「target atom」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The target is provided in which the atom ratio of Bi to Ti as metal components of the BiTi-based oxide target is Bi:Ti=6:x (3<x<7).例文帳に追加

ＢｉＴｉ系酸化物ターゲットの金属成分としてのＢｉとＴｉとの原子比が、Ｂｉ：Ｔｉ＝６：ｘ（３＜ｘ＜７）であるターゲットを提供する。 - 特許庁

For example, PRIMARY is used to indicate the primary selection.The target member is set to the atom that indicates the type the selection is desired in.例文帳に追加

例えば、PRIMARY はプライマリのセレクションのために用いられる。 target メンバには、セレクションに求められている型を示すアトムがセットされる。 - XFree86

The Co powder sintered target has a composition containing, by atom, >10 to 25% B, and in which the amount of oxygen is controlled to ≤100 ppm.例文帳に追加

Bを10at%を超えて25at%以下含有し、酸素量が100ppm以下のCo系粉末焼結ターゲットである。 - 特許庁

The sputtering target is composed of a Ti-Al alloy containing Al in the range of 5-50 atom%.例文帳に追加

スパッタリングターゲットはＡｌを５〜５０原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなる。 - 特許庁

The sputtering target is made from a Ti-Al alloy containing Al in a range of 5-50 atom%.例文帳に追加

スパッタリングターゲットは、Ａｌを５〜５０原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなる。 - 特許庁

The sputtering target is made from a Ti-Al alloy containing Al in a range of 5-50 atom%.例文帳に追加

スパッタリングターゲットはＡｌを5〜50原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなる。 - 特許庁

An encoding part 12 applies compression encoding to an atom flag indicating presence/non-presence of atom information and the number of atom information with respect to a plurality of blocks resulting from dividing an encoding target frame, and generates a compressed code.例文帳に追加

符号化部１２が、符号化対象フレームを分割した複数のブロック各々についてアトム情報の有無を示すアトムフラグと、アトム情報の数とを圧縮符号化して圧縮符号を生成する。 - 特許庁

To provide an ITO (Indium Tin Oxide) target including calcium of about 0.001 to 10% by atom, compared with an indium atom, and an ITO transparent electrode for a display apparats manufactured from an ITO target.例文帳に追加

本発明は、インジウム原子に対して０．００１〜１０ａｔ％のカルシウムを含んだＩＴＯターゲットおよび前記ターゲットを用いて製造されたディスプレイ装置用ＩＴＯ透明電極を提供する。 - 特許庁

The target (108) contains about 2-25 atom.% chromium and the balance aluminum.例文帳に追加

ターゲット（１０８）は、約２原子百分率から約２５原子百分率までのクロムを含み、残部がアルミニウムを含む。 - 特許庁

Each of the subunits has a pairing segment of a purine or a pyrimidine base which is effective for bonding the subunit with a hydrogen atom in a target polynucleotide, which hydrogen atom bonds selectively to a specific base or a base pair.例文帳に追加

各サブユニットは、ターゲットポリヌクレオチド中で特異的塩基又は塩基- 対に結合する水素によって結合するのに有効なプリン又はピリミジン塩基の対合部分を含有する。 - 特許庁

For the silicon based additive of a GST type phase change material, the sputter target can contain 40 atom% or more of silicon.例文帳に追加

GST型の相変化材料のケイ素系添加剤に対し、スパッタターゲットは４０原子％以上のケイ素を含むことができる。 - 特許庁

The sputtering target consists of zinc oxide wherein 0.5-8 atom% Al and 0.003-0.5 atom% Ce are doped, and the amount of carbon contained as inevitable impurities is limited to be ≤40 ppm.例文帳に追加

Ａｌ：０．５〜８原子％、Ｃｅ：０．００３〜０．５原子％をドープした酸化亜鉛からなり、不可避不純物として含まれる炭素が４０ｐｐｍ以下に限定されていることを特徴とする。 - 特許庁

The sputtering target for the optical media includes Al as a principal component includes 1-10 atom% of one or two elements selected from the group including Ta and Nb and 0.1-10 atom% of Ag.例文帳に追加

Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む光メディア用スパッタリングターゲットである。 - 特許庁

The sputtering target material for forming the wiring film comprises 0.2-1.5 atom% Ge and further 0.2-2.5 atom% Ni as additive elements, while controlling the total of the additive elements to 3.0 atom% or less, and the balance substantially Al.例文帳に追加

また、上記組成の配線膜用Ａｌ合金膜を得るための、Ｇｅを０．２〜１．５原子％、さらにＮｉを０．２〜２．５原子％含み、添加元素の総和が３．０原子％以下、残部実質的にＡｌからなる配線膜形成用スパッタリングタ−ゲット材である。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a Cu-Ga film of a Ga additive concentration of 1-40 atom% to which Na is preferably added by a sputtering method, and to provide a method for producing the sputtering target.例文帳に追加

スパッタ法により良好にＮａ添加されたＧａ添加濃度１〜４０原子％のＣｕ−Ｇａ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The sputtering target comprises titanium and zirconium substantially and has a Zr/(Zr+Ti) ratio of 5-50 atom%.例文帳に追加

実質的にチタンおよびジルコニウムからなり、Ｚｒ/（Ｚｒ＋Ｔｉ）の比率が５〜５０原子％であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

An electron of a metal atom is excited by irradiating, with light, a metal vapor of an ion generation target on a heating metal body.例文帳に追加

イオン生成対象の金属蒸気に加熱金属体上で光を照射し金属原子における電子を励起することにした。 - 特許庁

The sputtering target is formed using a Cu alloy including: 1.5 to 5.0 atom% of Mn; Mg having a ratio of 0.3 to 2.1, the ratio being represented by (atom% of Mg)/(atom% of Mn); 10 wtppm or less of C; and 2 wtppm or less of O_2.例文帳に追加

実施の形態に係るスパッタリングターゲットは、１．５原子％以上５．０原子％以下のＭｎと、（Ｍｇの原子％）／（Ｍｎの原子％）で示される比率が０．３以上２．１以下となるＭｇと、１０ｗｔｐｐｍ以下のＣと、２ｗｔｐｐｍ以下のＯ_２と、を含むＣｕ合金を用いて形成される。 - 特許庁

The powder sintered Cr-Mn alloy sputtering target is a powder sintered target containing 5-35 atom % Mn with the balance consisting of substantially Cr, and α-Mn phase is substantially absent in the structure of the target.例文帳に追加

Ｍｎを５〜３５原子％含有する残部実質的にＣｒからなる粉末焼結ターゲット材であって、該ターゲット材の組織中に実質的にα−Ｍｎ相が存在しない粉末焼結Ｃｒ−Ｍｎ合金スパッタリング用ターゲット材である。 - 特許庁

The indium target can be produced by performing the fusion casting of an indium alloy comprising copper of 0.5-7.5 atom% based on the total atom number of indium and copper, and the balance indium with inevitable impurities.例文帳に追加

当該インジウムターゲットはインジウムと銅の合計原子数に対して０．５〜７．５ａｔ％の銅を含有し、残部インジウム及び不可避的不純物からなる組成をもつインジウム合金を溶解鋳造することにより製造可能である。 - 特許庁

Since a target metal atom is calcium, ethylenediamine tetraacetic acid (EDTA) or its derivative is especially preferable as the complex-forming compound.例文帳に追加

対象となる金属原子がカルシウムであるため、錯体形成化合物としては、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）又はその誘導体化合物がとりわけ好ましい。 - 特許庁

Further, each target atom shielding plate 17 is provided so as to shield the flying of the target atoms sprung out from both the edge parts in the parallel direction to the rotary axis 12a of the rotary drum 12 of the target 14 than the flying of the target atoms sprung out from the central part sandwiched between both the edge parts.例文帳に追加

また、ターゲット原子遮断板１７は、ターゲット１４のうち、回転ドラム１２の回転軸１２Ａに対して平行方向における両端部からはじき出されるターゲット原子の飛来を、上記両端部に挟まれた中央部からはじき出されるターゲット原子の飛来よりも、遮断するように設けられている。 - 特許庁

The problem is overcome by comparing two-dimensional correlation spectrum acquired from a labeled carbon atom 1 of the amino acid residual group of the target molecule and a labeled carbon atom 2 and the two-dimensional correlation spectrum acquired after bringing the target molecule and the ligand or ligand candidate compound into contact.例文帳に追加

本発明者らは、標的分子のアミノ酸残基の標識された炭素原子１と標識された炭素原子２との２次元相関スペクトルを取得し、標的分子とリガンドあるいはリガンド候補化合物とを接触させた後に同じ２次元相関スペクトルを取得して、両スペクトルを比較することにより上記課題を解決した。 - 特許庁

The two-dimensional correlation spectrum of the labelled nitrogen atom and labelled carbon atom in the target molecule is acquired to bring the target molecule into contact with the ligand or the ligand candidate compound, and then the same correlation spectrum is acquired to compare both spectra with each other.例文帳に追加

本発明者らは、標的分子中の標識された窒素原子と標識された炭素原子との２次元相関スペクトルを取得し、標的分子とリガンドあるいはリガンド候補化合物とを接触させた後に同じ相関スペクトルを取得して、両スペクトルを比較することにより上記課題を解決した。 - 特許庁

The hard film 1 having composition of, by atom, 60-95% carbon and 5-40% silicon is manufactured by using an apparatus by a physical vapor deposition method such as a sputtering apparatus with a carbon target and a silicon target, or a sputtering apparatus with a target having composition consisting of, by atom, 60-95% carbon and 5-40% silicon.例文帳に追加

組成割合６０〜９５原子％の炭素と組成割合５〜４０原子％の珪素を含む硬質皮膜１を、炭素ターゲットと珪素ターゲットを備えたスパッタリング装置、或いは、組成割合６０〜９５原子％の炭素と組成割合５〜４０原子％の珪素から構成されるターゲットを備えたスパッタリング装置等の物理蒸着法による装置を用いて製造する。 - 特許庁

This sputtering target includes a composition that includes 1-40 atom% of Ga and 0.05-2 atom% of Na as metal components other than Se, with the rest being Cu and unavoidable impurities, wherein Na is contained in the form of sodium selenide.例文帳に追加

スパッタリングターゲットのＳｅを除く金属成分として、Ｇａ：１〜４０ａｔ％、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、Ｎａがセレン化ナトリウムの状態で含有されている。 - 特許庁

The indium target comprises copper of 0.5-7.5 atom% based on the total atom number of indium and copper, and the balance indium with inevitable impurities, and has an average size of the whole crystal grain of ≤10 mm.例文帳に追加

本発明によれば、インジウムと銅の合計原子数に対して０．５〜７．５ａｔ％の銅を含有し、残部インジウム及び不可避的不純物からなるインジウムターゲットであり、全体の平均結晶粒径が１０ｍｍ以下のインジウムターゲットが提供される。 - 特許庁

The target for sputtering is composed of an oxide sintered compact comprising NbOx and TiOx, and Ti is incorporated therein in such a manner that the atom presence ratio thereof lies in the range of 70 to 90%.例文帳に追加

本発明のスパッタリング用ターゲットは、ＮｂＯxとＴｉＯxとを含む酸化物焼結体とし、Ｔｉをその原子存在比率が７０〜９０％の範囲で含有させる。 - 特許庁

The target for sputtering contains zinc oxide, aluminum oxide and fluorine, wherein the content of fluorine is ≥0.1 and <0.5 atom% based on the number of all atoms.例文帳に追加

酸化亜鉛、酸化アルミニウム及びフッ素を含有し、前記フッ素の量が全原子数に対して０．１原子％以上０．５原子％未満であるスパッタリング用ターゲット。 - 特許庁

The sputtering target consists of a metal oxide sintered compact that contains an In element, a Cu element, and a Ga element in an atom ratio of Cu/(Cu+In+Ga)=0.001-0.09 and Ga/(Cu+In+Ga)=0.001-0.90.例文帳に追加

Ｉｎ元素、Ｃｕ元素及びＧａ元素をＣｕ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．０９及びＧａ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．９０の原子比で含む金属酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The target for sputtering is composed of the oxide sintered contact containing the TiOx and NbOx and Ti is incorporated therein at its atom presence ratio ranging from 5 to 60%.例文帳に追加

本発明のスパッタリング用ターゲットは、ＮｂＯxとＴｉＯxとを含む酸化物焼結体とし、Ｔｉをその原子存在比率が５〜６０％の範囲で含有させる。 - 特許庁

The Ni alloy thin film for laser processing is obtainable from a sputtering target that contains 10-13 atom% of Ti and the balance consisting of Ni and inevitable impurities.例文帳に追加

本発明のレーザー加工用Ｎｉ合金薄膜は、Ｔｉを１０〜１３原子％含有し、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットで得ることができる。 - 特許庁

This method for producing 4-methylthio-3-butenylisothiocyanate comprises producing a carbon atom-halogen atom bond on a methylthio group-bound carbon atom of a 4-methylthiobutylisocyanate [compound (III)] to produce a 4-halogeno-4-methylthiobutylisothiocynate [compound (II)], and then releasing a hydrogen halide to preferentially synthesize the trans 4-methylthio-3-butenylisothiocyanate [compound (I)] of the target compound.例文帳に追加

まず、４−メチルチオブチルイソチオシアナート（化合物（ＩＩＩ））のメチルチオ基の結合した炭素原子上に、炭素原子−ハロゲン原子結合を生成させて、４−ハロゲノ−４−メチルチオブチルイソチオシアナート（化合物（ＩＩ））を生成させ、続いて、ハロゲン化水素を脱離させることで、目的とする４−メチルチオ−３−ブテニルイソチオシアナート（化合物（Ｉ））のトランス体を優勢に合成する。 - 特許庁

The mask blank is obtained by forming, on a substrate 11 made of synthetic quartz, a light-shielding layer 12 comprising TaN (with 84.0 atom% of Ta and 16.0 atom% of N in terms of a film composition ratio) to a film thickness of 43 nm by DC magnetron sputtering in a mixture gas atmosphere of xenon (Xe) and nitrogen (N) using Ta as a sputtering target.例文帳に追加

合成石英からなる基板１１上に、スパッタリングターゲットにＴａを用い、キセノン（Ｘｅ）と窒素（Ｎ）の混合ガス雰囲気で、ＤＣマグネトロンスパッタにより、ＴａＮ（膜組成比 Ｔａ：８４．０原子％，Ｎ：１６．０原子％）からなる遮光層１２を４３ｎｍの膜厚で成膜する。 - 特許庁

A sputtering target is used for forming the n-layer of the solar cell, and contains In, Ga, Zn and O, where an atomic content of each of In, Ga, and Zn is 10 atom% or more, when a total number of In, Ga and Zn atoms in the n-layer is assumed as 100 atom%.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲットは、太陽電池のｎ層を形成するために用いられ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＯを含有し、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの原子数を１００原子％とした場合、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの含有量がいずれも１０原子％以上である。 - 特許庁

In this plasma sputter type negative ion source generating plasma 13 inside the hermetic chamber 1, sputtering a sputter target 6 by the plasma 13, and emitting ions of a target atom, multiple kinds of sputter targets 6 including a predetermined target element are arranged inside the hermetic chamber 1, and positive ions inside the plasma 13 are guided to one target selected from multiple kinds of sputter targets 6.例文帳に追加

気密チャンバ１中にプラズマ１３を発生させ、該プラズマ１３によりスパッタターゲット６をスパッタリングし、ターゲット原子のイオンを射出するプラズマスパッタ型負イオン源において、気密チャンバ１内に、所定の目的元素を含むスパッタターゲット６が複数種類配置され、複数種類のスパッタターゲット６の中から選択された一つのスパッタターゲットにプラズマ１３中の正イオンを誘導する。 - 特許庁

The sputtering target material for forming an Ag alloy film for electronic parts contains, by atom, 0.1 to 0.5% Sm and Au and/or Cu by 0.1 to 1.0% in total, and the balance substantially Ag.例文帳に追加

また、Ｓｍを０．１〜０．５ａｔ％、Ａｕおよび／またはＣｕを合計で０．１〜１．０ａｔ％含み残部実質的にＡｇからなる電子部品用Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット材である。 - 特許庁

The sputtering target comprises: a ferromagnetic alloy containing a base metal; and a metal X having an atom diameter of less than 0.266 nm and a higher oxidation potential than that of the base metal.例文帳に追加

スパッタターゲットは、卑金属を含む強磁性合金と、０．２６６ｎｍ未満の原子径と前記卑金属の酸化電位より大きい酸化電位を有する金属であるＸとを含んで構成される。 - 特許庁

In the Cu-Ge target, there is a need of suppressing the mixing amounts of impurity elements other than Cu, Ge to ≤2 atom% for controlling the above intensity ratio to ≤1, therefore, it is produced by a powder sintering process.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｇｅターゲットは上記強度比を１以下にするためにＣｕ、Ｇｅ以外の不純物元素混入量を２ａｔ％以下に抑える必要があり、そのため粉末焼結法で作成される。 - 特許庁

The Cu-Ga based alloy sputtering target material includes, in atom%, not less than 25% and less than 40% of Ga, the balance comprising Cu and unavoidable impurities, wherein the sputtering target material has an oxygen content of less than 250 ppm and a grain size of more than 10 μm and not more than 100 μm.例文帳に追加

また、原子％で、Ｇａを２５％以上、４０％未満含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が２５０ｐｐｍ未満、かつ結晶粒径が１０μｍを超え、１００μｍ以下としたＣｕ−Ｇａ系合金スパッタリングターゲット材。 - 特許庁

In performing sputtering deposition under an oxidizing atmosphere of the barrier layer which constructs the thin-film transistor, a Cu alloy sputtering target is used, which is constructed of a Cu alloy which has a component composition consisting of Al of 1 to 10 atom%, Ca of 0.1 to 2 atom%, and the balance comprising Cu and inevitable impurities (1% or less).例文帳に追加

薄膜トランジスターを構成するバリア層の酸化雰囲気でのスパッタ成膜に、Ａｌ：１〜１０原子％、Ｃａ：０．１〜２原子％を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし、１％以下）からなる成分組成を有するＣｕ合金で構成してなるＣｕ合金スパッタリングターゲットを用いる。 - 特許庁

The sputtering target of the sintered body is formed of an oxide including indium (In), tin (Sn) and nickel (Ni), in which an atom ratio of each metal element is in a range of 0.04≤In/(In+Sn+Ni)≤0.57, 0.29≤Sn/(In+Sn+Ni)≤0.73 and 0.04≤Ni/(In+Sn+Ni)≤0.33.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）で構成される酸化物であり、各金属元素の原子比が、０．０４≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ)≦０．５７、０．２９≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ）≦０．７３、０．０４≦Ｎｉ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ)≦０．３３、の範囲にある焼結体スパッタリングターゲット。 - 特許庁

The laminated structure is provided with a backing plate, an alloy thin film which is formed on the backing plate and comprises an alloy of indium and gallium whose concentration is 1.0-30 atom%, and the indium target formed on the alloy thin film.例文帳に追加

積層構造体は、バッキングプレート、バッキングプレート上に形成された、ガリウム濃度が１．０〜３０ａｔ％であるインジウムとガリウムとの合金薄膜、及び、合金薄膜上に形成されたインジウムターゲットを備える。 - 特許庁

By using normal chain hydrocarbon gas such as methane, ethylene and acetylene, a carbon atom beam is generated, and a diamond-like carbon film is formed on the surface of a solid target such as a silicon substrate by a covalent bond.例文帳に追加

原料ガスには、メタン、エチレン、アセチレンなどの直鎖炭化水素ガスを用いることで、炭素原子ビームを発生させ、シリコン基板などの固体ターゲット表面に共有結合によりダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成する。 - 特許庁

Then, based on the level of the contribution of each atom included in the template during a metabolic reaction of the enzyme, the metabolic target site of the metabolizable compound is determined, and a structural formula of a compound obtained after the metabolic reaction of the metabolizable compound whose metabolic target site has been determined is determined by using known metabolite information.例文帳に追加

そして、鋳型に含まれる原子ごとの酵素の代謝反応時における寄与の度合いに基づいて、代謝可能化合物の代謝対象部位を決定し、代謝対象部位が決定された代謝可能化合物の代謝反応後の化合物の構造式を、既知の代謝物情報を用いて決定する。 - 特許庁