「surface thin layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

The thin plate member 38 is adhered to the inner wall surface 36 of the casing 12 via the adhesive layer in the state of exposing the plural fine projections on the recessed part 24 of the casing 12.例文帳に追加

薄板部材３８は、複数の微細突起をケーシング１２の凹所２４に露出させた状態で、粘着剤層を介して、ケーシング１２の内壁面３６に固着される。 - 特許庁

The photocatalytic layer is formed by applying a thin TiO2 film in a dry coating fashion on the surface of the base and heating the film in an atmosphere of about 450-1,000°C for a specified time and then quenching.例文帳に追加

基材表面にＴｉＯ２薄膜をドライコーティングして約４５０〜１，０００℃雰囲気で所定時間加熱してから急冷し、光触媒層を形成する。 - 特許庁

Since the insulating layers are composed of extremely thin films, spaces from wiring layers 13 and 17 and a conductor layer 22 on the wall surface of the through-via 10 to the core substrate 15 are narrowed.例文帳に追加

この絶縁層は非常に薄い膜であるため，配線層１３，１７や貫通ビア１０の壁面の導体層２２からコア基板１５までの間隔が狭い。 - 特許庁

To provide a high capacity magnetic recording medium having a thin film back coat layer, having superior surface smoothness and durability and having superior electromagnetic transducing characteristics.例文帳に追加

表面平滑性及び耐久性に優れる薄膜化されたバックコート層を有し、電磁変換特性に優れる高容量化された磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium maintaining excellent surface smoothness even in a region where magnetic layer thickness is thin and having excellent reproducing output in a long wavelength region and a short wavelength region.例文帳に追加

磁性層厚さの薄い領域でもすぐれた表面平滑性を維持し、長波長域と短波長域での再生出力にすぐれる磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

The metal films of the same kind or different kinds are formed of thin metal films so that irregularity of the surface of the uppermost layer of the metal films that constitute the wiring structure can be reduced.例文帳に追加

その同種又は異種の金属膜は、配線構造を構成する最上層の金属膜表面の凹凸を低減するように、薄膜の金属膜で形成される。 - 特許庁

Further, the thin-film semiconductor layer 3 is partially eliminated from the separation surface side of the separated semiconductor device, and the semiconductor device and other semiconductor devices are electrically insulated.例文帳に追加

更に、分離された半導体デバイスの分離面側から薄膜半導体層３を部分的に除去し、半導体デバイスと他の半導体デバイスとの間を電気的に絶縁する。 - 特許庁

The single particle laminated thin film has a single particle layer deposited, on a supporting body having a surface with hydrophilic graft polymer chains, with particulates in a single particle state.例文帳に追加

親水性グラフトポリマー鎖が存在する表面を有する支持体上に、微粒子を単粒子状態で付着させた単粒子層を有することを特徴とする。 - 特許庁

The problem is solved by using an electrode composed by forming an electrode active material thin film layer by a sol gel method on a porous collector having a wide surface area.例文帳に追加

大表面積を有する多孔質集電体にゾルゲル法により電極活物質薄膜層が形成されてなる電極を用いることにより、上記課題は解決される。 - 特許庁

A thin wire interconnection (60) is provided in a first dielectric layer (12) located above a semiconductor circuit (42) formed in or on the surface of a substrate (10).例文帳に追加

細線相互接続部（６０）は基体（１０）の表面内又はその上に形成された半導体回路（４２）の上に位置する第１の誘電体層（１２）内に設けられる。 - 特許庁

That means acts the vapor of a scandium halide on the surface of the silica glass under the high temperature to form a protective layer having 1-200 nm of a very thin concentration gradient.例文帳に追加

その手段は高温下でハロゲン化スカンジウムの蒸気を石英ガラス表面に作用させ、１〜２００ｎｍのごく薄い濃度勾配を有する保護層を形成する。 - 特許庁

To provide a means of suppressing a leak current of a reverse-surface channel of a MOSFET formed on an SOS substrate where a thin silicon layer of ≤0.1 μm is laminated.例文帳に追加

０．１μｍ以下の薄いシリコン層を積層したＳＯＳ基板に形成したＭＯＳＦＥＴの裏面チャネルによるリーク電流を抑制する手段を提供する。 - 特許庁

Thus, the electrode 14 in which a very ultra-thin-film layer 26 of the tin, having a thickness of about 1 to 10 nm, is adhered to the surface of a substrate copper layer of the externally connecting electrode region, can be obtained.例文帳に追加

このようにして外部接続用電極領域の下地銅層の表面に、厚みがおよそ１ｎｍから１０ｎｍの錫のごく薄の薄膜層２６を付着させた外部接続用電極１４を得ることができる。 - 特許庁

The problem is solved by providing the thin film solar cell constituted of a transparent conductive film 4, a photoelectric conversion layer 5 and a rear surface electrode layer 6 which are laminated sequentially on a translucent plastic substrate 3.例文帳に追加

透光性プラスチック基板３上に、透明導電膜４、光電変換層５および裏面電極層６が順次積層されてなる薄膜太陽電池を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

After that, a metal thin film 4 is formed by sputtering on the part of the first conductive pattern 2 exposed inside the pore 3a of the second insulating layer 3, the side surface of the pore 3a, and the second insulating layer 3.例文帳に追加

その後、第２の絶縁層３の孔部３ａ内で露出する第１の導体パターン２の部分、孔部３ａの側面および第２の絶縁層３上にスパッタリングにより金属薄膜４を形成する。 - 特許庁

The laminated body includes the low-molecular weight PMMA thin layer on a surface of a substrate, and a preformed PMMA sheet having a thickness of less than 3 mm and bonded on the low-molecular weight PMMA layer by a function of a solvent.例文帳に追加

また、積層体は、基板の表面上の低分子量ＰＭＭＡ製の薄層と、厚み約３ｍｍ未満で、該低分子量ＰＭＭＡ製の層に溶媒の作用で結合されるＰＭＭＡの予備成形シートと含む。 - 特許庁

Here, the process of cutting the oxide layer of the surface of the oriented metal substrate and the process of forming the oxide thin film on the oriented metal substrate of cutting the oxide layer can be carried out continuously.例文帳に追加

ここで、配向金属基板の表面の酸化層を切削する工程と、前記酸化層を切削した配向金属基板上に酸化物薄膜を形成する工程とを連続的に行なうことができる。 - 特許庁

In this way, a high strength stainless steel thin sheet having a nitrided layer as a surface hardened layer with high toughness and uniform high N concentration, having excellent fatigue properties and usable as an alternate material for expensive maraging steel can be obtained.例文帳に追加

これにより、靭性が高く均一な高Ｎ濃度の表面硬化層である窒化層を有し、疲労特性に優れ、高価なマルエージング鋼の代替材料として使用可能な高強度のステンレス鋼薄板となる。 - 特許庁

A device-forming surface of a wafer 10 for the active layer of a pasted wafer 30 coated with silicon oxide films 10a, 30a is ground and polished in a state in which steps do not exist on the outer periphery, and the active layer 10A of the thin film is obtained.例文帳に追加

シリコン酸化膜１０ａ，３０ａで覆われた張り合わせウェーハ３０の活性層用ウェーハ１０のデバイス形成面を、外周部に段差がない状態で研削、研磨し、薄膜の活性層１０Ａを得る。 - 特許庁

As a material of a protective film layer 5 and a thin film layer to be formed on surfaces of the surface head part and the pressure welding piece, an olefin or styrene synthetic resin of JISA hardness of 95 or more, and low frictional resistance is used.例文帳に追加

該表面頭部と該圧接片との表面に被着する保護膜層５と薄膜層との構成材料を摩擦抵抗の少ないＪＩＳＡ硬度９５以上のオレフィン系、スチレン系の合成樹脂を使用する。 - 特許庁

To provide a core board manufacturing method and a wiring board manufacturing method which suppress the unevenness of the thickness of a conductive layer on the surface of a core board and reduce the conductive layer into a thin film to enable the formation of microwiring.例文帳に追加

コア基板表面の導電層の厚みのバラツキを抑えた上で導電層を薄膜化し、微細配線を形成できるコア基板の製造方法及び配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The thin film is provided with at least one protecting layer consisting of inorganic material at the surface of at least one side, and includes at least one layer made of elastomer material.例文帳に追加

本願発明の薄膜は、少なくとも片側の表面上に無機材料からなる少なくとも１つの保護層を備えるとともにエラストマー材料からなる少なくとも１つの層を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The interposer is positioned between an integrated circuit and the ceramic substrate and has an oxide layer formed on the polished surface of the silicon substrate and a thin-film dielectric capacitor formed on the oxide layer.例文帳に追加

集積回路とセラミック基板との間に位置付けられたインターポーザであって、シリコン基板３２３の研磨面上に形成された酸化物層と、酸化物層上に形成された薄膜誘電体コンデンサとを有する。 - 特許庁

To provide a method in which an oxidized layer of the oriented metal substrate surface is surely removed, and an oxide thin film of the interlayer and a superconductive layer or the like are epitaxially formed by maintaining biaxial orientation of the oriented metal substrate.例文帳に追加

配向金属基板表面の酸化層を確実に除去し、配向金属基板の２軸配向性を維持して、中間層および超電導層などの酸化物薄膜をエピタキシャルに形成する方法を提供する。 - 特許庁

The surface electrode 7 is formed with two-layered thin-film electrode layers 7b and 7a, the top thin-film electrode layer 7a shows lower state density around energy of emitted electron, the bottom thin-film electrode layer 7b shows lower state density around energy of emitted electron and a good adherence property to the strong electrostatic drift region 6.例文帳に追加

表面電極７は、二層の薄膜電極層７ｂ，７ａからなり、最上層の薄膜電極層７ａは、放出される電子のエネルギ近傍の状態密度が低い性質を有し、最下層の薄膜電極層７ｂは、放出される電子のエネルギ近傍の状態密度が低く且つ強電界ドリフト部６との密着性が良い性質を有する。 - 特許庁

The manufacturing method includes an oxide film forming process for forming an oxide film 12 which is a protective film over the entire surface of a semiconductor substrate 11, a metal thin film forming process for forming a metal thin film 13 on the oxide film 12, and an ion preventing layer forming process for forming an ion preventing layer 14 of the metal having an ion preventing function on the metal thin film 13.例文帳に追加

半導体基板１１上の全面に保護膜である酸化膜１２を形成する酸化膜形成工程と、酸化膜１２上に金属薄膜１３を形成する金属薄膜形成工程と、金属薄膜１３上にイオン阻止能を有する金属からなるイオン阻止層１４を形成するイオン阻止層形成工程と、を有する。 - 特許庁

A photoelectric conversion element comprises a central electrode formed as a conductive thin wire, organic semiconductor layers laminated on the outer peripheral surface of the central electrode, and an outer buffer layer formed as a transparent conductive adhesive laminated on the outer peripheral surface of the organic semiconductor layer.例文帳に追加

光電変換素子が、導電細線からなる中心電極と、中心電極の外周面に積層した有機半導体層と、有機半導体層の外周面に積層した透明な導電性接着剤からなる外側バッファ層とを備える。 - 特許庁

This dummy solar battery panel P is formed by laminating a surface plate 10 formed of a transparent material, a decoration layer 20 with a pattern imitating the solar battery with the blue color tone group transparent coloring ink, and a metal thin film layer in order from the surface.例文帳に追加

擬似太陽電池板Ｐを、表面から順に、少なくとも、透明材料からなる表面板１０、青色系色調の透明着色インキによって太陽電池を模した絵柄の装飾層２０、金属薄膜層３０を積層した構成とする。 - 特許庁

In this case, when fine transparent anodized oxide films 8 with thin nearly biconvex lens shapes are formed on the upper surface of the reflection layer 7, the recessing parts 9 with shapes corresponding to the lower surfaces of the anodized oxide films 8 are uniformly formed on the upper surface of the reflection layer 7.例文帳に追加

この場合、反射層７の上面に微細で透明なほぼ薄い両凸レンズ状の陽極酸化膜８を形成すると、陽極酸化膜８下の反射層７の上面に陽極酸化膜８の下面に応じた形状の凹部９が均一に形成される。 - 特許庁

In this metal pattern forming method, a plating layer with a thickness of 1 μm or smaller is formed on the surface of the silver thin film pattern formed on a support using a neutral or basic copper plating bath and electroplating for a thickness increase is further applied to the surface of the plating layer.例文帳に追加

支持体上に形成された銀薄膜パタン上に中性、あるいは塩基性の銅めっき浴により厚さ１μｍ以下のめっき層を形成した後、さらに厚付のための電解めっきすることを特徴とする金属パタンの形成方法。 - 特許庁

A thin-film transistor 10 has a gate insulating layer 4 prepared on a top surface of a substrate 2 such that it covers a gate electrode 3, and a source electrode 5 and a drain electrode 6 respectively prepared on a top surface of the gate insulating layer 4 with a predetermined channel length spacing width.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１０は、基板２の上面には、ゲート電極３を覆うようにしてゲート絶縁層４が設けられ、ゲート絶縁層４の上面には、ソース電極５及びドレイン電極６が所定のチャネル長の離間幅をもって各々設けられている。 - 特許庁

In the thin-film transistor, an insulation film 2 and a channel layer 3 made of AZO semiconductor are formed on the surface of a gate electrode 1 in this order, and a source electrode 4 and a drain electrode 5 are formed on the surface of the channel layer 3 with an interval in between.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、ゲート電極１の表面に、絶縁膜２及びＡＺＯ半導体よりなるチャネル層３がこの順に形成されており、該チャネル層３の表面に、間隔をあけてソース電極４及びドレイン電極５が形成された構成となっている。 - 特許庁

The battery case is obtained by shaping the surface treated steel sheet having an iron - nickel alloy plated layer on the outermost layer corresponding to the inside surface of the battery case made from a plating original sheet composed of the steel sheet by a deep drawing process, a drawing and ironing process (DI) or drawing thin and redraw process (DTR).例文帳に追加

電池ケースは、鋼板からなるめっき原板の電池ケース内面に相当する最表層に鉄−ニッケル合金めっき層を有する表面処理鋼板を、深絞り成形法、ＤＩ成形法又はＤＴＲ成形法によって成形して得られる。 - 特許庁

A pattern substrate 31 having a plurality of thin films 30 on a substrate 1 via a releasing layer 2 and an opposing substrate 62 on an opposing stage 6 are disposed at a place where they don't face each other, and a surface of the opposing substrate 62 and a surface of the thin films 30 are irradiated with the Ar gas 7 to be cleaned.例文帳に追加

基板１上に離型層２を介して複数の薄膜３０を形成したパターン基板３１と対向ステージ６上の対向基板６２を互いに対向しない位置に配置し、対向基板６２および薄膜３０の表面にＡｒガス７を照射して清浄化する。 - 特許庁

Afterwards, when a single-crystal semiconductor thin film 20 is grown on the porous layer, a plurality of fine projecting structures 21 formed of crystal habits appearing on the surface with the same plane direction (100) as that of the single-crystal semiconductor substrate are formed on the surface of the single-crystal semiconductor thin film 20.例文帳に追加

その後、多孔質層の上に単結晶半導体薄膜２０を成長させると、その表面に、単結晶半導体基板と同一の（１００）面方位を有するとともに、表面に現れた結晶晶癖により形成された多数の微小な凸構造２１が形成される。 - 特許庁

Many minute projections are formed on the thin film coating surface based on nonuniformity of the substrate surface or the thin film coating layer in the region making a shot region by one laser beam as an unit by setting the laser intensity near a forming threshold value of the minute projection.例文帳に追加

レーザの強度を、微細突起の形成閾値近傍に設定することにより、１つのレーザビームによるショット領域を単位として、当該領域内に、基材表面又は薄膜コーティング層の不均一性に基づいて、薄膜コーティング表面に多数の微細突起を形成する。 - 特許庁

The electrode for the lithium secondary battery has a thin film containing an active material storing/releasing Li formed on a collector, and the active material thin film has a surface layer made of nitride on its surface, with a thickness of more than 1 nm and smaller than 100 nm.例文帳に追加

本発明のリチウム二次電池用電極は、Liを吸蔵・放出する活物質を含有する薄膜が集電体上に形成されたリチウム二次電池用電極であって、活物質薄膜は、表面に窒化物から成る表面層を有し、表面層の厚さは、1nm超100nm未満であることを特徴とする。 - 特許庁

The functional sheet 1 is provided with a thin-walled body 11 composed of an acrylic rubber reinforced resin composition, and a corona-treating layer 12 having a surface wetting-index (according to JIS K 6768) of 40 mN/m or over arranged on at least one surface of the thin-walled body 11.例文帳に追加

本発明の機能性シート１は、アクリル系ゴム強化樹脂組成物からなる薄肉体１１と、薄肉体１１の少なくとも一方の面に形成されたコロナ処理層１２とを備え、コロナ処理層１２の表面におけるぬれ指数（ＪＩＳ Ｋ６７６８に準拠）が４０ｍＮ／ｍ以上である。 - 特許庁

The woody decorative sheet 3 is obtained in which a moisture curable urethane hot melt resin of at least 80 durometer A hardness after curing is applied on the surface of a woody thin plate 1 and made to penetrate into the thin plate 1 by hot pressing, and the resin-coated layer 2 is also formed on the surface.例文帳に追加

木質薄板１の表面に反応硬化後のデュロメータＡ硬さが80以上の湿気硬化型ウレタン系ホットメルト樹脂を塗布して熱圧により木質薄板１内に浸透させると共に表面にもその樹脂塗布層２を設けてなる木質化粧シート３を得る。 - 特許庁

By press-fitting a disk-like member 120 in both ends 141 of the flexible and thin cylindrical image carrier 140 provided with an image carrier layer formed on the surface of flexible and thin cylindrical base material the image carrier is supported.例文帳に追加

可撓性を有する薄肉円筒状の基材の表面に形成された像担持層を有する可撓性のある薄肉円筒状の像担持体１４０の両端部１４１に円板状部材１２０を圧入して像担持体を支持する。 - 特許庁

In this process, in the embodiment, by controlling the film thickness of the thin organic film 104, the number of layers of the graphene in the thin carbon film 104 growing on the surface of the metal layer 103 described later is controlled.例文帳に追加

この工程において、本実施の形態では、有機薄膜１０４の膜厚を制御することで、後述する金属層１０３の表面に成長する炭素薄膜１０４におけるグラフェンの層数を制御するところに特徴がある。 - 特許庁

The pallet for mounting a thin substrate is provided in which one silicon elastomer layer of a thin substrate temporarily fixing a tape in which two layers of silicon elastomer layers having different shear elasticity G' are combined is tightly fitted to the surface of a pallet body.例文帳に追加

剪断弾性率Ｇ’の異なる２層のシリコーンエラストマー層を組み合わせた薄型基板仮固定用テープの、一方のシリコーンエラストマー層をパレット本体の表面に密着した、薄型基板実装用パレットを提供する。 - 特許庁

To provide a production method for a polycrystal thin film which consisting of Yb_2O_3, and is provided with satisfactory crystal orientation properties, and to provide a production method for an oxide superconductor obtained by providing the surface of the polycrystal thin film with an oxide superconductive layer.例文帳に追加

良好な結晶配向性を備えたＹｂ_２Ｏ_３からなる多結晶薄膜の製造方法と、該多結晶薄膜の上に酸化物超電導層を設けてなる酸化物超電導導体の製造方法とを提供する。 - 特許庁

The self oxidation film is formed at a surface layer part of the Ta-Si-O ternary alloy thin film resistor of the heater 26, whereby the corrosion of the Ta-Si-O system thin film resistor by the ink is effectively prevented.例文帳に追加

またヒータ２６のＴａ−Ｓｉ−Ｏ三元合金薄膜抵抗体には表層部に自己酸化被膜が形成されており、これにより、インクによるＴａ−Ｓｉ−Ｏ系薄膜抵抗体の腐蝕が効果的に防止される。 - 特許庁

To provide an evaluation method of a wafer with a thin film in which film thickness distribution of a micro thin film (SOI layer) that affects a device can be measured conveniently at a low cost over the entire wafer surface with a sufficient spatial resolution.例文帳に追加

本発明は、デバイスに影響するミクロな薄膜（ＳＯＩ層）膜厚分布のウェーハ全面に渡る測定を、低コストかつ簡便に、十分な空間分解能で行うことができる薄膜付ウェーハの評価方法を提供する。 - 特許庁