「surface oxide」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

In the cleaning method of an oxide substrate, at least one of atomic hydrogen and atomic deuterium is brought into contact with the surface of the oxide substrate to clean the surface of the oxide substrate without heating the oxide substrate placed in a vacuum atmosphere.例文帳に追加

真空雰囲気中に置いた酸化物基板を加熱することなしに、その表面に原子状水素および原子状重水素のうち少なくとも一方を接触させて該酸化物基板の表面を清浄化処理することを特徴とする酸化物基板の清浄化方法。 - 特許庁

To provide a method of producing surface modified metal oxide fine particles, in which metal oxide fine particles can be surface-modified at high efficiency and agglomeration is prevented without deteriorating characteristics of metal oxide fine particles, and by which metal oxide fine particles can be dispersed uniformly in a solvent or a resin.例文帳に追加

金属酸化物超微粒子を高い効率で簡便に表面修飾し、金属酸化物微粒子の有する特徴を損なうことなく凝集を防止し、溶媒や樹脂中に均一分散させることができる表面修飾金属酸化物微粒子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a method, while being cooled, a silicon wafer 3 with an oxide film is brought into contact with hydrogen fluoride gas, and hereby condensation (not including a silicon oxide component) is generated on a wafer surface, to thereby etch an oxide film on the silicon wafer surface.例文帳に追加

酸化膜付きシリコンウェーハ３を冷却しつつ、フッ化水素ガスと接触させることによりウェーハ表面に結露（但しシリコン酸化成分を含まない）を発生させることによって、シリコンウェーハ表面の酸化膜をエッチングする方法。 - 特許庁

The metal oxide layer 100 is brought into sliding contact with a first contact surface A1 to a fourth contact surface A4 during use of an electromagnetic clutch, so that a part of the metal oxide layer 100 is ground or separated whereby particles composed of a metal oxide are generated.例文帳に追加

この金属酸化物層１００は、電磁クラッチを使用する過程で、第一接触面Ａ１〜第四接触面Ａ４と摺接することにより、一部が砕け又は剥離して、金属酸化物からなる粒子が生成される。 - 特許庁

To provide a transistor including an oxide semiconductor film in which metal oxide films made of the same component as an oxide semiconductor film which serves as a channel protective film are laminated on an upper surface of the oxide semiconductor film.例文帳に追加

酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜の上面部に、チャネル保護膜として機能する、酸化物半導体膜と同種の成分でなる金属酸化物膜が積層されているトランジスタを提供する。 - 特許庁

An Al oxide and Mg oxide of the amount corresponding to 1 to 50 mg/m2 in total weight of metal Al and metal Mg are more preferably incorporated into the surface layer of the plating film in addition to Zn oxide and Fe oxide.例文帳に追加

めっき皮膜表層に、Ｚｎ酸化物およびＦｅ酸化物に加えて、金属Ａｌおよび金属Ｍｇの合計重量で１〜５０ｍｇ／ｍ^2 に相当する量のＡｌ酸化物およびＭｇ酸化物を含有すればなおよい。 - 特許庁

To provide a surface treatment equipment and its method which use plasma, for removing a natural oxide film and a chemical oxide film at the surface of a silicon substrate, the damaged section of the silicon substrate, the pollutant at the surface of metal, and others.例文帳に追加

シリコン基板表面の自然酸化膜、化学的酸化膜、及びシリコン基板表面の損傷部位、メタル表面の汚染物質などを除去するためのプラズマを利用した表面処理装置及び方法の提供。 - 特許庁

To provide a porous titanium oxide thin film having large specific surface area (the surface area of titanium oxide based on substrate surface area in a thin film formed part) and a photoelectric convertor using the thin film and having high photoelectric conversion efficiency.例文帳に追加

比表面積（薄膜形成部分の基板面積に対する酸化チタン表面積）が大きい多孔質酸化チタン薄膜、及びその薄膜を用いた光電変換効率が高い光電変換素子を提供する。 - 特許庁

The surface of a substrate 11 is irrigated by hydrofluoric acid solution to remove an oxide film 13 on the surface of the substrate 11, and also to remove an oxide film 112 in a COP 111 exposed on the surface of the substrate 11.例文帳に追加

基板１１の表面をフッ酸水溶液で洗浄し、基板１１表面の酸化膜１３を除去するとともに、基板１１表面に露出しているＣＯＰ１１１内の酸化膜１１２を除去する。 - 特許庁

A coating of titanium oxide (TiO2) is applied to the inner surface of the sealing accommodating case 4, the surface of the optical unit cover 6, and a surface of the electrical circuit unit cover 2.例文帳に追加

密封収納ケース４の内面、光学ユニットカバー６の表面及び電気回路ユニットカバー２の表面に、酸化チタン（ＴｉＯ_2 ）によるコーティングを施す。 - 特許庁

A wafer 304 containing at least a silicon exposure surface and the exposure surface of a silicon oxide film or silicon nitride film on the surface is transported into a process chamber 301.例文帳に追加

表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜若しくはシリコン窒化膜の露出面とを備えるウェハ３０４を処理室３０１内に搬入する。 - 特許庁

A nitride film 21 is formed on the surface of a substrate 12 of silicon single crystal, and a surface oxide film 14 is formed on the surface of the nitride film 21.例文帳に追加

シリコン単結晶からなる基板本体１２の表面に窒化膜２１を形成し、窒化膜２１の表面に表面酸化膜１４を形成する。 - 特許庁

A surface 2 other than the reading surface is a opaque surface colored in white and is desirable made of polyethylene terephthalate containing titanium oxide.例文帳に追加

読み取り面以外の面２は、白色に着色された不透明な面で、酸化チタンを含有するポリエチレンテレフタレートから構成されることが好ましい。 - 特許庁

To form a high grade oxide coating film free from pin holes and roughened surface and having a smooth surface on the surface of a material-to-be-treated consisting essentially of a metal by anodization.例文帳に追加

金属を主成分とする被処理材の表面に、陽極酸化によりピンホールや表面荒れがなく平滑な高品質酸化物皮膜を形成する。 - 特許庁

To the opposite surface of the surface fixedly bonded to the base material 20 in the pad 30, namely, to the surface to be beaten by the sticks, zinc oxide powder 40 is adhered.例文帳に追加

パッド３０において基材２０に固着された面と反対の面、即ち、スティックにより打撃される面には、亜鉛華デンプン４０を付着させる。 - 特許庁

The total reflection surface 24 is formed by the surface of the oxide layer 23 of the board 22, and the irregular reflection surface 25 is formed by an exposure surface of the rough board 22 exposed by removing the area corresponding to the designated information of the oxide layer 23.例文帳に追加

前記全反射面２４は、基板２２の酸化層２３の表面から成り、乱反射面２５は、前記酸化層２３の所定情報に対応する領域を除去することによって露出する粗面状の前記基板２２の露出面から成る。 - 特許庁

Further, when the thickness of the oxide layer formed on the surface of the holder exceeds 150 μm, the oxide layer may be removed from the surface of the holder, or it may be exchanged for a new holder.例文帳に追加

また例えば，保持具の表面に形成される酸化物層の厚みが１５０μｍを超えたら，保持具の表面から酸化物層を除去するか，新しい保持具に交換しても良い。 - 特許庁

Wettability is given to an inner wall and an external surface of the hole 3 by forming a titanium oxide coat 2 on the surface of the capillary body 1 and further ultra-violet light is made to irradiate the titanium oxide coat.例文帳に追加

キャピラリィ本体１表面に酸化チタン被膜２を形成し、さらに、酸化チタン被膜に紫外線を照射させ、キャピラリィの穴３の内壁および外表面に親水性をもたせる。 - 特許庁

The ferritic stainless steel sheet has an oxide film consisting of a Cr-Mn-based oxide with a thickness of 50 to 500 nm on the surface, and a surface roughness of 0.02 to 2.5 μm by arithmetical mean roughness Ra.例文帳に追加

表面に厚さが５０〜５００ｎｍのＣｒ−Ｍｎ系酸化物からなる酸化皮膜を有し、表面粗度が平均粗さＲａで０．０２〜２．５μｍであるフェライト系ステンレス鋼板。 - 特許庁

While sustaining the reformed surface 13 of the oxide film 12 at an uppermost layer in the specified region 1, the surface of the semiconductor substrate 11 is coated entirely with an oxide film.例文帳に追加

熱酸化を行って、特定領域１で酸化膜１２の改質された表面１３を最上層に維持しながら、半導体基板１の表面全域を酸化膜で被覆する。 - 特許庁

To provide a wafer storage method that can prevent the growth of an underbump metal surface oxide film and the generation of a surface oxide when a wafer with the underbump metal is carried in or stored.例文帳に追加

アンダーバンプメタル付きウェハを入荷又は保管する際に、アンダーバンプメタル表面酸化膜の成長を防止し、さらに表面酸化物の生成を防止したウェハ保管方法を提供する。 - 特許庁

The coating composition contains surface-treated tin oxide prepared by surface-treating conductive tin oxide with at least one compound selected from among β-diketones and β-diketoesters.例文帳に追加

導電性酸化スズをβ−ジケトン類およびβ−ジケトエステル類から選ばれた少なくとも１種により表面処理してなる表面処理酸化スズを含有する塗料組成物。 - 特許庁

Then, a solution 13 for dissolving the silicon oxide film 12 and the impurities and making the surface of the silicon wafer 11 hydrophobic is made granular and attached to the surface of the silicon oxide film 12.例文帳に追加

次に、シリコン酸化膜１２および不純物を溶解しシリコンウェーハ１１表面を疎水性にする溶解液１３を粒状にしてシリコン酸化膜１２の表面に付着させる。 - 特許庁

As a result, a sacrificed oxide film 6 is formed on the surface of the silicon substrate 11 whereby the defect or the damage of the surface of silicon substrate 11 below the sacrificed oxide film 16 is recovered.例文帳に追加

その結果、シリコン基板１１表面に犠牲酸化膜１６が形成されるとともに、犠牲酸化膜１６下のシリコン基板１１表面の欠陥や損傷が回復する。 - 特許庁

To provide a laser annealing device that can be quickly perform preprocessing stages from surface oxide film removal to surface oxide film formation and capable of forming a homogeneous polycrystalline silicon film.例文帳に追加

表面酸化膜除去から表面酸化膜形成までの前処理工程を速やかに行うことができ、均一な多結晶シリコン膜の作成が可能なレーザアニール装置を提供する。 - 特許庁

The photocatalytic activity of a zinc oxide is retrained without producing an adverse effect on the ultraviolet light absorption rate, by a surface treatment of sulfidizing the surface of zinc oxide powder.例文帳に追加

酸化亜鉛粉末の表面を硫化する表面処理を施すことにより、紫外線吸収効率を損なうことなく、酸化亜鉛の光触媒活性を抑制した酸化亜鉛粉末。 - 特許庁

This oxide layer 14 has an upper surface 14a, that inclines toward directly above the channel stopper region 4 and a flat upper surface above the embedded oxide layer 2.例文帳に追加

この酸化物層１４は、チャネルストッパ領域４の直上に傾斜した上面１４ａを有しており、埋込酸化物層２の上方に平坦な上面１４ｂを有している。 - 特許庁

Then a second silicon oxide layer 10 which has a thickness T4 larger than the thickness T2 of the first silicon oxide layer is formed on a surface of the second silicon surface 6 to form a semiconductor substrate 12.例文帳に追加

次に、第２シリコン層６の表面に、第１酸化シリコン層の厚みＴ２より大きい厚みＴ４を有する第２酸化シリコン層１０を形成し、半導体基板１２を形成する。 - 特許庁

Next, the polycrystalline silicone film 14 is ground by the CMP technique to flatten the upper surface of the silicone oxide film 12 while utilizing the silicone oxide film 12 as a stopper and a membrane 20 is formed on the flattened surface.例文帳に追加

次に、酸化シリコン膜１２をストッパとして、多結晶シリコン膜１４をＣＭＰ法にて研磨して酸化シリコン膜１２の上面を平坦面とし、その上にメンブレン２０を形成する。 - 特許庁

On a silicon substrate 10, a silicon oxide film 12 is formed on one main surface and a silicon nitride film 16 is formed by way of the silicon oxide film 14 on the other main surface.例文帳に追加

シリコン基板１０において、一方の主面に酸化シリコン膜１２を形成すると共に、他方の主面に酸化シリコン膜１４を介して窒化シリコン膜１６を形成する。 - 特許庁

This galvannealed steel sheet is peculiarly provided with a flattened part on the metal coated surface and an oxide layer containing ≥20 atomic % Al oxide on the surface layer of the flattened part.例文帳に追加

めっき表面に平坦部を有し、その平坦部の表層にAl酸化物を20at%以上含有する酸化物層を有することを特徴とする合金化溶融亜鉛めっき鋼板。 - 特許庁

To provide a surface structure of a substrate having excellent adhesion to a perovskite type oxide film which is formed on the surface of the substrate, and to provide the substrate and the perovskite type oxide film.例文帳に追加

基板表面に成膜するペロブスカイト型酸化物膜に対して優れた密着性を有する基板表面構造とその基板、およびペロブスカイト型酸化物膜を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a field oxide film 10 is formed so that it may reach, from the main surface of an SOI layer 5, the main surface of an embedded oxide film 4.例文帳に追加

この発明に基づいた半導体装置によれば、ＳＯＩ層５の主表面から埋込酸化膜４の主表面に達するようにフィールド酸化膜１０を形成している。 - 特許庁

A step for removing a native oxide layer 10 from the surface of the silicon substrate 1 using chemical may precedes the step for forming a silicon oxide film 3a on the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の表面にシリコン酸化膜３ａを形成する工程の前に、薬液を用いてシリコン基板１の表面から自然酸化膜１０を除去する工程を具備してもよい。 - 特許庁

A bottom surface of the contact hole is parallel to a substrate surface, and the angle (θ) of a surface of the transparent conductive oxide film at the bottom portion of the contact hole to a surface of the transparent conductive oxide film at a side surface portion of the contact hole is θ≈90°.例文帳に追加

前記コンタクトホールの底面は前記基板面と平行であるとともに、前記コンタクトホールの底面部分の前記透明導電性酸化物膜の表面と前記コンタクトホールの側面部分の前記透明導電性酸化物膜の表面とのなす角度（θ）をθ≒９０°とした。 - 特許庁

This glass sealing part 1 is equipped with a part body (base metal part) 2 of a Fe-based alloy such as Fe-Cr alloy, a surface oxide film 3 formed on the surface of the part body 2, and an internal oxide 4 existing in the vicinity of the boundary surface on the oxide film forming surface side of the inside 2a of the part body.例文帳に追加

Ｆｅ−Ｃｒ系合金のようなＦｅ基合金からなる部品本体（地金部分）２と、この部品本体２の表面に形成された表面酸化膜３と、部品本体内部２ａの酸化膜形成面側の界面近傍に存在する内部酸化物４とを具備するガラス封着部品１である。 - 特許庁

In a bottom-gate structure thin film transistor, an oxide insulating layer as a channel protecting layer is formed on part of an oxide semiconductor layer superimposed on a gate electrode layer, and during the formation of the oxide insulating layer, an oxide insulating layer for covering a peripheral portion (including a side surface) of the oxide semiconductor layer is formed.例文帳に追加

ボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部にチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。 - 特許庁

The oxide catalyst 1 is an oxide catalyst obtained by utilizing thermal excitation of an oxide semiconductor, wherein an oxide semiconductor-coated film 3 made by oxidizing metal or low-order oxide is formed on the surface 2a of a support 2 made of any of metal, ceramic and carbon.例文帳に追加

本発明の酸化物触媒１は、酸化物半導体の熱励起を利用した酸化物触媒であり、金属、セラミックス、炭素のいずれかからなる支持体２の表面２ａに、金属または低次酸化物を酸化処理してなる酸化物半導体被膜３を形成した。 - 特許庁

The catalyst for emission gas purification 1 contains a zirconium compound oxide, and comprises a carrier 3 stabilized by a lanthanoid oxide A, a lanthanoid oxide 5 (lanthanoid oxide B) present on the surface of the carrier, and a noble metal 7 supported by the lanthanoid oxide 5.例文帳に追加

ジルコニウム系複合酸化物を含み、ランタノイド酸化物Ａで安定化された担体３と、前記担体の表面に存在するランタノイド酸化物５（ランタノイド酸化物Ｂ）と、前記ランタノイド酸化物５の上に担持された貴金属７と、を有することを特徴とする排ガス浄化用触媒１。 - 特許庁

To produce a catalyst in which the specific surface area of an oxide carrier can be restrained from being reduced and the grain growth of a noble metal to be deposited on the oxide carrier can also be restrained.例文帳に追加

酸化物担体の比表面積の低下を抑制でき、担持されている貴金属の粒成長も抑制できる触媒とする。 - 特許庁

The photo-active titanium oxide particle (TI) is preferably a coated particle carrying an photo-inactive substance at a part of the surface of the photo-active titanium oxide.例文帳に追加

光活性酸化チタン粒子（ＴＩ）は光活性酸化チタンの表面の一部に光不活性物質を担持した被覆粒子が好ましい。 - 特許庁

COMPOSITION BASED ON CERIUM OXIDE AND ZIRCONIUM OXIDE AND HAVING HIGH SPECIFIC SURFACE AREA AND HIGH OXYGEN STORING POTENTIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

セリウム酸化物及びジルコニウム酸化物を基とし、高い比表面積及び高い酸素貯蔵能力を有する組成物並びにその製造方法 - 特許庁

Next, the entirety of the phosphorus-doped silicon oxide film 107 and a part of the silicon oxide film are removed to make the surface flat using a CMP method.例文帳に追加

次に、ＣＭＰ法を用いて、リンドープシリコン酸化膜１０７の全部とシリコン酸化膜１０６の一部を除去し、表面を平坦化する。 - 特許庁

A fixing agent can be interposed between the material 12 and titanium oxide 14 for fixing the titanium oxide 14 on the surface of the material 12.例文帳に追加

基材１２の表面に酸化チタン１４を定着させるために基材１２と酸化チタン１４との間に定着剤を介在させてもよい。 - 特許庁

The surface of a phosphor 1 is covered with a moisture proof film 2 formed by dispersing metal oxide particles 4 in a metal oxide matrix phase 3.例文帳に追加

蛍光体１の表面を、金属酸化物マトリックス相３に金属酸化物粒子４を分散させて形成した防湿膜２で被覆する。 - 特許庁