| 例文 |
surface thin layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2008件
To provide a method for manufacturing a thin polyolefin resin expanded sheet which does not require a processing step such as a surface heat treatment and has a skin layer formed on both sides.例文帳に追加
表面熱処理等の加工工程を必要とせずに、両面にスキン層を有し、かつ厚みの薄いポリオレフィン系樹脂発泡シートを得るための製造方法を提供する。 - 特許庁
A source/drain electrode 15 is formed on one main surface of a second substrate 11, and a semiconductor thin-film layer 17 made of an organic material is formed while covering them.例文帳に追加
第2基板11の一主面上にソース/ドレイン電極15を形成し、これらを覆う状態で有機材料からなる半導体薄膜層17を形成する。 - 特許庁
The preferable original plate of the lithographic printing plate is one having a support, on which the thin film hydrophilic layer having its surface containing the metal oxide is provided.例文帳に追加
前記平版印刷版原版が、支持体上に、金属酸化物を含有する表面を有する薄膜親水性層を設けてなるものであることが好ましい。 - 特許庁
To provide a high capacity magnetic recording medium having a thin film back coat layer, having superior surface smoothness and durability and having superior electromagnetic transducing characteristics.例文帳に追加
表面平滑性及び耐久性に優れる薄膜化されたバックコート層を有し、電磁変換特性に優れる高容量化された磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁
To provide a magnetic recording medium maintaining excellent surface smoothness even in a region where magnetic layer thickness is thin and having excellent reproducing output in a long wavelength region and a short wavelength region.例文帳に追加
磁性層厚さの薄い領域でもすぐれた表面平滑性を維持し、長波長域と短波長域での再生出力にすぐれる磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁
More specifically, the colored thin film 44 is formed between the interconnection 42, constituting the uppermost wiring layer and the silicon nitride film 46, that serves as a surface protecting film.例文帳に追加
すなわち、本発明の特徴は、最上層配線層を構成する配線42と表面保護膜となる窒化シリコン膜46の間に有色薄膜44を形成する。 - 特許庁
A silicon thin film electrode 14 is formed on a position facing to the projection 13 of the under surface 20b of the insulating layer 20 by forming a film from silicon by a sputtering method.例文帳に追加
また絶縁層20の下面20bの凸部13に対向する位置にはスパッタリング法によりシリコンを成膜することによりシリコン薄膜電極14が形成されている。 - 特許庁
Further, the reformed layer is formed by washing the surface of the thin base material plate with a processing liquid mainly made of acid ammonium fluoride and nitric acid.例文帳に追加
薄板母材の表面にその改質層を酸性フッ化アンモニウム及び硝酸を主成分とする処理液で洗浄することにより形成するメタルマスクの製造方法。 - 特許庁
After the sheet material is formed like the thin layer sheet by press working or when the sheet material is pressed, a finishing material can also be integrally superposed on the surface of the sheet material.例文帳に追加
プレス加工によりシート材を薄層シート状に形成した後、もしくはプレス加工する際に、シート材の表面に仕上げ材を一体に積層することもできる。 - 特許庁
The metal films of the same kind or different kinds are formed of thin metal films so that irregularity of the surface of the uppermost layer of the metal films that constitute the wiring structure can be reduced.例文帳に追加
その同種又は異種の金属膜は、配線構造を構成する最上層の金属膜表面の凹凸を低減するように、薄膜の金属膜で形成される。 - 特許庁
Further, the thin-film semiconductor layer 3 is partially eliminated from the separation surface side of the separated semiconductor device, and the semiconductor device and other semiconductor devices are electrically insulated.例文帳に追加
更に、分離された半導体デバイスの分離面側から薄膜半導体層3を部分的に除去し、半導体デバイスと他の半導体デバイスとの間を電気的に絶縁する。 - 特許庁
The single particle laminated thin film has a single particle layer deposited, on a supporting body having a surface with hydrophilic graft polymer chains, with particulates in a single particle state.例文帳に追加
親水性グラフトポリマー鎖が存在する表面を有する支持体上に、微粒子を単粒子状態で付着させた単粒子層を有することを特徴とする。 - 特許庁
A thin wire interconnection (60) is provided in a first dielectric layer (12) located above a semiconductor circuit (42) formed in or on the surface of a substrate (10).例文帳に追加
細線相互接続部(60)は基体(10)の表面内又はその上に形成された半導体回路(42)の上に位置する第1の誘電体層(12)内に設けられる。 - 特許庁
The problem is solved by using an electrode composed by forming an electrode active material thin film layer by a sol gel method on a porous collector having a wide surface area.例文帳に追加
大表面積を有する多孔質集電体にゾルゲル法により電極活物質薄膜層が形成されてなる電極を用いることにより、上記課題は解決される。 - 特許庁
That means acts the vapor of a scandium halide on the surface of the silica glass under the high temperature to form a protective layer having 1-200 nm of a very thin concentration gradient.例文帳に追加
その手段は高温下でハロゲン化スカンジウムの蒸気を石英ガラス表面に作用させ、1〜200nmのごく薄い濃度勾配を有する保護層を形成する。 - 特許庁
To provide a means of suppressing a leak current of a reverse-surface channel of a MOSFET formed on an SOS substrate where a thin silicon layer of ≤0.1 μm is laminated.例文帳に追加
0.1μm以下の薄いシリコン層を積層したSOS基板に形成したMOSFETの裏面チャネルによるリーク電流を抑制する手段を提供する。 - 特許庁
A device-forming surface of a wafer 10 for the active layer of a pasted wafer 30 coated with silicon oxide films 10a, 30a is ground and polished in a state in which steps do not exist on the outer periphery, and the active layer 10A of the thin film is obtained.例文帳に追加
シリコン酸化膜10a,30aで覆われた張り合わせウェーハ30の活性層用ウェーハ10のデバイス形成面を、外周部に段差がない状態で研削、研磨し、薄膜の活性層10Aを得る。 - 特許庁
As a material of a protective film layer 5 and a thin film layer to be formed on surfaces of the surface head part and the pressure welding piece, an olefin or styrene synthetic resin of JISA hardness of 95 or more, and low frictional resistance is used.例文帳に追加
該表面頭部と該圧接片との表面に被着する保護膜層5と薄膜層との構成材料を摩擦抵抗の少ないJISA硬度95以上のオレフィン系、スチレン系の合成樹脂を使用する。 - 特許庁
Thus, the electrode 14 in which a very ultra-thin-film layer 26 of the tin, having a thickness of about 1 to 10 nm, is adhered to the surface of a substrate copper layer of the externally connecting electrode region, can be obtained.例文帳に追加
このようにして外部接続用電極領域の下地銅層の表面に、厚みがおよそ1nmから10nmの錫のごく薄の薄膜層26を付着させた外部接続用電極14を得ることができる。 - 特許庁
To provide a core board manufacturing method and a wiring board manufacturing method which suppress the unevenness of the thickness of a conductive layer on the surface of a core board and reduce the conductive layer into a thin film to enable the formation of microwiring.例文帳に追加
コア基板表面の導電層の厚みのバラツキを抑えた上で導電層を薄膜化し、微細配線を形成できるコア基板の製造方法及び配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
The problem is solved by providing the thin film solar cell constituted of a transparent conductive film 4, a photoelectric conversion layer 5 and a rear surface electrode layer 6 which are laminated sequentially on a translucent plastic substrate 3.例文帳に追加
透光性プラスチック基板3上に、透明導電膜4、光電変換層5および裏面電極層6が順次積層されてなる薄膜太陽電池を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁
After that, a metal thin film 4 is formed by sputtering on the part of the first conductive pattern 2 exposed inside the pore 3a of the second insulating layer 3, the side surface of the pore 3a, and the second insulating layer 3.例文帳に追加
その後、第2の絶縁層3の孔部3a内で露出する第1の導体パターン2の部分、孔部3aの側面および第2の絶縁層3上にスパッタリングにより金属薄膜4を形成する。 - 特許庁
The laminated body includes the low-molecular weight PMMA thin layer on a surface of a substrate, and a preformed PMMA sheet having a thickness of less than 3 mm and bonded on the low-molecular weight PMMA layer by a function of a solvent.例文帳に追加
また、積層体は、基板の表面上の低分子量PMMA製の薄層と、厚み約3mm未満で、該低分子量PMMA製の層に溶媒の作用で結合されるPMMAの予備成形シートと含む。 - 特許庁
Here, the process of cutting the oxide layer of the surface of the oriented metal substrate and the process of forming the oxide thin film on the oriented metal substrate of cutting the oxide layer can be carried out continuously.例文帳に追加
ここで、配向金属基板の表面の酸化層を切削する工程と、前記酸化層を切削した配向金属基板上に酸化物薄膜を形成する工程とを連続的に行なうことができる。 - 特許庁
In this way, a high strength stainless steel thin sheet having a nitrided layer as a surface hardened layer with high toughness and uniform high N concentration, having excellent fatigue properties and usable as an alternate material for expensive maraging steel can be obtained.例文帳に追加
これにより、靭性が高く均一な高N濃度の表面硬化層である窒化層を有し、疲労特性に優れ、高価なマルエージング鋼の代替材料として使用可能な高強度のステンレス鋼薄板となる。 - 特許庁
The thin film is provided with at least one protecting layer consisting of inorganic material at the surface of at least one side, and includes at least one layer made of elastomer material.例文帳に追加
本願発明の薄膜は、少なくとも片側の表面上に無機材料からなる少なくとも1つの保護層を備えるとともにエラストマー材料からなる少なくとも1つの層を含むことを特徴とする。 - 特許庁
The interposer is positioned between an integrated circuit and the ceramic substrate and has an oxide layer formed on the polished surface of the silicon substrate and a thin-film dielectric capacitor formed on the oxide layer.例文帳に追加
集積回路とセラミック基板との間に位置付けられたインターポーザであって、シリコン基板323の研磨面上に形成された酸化物層と、酸化物層上に形成された薄膜誘電体コンデンサとを有する。 - 特許庁
To provide a method in which an oxidized layer of the oriented metal substrate surface is surely removed, and an oxide thin film of the interlayer and a superconductive layer or the like are epitaxially formed by maintaining biaxial orientation of the oriented metal substrate.例文帳に追加
配向金属基板表面の酸化層を確実に除去し、配向金属基板の2軸配向性を維持して、中間層および超電導層などの酸化物薄膜をエピタキシャルに形成する方法を提供する。 - 特許庁
The manufacturing method includes an oxide film forming process for forming an oxide film 12 which is a protective film over the entire surface of a semiconductor substrate 11, a metal thin film forming process for forming a metal thin film 13 on the oxide film 12, and an ion preventing layer forming process for forming an ion preventing layer 14 of the metal having an ion preventing function on the metal thin film 13.例文帳に追加
半導体基板11上の全面に保護膜である酸化膜12を形成する酸化膜形成工程と、酸化膜12上に金属薄膜13を形成する金属薄膜形成工程と、金属薄膜13上にイオン阻止能を有する金属からなるイオン阻止層14を形成するイオン阻止層形成工程と、を有する。 - 特許庁
The surface electrode 7 is formed with two-layered thin-film electrode layers 7b and 7a, the top thin-film electrode layer 7a shows lower state density around energy of emitted electron, the bottom thin-film electrode layer 7b shows lower state density around energy of emitted electron and a good adherence property to the strong electrostatic drift region 6.例文帳に追加
表面電極7は、二層の薄膜電極層7b,7aからなり、最上層の薄膜電極層7aは、放出される電子のエネルギ近傍の状態密度が低い性質を有し、最下層の薄膜電極層7bは、放出される電子のエネルギ近傍の状態密度が低く且つ強電界ドリフト部6との密着性が良い性質を有する。 - 特許庁
A photoelectric conversion element comprises a central electrode formed as a conductive thin wire, organic semiconductor layers laminated on the outer peripheral surface of the central electrode, and an outer buffer layer formed as a transparent conductive adhesive laminated on the outer peripheral surface of the organic semiconductor layer.例文帳に追加
光電変換素子が、導電細線からなる中心電極と、中心電極の外周面に積層した有機半導体層と、有機半導体層の外周面に積層した透明な導電性接着剤からなる外側バッファ層とを備える。 - 特許庁
In this metal pattern forming method, a plating layer with a thickness of 1 μm or smaller is formed on the surface of the silver thin film pattern formed on a support using a neutral or basic copper plating bath and electroplating for a thickness increase is further applied to the surface of the plating layer.例文帳に追加
支持体上に形成された銀薄膜パタン上に中性、あるいは塩基性の銅めっき浴により厚さ1μm以下のめっき層を形成した後、さらに厚付のための電解めっきすることを特徴とする金属パタンの形成方法。 - 特許庁
A thin-film transistor 10 has a gate insulating layer 4 prepared on a top surface of a substrate 2 such that it covers a gate electrode 3, and a source electrode 5 and a drain electrode 6 respectively prepared on a top surface of the gate insulating layer 4 with a predetermined channel length spacing width.例文帳に追加
薄膜トランジスタ10は、基板2の上面には、ゲート電極3を覆うようにしてゲート絶縁層4が設けられ、ゲート絶縁層4の上面には、ソース電極5及びドレイン電極6が所定のチャネル長の離間幅をもって各々設けられている。 - 特許庁
This dummy solar battery panel P is formed by laminating a surface plate 10 formed of a transparent material, a decoration layer 20 with a pattern imitating the solar battery with the blue color tone group transparent coloring ink, and a metal thin film layer in order from the surface.例文帳に追加
擬似太陽電池板Pを、表面から順に、少なくとも、透明材料からなる表面板10、青色系色調の透明着色インキによって太陽電池を模した絵柄の装飾層20、金属薄膜層30を積層した構成とする。 - 特許庁
In this case, when fine transparent anodized oxide films 8 with thin nearly biconvex lens shapes are formed on the upper surface of the reflection layer 7, the recessing parts 9 with shapes corresponding to the lower surfaces of the anodized oxide films 8 are uniformly formed on the upper surface of the reflection layer 7.例文帳に追加
この場合、反射層7の上面に微細で透明なほぼ薄い両凸レンズ状の陽極酸化膜8を形成すると、陽極酸化膜8下の反射層7の上面に陽極酸化膜8の下面に応じた形状の凹部9が均一に形成される。 - 特許庁
In the thin-film transistor, an insulation film 2 and a channel layer 3 made of AZO semiconductor are formed on the surface of a gate electrode 1 in this order, and a source electrode 4 and a drain electrode 5 are formed on the surface of the channel layer 3 with an interval in between.例文帳に追加
薄膜トランジスタは、ゲート電極1の表面に、絶縁膜2及びAZO半導体よりなるチャネル層3がこの順に形成されており、該チャネル層3の表面に、間隔をあけてソース電極4及びドレイン電極5が形成された構成となっている。 - 特許庁
The battery case is obtained by shaping the surface treated steel sheet having an iron - nickel alloy plated layer on the outermost layer corresponding to the inside surface of the battery case made from a plating original sheet composed of the steel sheet by a deep drawing process, a drawing and ironing process (DI) or drawing thin and redraw process (DTR).例文帳に追加
電池ケースは、鋼板からなるめっき原板の電池ケース内面に相当する最表層に鉄−ニッケル合金めっき層を有する表面処理鋼板を、深絞り成形法、DI成形法又はDTR成形法によって成形して得られる。 - 特許庁
The electrode for the lithium secondary battery has a thin film containing an active material storing/releasing Li formed on a collector, and the active material thin film has a surface layer made of nitride on its surface, with a thickness of more than 1 nm and smaller than 100 nm.例文帳に追加
本発明のリチウム二次電池用電極は、Liを吸蔵・放出する活物質を含有する薄膜が集電体上に形成されたリチウム二次電池用電極であって、活物質薄膜は、表面に窒化物から成る表面層を有し、表面層の厚さは、1nm超100nm未満であることを特徴とする。 - 特許庁
A pattern substrate 31 having a plurality of thin films 30 on a substrate 1 via a releasing layer 2 and an opposing substrate 62 on an opposing stage 6 are disposed at a place where they don't face each other, and a surface of the opposing substrate 62 and a surface of the thin films 30 are irradiated with the Ar gas 7 to be cleaned.例文帳に追加
基板1上に離型層2を介して複数の薄膜30を形成したパターン基板31と対向ステージ6上の対向基板62を互いに対向しない位置に配置し、対向基板62および薄膜30の表面にArガス7を照射して清浄化する。 - 特許庁
Afterwards, when a single-crystal semiconductor thin film 20 is grown on the porous layer, a plurality of fine projecting structures 21 formed of crystal habits appearing on the surface with the same plane direction (100) as that of the single-crystal semiconductor substrate are formed on the surface of the single-crystal semiconductor thin film 20.例文帳に追加
その後、多孔質層の上に単結晶半導体薄膜20を成長させると、その表面に、単結晶半導体基板と同一の(100)面方位を有するとともに、表面に現れた結晶晶癖により形成された多数の微小な凸構造21が形成される。 - 特許庁
Many minute projections are formed on the thin film coating surface based on nonuniformity of the substrate surface or the thin film coating layer in the region making a shot region by one laser beam as an unit by setting the laser intensity near a forming threshold value of the minute projection.例文帳に追加
レーザの強度を、微細突起の形成閾値近傍に設定することにより、1つのレーザビームによるショット領域を単位として、当該領域内に、基材表面又は薄膜コーティング層の不均一性に基づいて、薄膜コーティング表面に多数の微細突起を形成する。 - 特許庁
The functional sheet 1 is provided with a thin-walled body 11 composed of an acrylic rubber reinforced resin composition, and a corona-treating layer 12 having a surface wetting-index (according to JIS K 6768) of 40 mN/m or over arranged on at least one surface of the thin-walled body 11.例文帳に追加
本発明の機能性シート1は、アクリル系ゴム強化樹脂組成物からなる薄肉体11と、薄肉体11の少なくとも一方の面に形成されたコロナ処理層12とを備え、コロナ処理層12の表面におけるぬれ指数(JIS K6768に準拠)が40mN/m以上である。 - 特許庁
The woody decorative sheet 3 is obtained in which a moisture curable urethane hot melt resin of at least 80 durometer A hardness after curing is applied on the surface of a woody thin plate 1 and made to penetrate into the thin plate 1 by hot pressing, and the resin-coated layer 2 is also formed on the surface.例文帳に追加
木質薄板1の表面に反応硬化後のデュロメータA硬さが80以上の湿気硬化型ウレタン系ホットメルト樹脂を塗布して熱圧により木質薄板1内に浸透させると共に表面にもその樹脂塗布層2を設けてなる木質化粧シート3を得る。 - 特許庁
By press-fitting a disk-like member 120 in both ends 141 of the flexible and thin cylindrical image carrier 140 provided with an image carrier layer formed on the surface of flexible and thin cylindrical base material the image carrier is supported.例文帳に追加
可撓性を有する薄肉円筒状の基材の表面に形成された像担持層を有する可撓性のある薄肉円筒状の像担持体140の両端部141に円板状部材120を圧入して像担持体を支持する。 - 特許庁
In this process, in the embodiment, by controlling the film thickness of the thin organic film 104, the number of layers of the graphene in the thin carbon film 104 growing on the surface of the metal layer 103 described later is controlled.例文帳に追加
この工程において、本実施の形態では、有機薄膜104の膜厚を制御することで、後述する金属層103の表面に成長する炭素薄膜104におけるグラフェンの層数を制御するところに特徴がある。 - 特許庁
The pallet for mounting a thin substrate is provided in which one silicon elastomer layer of a thin substrate temporarily fixing a tape in which two layers of silicon elastomer layers having different shear elasticity G' are combined is tightly fitted to the surface of a pallet body.例文帳に追加
剪断弾性率G’の異なる2層のシリコーンエラストマー層を組み合わせた薄型基板仮固定用テープの、一方のシリコーンエラストマー層をパレット本体の表面に密着した、薄型基板実装用パレットを提供する。 - 特許庁
To provide a thin film surface acoustic wave device capable of enhancing a resonator characteristic and a filter characteristic by reducing the parasitic capacitance caused between a substrate and a conductive film arranged to a lower layer of a piezoelectric thin film.例文帳に追加
圧電体薄膜の下層に配置される基板や導電膜との間に生ずる寄生容量を低減することにより、共振子特性やフィルタ特性を向上させることのできる薄膜弾性表面波デバイスを提供する。 - 特許庁
A plastic layer 4 and a diamondlike carbon thin film 5 are laid one over the other at least on the meshing tooth surface 3 of a gear body 2 made of metal, wherein the thickness of the thin film 5 is made 1-4 μm.例文帳に追加
金属からなる歯車本体2を備え、この歯車本体2の少なくとも噛み合い歯面3に、プラスチック層4及びダイヤモンドライクカーボン薄膜5を順次積層して形成し、ダイヤモンドライクカーボン薄膜5の厚さを1〜4μmとした。 - 特許庁
The upper surface of the wafer is covered with a metal mask opened at a part of the region of the electrode 14, and then a thin film layer, which is very thin of tin having a thickness of about 1 to 10 nm, is formed by chemical vapor deposition method or physical vapor deposition method.例文帳に追加
外部接続用電極14の領域の部分を開口したメタルマスクで覆い、次にCVD法またはPVD法により厚みがおよそ1nmから10nmの錫のごく薄の薄膜層を形成する。 - 特許庁
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