルメッキ層３上にフラッシュメッキによって０．５μｍ厚以下の銅メッキ層４を形成し、銅メッキ層４上には銀メッキ層５を形成した金属板を加工した電気接点部材を使用する。 - 特許庁

The flash discharge lamp is provided with an arc tube made of a material having a light-transmitting region in a wavelength range of 200 nm or less, and a light-beam absorbing layer having absorption characteristics on light with a wavelength of 200 nm or less with yttrium oxide as a main component is fitted on an outer surface of the arc tube.例文帳に追加

本発明の閃光放電ランプは、２００ｎｍ以下の波長範囲に光透過域を有する材料よりなる発光管を備え、この発光管の外表面に、酸化イットリウムを主成分とする、波長が２００ｎｍ以下の光に対して吸収特性を有する光線吸収層が設けられた構成とされている。 - 特許庁

The image forming apparatus includes: a fixing means for fixing the toner image by illuminating flash light on the recording medium where the toner image is formed on the one surface; and a supplying means for supplying moisture to partial area of the recording medium based on the information on a supplying target predetermined from the side of the other surface of the recording medium, with the means provided downstream of the fixing means in a transfer direction of the recording medium.例文帳に追加

画像形成装置は、一方の面にトナー像が形成された記録媒体にフラッシュ光を照射して当該トナー像を定着する定着手段と、定着手段の記録媒体の搬送方向の下流側に設けられ、記録媒体の他方の面の側から予め決められた供給対象に関する情報に基づく記録媒体の一部の領域に対し水分を供給する供給手段と、を備える。 - 特許庁

In an active area forming a floating gate electrode on an Si substrate forming a burying dispersion area being a control gate so as to be capacity-coupled through an insulating of the surface of the Si substrate and forming a flash memory cell, an n type dispersion area being a source area and a drain area is formed on both sides of the floating gate electrode.例文帳に追加

コントロールゲートとなる埋設拡散領域を形成されたＳｉ基板上にフローティングゲート電極を、Ｓｉ基板表面の絶縁膜を介して容量結合するように形成し、フラッシュメモリセルが形成される活性領域中において、前記フローティングゲート電極の両側にソース領域およびドレイン領域となるｎ型拡散領域を形成する。 - 特許庁

To stabilize a molding quality by preventing a generation of a flash from an opening/closing surface of a mold based on an unevenness of a substantially charging amount in a mold according to a detecting accuracy of a moving amount of a screw or an injecting plunger and a viscosity and the other physical property difference between manufacturing lots of molding materials in a conventional rubber injection molding machine and preventing an insufficient filling.例文帳に追加

従来のゴム射出成形機における前記スクリュウ或いは射出プランジャの移動量の検出精度や成形材料の製造ロット間の粘度その他の物性差による金型内部への実質充填量のバラツキに基づく、金型開閉面からのバリ発生を防止するとともに、充填不足を防止して、成形品質を安定させること。 - 特許庁

This method for manufacturing an NAND flash memory element includes a step for providing a semiconductor substrate where a drain select transistor DSL, a source select transistor SSL, and memory cell transistors connected in series between them are formed; and a step for forming an oxide film in the surface of the semiconductor substrate at both sides of the gate of the source select transistor.例文帳に追加

ドレイン選択トランジスタＤＳＬ、ソース選択トランジスタＳＳＬおよびこれらの間に直列に連結されたメモリセルトランジスタが形成された半導体基板を提供する段階と、前記ソース選択トランジスタのゲート両側の半導体基板の表面内に酸化膜を形成する段階とを含む、ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, a plurality of flash memory cells MCn are provided which each include, at a surface part of the p-type well 12, a gate electrode having a floating gate FG which includes neither a source region nor a drain region, and is provided across a tunnel oxide film 21, and a control gate CG which is provided on the floating gate FG across an insulating film 22 to serve as a word line WL.例文帳に追加

また、そのｐ型ウェル１２の表面部に、ソース領域およびドレイン領域を有さず、トンネル酸化膜２１を介して設けられた浮遊ゲートＦＧと、この浮遊ゲートＦＧ上に絶縁膜２２を介して設けられたワード線ＷＬとなる制御ゲートＣＧとを有するゲート電極を備える、複数のフラッシュメモリセルＭＣｎを設けてなる構成とされている。 - 特許庁

The ultraviolet ray-resistant resin molded article comprises (A) a thermoplastic resin and (B) a filler, has a heat conductivity of at least 1 W/mK measured by the laser flash method, and has at an outermost layer a surface coat of an acrylic resin, and a thickness of the acrylic resin membrane is 0.5-200 μm.例文帳に追加

熱可塑性樹脂（Ａ）とフィラー（Ｂ）を含有してなり、レーザーフラッシュ法で測定した熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上である成形品であって、さらに最外層をアクリル系樹脂で表面コートしてあることを特徴とする耐紫外線用樹脂成形品、およびアクリル系樹脂の膜厚が０．５〜２００μｍであることを特徴とする上記耐紫外線用樹脂成形品。 - 特許庁

To provide a hard vinyl chloride resin sheet for vacuum forming which does not generate a flash in the cut area when notched in its surface, folded along the notch, and Cut and is smooth and, in addition, has an extensibility so as for the resin sheet to extend along a mold to accommodate for vacuum forming, and a softening temperature of ≥55°C so as to retain its shape after molding.例文帳に追加

表面に入れた切り込みに沿って折り曲げて、切断したときに、その切断面にバリが発生せず、平滑であって、しかも、真空成形に適するように、樹脂シートが金型に沿う伸びを有すると共に、成形後にその形状を保持するように、５５℃以上の柔軟温度を有する真空成形用の硬質塩化ビニル樹脂シートとその製造方法を提供する。 - 特許庁

The flash memory includes an element isolation film and an active region formed at a substrate, a plurality of stacked gates formed on the active region, a deep implant region formed at a lower portion of the element isolation film and the active region between the stacked gates, and a shallow implant region formed at a surface of the active region between the stacked gates.例文帳に追加

基板に形成された素子分離膜及び活性領域と、前記活性領域上に形成された複数のスタックゲートと、前記各スタックゲートの間の素子分離膜の下側及び活性領域に形成された深いインプラント領域と、前記各スタックゲートの間の活性領域の表面に形成された浅いインプラント領域とを含んでフラッシュメモリを構成する。 - 特許庁

Light irradiation by a flash lamp takes place in a short time from a side of a processed surface on a material to be processed placed in a processing chamber for carrying out the processing by means of plasma discharge, and high temperature heat treatment in an extremely short time takes place in an atmosphere containing highly concentrated radicals and ions to obtain formation and reformation of a thin film.例文帳に追加

プラズマ放電を用いた処理を行っている処理チャンバ内に配置された被処理体に対して、フラッシュランプによる短時間の光照射を処理面側から行い、高密度のラジカルとイオンを含む雰囲気下で極短時間の高温熱処理を行って薄膜形成及び薄膜改質を実現する半導体装置の製造方法及び製造装置である。 - 特許庁