「thin film component」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To realize miniaturization and reduction of an insertion loss of a transmission line device with a magnetic thin film as a component element.例文帳に追加

磁性薄膜を構成要素として有する伝送線路デバイスの小型化ならびに挿入損失低減を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an optical component having an excellent optical characteristic even after being formed with an optical thin film without expending considerable man-hours.例文帳に追加

多大な工数をかけることなく、光学薄膜の形成後も優れた光学特性を有する光学部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an energy device having a thin film containing silicon as the main component and having high cycle characteristics.例文帳に追加

シリコンを主成分とする薄膜を負極活物質として備え、サイクル特性の良好なエネルギーデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a thin film electronic component and a substrate which can improve the joining strength of an external terminal to a base substrate.例文帳に追加

外部端子の支持基板への接合強度を向上できる薄膜電子部品および基板を提供する。 - 特許庁

To provide an energy device having a thin film containing silicon as the main component as a negative active material, and enhancing cycle characteristic.例文帳に追加

シリコンを主成分とする薄膜を負極活物質として備え、サイクル特性の良好なエネルギーデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film electronic component, which can improve the size precision of a conductor pattern.例文帳に追加

導体パターンの寸法精度を向上させることができる薄膜電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating chip-type electronic component external electrodes consistent in sidewise dimensions, with the film thickness thin and uniform at the end section and on the side sections.例文帳に追加

側面部寸法が一定で、端部および側面部において膜厚が薄く、均一な外部電極形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a waveguide type optical component with a thin film heater which has a long service life.例文帳に追加

薄膜ヒータの寿命の長い薄膜ヒータ付き導波路型光部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film passive component to equalize the degradation and deterioration of a signal generated in a conductor in a GHz frequency band.例文帳に追加

ＧＨｚ周波数帯域において導体に生じる信号の減衰や劣化を等化する、薄膜受動部品を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for removing a thin film consisting of a two-component molding material from an area on a substrate.例文帳に追加

２成分系成形材料の薄層を、基板上の領域から除去するための方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet for bonding optical component materials, excellent in a property of absorbing level difference and durability even when the sheet is a thin film.例文帳に追加

薄膜であっても、段差吸収性及び耐久性に優れた光学部材貼り合わせ用粘着シートを提供する。 - 特許庁

To improve cycle characteristics of an energy device having a thin film composed of silicon of a main component as a cathode active material.例文帳に追加

シリコンを主成分とする薄膜を負極活物質としたエネルギーデバイスのサイクル特性を向上させる。 - 特許庁

To manufacture a thin-film multi-layered type laminated ceramic electronic component which has high reliability by deterring structural defects such as inter-layer peeling and a short circuit.例文帳に追加

層間剥離や短絡等の構造欠陥の発生を抑制し、高信頼性を有する、薄膜多層の積層セラミック電子部品を製造する。 - 特許庁

To enhance both of capacity and cycle characteristics of an energy device using a thin film containing silicon as the main component as a negative active material.例文帳に追加

シリコンを主成分とする薄膜を負極活物質として備えたエネルギーデバイスの大容量化とサイクル特性の向上とを両立させる。 - 特許庁

To provide a thin film evaporator capable of continuously treating a liquid to be treated containing an easily polymerizable component by heat for a long period of time.例文帳に追加

熱により重合し易い成分を含む被処理液を、長期間連続して処理することのできる薄膜蒸発器を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film of a hydrophilic polymer on the inner surface of a constituting component for fluid.例文帳に追加

流体用構成要素の内側表面に親水性ポリマーの薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an alloy containing a multi-component oxide which is used for a sputter target, and capable of depositing a thin film by the sputtering.例文帳に追加

スパッタターゲットに使用することができ、スパッタして薄膜を形成することができる、多重成分の酸化物を含有する合金を提供する。 - 特許庁

The dielectric multilayer film type optical component is characterized in that a collimator lens is stuck, using the epoxy based resin, respectively to the dielectric multilayer film and the quartz glass thin film of the dielectric multilayer film type filter element.例文帳に追加

この誘電体多層膜型フィルタ素子の誘電体多層膜および石英ガラス薄膜にそれぞれエポキシ系樹脂を用いてコリメートレンズが接着されてなることを特徴とする誘電体多層膜型光部品。 - 特許庁

A gate insulating film 4 contains SiO2 as its main component and the quantity of carbon in the insulating film 4 is set at 2×1019 cm-3 or more, whereby a thin film transistor, which has the high concentration film 4 and is little changed its threshold voltage Vt, is provided.例文帳に追加

ゲート絶縁膜４がSiO_2を主成分とし、前記ゲート絶縁膜内のカーボンの量を2×10^19cm^-3以上にすることにより、緻密な前記ゲート絶縁膜４を持つしきい値電圧Vtの変化の小さい薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

With regard to the signal component, functions of an n^+ film, i.e., the hole blocking function and electrode function, are separated to the n^+ film and a transparent conductive film, respectively, in order to make thin the n^+ film, thus enhancing the incidence efficiency of light.例文帳に追加

また、信号成分においては、ｎ^+膜の機能であるホールブロッキング機能と電極機能を、夫々、ｎ^+膜と透明導電膜に機能分離させることにより、ｎ^+膜を薄膜化し、光入射効率を向上させる。 - 特許庁

In order to mix a part of each of film forming particles, an auxiliary film forming source 52 containing the main component element of a current collector and a negative active material film forming source 51 for forming a negative active material thin film are adjacently arranged.例文帳に追加

それぞれからの成膜粒子の一部が相互に混合されるように、集電体の主成分元素を含む補助成膜源５２及び負極活物質薄膜を形成するための負極活物質成膜源５１を隣り合わせて配置する。 - 特許庁

With regard to the signal component, functions of an n^+ film, i.e., the hole blocking function and the electrode function, are separated to the n^+ film and a transparent conductive film, respectively, in order to make thin the n^+ film thus enhancing the incidence efficiency of light.例文帳に追加

また、信号成分においてはｎ^+膜の機能であるホールブロッキング機能と電極機能を、夫々、ｎ^+膜と透明導電膜に機能分離することにより、ｎ^+膜を薄膜化し、光入射効率を向上する。 - 特許庁

The carbonaceous thin film is formed on the surface of the substrate, and has a film main body containing a C-C component formed by the interconnection of carbon and an SiC component formed by the interconnection of carbon and silicon.例文帳に追加

炭素質薄膜は、基材の表面に形成され、炭素同士が結合したＣ−Ｃ成分及び炭素とシリコンとが結合したＳｉＣ成分を含む膜本体を備えている。 - 特許庁

This thin film has an XRD pattern of diamond in XRD measurements, and has a ratio of 2.5 to 2.7 : 1 between an sp3-bonding component and an sp2-bonding component in the film, when it is subjected to Raman spectroscopy.例文帳に追加

この薄膜は、ＸＲＤ測定においてダイヤモンドのＸＲＤパターンを有し、かつラマン分光測定を行った際に、膜中のｓｐ３結合成分とｓｐ２結合成分の比が、２．５〜２．７：１であることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a method for producing an inorganic-containing organic film, improved in mechanical strength in spite of a reduced thickness by mixing an inorganic component to an organic component, and an inorganic-containing organic film which is thin and high in mechanical strength.例文帳に追加

有機成分に無機成分を混合することによって、薄くても機械的強度の向上した無機含有有機膜を製造できる方法、及び薄くて、機械的強度の高い無機含有有機膜を提供すること。 - 特許庁

A convexoconcave component due to the surface unevenness and a thin film interference component due to coloring of specular light caused by thing-film interference of each color of the pigment ink are respectively predicted as fluctuation from an actual measurement value contained in the calculation value.例文帳に追加

該算出値に含まれる実測値からの変動分として、表面凹凸に起因する凹凸成分と、各顔料インクの薄膜干渉による正反射光の色付きに起因する薄膜干渉成分とをそれぞれ予測する。 - 特許庁

To provide a cleaning method for a thin film deposition system where, in cleaning with NF_3 plasma, without subjecting a component made of Al or an Al alloy in a film deposition system directly exposed to the plasma to surface treatment, the generation of black powder (AlF) on the surface of the component is suppressed.例文帳に追加

ＮＦ_3プラズマによるクリーニングにおいて、該プラズマに直接暴露される成膜装置内のＡｌまたはＡｌ合金製部品に表面処理を施しておくことなく、その部品表面の黒粉（ＡｌＦ）の発生を抑制する。 - 特許庁

The crystalline ceria thin film catalyst is a thin film consisting of a crystal with the ceria formed on the surface of a base material as a principal component, wherein the thin film is grown from the surface of the base material and is composed of columnar crystal, and the orientation of a crystal face in the thin film is in a (100) direction to a normal of the base material surface is provided.例文帳に追加

基材の表面に形成されたセリアを主成分とする結晶からなる薄膜であって、前記薄膜が前記基材表面から成長してなる柱状結晶からなり、且つ前記薄膜の結晶面の方位が前記基材表面の法線に対して（１００）方向となっていることを特徴とする結晶性セリア薄膜触媒。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an organic semiconductor thin film which is homogeneous in the film quality and film thickness and then homogeneous with extremely less pin hole including a peripheral edge part in a certain decided area when the organic semiconductor thin film comprising single-component organic molecules is manufactured by a printing method.例文帳に追加

本発明は、単成分の有機分子からなる有機半導体薄膜を、印刷法により製造するに際し、ある決められた領域内に周縁部を含めて膜質と膜厚が均質、かつピンホールのきわめて少ない均質な有機半導体薄膜の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an apparatus for film formation of a patterned resist film and capable of forming a thin film pattern with a size from milli-meter order to a sub-milli-meter order at a necessary and sufficient precision, to provide a method for formation of a thin film pattern, and to provide an optical component by employing the apparatus and the method.例文帳に追加

ミリメートルからサブミリメートルの大きさの薄膜パターンを必要、十分な精度で形成させるためのパターン状レジスト膜を成膜させる装置、薄膜パターンの形成方法、それによる光学部品を提供すること。 - 特許庁

A thin film electronic component element is formed on an insulation substrate 2 and a protective layer 6 is formed thereon thus forming the thin film electronic component wherein a step 9 is formed by cutting the outer circumferential end of one major surface of the insulation substrate 2.例文帳に追加

本発明は、絶縁基板２上に、薄膜電子部品素子を形成し、さらに該薄膜電子部品素子上部に保護層６が形成された薄膜電子部品であり、絶縁基板２の一方主面の外周端部に切り欠き段差部９を周設した。 - 特許庁

The anode electrode has a conductive thin film made of diamond-like carbon in which crystalline component is mixed with amorphous component, and the conductive thin film is formed so as to cover at least a part of an anodic base material or the solid high molecular electrolyte membrane.例文帳に追加

陽極電極は、結晶質成分と非晶質成分が混在したダイヤモンドライクカーボンの導電性薄膜を有しており、導電性薄膜は、陽極基材または前記固体高分子電解質膜の少なくとも一部を覆うように形成されている。 - 特許庁

This thin-film electronic component is constituted by forming electronic component elements on an insulating substrate 1, further forming a protective layer, and extracting external connection electrodes, wherein a thin-film metal layer is formed with Ti or Ni on the main surface which is opposite to another main surface on which the external connection electrodes are formed.例文帳に追加

本発明は、絶縁基板１上に、電子部品素子を形成し、さらに保護層を形成し、外部接続用電極が導出されている薄膜電子部品であり、外部接続用電極が形成された主面と対向する主面にはＴｉやＮｉにより薄膜金属層が形成されている。 - 特許庁

The thin film electronic component comprises a supporting substrate 1, a thin film capacitor element A provided on the supporting substrate 1 while having electrode layers 5a and 7a and a dielectric layer 3, and a protective layer B covering the thin film capacitor element A wherein an underlying insulator layer 9 of the same component as the dielectric layer 3 is formed on the supporting substrate 1.例文帳に追加

支持基板１と、該支持基板１上に設けられ、電極層５ａ、７ａと誘電体層３とを有する薄膜コンデンサ素子Ａと、該薄膜コンデンサ素子Ａを被覆する保護層Ｂを有する薄膜電子部品であって、該誘電体層３を構成する同一成分の下地絶縁体層９を該支持基板１上に形成した。 - 特許庁

A porous nanocomposite thin film characterized in that it is a porous material having an average pore diameter of 10 nm or less is obtained by forming a thin film from a composition comprising (A) a precursor of silica, (B) a heat resistant organic polymer, (C) a component that can be removed after the thin film having been formed, and a solvent, and thereafter removing the component (C).例文帳に追加

シリカ（Ａ）の前駆体、耐熱性有機ポリマー（Ｂ）、薄膜形成後に除去可能な成分（Ｃ）及び溶剤を含有する組成物から薄膜を形成し、その後前記成分（Ｃ）を除去することにより、平均孔径が１０ｎｍ以下の多孔質であることを特徴とする多孔質ナノコンポジット薄膜を得る。 - 特許庁

In the component for a vacuum film deposition system composing a vacuum film deposition system where a thin film deposition material evaporated in a vacuum vessel is vapor-deposited on a substrate, so as to deposit a thin film, the surface roughness of the component 1 for a vacuum film deposition system is ≤5 μm by the arithmetic average roughness Ra.例文帳に追加

真空容器内で蒸発させた薄膜形成材料を基板上に蒸着せしめて薄膜を形成する真空成膜装置を構成する真空成膜装置用部品において、上記真空成膜装置用部品１の表面粗さが算術平均粗さＲａで５μｍ以下であることを特徴とする真空成膜装置用部品１である。 - 特許庁

A thin film transistor substrate is provided with a semiconductor layer 33 of a thin film transistor, a source drain electrode 34, and a transparent pixel electrode 5, wherein the source drain electrode 34 is formed with an Al alloy film containing Ni of 0.1 to 6 atom% as an alloy component, and the Al alloy film is directly connected to the semiconductor layer 33 of the thin film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタの半導体層３３と、ソース−ドレイン電極３４と、透明画素電極５とを有する薄膜トランジスタ基板において、ソース−ドレイン電極３４は、合金成分としてＮｉを０．１〜６原子％含有するＡｌ合金の薄膜からなり、Ａｌ合金の薄膜は薄膜トランジスタの半導体層３３と直接接続している。 - 特許庁

A transparent film with gas barrier properties having a thermoplastic polymer film, a primer layer overlying at least one face of the thermoplastic polymer film, and an inorganic thin film layer overlying the primer layer, is characterized in that the primer layer comprises an aromatic hydrocarbon component, an N-containing component, a methacrylate component, and a silane compound component.例文帳に追加

熱可塑性高分子フィルムと、前記熱可塑性高分子フィルムの少なくとも一方の面に積層されたプライマー層と、前記プライマー層の上に積層された無機薄膜層とを有するガスバリア性透明フィルムであって、前記プライマー層が、芳香族炭化水素成分、Ｎ含有成分、メタクリレート成分、およびシラン化合物成分を含むことを特徴とするガスバリア性透明フィルム。 - 特許庁

This transparent substrate with the multilayer film having electroconductivity is composed by lamination of a thin transparent dielectric film and a thin transparent electroconductive film on the transparent substrate, where the electroconductive film has a first electroconductive film layer as the outermost layer comprising a transparent electroconductor containing zinc oxide as the principal component and a second electroconductive film layer comprising a transparent electroconductor formed under the first electroconductive film layer.例文帳に追加

透明基板上に透明誘電体の薄膜と透明導電体の薄膜とを積層する導電性を有する多層膜付透明基板において、最外層に主成分として酸化亜鉛を含有する透明導電体からなる第１導電膜層と、第１導電膜層の下層に形成される透明導電体からなる第２導電膜層と、を有する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a thin-film transistor which has a semiconductor thin film consisting of an oxide containing a zinc oxide (ZnO) as a main component and a gate insulation film consisting of a silicon-based insulation film and joined to the semiconductor film, the formation of the semiconductor film and the formation of the gate insulation film are executed in continuous processes in a vacuum state.例文帳に追加

酸化亜鉛（ZnO）を主成分とする酸化物からなる半導体薄膜と、シリコン系絶縁膜からなり該半導体薄膜に接するゲート絶縁膜を有する薄膜トランジスタの製法において、前記半導体薄膜の形成と前記ゲート絶縁膜の形成が、真空中にて連続した工程で行われることを特徴とする薄膜トランジスタの製法。 - 特許庁

To develop a easy film forming method where control of characteristics is easy and find a condition for realizing device functions, regarding a microcrystal silicon dispersed resin thin film and a thin-film element, which have effective characteristics as an electronic component such as a varistor and a photoelectric device.例文帳に追加

バリスタや光電デバイスなどの電子部品として有効な特性をもつ微結晶シリコン分散樹脂薄膜および薄膜素子について、簡便で特性の制御が容易な成膜法の開発と、デバイス機能を実現するための条件を見出すことにある。 - 特許庁

The piezoelectric thin film resonator is characterized by having a piezoelectric lamination structure 14 wherein an insulator layer 13 constituted of a dielectric film whose main component is silicon oxide or silicon nitride, a lower electrode 15, a piezoelectric thin film 16 and an upper electrode 17 are laminated in this order at a position facing a viahole 20 of a substrate 12.例文帳に追加

基板１２のビアホール２０に面する位置にて、酸化シリコンまたは窒化シリコンを主成分とする誘電体膜からなる絶縁体層１３、下部電極１５、圧電体薄膜１６および上部電極１７がこの順に積層された圧電積層構造体１４を備える。 - 特許庁

The wiring electronic component includes a support plate, a thin film tape stuck onto the support plate through a releasable adhesive; a horizontal wiring part formed by patterning a metal film on the thin film tape; and a vertical wiring part connected to the horizontal wiring part.例文帳に追加

支持板と、該支持板の上に剥離可能の接着剤により貼り付けた薄膜テープと、該薄膜テープ上の金属膜をパターニングすることにより形成した水平配線部と、該水平配線部に接続された垂直配線部とを備える。 - 特許庁

To provide a thin film formation device for fixing formation conditions of an oxide film formed on the surface of an object treated by preventing oxidizing gas used for a thin film formation device from being spent on the oxidization of the internal wall of a vacuum treatment chamber or the surface of a component.例文帳に追加

薄膜形成装置に使用される酸化性気体が真空処理室内壁や部品表面の酸化に費やされない様にすることにより、被処理物の表面に形成される酸化皮膜の形成条件を一定にすることができる薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁

In this way, the piezoelectric thin film resonator is provided with MIM capacitance component which consists of a part of the lower electrode 105, a part of the upper electrode 106 and the dielectric film 108 on a portion adjacent to the piezoelectric film 107.例文帳に追加

このようにして、圧電膜１０７に隣接する部分に下部電極１０５の一部、上部電極１０６の一部および誘電体膜１０８とから成るMIMキャパシタンス成分を備える圧電薄膜共振器を形成する。 - 特許庁