「test flash」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The test alarm generation confirming unit 25 controls an output impedance converting circuit 51 to change the alarm- generating current flowing in the sensor circuit through the test alarm generation by the fire sensor 14, and makes an alarm generation display lamp 52 of the fire sensor 14 flash.例文帳に追加

試験発報確認部２５は、出力インピーダンス変換回路５１を制御して火災感知器１４の試験発報により感知器回線に流れる発報電流を変化させて火災感知器１４の発報表示灯５２を明滅させる。 - 特許庁

When a test input signal H is input to the test pad 3c when flash measured, the circuit 4 pulls down a Low input request pad 3a to a ground (GND) level, and the circuit 5 pull ups a High input request pad 3b to a reference voltage (VDD) level.例文帳に追加

フラッシュ測定時にテストパッド３ｃへテスト用入力信号Ｈを入力すると、プルダウン回路４ではＬｏｗ入力要パッド３ａを接地（ＧＮＤ）レベルまで引き下げ、且つプルアップ回路５ではＨｉｇｈ入力要パッド３ｂを基準電圧（ＶＤＤ）レベルまで引き上げる。 - 特許庁

A state machine 14 is made non-activation by a control signal from the outside of a chip, a flash control bus 15 is taken out to the outside, and a microcomputer 16 for test in which a memory storing a test program is incorporated or to which the memory is externally attached is connected, and tests of peripheral circuits and storage regions are performed.例文帳に追加

チップ外部よりの制御信号によりステートマシーン１４を非活性とし、フラッシュ制御バス１５を外部に取り出し、テストプログラムを格納するメモリを内蔵するまたは該メモリが外付けされる検査用マイコン１６を接続して、周辺回路および記憶領域の検査を行う。 - 特許庁

A semiconductor device incorporating a flash memory 104 is provided with a test mode storage circuit 109 and outputs an input from a control signal input terminal 101 from a data input/output terminal 102.例文帳に追加

フラッシュメモリ１０４内蔵の半導体装置にテストモード記憶回路１０９を備え、テストモード時に制御信号入力端子１０１からの入力をデータ入出力端子１０２より出力する。 - 特許庁

The self-extinguishing grease composition has self-extinguishing time within 5 minutes by an ointment can combustion test and ≥270°C flash point of the liquid component of the grease composition.例文帳に追加

軟膏缶燃焼試験で自己消火時間が５分間以内の自己消火性グリース組成物；グリース組成物の液体成分の引火点が２７０℃以上である自己消火性グリース組成物。 - 特許庁

After the post-processing test of the flash memory 1 is performed, these stored data are read by each memory 30 while using the pattern data as the address data.例文帳に追加

フラッシュメモリ１の後工程試験を行った後に、各メモリ３０は、パターンデータをアドレスデータとして用いて、記憶したこれらのデータを読み出す。 - 特許庁

A flash memory system and a method for data management using the embodiments of the invention use special test cells with early degradation detection (EDD) circuitry instead of using the actual user-data storage cells.例文帳に追加

実際のユーザデータストレージセルを使用する代わりに、劣化の早期検出（ＥＤＤ）回路を備える特別なテストセルを使用する、本発明の実施形態を用いたフラッシュメモリシステムとデータ管理方法が開示される。 - 特許庁

A system-on-a-chip 40 includes support for a standard external interface, such as a Universal Serial Bus (USB) or IEEE 1394 interface, to which a host system such as flash memory test equipment can connect.例文帳に追加

システム・オン・チップ４０は、フラッシュメモリテスト装置などのホストシステムを接続することのできる、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）やＩＥＥＥ１３９４インターフェースなどの標準外部インターフェースのサポートを含む。 - 特許庁

To allow omission of a series of processing such as transmission of writing/reading operation with respect to a fail memory in the case where a semiconductor device to be measured is tested, of which a high speed test for a flash memory, etc. is unnecessary.例文帳に追加

フラッシュメモリなどのように高速の試験を行う必要のない被測定半導体デバイスを試験する場合におけるフェイルメモリへの書込み・読出転送という一連の処理を省略できるようにする。 - 特許庁

To make a flash memory, etc., of multiple bit configuration a basic element and to reduce test cost of a memory card performing an input-output operation of data in one-bit unit.例文帳に追加

多ビット構成のフラッシュメモリ等を基本素子とし、１ビット単位でデータの入出力動作を行うメモリカードの試験コストを低減する。 - 特許庁

In the step S220, the control unit reads audio data or display data for a test mode being stored in a flash memory 20 and goes on with processing to step S230.例文帳に追加

Ｓ２２０ステップにおいて、制御部は、フラッシュメモリ２０に格納されているテストモード用の音声データや表示データを読み込み、Ｓ２３０ステップへ処理を進める。 - 特許庁

To provide a write-in/erasion control method for flash memory by which a test time for write-in/erasion can be shortened by eliminating a verification operation at the time of initial eration.例文帳に追加

初期消去時のベリファイ動作をなくし、書き込み・消去動作にかかるテストタイムを短くすることのできるフラッシュメモリの書き込み・消去制御方法を提供する。 - 特許庁

While the preview button 9 is depressed, whether the built-in type flash unit 5 performs modeling light emission or test light emission for repeating light emission is determined by the custom setting operation of the electronic camera 1.例文帳に追加

プレビューボタン９が押圧されている間に、内蔵式閃光装置５のモデリング発光を行うか、または、リピーティング発光のテスト発光を行うかについては、電子カメラ１のカスタム設定操作によって決定される。 - 特許庁

To increase test speed of a flash memory in which a block in which failure is caused is erased the block whenever failure is caused and write-in tests are performed repeatedly until failure is not caused in the block.例文帳に追加

フェイルの発生毎にそのフェイルが発生したブロックを一括して消去し、そのブロックでフェイルが発生しなくなるまで書き込み試験を繰り返して実行するフラッシュメモリの試験を高速化する。 - 特許庁

At this time, when a built-in type flash unit 5 is in a use position, the device 5 performs modeling light emission or test emission for repeating light emission.例文帳に追加

このとき、内蔵式閃光装置５が使用位置であれば、内蔵式閃光装置５のモデリング発光、または、リピーティング発光のテスト発光が行われる。 - 特許庁

The flash memory test cells can be made to serve as a "canary in a coal mine" by being made more sensitive than the standard cells by using experimentally determined sensitive write V_T and variable read V_T.例文帳に追加

フラッシュメモリテストセルは、実験的に決定される感度の高い書き込みＶ_Ｔと、可変読み込みＶ_Ｔを使用して標準的なセルより高感度にすることにより、「炭鉱のカナリア」の役割を果たすようにすることができる。 - 特許庁

To miniaturize the hardware constitution, to reduce the manufacturing cost, and to improve the throughput/cost ratio in a test system for a nonvolatile memory such as a flash memory card or the like.例文帳に追加

フラッシュメモリカードなどの不揮発性メモリの試験システムにおいて、ハード構成の小型化やコストの低減を図るとともに、スループット対コスト比の向上を図ることにある。 - 特許庁

In the flash memory performing write-in and erasion of plural times for each memory cell in a screening test and the like, when erasion-verify is passed at the time of initial write-in/erasion (S105), the number of times of applying of a time required for erasion is stored in a storage region set in a flash memory (S107).例文帳に追加

スクリーニング試験等に複数回の書き込みと消去を各メモリセルに対して行うフラッシュメモリにあって、初回の書き込み・消去の際、消去ベリファイがパスしたとき（Ｓ１０５）、消去に要した印加回数又は時間をフラッシュメモリ内に設定した記憶領域に記憶する（Ｓ１０７）。 - 特許庁

This manufacturing system includes a soldering robot 1 to solder electronic components to a printed circuit board, a circuit check unit to inspect the electrical characteristics of the printed circuit board, a ROM writer 3 to write the predetermined data on the flash ROM on the printed circuit board, and a function test unit 4 to perform a final function test.例文帳に追加

本生産システムは、はんだ付けロボット１によりプリント基板上に電子部品をはんだ付けし、サーキットチェック装置によりプリント基板の電気特性を検査した後、ＲＯＭライタ３によりプリント基板上のフラッシュＲＯＭに所定のデータを書き込み、ファンクションテスト装置４により最終的な機能検査を行う。 - 特許庁

To shorten a test time when blocks to be erased selected over a plurality of banks are serially selected by a block unit and data are erased in a flash memory in which write/erasure operations and read operation are simultaneously performed.例文帳に追加

書き込み／消去動作と読み出し動作を同時実行可能なフラッシュメモリにおいて、複数のバンクにわたって選択された消去対象選択ブロックをブロック単位でシリアルに選択してデータ消去を行う際、テスト時間の短縮化を図る。 - 特許庁

A heat treatment method irradiates emission light from a Xe flash lamp, which serves as a heat source, to a test sample having an interface of a semiconductor substrate 15 including an insulating film containing oxygen, and Si, while at least part of ultra violet rays in the emission light is removed to carry out heat treatment.例文帳に追加

加熱源となるＸｅフラッシュランプの放出光を、前記放出光の内の紫外線の少なくとも一部を除去した状態で酸素を含む絶縁膜とＳｉを含む半導体基体との界面を有する試料に照射して熱処理を行う。 - 特許庁

When a CPU outputs a test mode signal to a flash memory 15 and reads out data, only an source of a memory cell transistor 16 belonging to a word column selected by a row decoder 17 is connected to ground by a switch array 21, the other sources are connected to a power source VDR.例文帳に追加

ＣＰＵが、フラッシュメモリ１５に対して検査モード信号を出力しデータの読出しを行う場合に、行デコーダ１７で選択されたワード列に属するメモリセルトランジスタ１６のソースだけをスイッチアレイ２１によってグランドに接続し、その他のソースを電源ＶDRに接続する。 - 特許庁

A system controller 14 becomes a test mode with respect to the optical disk reproducing apparatus equipped with the flash memory 20, and when it is set to display the additional information, it performs processing to display the additional information on the display means.例文帳に追加

このフラッシュメモリ２０を実装した光ディスク再生装置に対して、システムコントローラ１４は、テストモードになり、当該付加情報を表示させるように設定されると、当該付加情報を表示手段に表示させる処理を行う。 - 特許庁

In the device, when a toner image for a test pattern that is formed on recording paper 6 is fixed by having it exposed by a flash type fixing device 7, reflected light is detected by an optical sensor 8, a density value is obtained and the image forming condition is controlled based on the density value above.例文帳に追加

記録紙６上に形成されたテストパターンのトナー像を、フラッシュ式定着器７で露光することによって定着する際に、その反射光を光学センサ８によって検出して濃度値を得、該濃度値に基づいて画像形成条件を制御する。 - 特許庁

A flash memory having hierarchical bit line configuration is provided with column reset/bit line test transistor regions 4a commonly to a plurality of cell blocks 3a sharing upper layer bit lines MBL0, MBL1, etc., so that data lines DL connected with sense amplifiers can be selectively disconnected from the upper layer bit lines.例文帳に追加

階層ビット線構成を有するフラッシュメモリにおいて、上層ビット線ＭＢＬ０，ＭＢＬ１，…を共有している複数のセルブロック３ａに対して共通にカラムリセット兼ビット線テストトランジスタ領域４ａを設け、センスアンプが接続されるデータ線ＤＬを上層ビット線から選択的に切り離し得るようにした。 - 特許庁

By changing the level of the first control signal C1 under the test mode to redirect output of a first selection circuit 12 and change over the operation of a program counter 11, a first burn-in mode for activating the flash EEPROM 20 and second burn-in mode for activating the function part 10 are alternately executed.例文帳に追加

そして、テストモード下で、前記第１の制御信号Ｃ１のレベルを変えることによって、第１の選択回路１２の出力先及びプログラムカウンタ１１の動作を切り替え、フラッシュＥＥＰＲＯＭ２０を活性化する第１のバーインモードと機能部１０を活性化する第２のバーインモードとを交互に実行する。 - 特許庁

To provide a water-washable water-based penetrant for a liquid penetrant test not having a flash point, capable of suppressing to the utmost generation of excess cleaning when removing an excess penetrant by water washing, and having a similar flaw detection performance to that of a water-washable oil-based penetrant, and a liquid penetrant testing method using the penetrant.例文帳に追加

引火点を有さず、かつ、水洗による余剰浸透液の除去に当たって、過洗浄の発生が可及的に抑制でき、水洗性油ベース浸透液と同等の探傷性能を具備している浸透探傷試験用水洗性水ベース浸透液及び該浸透液を用いる浸透探傷試験方法を提供する。 - 特許庁